CN107030904A - 晶砣切割方法 - Google Patents

晶砣切割方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107030904A
CN107030904A CN201710327771.5A CN201710327771A CN107030904A CN 107030904 A CN107030904 A CN 107030904A CN 201710327771 A CN201710327771 A CN 201710327771A CN 107030904 A CN107030904 A CN 107030904A
Authority
CN
China
Prior art keywords
stone roller
cutting
brilliant
brilliant stone
cutting method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710327771.5A
Other languages
English (en)
Inventor
李健
董振峰
赵鹏程
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JIYUAN SHIJING OPTOELECTRONIC FREQUENCY TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
JIYUAN SHIJING OPTOELECTRONIC FREQUENCY TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JIYUAN SHIJING OPTOELECTRONIC FREQUENCY TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical JIYUAN SHIJING OPTOELECTRONIC FREQUENCY TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201710327771.5A priority Critical patent/CN107030904A/zh
Publication of CN107030904A publication Critical patent/CN107030904A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/007—Use, recovery or regeneration of abrasive mediums
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0076—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for removing dust, e.g. by spraying liquids; for lubricating, cooling or cleaning tool or work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work

Abstract

本发明提供一种晶砣切割方法，其步骤包括将该晶砣粘结在基板上得到晶砣磨削载体，然后对所述晶砣磨削载体依次进行研磨和线切割处理，得到晶砣切割体；其中，线切割处理步骤中所用到的切割液为由切割砂、水基切割液原液、防锈剂和纯水组成的水基游离磨料切割液。采用本发明提供的切割方法对晶砣进行切割加工后，晶砣表面没有切割油，用自来水直接清洗即可，且自来水直接冲洗完之后晶砣表面无油渍残留、洁净度较高。因此该切割方法大大的降低了生产成本，节省了清洗晶砣的时间，提高了工作效率，改善了员工的工作环境。

Description

晶砣切割方法
技术领域
本发明涉及石英晶片加工技术领域，具体的说，涉及了一种晶砣切割方法。
背景技术
目前，石英晶片的加工过程是先将晶砣切割成一个个的石英晶片成品，然后再将这些石英晶片成品进行封装成半导体晶片。其中晶砣的切割过程非常重要，现有技术中一般采用两种方法对晶砣进行切割，一种是采用刀片，通过机械的方式来切割晶砣，采用这种方式成本低，但是由于晶砣中晶圆本身较薄而且脆，因此非常容易使晶圆破损，而且切割之后晶圆的切割处也会有明显的崩边并容易产生粉尘污染，另一种为激光切割，这种方法虽然没有机械切割的上述缺点，但是它成本非常昂贵，因此目前应用也不广。
为了解决以上存在的问题，人们一直在寻求一种理想的技术解决方案。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的不足，从而提供一种成本低廉、能有效减少晶片污染的晶砣切割方法。
为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案是：一种晶砣切割方法，其步骤包括：
（1）提供一种基板，将晶砣粘结在所述基板上并采用研磨机对所述晶砣进行研磨处理，得到晶砣磨削体；
（2）采用水基游离磨料切割液对所述晶砣磨削体进行线切割处理，得到晶砣切割体；其中，所述水基游离磨料切割液由切割砂、水基切割液原液、防锈剂和纯水组成。
基于上述，所述的晶砣切割方法还包括用水对所述晶砣切割体进行浸泡或喷淋处理，制得洁净晶砣切割体的步骤。
基于上述，在所述水基游离磨料切割液中，所述切割砂、所述水基切割液原液、所述防锈剂和所述纯水的质量比为（1～3）：（0.5～3）：0.1：1.2。
基于上述，所述水基切割液原液由质量比为1：（0.5～2）的丙三醇和二乙二醇组成。
基于上述，所述切割砂为1000目～1200目的绿碳化硅。
基于上述，所述防锈剂为亚硝酸钠、亚硫酸钠、十二烷基磺酸钠中的一种或几种的组合。
基于上述，所述步骤（1）中所述基板为玻璃板，所述玻璃板的平行度小于0.01mm，所述玻璃板的平面度小于0.01mm。
本发明相对现有技术具有突出的实质性特点和显著的进步，具体的说，本发明所提供的晶砣切割方法中，采用水基游离磨料切割液对晶砣磨削体进行线切割处理，整个晶砣切割方法过程中不会对员工呼吸道产生伤害，并且晶砣经切割加工后设备表面积砂少，晶砣表面、线切割的线棍表面及滑轮表面均无油迹，采用自来水直接清洗即可，无需经过煤油淋洗和洗衣粉清洗且清洗后的晶砣表面无油渍残留、洁净度较高，故不影响后道工序的加工精度。因此，本发明提供的晶砣的切割方法大大的降低了生产成本，节省了清洗晶砣的时间，提高了工作效率，改善了员工的工作环境，解决了因为油渍造成的现场“5S”管理困难的局面。
具体实施方式
下面通过具体实施方式，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
实施例1
本实施例提供一种晶砣切割方法，其步骤包括：
（1）将晶砣粘结在平行度和平面度均小于0.01mm的玻璃板上得到晶砣磨削载体，然后将至少两组所述晶砣磨削载体置于平面研磨设备中，对所述晶砣磨削载体统一进行磨削处理，得到晶砣磨削体；
（2）将所述晶砣磨削体固定在线切割机上，采用水基游离磨料切割液对所述晶砣磨削体进行线切割处理，得到晶砣切割体；
其中，所述水基游离磨料切割液由质量比为2.25：2.25：0.1：1.2的1000目的绿碳化硅微粉、水基切割液原液、亚硝酸钠和纯水组成；所述水基切割液原液由质量比为1：1的丙三醇和二乙二醇组成。
实施例2
本实施例提供一种晶砣切割方法，其步骤与实施例1中的步骤大致相同，不同之处在于：本实施例中所述水基游离磨料切割液由质量比为3：3：0.1：1.2的1200目的绿碳化硅微粉、水基切割液原液、亚硝酸钠和纯水组成；所述水基切割液原液由质量比为1：2的丙三醇和二乙二醇组成。
实施例3
本实施例提供一种晶砣切割方法，其步骤与实施例1中的步骤大致相同，不同之处在于：本实施例中所述水基游离磨料切割液由质量比为2：1.5： 0.1：1.2的1050目的绿碳化硅微粉、水基切割液原液、亚硝酸钠和纯水组成；所述水基切割液原液由质量比为1：1.5的丙三醇和二乙二醇组成。
最后应当说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制；尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换；而不脱离本发明技术方案的精神，其均应涵盖在本发明请求保护的技术方案范围当中。

Claims (7)

1.一种晶砣切割方法，其步骤包括：
（1）提供一种基板，将晶砣粘结在所述基板上并采用研磨机对所述晶砣进行研磨处理，得到晶砣磨削体；
（2）采用水基游离磨料切割液对所述晶砣磨削体进行线切割处理，得到晶砣切割体；其中，所述水基游离磨料切割液由切割砂、水基切割液原液、防锈剂和纯水组成。
2.根据权利要求1所述的晶砣切割方法，其特征在于，它还包括用水对所述晶砣切割体进行浸泡或喷淋处理，制得洁净晶砣切割体的步骤。
3.根据权利要求1或2所述的一种晶砣切割方法，其特征在于，在所述水基游离磨料切割液中，所述切割砂、所述水基切割液原液、所述防锈剂和所述纯水的质量比为（1～3）：（0.5～3）：0.1：1.2。
4.根据权利要求3所述的晶砣切割方法，其特征在于，所述水基切割液原液由质量比为1：（0.5～2）的丙三醇和二乙二醇组成。
5.根据权利要求4所述的晶砣切割方法，其特征在于，所述切割砂为1000目～1200目的绿碳化硅。
6.根据权利要求5所述的晶砣切割方法，其特征在于，所述防锈剂为亚硝酸钠、亚硫酸钠、十二烷基磺酸钠中的一种或几种的组合。
7.根据权利要求6所述的晶砣切割方法，其特征在于，所述步骤（1）中所述基板为玻璃板，所述玻璃板的平行度小于0.01mm，所述玻璃板的平面度小于0.01mm。
CN201710327771.5A 2017-05-11 2017-05-11 晶砣切割方法 Pending CN107030904A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710327771.5A CN107030904A (zh) 2017-05-11 2017-05-11 晶砣切割方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710327771.5A CN107030904A (zh) 2017-05-11 2017-05-11 晶砣切割方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107030904A true CN107030904A (zh) 2017-08-11

Family

ID=59538731

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710327771.5A Pending CN107030904A (zh) 2017-05-11 2017-05-11 晶砣切割方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107030904A (zh)

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030089362A1 (en) * 2001-11-11 2003-05-15 Kiyoshi Yamada Wire saw and cutting method thereof
CN201405455Y (zh) * 2009-06-02 2010-02-17 济源石晶光电频率技术有限公司 定位粘砣装置
CN101797713A (zh) * 2010-04-08 2010-08-11 南京航空航天大学 硅片的磨削/电解复合多线切割加工方法
CN101935580A (zh) * 2010-10-09 2011-01-05 辽宁奥克化学股份有限公司 一种硬脆性材料水基切割液
CN102212412A (zh) * 2011-05-10 2011-10-12 天津理工大学 一种磨料经过表面活性剂处理的水基切削液及其制备方法
JP2012056166A (ja) * 2010-09-08 2012-03-22 Tokuyama Corp フッ化金属単結晶の切断方法
CN102514109A (zh) * 2011-12-30 2012-06-27 上海硅酸盐研究所中试基地 碳化硅晶体的定型定向的切割方法
CN102787005A (zh) * 2011-05-18 2012-11-21 达兴材料股份有限公司 用于切削硬脆材料的加工组成物及切削组成物
CN103013638A (zh) * 2011-09-20 2013-04-03 浙江瑞翌新材料科技有限公司 一种用于固定磨料线切割的水溶性冷却液及其制备方法
CN103421593A (zh) * 2013-06-20 2013-12-04 天长市润达金属防锈助剂有限公司 一种水性切削液和水性切削浆
CN103848425A (zh) * 2012-11-29 2014-06-11 全安资源股份有限公司 含硅材料的制备方法、锂离子电池负极材料及锂离子电池负极元件的制备方法
CN103881798A (zh) * 2012-12-19 2014-06-25 上海工程技术大学 水溶性硅切削液及其应用
CN103952224A (zh) * 2014-03-03 2014-07-30 西安通鑫半导体辅料有限公司 用于太阳能硅片制造的水基游离磨料切割液及其制备方法
CN104593128A (zh) * 2014-12-31 2015-05-06 镇江市港南电子有限公司 一种高效的硅片切削液
CN104593134A (zh) * 2014-12-31 2015-05-06 镇江市港南电子有限公司 一种高效硅片切割用的切削液制备方法
CN105128160A (zh) * 2015-08-04 2015-12-09 常州市好利莱光电科技有限公司 一种多硅晶片手机窗口切割方法
CN105127905A (zh) * 2015-08-20 2015-12-09 东莞市逸昊金属材料科技有限公司 一种非晶合金切割装置及应用该装置的切割方法
CN105385489A (zh) * 2015-11-17 2016-03-09 江苏金晖光伏有限公司 一种硅片切割液

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030089362A1 (en) * 2001-11-11 2003-05-15 Kiyoshi Yamada Wire saw and cutting method thereof
CN201405455Y (zh) * 2009-06-02 2010-02-17 济源石晶光电频率技术有限公司 定位粘砣装置
CN101797713A (zh) * 2010-04-08 2010-08-11 南京航空航天大学 硅片的磨削/电解复合多线切割加工方法
JP2012056166A (ja) * 2010-09-08 2012-03-22 Tokuyama Corp フッ化金属単結晶の切断方法
CN101935580A (zh) * 2010-10-09 2011-01-05 辽宁奥克化学股份有限公司 一种硬脆性材料水基切割液
CN102212412A (zh) * 2011-05-10 2011-10-12 天津理工大学 一种磨料经过表面活性剂处理的水基切削液及其制备方法
CN102787005A (zh) * 2011-05-18 2012-11-21 达兴材料股份有限公司 用于切削硬脆材料的加工组成物及切削组成物
CN103013638A (zh) * 2011-09-20 2013-04-03 浙江瑞翌新材料科技有限公司 一种用于固定磨料线切割的水溶性冷却液及其制备方法
CN102514109A (zh) * 2011-12-30 2012-06-27 上海硅酸盐研究所中试基地 碳化硅晶体的定型定向的切割方法
CN103848425A (zh) * 2012-11-29 2014-06-11 全安资源股份有限公司 含硅材料的制备方法、锂离子电池负极材料及锂离子电池负极元件的制备方法
CN103881798A (zh) * 2012-12-19 2014-06-25 上海工程技术大学 水溶性硅切削液及其应用
CN103421593A (zh) * 2013-06-20 2013-12-04 天长市润达金属防锈助剂有限公司 一种水性切削液和水性切削浆
CN103952224A (zh) * 2014-03-03 2014-07-30 西安通鑫半导体辅料有限公司 用于太阳能硅片制造的水基游离磨料切割液及其制备方法
CN104593128A (zh) * 2014-12-31 2015-05-06 镇江市港南电子有限公司 一种高效的硅片切削液
CN104593134A (zh) * 2014-12-31 2015-05-06 镇江市港南电子有限公司 一种高效硅片切割用的切削液制备方法
CN105128160A (zh) * 2015-08-04 2015-12-09 常州市好利莱光电科技有限公司 一种多硅晶片手机窗口切割方法
CN105127905A (zh) * 2015-08-20 2015-12-09 东莞市逸昊金属材料科技有限公司 一种非晶合金切割装置及应用该装置的切割方法
CN105385489A (zh) * 2015-11-17 2016-03-09 江苏金晖光伏有限公司 一种硅片切割液

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100469531C (zh) 氧化锌单晶衬底级基片的抛光方法
CN103240666B (zh) 一种太阳能电池锗衬底片的研磨方法
TW200642796A (en) Manufacturing method for semiconductor wafers, slicing method for slicing work and wire saw used for the same
JP2010283371A5 (zh)
CN104669106A (zh) 大尺寸a向蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法
CN104669454B (zh) 一种带孔的蓝宝石手机视窗保护屏的加工方法
CN103740280B (zh) 一种适用于硅晶片边抛光的抛光组合物及其制备方法
CN107398779A (zh) 一种晶圆的精抛光方法
TW200716728A (en) Polishing agent for semiconductor integrated circuit device, polishing method, and method for manufacturing the same
JP2021503170A (ja) 高平坦性、低ダメージの大きな直径の単結晶炭化ケイ素基板及びその製造方法
CN104827592A (zh) 一种大尺寸蓝宝石衬底片的加工方法
CN110291618A (zh) 硅晶片的抛光方法及硅晶片的制造方法
CN104842225A (zh) 大尺寸蓝宝石衬底片表面的湿法处理方法
CN110314896A (zh) 一种半导体衬底材料抛光方法
CN105269450B (zh) 氧化镓衬底的超精密加工方法
CN106584687A (zh) 一种单晶硅片切割装置及方法
CN104191345A (zh) 抛光工艺
JP5736681B2 (ja) 研磨液及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法
CN106637223A (zh) 一种钛合金材料抛光方法
CN107030904A (zh) 晶砣切割方法
TWI435848B (zh) 霧面玻璃製造方法
CN102837227A (zh) 一种液体抛光单晶硅片的方法
CZ302636B6 (cs) Zpusob úpravy povrchu plochého skla a zarízení k provádení tohoto zpusobu
CN107116400A (zh) 一种机械抛光工艺
CN108214110A (zh) 一种硅抛光片边缘加工工艺

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170811

RJ01 Rejection of invention patent application after publication