CN107039079B - 以电压分布的每一侧上关于分布均值的单独表征进行的自适应读取阈值电压跟踪 - Google Patents

以电压分布的每一侧上关于分布均值的单独表征进行的自适应读取阈值电压跟踪 Download PDF

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Abstract

本发明提供用于以电压分布的每一侧上关于分布均值的单独表征进行自适应读取阈值电压跟踪的方法和设备。通过使用多个读取阈值电压至少部分地基于两个相邻存储器等级的统计分布的类型和从单元读取的数据值的分布确定所述存储器等级的统计特征来调整存储器的读取阈值电压，其中关于所述统计分布的至少一个均值在两侧上独立地表征所述两个相邻存储器等级的所述统计特征；通过使用所述两个相邻存储器等级的所述统计特征计算与所述两个相邻存储器等级相关联的经调整读取阈值电压；以及基于所述经调整读取阈值电压更新所述读取阈值电压。响应于一或多个读取误差任选地执行所述调整。

Description

以电压分布的每一侧上关于分布均值的单独表征进行的自适 应读取阈值电压跟踪
技术领域
技术领域大体上涉及固态存储媒体，且更具体地说，涉及用于此类固态存储媒体的读取阈值电压。
背景技术
固态存储装置使用模拟存储器单元来存储数据。每个存储器单元存储存储值，例如电气电压。存储值表示存储器单元中存储的信息。许多固态存储装置基于存储器单元的读取电压电平区分开存储器单元可存储的不同二元值。每一存储器单元的可能存储值的范围通常被分成阈值区，其中每一区通过读取阈值电压分隔开且对应于一或多个数据位值。理想地，给定固态存储装置中的所有存储器单元对于所存储的逻辑位值具有相同的读取阈值电压。然而，在实践中，在类似于高斯分布的沿读取阈值电压轴的概率分布(例如，“读取阈值电压分布”)中，读取阈值电压跨单元而不同。
另外，固态存储装置可随时间推移而移位。举例来说，存储器单元泄漏、存储器单元损坏和对存储器单元的其它干扰可改变存储器单元的读取电压电平。因此，读取阈值电压可随时间推移而移位。泄漏和其它干扰的比率还可在存储器单元随时间推移经使用时随着老化而增加。如果存储器单元的读取电压电平移位超过读取阈值电压，则发生数据误差，因为从存储器单元读取的数据的值不同于写入到存储器单元的数据的值。
已经提出或推荐多种技术用于适应于读取阈值电压中的变化以维持所需性能水平。现有自适应跟踪算法设计为跟踪固态存储通道中的变化，并因此帮助维持经更新通道参数的集合。经更新通道参数用于(例如)调整读取阈值电压。
2012年6月26日提交的标题为“非易失性存储器的读取阈值的优化(Optimizationof Read Thresholds for Non-Volatile Memory)”的第2013/0343131号美国公开专利申请案揭示了用于调适读取阈值电压的技术，所述申请案以引用的方式并入本文。虽然此类现有自适应跟踪算法已经协助提高固态存储装置的性能，但是其受到一或多个限制，所述限制如果克服可以进一步提高固态存储装置的可靠性和性能。举例来说，第2013/0343131号美国公开专利申请案中描述的技术假设已知固态存储装置的默认读取阈值电压之间的间隙。通常，间隙是确保各种所收集统计数字之间的公用换算的常量值。虽然一些固态存储供应商提供关于间隙的信息，但是其它供应商不提供此类信息。
因此，需要用于调适读取阈值电压的改进的技术，所述技术估计固态存储装置的默认读取阈值电压之间的间隙并由此提高解码性能。进一步需要关于给定分布的均值分别地表征所述分布的每一侧由此以改进的稳定性计算读取阈值电压的技术。
发明内容
本发明的说明性实施例提供用于以电压分布的每一侧上关于分布均值的单独表征进行的自适应读取阈值电压跟踪。在一个实施例中，用于调整存储器的读取阈值电压的例示性方法包括：使用多个读取阈值电压至少部分地基于两个相邻存储器等级的统计分布的类型和从单元读取的数据值的分布确定所述存储器等级的统计特征，其中关于所述统计分布的至少一个均值在两侧上独立地表征所述两个相邻存储器等级的所述统计特征；通过使用所述两个相邻存储器等级的所述统计特征计算与所述两个相邻存储器等级相关联的经调整读取阈值电压；以及基于所述经调整读取阈值电压更新所述读取阈值电压。响应于一或多个读取误差任选地执行所述调整。
在一或多个例示性实施例中，通过第一均值和第一标准偏差值在第一侧上并且通过第二均值和第二标准偏差值在第二侧上表征一个存储器等级的统计分布。从所述第一侧的统计数字获得所述第一均值和所述第一标准偏差值，并且其中从所述第二侧的统计数字获得所述第二均值和所述第二标准偏差值。
在一或多个例示性实施例中，关于单个均值通过所述单个均值和第一标准偏差值在第一侧上并且通过所述单个均值和第二标准偏差值在第二侧上表征一个存储器等级的统计分布。所述方法任选地进一步包括估计两个相邻默认读取阈值电压之间的间隙，并且其中所述两个相邻存储器等级的所述统计特征进一步基于所述间隙。
取决于快闪存储器装置的特征，所揭示的用于以默认读取阈值电压之间的间隙估计和/或以电压分布的每一侧上关于分布均值的单独表征调适读取阈值电压的例示性技术能克服与先前描述的传统技术相关联的问题中的一或多者。从附图和以下详细描述中将更容易清楚本发明的这些以及其它特征和优点。
附图说明
图1说明根据本发明的至少一个例示性实施例的并入基于例示性控制器的读取阈值电压调整技术的例示性固态存储存储器系统；
图2说明例示性MLC固态存储装置的三个例示性读取阈值电压；
图3到6是说明根据本发明的实施例的读取阈值电压调整过程的例示性实施方案的流程图；以及
图7说明可用于实施本发明的一或多个实施例的至少一部分的例示性处理平台。
具体实施方式
本文中将参考例示性固态存储装置和相关联控制器、读取通道和其它处理装置描述本发明的说明性实施例。然而，应理解，本发明不限于用于所展示的特定说明性系统及装置配置。因此，如本文所使用的术语“固态存储装置”希望广义地理解，以便涵盖(例如)快闪存储器装置。
如上所述，在类似于高斯分布的沿读取阈值电压轴的概率分布(例如，“读取阈值电压分布”)中，读取阈值电压跨单元而不同。高斯类分布可以熟知的方式以均值和标准偏差值(即，变化)为特征。
如将描述，在一或多个说明性实施例中，本发明提供用于关于给定分布的均值分别地表征所述分布的每一侧由此以改进的稳定性计算读取阈值电压的方法和设备。由于耐久性之后的电压分布和/或保持作用不对称(即，分布的每一侧不同于彼此)的事实，单独表征是必要的。
根据本发明的一个例示性方面，关于存储器等级的统计分布的均值在两侧(通常被称为“尾区”)上独立地表征存储器等级。在一个例示性实施例中，使用两个标准偏差和至少一个均值来表征每一统计分布。此特征将提高性能，因为从所收集的固态存储数据观测到的分布显示关于其均值的不对称性。在其它优势中，关于均值在两侧上独立地表征存储器等级提供两个相邻存储器等级的分布交叉处的交叉点的更精确估计。
以此方式，可针对例示性软低密度奇偶校验(LDPC)解码器计算出改进的对数似然比(LLR)分配。如前所述，LLR分配可针对基本分布中的不对称性保持真。另外，通过关于均值在两侧上独立地表征存储器等级，可以改进的稳定性计算出读取阈值电压。
根据本发明的另一方面，在一或多个说明性实施例中，估计默认读取阈值电压之间的间隙。因此，通过估计固态存储装置的两个相邻默认读取阈值电压之间的间隙提供用于调适读取阈值电压的例示性方法和设备。在某些闪存族中由于缺少对实际电压的存取而无法直接计算出默认读取阈值电压之间的间隙。可利用的读出值通常是在读取窗内归一化的偏移值。
至少一个例示性实施例提供控制间隙估计的质量的灵活性。高质量估计将导致估计成功的比率减小。在其它潜在优势中，根据本发明的方面估计的默认读取阈值电压之间的间隙允许计算出改进的读取阈值电压和LLR分配。
图1说明根据本发明的至少一个例示性实施例的并入基于例示性控制器的读取阈值电压调整技术的例示性固态存储存储器系统100。如图1中所示，例示性固态存储存储器系统100包括通过接口连接的固态存储控制系统110和固态存储存储器块160。例示性固态存储控制系统110包括通常在一或多个集成电路上的固态存储控制器120和读取通道125。
应注意，术语“读取通道”也可涵盖写入通道。例示性读取通道125包括信号处理单元130、编码器/解码器块140和一或多个缓冲器145。在替代实施例中，编码器/解码器块140和一些缓冲器145可实施在固态存储控制器120内部。编码器/解码器块140和缓冲器145可使用(例如)熟知的市售技术和/或产品来实施。
例示性信号处理单元130包括一或多个处理器，其用以实施下文(例如)结合图3和4和名为“估计读取阈值、间隙值(必要时)、均值和标准偏差(Estimating ReadThresholds,Gap Values(when needed),Mean and Standard Deviation)”的章节进一步论述的一或多个读取阈值电压调整过程135。例示性固态存储存储器块160包括存储器阵列170和一或多个缓冲器110，所述一或多个缓冲器可各自使用熟知的市售技术和/或产品来实施。
初步措施
单层单元(SLC)固态存储装置例如每一存储器单元存储一个位(或两个可能的存储器状态)。另一方面，多层单元(MLC)固态存储装置每一存储器单元存储两个或更多个位((即，每一单元具有四个或更多个可编程状态)。关于MLC固态存储装置的更详细论述，参看例如2011年8月31日所申请的名称为“用于在具有跨页扇区、多页编码及按页编码的多层单元闪存装置中存储数据的方法和设备(Methods and Apparatus for Storing Data in aMulti-Level Cell Flash Memory Device with Cross-Page Sectors,Multi-PageCoding and Per-Page Coding)”的美国专利申请案第12/920,407号，现为美国专利第8,724,381号，以引用的方式并入本文。
假定用户数据的页被充分加扰以获取具有大致相等数目的二进制一及二进制零。在无法保证此条件的应用中，如本领域的普通技术人员显而易见的，可使用固定(及凭经验已知)数目的二进制一及零。
位序列的不等性通常被定义为二进制一的数目与所述序列的长度的比率。通常将位序列中的二进制一的数目称为所述序列的权数。在试图在软读取重试的上下文中描述不等性度量时，考虑SLC。如本领域的普通技术人员将显而易见的，采用SLC是为方便起见且所述处理易于延伸至MLC。
SLC以电荷形式来存储单个位x＝{0,1}，且可通过多个读取操作(通常称为软读取操作)推论出单元电压(称为y)。在例示性固态储存装置通道的一个例示性模型中，以x＝1(0)为条件的y通常被分配有均值μ1(μ2)及标准偏差σ1(σ2)。应指出，对于软电压y，软读取操作并不提供实际电压，而是提供具有最大电压及最小电压的电压范围。通过在VREF下的单个读取操作(例如，硬读取操作)，创建如下两个区(或电压范围)：
y∈(-∞,VREF)，或
y∈(VREF,∞)。
通过在电压V1及V2处的两个读取操作，创建三个区，如下：
y∈(-∞,V1]，或
y∈(V1,V2]，或
y∈(V2,∞)。
一般而言，区数目为大于读取操作总数目的数目。
图2说明用于例示性MLC固态存储装置的三个例示性读取阈值电压。所述例示性读取阈值电压轴线经绘制具有向右递增的正电压。未展示绝对比例尺，且未确定参考点，因此所述图式更一般化地应用于较大粒子数的非易失性存储器。
在图2中展示的例示性实施例中，针对例示性格雷码映射，利用三个默认(即，额定)读取阈值电压R01、R00及R10(亦分别展示为Va、Vb及Vc)创建四个对应区(或状态)。大体而言，利用读取读取阈值电压R01及R10来读取快页，且利用读取读取阈值电压R00来读取慢页。
对于例示性MLC媒体，图2中的最左边状态11(在读取阈值电压R01的左边)为擦除状态，且所述擦除状态中的例示性“与非”单元通常载送负电压。在图2中最左边状态向右的三个其他状态01、00、10分别可跨越从0V至(大致)5V的电压范围。电压范围可根据不同制造商而显著改变。因此，就如本领域的普通技术人员将显而易见，上述范围仅出于说明性目的。
如图2中所展示，默认读取阈值电压默认值R01用于区分状态11与状态01。通常，将默认值R01引用为偏移量001(或在上下文清晰的条件下仅称为偏移量1)，且制造商允许有关默认值R01的有限扫描范围。在图2中展示的例示性实施例中，可指派R01 101个可能的偏移值中的一个，默认值R01的左边及右边各50个偏移值。
默认读取阈值电压默认值R00为关于状态01及状态00的默认读取阈值电压。通常，将默认值R00引用为偏移量000(或在上下文清晰的条件下仅称为偏移量0)，且制造商允许有关默认值R00的有限扫描范围。在图2中展示的例示性实施例中，可指派R00 101个可能的偏移值中的一个，默认值R00的左边及右边各50个偏移值，类似于R01。
默认读取阈值电压默认值R10为关于状态00及状态10的默认读取阈值电压。通常，将默认值R10引用为偏移量010(或在上下文清晰的条件下仅称为偏移量2)，且制造商允许有关默认值R10的有限扫描范围。在图2中展示的例示性实施例中，可指派R10 101个可能的偏移值中的一个，默认值R10的左边及右边各50个偏移值，类似于R01及R00。
应指出，对偏移量的参考不应解释为将本发明在其适用性上局限于选择使用实际电压值取而代之的“与非”固态存储类型。就如本领域的普通技术人员将显而易见，本发明并不受限于电压扫描步骤单元。应指出，图2中出现的编号及相关的论述(例如偏移量50及101)仅用于说明性目的，且不应解释为对本发明的限制。
图2亦说明与每一状态11、01、00、10分别相关联的分布210-11、210-01、210-00及210-10。大体而言，每一分布210可通常以一个均值(σ)及一个标准偏差值(μ)为特征(图2中未展示)。应指出，对应于x＝1及x＝0的均值及标准偏差值取决于通道的质量，且随着通道干扰(例如程序/擦除周期(PEC))、数据保持及读取干扰而改变。就最小化误码率而言，大体上最优的硬读取放在通常由其各自均值及标准偏差值界定的两个相邻分布210的相交处。如上文所论述，本发明的各方面提供用于将分布210特征化的经提高的技术。
图2亦说明定义为默认值R01与默认值R00之间的距离(例如，按伏或偏移步长测量)的第一间隔G1。类似地，第二间隙G2定义为默认值R00与默认值R10之间的距离(例如，按伏或偏移步长测量)。如上文所指出，以引用的方式并入本文的美国公布专利申请案第2013/0343131号中所描述的自适应追踪技术采用此类间隙G1及G2的知识。本发明的一或多个例示性方面提供包括间隔估计部分的自适应跟踪算法。
所述揭示于美国公布专利申请案第2013/0343131号中的例示性自适应跟踪算法使用从多个读数观测到的不等性值(例如，从页读取所输出的一的分率)来估计底层单元电压分布210的均值及标准偏差值。所揭示的自适应追踪演算法假定所述底层单元电压分布210为高斯分布，且适应性地追踪分布210的均值及标准偏差值。此外，所揭示的自适应跟踪算法可计算大体上最优的读取阈值电压R01、R00及R10。
如以下进一步所论述，如果G1及G2未知，那么本文揭示的自适应跟踪算法可对其估计，且一或多个例示性实施例采用所述追踪演算法的两个独立的操作：
1.第一操作旨在估计间隙G1及G2。通常，间隙G1及G2在所述固态存储装置的所有操作条件中为常量。因此，第一操作将追踪充足数目的页(慢页及快页)来获取间隙G1及G2的估计值。
2.第二操作旨在估计均值、标准偏差值及大体上最优的读取阈值电压。在第一操作中所估计的间隙G1及G2作为输入运用于第二操作。
在一或多个例示性实施例中，本文所揭示的自适应跟踪算法为经设计以(例如)周期性地或在请求后即执行的脱机机制。
估计读取临限值、间隔值(在需要时)、均值及标准偏差
对于固态存储装置(例如SLC、MLC、TLC(三层单元)或QLC(四层单元)装置)中的状态11、01、00、10中的一者，标准Q函数可表达如下：
Figure BDA0001146041660000071
均值(μ)及标准偏差(σ)为高斯分布的参数，且x为变量。此外，Θi为第i个读数位置，且总共存在t个读数(例如，在针对下文结合图3进一步论述的例示性实施例的偏移范围-50至+50中)。例如，如果读取操作当前处于偏移量-5，那么方程式(1)指示与偏移量-5相关联的垂直线的左边区域。pi为从固态存储装置利用读取操作测量的量，且此量与页中的一的数目有关(通常称为所观测到的固态存储装置的不等性)。大体而言，Θi及pi为已知的，且μ及σ为待获取的值。
通过使用标准Q函数或查找表(LUT)(具有指数pi)，可将方程式(1)转换为以下表达式(通常称为倒数Q函数)：
Figure BDA0001146041660000072
其中从可由二进制树搜索有效实施的Q查表获得ai。
利用t观测结果，可使用成本函数通过最小所述化成本函数来估计所要的均值及标准偏差。在一个例示性实施方案中，成本函数可如下表达，其中w(s)为可能取决于或可能不取决于a(s)的已知权数。
Figure BDA0001146041660000073
其中wi为已知权重因数。
大体而言，至少需要两个点(即，观测结果)来估计给定分布的均值及标准偏差。如果存在超过两个的观测结果，那么所述多个观测结果视情况组合以获取所述均值及标准偏差的单个估计值。
归因于扫描范围的有限范围，Θi可定位在上给定分布210的右侧尾区或左侧尾区。例如，对于MLC的层1，使用Va扫描可见所述分布的左侧尾区，且使用Vb扫描可见所述分布的右侧尾区。假设tl及tr扫描(观测结果)分别对应Va及Vb扫描，(即，左侧(1)读数的数目及右侧(r)读数的数目)，因此t＝tl+tr。此外，假设G为Va与Vb之间的间隔。以此方式，在至少一个实施例中，间隔G确保所述分布的左侧尾区及右侧尾区为相同比例且可组合。与图2中默认读取阈值电压R00相关联的偏移量0可被认为是间隔G1加上步骤0。在此情况下，方程式(3)的成本函数可针对左侧(1)尾区及右侧(r)尾区的读数如下分开：
Figure BDA0001146041660000081
Figure BDA0001146041660000082
其中l为左侧尾区的读数的数目，且r为右侧尾区的读数的数目。间隔G作为用于将Va偏移变化与Vb偏移变化相关联的机制包括在方程式(4)及(5)中(如图2中所展示)。
通常，对于MLC装置或TLC装置，对应于特定存储器层的分布从两个方向感测。换句话说，利用扫描一个读取阈值电压来观测右侧尾区，且利用扫描另一读取阈值电压来观测左侧尾区。利用扫描两个尾区所获取的统计数字可用三个方式处理，每一方式进一步论述如下：
案例I：根据本发明的一个方面分开特征化右侧尾区及左侧尾区而不要求相同均值。在此情况下，不需要间隔值。
案例II：组合左侧尾区及右侧尾区统计数字，且使用已知间隔值来估计所述分布的均值及标准偏差。
案例III：根据本发明的一个方面分开特征化右侧尾区及左侧尾区，但伴以相同均值。间隔值可能事先已知。然而，如果没有已知间隔值，那么必须首先对其估计。
案例I：无需间隔值
如上所指出，根据本发明的一个方面可分开将右侧尾区及左侧尾区特征化而不限制具有相同均值。在此情况下，所述分布的右侧尾区及左侧尾区彼此独立特征化，且无需间隔值。第一均值及标准偏差对对应于左侧尾区，且第二均值及标准偏差对对应于右侧尾区。使用方程式(4)及(5)来建立成本函数：所述成本函数的方程式(4)实例具有tl读数(对应于左侧尾区)，且所述成本函数的方程式(5)实例具有tr读数(对应于右侧尾区)。方程式(5)中的间隔G可设定为零。
案例II：当已知间隙值时使用间隙值
如上所述，右侧尾区统计数字和左侧尾区统计数字可进行组合，并且已知的间隙值用于估计分布的平均值和标准差。
在一个例示性实施例中，下列等式集合用于建立成本函数，以进行最小化：
Figure BDA0001146041660000091
Figure BDA0001146041660000092
Figure BDA0001146041660000093
等式(6)和(7)分别是使用间隙值G的左侧尾区和右侧尾区的成本函数，等式(8)用于估计单个平均值和标准差值对。
案例IIIa：当已知间隙值时单独表征左侧尾区和右侧尾区
在至少一个例示性实施例中，左侧尾区利用不同于右侧尾区的标准偏差值的标准差进行参数化。然而，这两个尾区与单个平均参数连接在一起(即，获得左侧尾区和右侧尾区的两个标准差值，分别是σl和σr,以及一个平均值(μ，指示同一中心))：
Figure BDA0001146041660000094
Figure BDA0001146041660000095
Figure BDA0001146041660000096
等式(9)和(10)分别是左侧尾区和右侧尾区的成本函数，等式(11)用于估计两个标准差值和一个平均值。
案例IIIb：当间隙值要求估计时单独表征尾区
如上所述，在一些情况下，需要一或多个间隙值，但所述间隙值可能是未知的。间隙G首先可使用仅基于来自左侧尾区(例如)的统计数字的等式来估计，从而估计平均值和标准差，如下：
Figure BDA0001146041660000097
Figure BDA0001146041660000098
等式(12)评估左侧尾区的统计数字，等式(13)用于估计左侧尾区的平均值和标准差值。
其后，仅基于来自右侧尾区(例如)的统计数字来建立等式，以估计平均值和标准差值，如下：
Figure BDA0001146041660000099
Figure BDA00011460416600000910
等式(14)评估右侧尾区的统计数字，等式(15)用于估计右侧尾区的平均值和标准差值。
由于从左侧和从右侧(例如)测得相同的分布，所以根据左侧尾区统计数字估计的平均值应该等于根据右侧尾区统计数字估计的平均值。因此，间隙G可被表达为左侧平均值和右侧平均值之间的差值，如下：
G＝μL-μR。 (16)
图3是说明根据本发明的一个实施例的读取阈值电压调整过程300的例示性实施方案的流程图。例示性读取阈值电压调整过程300采用六个例示性区域311到316：
1.默认R01左侧的区域311对应于状态11的分布的右侧尾区。
2.默认R01右侧的区域312对应于状态01的分布的左侧尾区。来自左侧尾区统计数字的平均值和标准差估计值使用上标L和下标1指代，L表示左侧尾区。
3.默认R00左侧的区域313对应于状态01的分布的右侧尾区。来自右侧尾区统计数字的平均值和标准差估计值使用上标R和下标1指代，R表示右侧尾区。
4.默认R00右侧的区域314对应于状态00的分布的左侧尾区。来自左侧尾区统计数字的平均值和标准差估计值使用上标L和下标2指代。
5.默认R10左侧的区域315对应于状态00的分布的右侧尾区。来自右侧尾区统计数字的平均值和标准差估计值使用上标R和下标2指代。
6.默认R10右侧的区域316对应于状态10的分布的右侧尾区。
例示性读取阈值电压调整方法300首先通过在各个偏移量位置处读取页(慢页和快页)来收集不等性统计数字。例如，在一个例示性实施例中，对于慢页，不等性统计数字收集如下：
选择页，并读取其在所选择的偏移值(即，R00＝有效偏移量)处的慢页。记录所读取的页的数目或不等性数。对于上文结合图2所论述的运行实例，在全部101个读取阈值电压/偏移量处读取慢页，并记录101个对应的不等性数。
其后，例示性读取阈值电压调整过程300通过以类似于慢页的方式读取快页来收集不等性统计数字。
如图3中所示，例示性读取阈值电压调整过程300在步骤320期间，使用针对相应的区域所所收集的不等性统计数字，估计每一区域311到316的尾区的平均值和标准差值。举例来说，使用从区域312所收集的统计数字来估计(μL 1，σL 1)，如公开的第2013/0343131号美国专利申请案中所描述。类似地，使用从区域313所收集的统计数字来估计(μR 1，σR 1)。
如图3中所示，例示性读取阈值电压调整过程300在步骤330期间，估计默认间隙。图3示出了在步骤330中的以下三个流动可能：
流动可能I：当不等性统计数字有效(即，足够良好)时，估计(μL 1(2)，σL 1(2))和(μR 1(2)，σR 1(2))。在此情况下，获得间隙G1和G2的稳固估计值，如在下面名称为“间隙估计”的部分中进一步所论述的。
流动可能II：然而，由于缺少足够的统计数字，有可能无法估计(μL 1(2)，σL 1(2))或(μR 1(2)，σR 1(2))(在图3中被称作无效)。在此情况下，如果满足某一其它条件，那么可估计间隙G1和G2，如下文结合图4进一步所论述的。
流动可能III：如果无法估计(μL 1(2)，σL 1(2))和(μR 1(2)，σR 1(2))，或这两者无效，那么无法估计间隙G1(或G2)。如果无法估计间隙G1或G2，那么可在不同的页集合中重新执行例示性读取阈值电压调整过程300。
间隙估计
对于流动可能I，获得(μL 1，σL 1)和(μR 1，σR 1)，并且这两者是有效的。在此情况下，间隙G1作为左侧平均值和右侧平均值之间的差值(μL-μR)，使用等式(16)计算出，
其中计算μL和μR，如在上文名称为“当间隙值要求估计时单独表征尾区”的部分中所论述的。
以类似方式计算间隙G2。
如上所述，对于流动可能II，由于缺少足够的统计数字，有可能无法估计(μL 1(2)，σL 1(2))或(μR 1(2)，σR 1(2))(在图3中被称作无效)。在此情况下，如果满足某一其它条件，那么估计间隙G1和G2。
图4是说明流动可能II所采用的读取阈值电压调整过程400的例示性实施方案的流程图。例示性读取阈值电压调整过程400以类似于图3的区域311到316的方式采用六个例示性区域411到416。图4的例示性实施例假设右侧的统计数字(μR 1(2)，σR 1(2))是有效的，而左侧的统计数字(μL 1(2)，σL 1(2))是无效的。
例示性读取阈值电压调整过程400在步骤420期间，估计与区域412和413相关联的平均值和标准差值。在步骤430期间，执行测试以评估统计数字的有效性。如果在步骤430期间确定(例如)μL 1是无效的，而μR 1是有效的，那么例示性读取阈值电压调整过程400在步骤440中处理三个可能流动分支中的一个。
在步骤440中，前两个流动分支指代“有效观察值”，在至少一个例示性实施例中，所述“有效观察值”定义如下：
在若干软读取期间，在图3的区域312中进行若干不等性统计数字观察。由于系统中的噪声(例如，来自固态存储媒体和电子装置的噪声)，所以不是所有的观察值都是可靠的，可任选地采用一种修剪技术来从一批次中选择可靠观察值的子集。经修剪的观察值集合被称作有效观察值。通常，有效观察值集合的基数较小，并且可能小到为1或0。
在步骤440的第一流动分支期间，如果左侧尾区存在至少一个有效观察值，那么左侧尾区的那一个可用的有效观察值用于估计间隙G1。标准差值赋值如下：
Figure BDA0001146041660000121
此外，间隙估计如下：
Figure BDA0001146041660000122
求解xR.
G1＝xL-xR
其中x是存储器等级。
如果超过一个有效观察值可用于第一流动分支，那么可将多个所得的间隙G1的估计值平均化。因此，当有效观察值集合的基数大于1时，图4中的例示性读取阈值电压调整过程400采用平均化技术。然而，有可能设计这种平均化技术的其它稳固变化形式(使用熟知的数学技术)。
如果左侧不存在有效观察值，那么在步骤440的第二流动分支中可替代地选择观察值。然而，相比于利用有效观察值操作，此方法可能更容易出现误差。因此，在步骤440的第二流动分支期间，依据预定义的条件，如果(例如)有效观察值在左侧上不可用，那么选择在左侧的右边边缘处得到的观察值。其后，所选择的观察值用于估计间隙G1。标准差值赋值如下：
Figure BDA0001146041660000123
在步骤440的第三流动分支期间，如果前两个流动分支是不可能的，那么标准差值赋值如下，并声明无法根据当前页的数据估计间隙G1：
σ1＝0。
经调整的读取阈值电压
如果先前已知间隙G1和G2，或已经使用本文中所描述的技术进行估计，那么还可估计平均值、标准差值和经调整的(例如，最佳)读取阈值电压。一旦根据本文中所描述的技术对分布210进行表征，就从交叉点获得给定的读取阈值电压R01、R00、R10，在所述交叉点处，两个相邻等级11、01、00、10的分布交叉。
图5是说明根据本发明的一个实施例的读取阈值电压调整过程500的例示性实施方案的流程图。例示性读取阈值电压调整过程500使用间隙估计值来确定读取阈值电压。
如图5中所示，当从图1的例示性固态存储控制系统110接收追踪呼叫502时，开始例示性读取阈值电压调整过程500。例示性固态存储控制系统110可实施在(例如)固件和硬件中。
在步骤505期间执行测试，以确定是否需要估计间隙G1和G2(图2)。如上所述，间隙可从固态存储存储器160(图1)的制造者处获得，或可作为左侧平均值和右侧之间的差值，使用等式(16)计算得出。
如果在步骤505期间确定需要估计间隙，那么在步骤515期间，间隙估计过程510使用多个读取阈值电压(例如，多个偏移量位置)，读取来自固态存储存储器160(例如，SLC、MLC或TLC存储器)的页(慢页和快页)。
在步骤520期间，计算不等性统计数字。如上所述，例如，对于慢页，在一个例示性实施例中，不等性统计数字收集如下。选择页，并读取其在所选择的偏移值(即，R00＝有效偏移量)处的慢页。记录所读取的页的数目或不等性数。对于上文结合图2所论述的运行实例，在全部101个读取阈值电压/偏移量处读取慢页，并记录101个对应的不等性数。其后，通过以类似于慢页的方式读取快页来收集不等性统计数字。
在步骤525期间，估计(例如，使用等式(16))并存储间隙值。程序控制随后前进到步骤530。
如果在步骤505期间确定不需要估计间隙，或已经使用间隙估计过程510估计了间隙，那么在步骤530中，获得间隙值。在步骤540期间，使用多个读取阈值电压(例如，多个偏移量位置)，页来自固态存储存储器160。
在步骤550期间，以上文所描述的用于步骤520的方式，计算不等性统计数字。随后在步骤560期间，估计读取阈值电压，并在步骤570期间，将读取阈值电压提供到图1的例示性固态存储控制系统110。如上所述，一旦根据本文中所描述的技术对分布210(图2)进行表征，就从交叉点获得给定的读取阈值电压R01、R00、R10，在所述交叉点处，两个相邻等级11、01、00、10的分布交叉。
图6是说明根据本发明的一个实施例的读取阈值电压调整过程600的例示性实施方案的流程图。例示性读取阈值电压调整过程600在不使用间隙估计值的情况下确定读取阈值电压。
如图6中所示，当从图1的例示性固态存储控制系统110接收追踪呼叫602时，开始例示性读取阈值电压调整过程600。例示性读取阈值电压调整过程600首先在步骤615期间，使用多个读取阈值电压(例如，多个偏移量位置)，从固态存储存储器160(例如SLC、MLC或TLC存储器)读取页。
在步骤650期间，以上文所描述的用于图5的步骤520的方式，计算不等性统计数字。在步骤655期间，估计分布210(图2)的右侧和左侧的参数(μR、σR、μL、σL)，如上文结合图3和4所论述。随后在步骤660期间，计算读取阈值电压，并在步骤670期间，将读取阈值电压提供到图1的例示性固态存储控制系统110。如上所述，一旦根据本文中所描述的技术，在步骤655期间对分布210(图2)进行表征，就从交叉点获得给定的读取阈值电压R01、R00、R10，在所述交叉点处，两个相邻等级11、01、00、10的分布交叉。
默认读取阈值电压之间的间隙估计
用于调整存储器的读取阈值电压的例示性方法包括：估计两个相邻的默认读取阈值电压之间的间隙；至少部分地基于存储器等级的统计分布的类型，确定两个相邻存储器等级的统计特性，使用多个读取阈值电压间隙从一或多个单元读取数据值的分布；通过使用两个相邻存储器等级的统计特性，计算与两个相邻存储器等级相关联的经调整的读取阈值电压；以及经调整的读取阈值电压更新读取阈值电压。响应于一或多个读取误差，任选地执行调整。
在一或多个例示性实施例中，基于以下一或多者估计间隙：(i)两个相邻默认读取阈值电压之间的电压差和数个偏移步长中的一或多个；(ii)两个相邻存储器等级的平均值之间的差值；以及(iii)当对于围绕统计分布的至少一个平均值的两侧来说，从一或多个单元读取的数据值的分布的统计数字有效时，两个相邻存储器等级的平均值之间的差值。
在一或多个例示性实施例中，当出现以下一或多者时估计间隙：(i)只对于统计分布的一侧来说，使用用于统计分布的另一侧的一个可用有效观察值，平均值是有效的；以及(ii)只对于统计分布的一侧来说，使用用于统计分布的另一侧的所选择的观察值，平均值是有效的。
结论
以上应用和相关联的实施例应该被视为仅是说明性的，并且可使用本文所揭示的读取阈值电压调整技术来配置许多其它实施例。
根据一或多个实施例，本文所描述的方法和过程可实施在控制器(例如，软件、硬件或这两者的任何组合)中。
例如，本文所描述的方法和过程可作为固态存储装置的固件的部分存储于存储器中，且可由处理器执行以用于执行本文所描述的方法和过程。本文所描述的方法和过程可替代或另外地存储于可由控制器存取的计算机可读媒体中。在另外的实施例中，本文所描述的方法和过程可在存储装置外部的且可操作地连接到存储装置的计算系统中实施，例如在经由(例如)接口连接到存储装置的主机装置的驱动器模块中实施。本文所描述的方法和过程可进一步存储于可由计算系统存取的存储器或其它计算机可读媒体中且可由计算系统的处理器执行。
还应理解，读取阈值电压调整技术，如本文所描述，可至少部分地以存储在存储器中且由处理装置(例如，计算机)的处理器执行的一或多个软件程序的形式实施。如先前所提到，存储器或其中实施有此类程序代码的其它存储装置是本文中被更一般地称作“计算机程序产品”的实例。
所揭示的读取阈值电压调整技术可使用一或多个处理平台来实施。因此，处理模块或其它组件中的一或多个可各自在计算机、存储装置或其它处理平台元件上运行。给出的此类元件可被看作在本文中被更一般地称作“处理装置”的实例。
现参看图7，示出了可用于实施本发明的一或多个实施例的至少一部分的一个可能的处理平台。在这个实施例中，处理平台700包括给定系统的至少一部分，并包含至少一个处理装置，表示为702-1、702-2、702-3…702-D，这些处理装置通过网络704与彼此通信。网络704可包括任何类型的网络，例如无线局域网络(WAN)、局域网(LAN)、卫星网络、电话或电缆网络、蜂窝式网络、无线网络(例如，WiFi或WiMAX)，或这些和其它类型的网络的多个部分或组合。
处理平台700中的处理装置702-1包括耦合到存储器712的处理器710。处理器710可包括微处理器、微控制器、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其它类型的处理电路，以及此类电路元件的部分或组合，并且存储器712可看作其中实施有可执行计算机程序代码的“计算机程序产品”的实例，其可包括呈现任何组合形式的随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)或其它类型的存储器。
处理装置702-1中还包含的是网络接口电路714，其用于将处理装置与网络704和其它系统组件介接，并且可包括常规的收发器。
假设通过与示出用于图中处理装置702-1的方式相类似的方式来配置处理平台700的另一处理装置702(如果存在的话)。
同样，图中示出的特定的处理平台700仅仅作为实例呈现，并且给出的系统可包含额外的或替代性的处理平台，以及呈现任一组合形式的许多不同的处理平台，其中每一此类平台包括一或多个计算机、存储装置或其它处理装置。
系统的多个元件可共同地实施在图7中所示类型的共同处理平台上，或每一此类元件可实施在单独的处理平台上。
如本领域中已知，本文所论述的方法和设备可分布为一种制品，其自身包括其上实施有计算机可读代码装置的计算机可读媒体。计算机可读程序代码装置可结合计算机系统操作，以进行步骤中的全部或一些，从而执行方法或形成本文所论述的设备。计算机可读媒体可为有形的可记录的媒体(例如，软性磁盘、硬盘驱动器、光盘、存储卡、半导体装置、芯片、专用集成电路(ASIC))，或可为传输媒体(例如，包括光纤的网络、万维网、电缆或使用时分多址、码分多址的无线通道，或其它射频通道)。可使用已知的或发展成熟的可适合与计算机系统一起使用来存储信息的任何媒体。计算机可读代码装置是用于允许计算机读取指令和数据(例如，磁性媒体上的磁性变化或光盘表面上的高度变化)的任何机构。
应再次强调，仅出于说明的目的而呈现本发明的上述实施例。可使用许多变化和其它替代性实施例。例如，技术适用于各种其它类型的固态存储装置，所述固态存储装置可得益于本文中所揭示的读取阈值电压调整过程。并且，本文示出的处理装置元件的特定配置和相关联的读取阈值电压调整技术可在其它实施例中变化。此外，在以上描述例示性实施例的整个过程中作出的多个简化假设也应被看作是例示性的，而不是对本发明的要求或限制。在所附权利要求书的范畴内的许多其它替代性实施例对所属领域的技术人员来说将是显而易见的。

Claims (20)

1.一种用于调整存储器的读取阈值电压的装置，其包括：
控制器，其经配置以通过以下操作调整存储器的读取阈值电压：
使用所述读取阈值电压的多个离散电压值至少部分地基于存储器等级的统计分布的类型和从单元读取的数据值的分布而确定包括与所述读取阈值电压相关的两个相邻存储器等级的每一者的两个均值和两个标准偏差的统计特征，其中在给定存储器等级的两侧上独立地表征所述两个相邻存储器等级的所述给定存储器等级的所述统计特征，且其中通过第一均值和第一标准偏差值在所述给定存储器等级的第一侧上并且通过第二均值和第二标准偏差值在所述给定存储器等级的第二侧上表征所述给定存储器等级的所述统计分布；
通过使用所述两个相邻存储器等级的所述统计特征计算经调整读取阈值电压；以及
基于所述经调整读取阈值电压更新所述读取阈值电压。
2.根据权利要求1所述的装置，其中从所述第一侧的统计数字获得所述第一均值和所述第一标准偏差值，并且其中从所述第二侧的统计数字获得所述第二均值和所述第二标准偏差值。
3.根据权利要求1所述的装置，其中估计两个相邻默认读取阈值电压之间的间隙，并且其中所述两个相邻存储器等级的所述统计特征进一步基于所述间隙。
4.根据权利要求1所述的装置，其中从所述两个相邻存储器等级的所述统计特征交叉处的交叉点获得所述经调整读取阈值电压。
5.根据权利要求1所述的装置，其中统计分布的所述类型大体上是高斯。
6.根据权利要求1所述的装置，其中从一或多个单元读取的数据值的所述分布大致是零和一的相等数目。
7.根据权利要求1所述的装置，其中响应于一或多个读取误差执行所述调整。
8.根据权利要求1所述的装置，其中所述给定存储器等级的所述统计特征是使用位序列中的第一预定二进制值的数目的一者或多者和所述位序列的不等性度量在所述给定存储器等级的所述两侧上独立地表征的，所述位序列的不等性度量包括所述第一预定二进制值的所述数目与所述位序列的长度的比值。
9.一种用于调整存储器的读取阈值电压的方法，其包括：
使用所述读取阈值电压的多个离散电压值至少部分地基于存储器等级的统计分布的类型和从单元读取的数据值的分布而确定包括与所述读取阈值电压相关的两个相邻存储器等级的每一者的两个均值和两个标准偏差的统计特征，其中在给定存储器等级的两侧上独立地表征所述两个相邻存储器等级的所述给定存储器等级的所述统计特征，且其中通过第一均值和第一标准偏差值在所述给定存储器等级的第一侧上并且通过第二均值和第二标准偏差值在所述给定存储器等级的第二侧上表征所述给定存储器等级的所述统计分布；
通过使用所述两个相邻存储器等级的所述统计特征计算经调整读取阈值电压；以及
基于所述经调整读取阈值电压更新所述读取阈值电压。
10.根据权利要求9所述的方法，其中从所述第一侧的统计数字获得所述第一均值和所述第一标准偏差值，并且其中从所述第二侧的统计数字获得所述第二均值和所述第二标准偏差值。
11.根据权利要求9所述的方法，进一步包括估计两个相邻默认读取阈值电压之间的间隙的步骤，并且其中所述两个相邻存储器等级的所述统计特征进一步基于所述间隙。
12.根据权利要求9所述的方法，其中从所述单元读取的数据值的所述分布大致是零和一的相等数目。
13.根据权利要求9所述的方法，其中响应于一或多个读取误差执行所述调整。
14.根据权利要求9所述的方法，其中所述给定存储器等级的所述统计特征是使用位序列中的第一预定二进制值的数目的一者或多者和所述位序列的不等性度量在所述给定存储器等级的所述两侧上独立地表征的，所述位序列的不等性度量包括所述第一预定二进制值的所述数目与所述位序列的长度的比值。
15.一种非暂时性机器可读可记录存储媒体，其中一或多个软件程序当通过一或多个处理装置执行时实施根据权利要求9所述的方法的步骤。
16.一种用于调整第一存储器的读取阈值电压的设备，其包括：
第二存储器；以及
至少一个处理装置，其耦合到所述第二存储器，操作以实施以下步骤：
使用所述读取阈值电压的多个离散电压值至少部分地基于存储器等级的统计分布的类型和从单元读取的数据值的分布而确定包括与所述读取阈值电压相关的两个相邻存储器等级的每一者的两个均值和两个标准偏差的统计特征，其中在给定存储器等级的两侧上独立地表征所述两个相邻存储器等级的所述给定存储器等级的所述统计特征，且其中通过第一均值和第一标准偏差值在所述给定存储器等级的第一侧上并且通过第二均值和第二标准偏差值在所述给定存储器等级的第二侧上表征所述给定存储器等级的所述统计分布；
通过使用所述两个相邻存储器等级的所述统计特征计算经调整读取阈值电压；以及
基于所述经调整读取阈值电压更新所述读取阈值电压。
17.根据权利要求16所述的设备，其中从所述第一侧的统计数字获得所述第一均值和所述第一标准偏差值，并且其中从所述第二侧的统计数字获得所述第二均值和所述第二标准偏差值。
18.根据权利要求16所述的设备，其中所述给定存储器等级的所述统计特征是使用位序列中的第一预定二进制值的数目的一者或多者和所述位序列的不等性度量在所述给定存储器等级的所述两侧上独立地表征的，所述位序列的不等性度量包括所述第一预定二进制值的所述数目与所述位序列的长度的比值。
19.根据权利要求16所述的设备，其中估计两个相邻默认读取阈值电压之间的间隙，并且其中所述两个相邻存储器等级的所述统计特征进一步基于所述间隙。
20.根据权利要求16所述的设备，其中从所述两个相邻存储器等级的所述统计特征交叉处的交叉点获得所述经调整读取阈值电压。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10192614B2 (en) * 2015-10-30 2019-01-29 Seagate Technology Llc Adaptive read threshold voltage tracking with gap estimation between default read threshold voltages
KR102589259B1 (ko) * 2016-06-20 2023-10-12 에스케이하이닉스 주식회사 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법
US10014026B1 (en) 2017-06-20 2018-07-03 Seagate Technology Llc Head delay calibration and tracking in MSMR systems
KR102353405B1 (ko) * 2017-09-19 2022-01-19 삼성전자주식회사 특성 데이터 전처리 시스템, 장치, 방법 및 이를 이용한 메모리 제어 시스템
US10388368B2 (en) 2017-10-31 2019-08-20 Seagate Technology Llc Adaptive read threshold voltage tracking with charge leakage mitigation using charge leakage settling time
US10276233B1 (en) 2017-10-31 2019-04-30 Seagate Technology Llc Adaptive read threshold voltage tracking with charge leakage mitigation using threshold voltage offsets
KR102617350B1 (ko) 2018-03-14 2023-12-26 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러, 그것의 동작 방법 및 그것을 포함하는 저장 장치
CN110400593B (zh) * 2018-04-24 2021-08-03 群联电子股份有限公司 存储器管理方法、存储器储存装置及存储器控制电路单元
US11016681B1 (en) * 2018-07-31 2021-05-25 Seagate Technology Llc Multi-threshold parameter adaptation
US11018842B1 (en) 2018-07-31 2021-05-25 Seagate Technology Llc Dynamic timing recovery bandwidth modulation for phase offset mitigation
US10803902B1 (en) 2018-08-19 2020-10-13 Seagate Technology Llc Hardware-based read sample averaging
US10468060B1 (en) 2018-09-27 2019-11-05 Seagate Technology Llc Cancelling adjacent track interference
US10861561B2 (en) * 2019-01-22 2020-12-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Threshold estimation in NAND flash devices
KR20200099441A (ko) * 2019-02-14 2020-08-24 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 이의 동작 방법
KR102645786B1 (ko) * 2019-07-08 2024-03-12 에스케이하이닉스 주식회사 컨트롤러, 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법
KR20220043432A (ko) * 2020-09-29 2022-04-05 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템에서 읽기 전압을 제어하는 장치 및 방법
US11735220B2 (en) 2021-12-27 2023-08-22 Seagate Technology Llc Phase locking multiple clocks of different frequencies

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101783176A (zh) * 2009-01-21 2010-07-21 海力士半导体有限公司 非易失性存储装置及其操作方法
CN102376368A (zh) * 2010-07-07 2012-03-14 马维尔国际贸易有限公司 对快闪存储器系统中递进读取的最优参考电压的确定
CN103985415A (zh) * 2013-02-10 2014-08-13 Lsi公司 基于保留漂移历史的非易失性存储器读取阈值最优化

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4051055B2 (ja) * 2004-10-14 2008-02-20 シャープ株式会社 不揮発性メモリの消去パルス設定方法及び消去不良スクリーニング方法
US8645793B2 (en) * 2008-06-03 2014-02-04 Marvell International Ltd. Statistical tracking for flash memory
WO2008111058A2 (en) * 2007-03-12 2008-09-18 Anobit Technologies Ltd. Adaptive estimation of memory cell read thresholds
US7876621B2 (en) * 2007-04-23 2011-01-25 Sandisk Il Ltd. Adaptive dynamic reading of flash memories
US8341335B2 (en) 2007-12-05 2012-12-25 Densbits Technologies Ltd. Flash memory apparatus with a heating system for temporarily retired memory portions
US8953685B2 (en) * 2007-12-10 2015-02-10 Qualcomm Incorporated Resource-adaptive video interpolation or extrapolation with motion level analysis
WO2009114618A2 (en) 2008-03-11 2009-09-17 Agere Systems Inc. Methods and apparatus for storing data in a multi-level cell flash memory device with cross-page sectors, multi-page coding and per-page coding
KR101413137B1 (ko) 2008-07-04 2014-07-01 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 메모리 프로그래밍 방법
KR101434400B1 (ko) 2008-07-09 2014-08-27 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 메모리 시스템 및 그것의 관리방법
KR101005188B1 (ko) 2009-02-26 2011-01-04 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법
US8868821B2 (en) * 2009-08-26 2014-10-21 Densbits Technologies Ltd. Systems and methods for pre-equalization and code design for a flash memory
WO2011094454A2 (en) 2010-01-27 2011-08-04 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for determining a read voltage threshold for solid-state storage media
US8539311B2 (en) * 2010-07-01 2013-09-17 Densbits Technologies Ltd. System and method for data recovery in multi-level cell memories
US8605501B2 (en) * 2010-07-06 2013-12-10 Stec, Inc. System and method for determining data dependent noise calculation for a flash channel
CN202234240U (zh) * 2011-07-08 2012-05-30 克斯克管理公司 带把手的婴儿承载架
US8655109B2 (en) * 2011-08-05 2014-02-18 Adobe Systems Incorporated Regression-based learning model for image upscaling
US8760932B2 (en) * 2011-10-18 2014-06-24 Seagate Technology Llc Determination of memory read reference and programming voltages
US8711619B2 (en) * 2011-10-18 2014-04-29 Seagate Technology Llc Categorizing bit errors of solid-state, non-volatile memory
US8862967B2 (en) * 2012-03-15 2014-10-14 Sandisk Technologies Inc. Statistical distribution based variable-bit error correction coding
US8755136B1 (en) * 2012-04-18 2014-06-17 Western Digital Technologies, Inc. Systems and methods for storage device read/write head malfunction detection
US20130343131A1 (en) * 2012-06-26 2013-12-26 Lsi Corporation Fast tracking for flash channels
US8839073B2 (en) * 2012-05-04 2014-09-16 Lsi Corporation Zero-one balance management in a solid-state disk controller
US9076545B2 (en) * 2013-01-17 2015-07-07 Sandisk Tecnologies Inc. Dynamic adjustment of read voltage levels based on memory cell threshold voltage distribution
US9064563B2 (en) * 2013-02-08 2015-06-23 Seagate Technology Llc Optimization of variable resistance memory cells
US9235469B2 (en) * 2013-05-22 2016-01-12 Seagate Technology Llc Systems and methods for inter-cell interference mitigation in a flash memory
CN104142967B (zh) * 2013-09-30 2017-11-03 国家电网公司 一种采样数据长度可调的触发方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101783176A (zh) * 2009-01-21 2010-07-21 海力士半导体有限公司 非易失性存储装置及其操作方法
CN102376368A (zh) * 2010-07-07 2012-03-14 马维尔国际贸易有限公司 对快闪存储器系统中递进读取的最优参考电压的确定
CN103985415A (zh) * 2013-02-10 2014-08-13 Lsi公司 基于保留漂移历史的非易失性存储器读取阈值最优化

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