CN107017277B - 有机发光二极管显示器 - Google Patents

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Abstract

公开了一种有机发光二极管显示器。一方面，OLED显示器包括：基底，包括被构造为显示图像的显示区域、围绕显示区域的外围区域、以及设置在外围区域处并且具有弯曲形状或角形状的边缘部分。显示器也包括设置在显示区域处并且包括多个晶体管和设置在晶体管上方的多个绝缘层的多个像素。显示器还包括覆盖显示区域中的像素和外围区域的至少一部分的薄膜包封层、以及设置在边缘部分处并且包括绝缘层中的至少一个的应力分布部分。

Description

有机发光二极管显示器
技术领域
描述的技术总体上涉及有机发光二极管(OLED)显示器。
背景技术
显示装置的示例包括液晶显示器(LCD)和OLED显示器等。LCD的显示面板包括基于驱动电压执行相位延迟功能的液晶(LC)层。液晶层置于密封的上基底与下基底之间。
OLED显示器不需要单独的LC层或背光单元，并且OLED显示面板的每个OLED像素电路包括OLED。因此，与LCD不同，OLED显示面板不需要用于密封的上基底，并且其可以通过使用薄膜包封层来保护OLED、像素电路等。这样，显示装置的厚度可以薄。
然而，在智能手表等中的OLED显示面板中，在按压具有诸如偏振器、窗口等部件的显示面板的滚动层压工艺期间，应力集中的部分可能会损坏。当显示面板损坏时，薄膜包封层也可能会损坏而不适当地防止外部空气的湿气渗透，从而损坏OLED和像素电路。
在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对背景的理解，因此其可以包含不构成对本领域的普通技术人员来说在本国已经公知的现有技术的信息。
发明内容
一个发明方面涉及可以防止OLED显示器被外部力损坏的OLED显示器。
OLED显示器包括：基底，包括用于显示图像的显示区域、设置在显示区域的外部的外围区域、以及设置在外围区域处并且具有弯曲的表面形状或角形状的边缘部分；多个像素，设置在显示区域处并且包括多个晶体管和设置在所述多个晶体管上的多个绝缘层；薄膜包封层，覆盖显示区域中的所述多个像素和至少一些外围区域；以及应力分布部分，设置在边缘部分处并且包括与所述多个绝缘层中的至少一个相同的层。
所述多个像素可以包括多个OLED，所述多个绝缘层可以包括：钝化层，设置在所述多个晶体管的电极与所述多个OLED的阳极之间；以及像素限定层，用于将所述多个像素分区。
OLED显示器还可以包括：栅极绝缘层，设置在半导体层与所述多个晶体管的栅电极之间；以及层间绝缘层，设置在栅电极和栅极绝缘层上，其中，栅极绝缘层和层间绝缘层中的至少一个可以覆盖至少一些边缘部分并且可以包括设置在所述至少一些边缘部分处的开口。
可以存在多个应力分布部分和多个开口，每个应力分布部分可以设置为被所述多个开口围绕，每个开口可以设置为被所述多个应力分布部分围绕。
所述多个开口可以从基底的中心朝向边缘部分在基于第一方向形成第一角度的方向上设置，以形成多个第一阵列，所述多个应力分布部分可以在基于第一方向形成第二角度的方向上设置，以形成多个第二阵列。
所述多个第一阵列和所述多个第二阵列可以沿与第一方向垂直的第二方向交替地设置。
边缘部分可以包括设置在栅极绝缘层和层间绝缘层外部并且包括金属图案的裂缝防止部分，应力分布部分可以设置在第一应力分布区域和第二应力分布区域中的至少一个中，第一应力分布区域可以为设置在裂缝防止部分与薄膜包封层之间的区域，第二应力分布区域可以为设置在裂缝防止部分与基底的边缘之间的区域。
OLED显示器还可以包括设置在薄膜包封层上的偏振器，其中，至少一些偏振器可以与第一应力分布区域叠置。
根据至少一个公开的实施例，可以防止在OLED显示器的制造工艺期间OLED显示器被外部力损坏。
附图说明
图1A示出了根据一个示例性实施例的圆形OLED显示器的显示面板的示意性俯视图。
图1B示出了根据另一示例性实施例的四边形OLED显示器的显示面板的示意性俯视图。
图2示出了沿线II-II'截取的图1A或图1B的显示面板的剖视图。
图3示出了图2的第一应力分布区域和第二应力分布区域的附近的放大的剖视图。
图4A示出了根据一个示例性实施例的设置在第一应力分布区域中的应力分布部分和开口的布局图。
图4B示出了根据另一示例性实施例的设置在第一应力分布区域中的应力分布部分和开口的布局图。
图5示出了根据一个示例性实施例的设置在第二应力分布区域中的应力分布部分的布局图。
图6A示出了根据另一示例性实施例的第一应力分布区域和第二应力分布区域的附近的放大的剖视图。
图6B示出了根据进一步示例性实施例的第一应力分布区域和第二应力分布区域的附近的放大的剖视图。
图7、图8和图9示出了用于解释根据一个示例性实施例的包括应力分布部分的OLED显示器的制造方法的图。
图10示出了用于解释根据一个示例性实施例的包括显示面板的OLED显示器的堆叠结构的图。
图11A和图11B示出了用于解释当对于图10的OLED显示器执行滚动层压工艺时产生的应力的图。
具体实施方式
将在下文中参照示出示例性实施例的附图更加充分地描述本公开。如本领域技术人员将认识到的，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以以各种不同方式修改描述的实施例。
为了清楚地描述本公开，省略与描述不相关的部分，整个说明书中同样的标记指示同样的或相似的构成元件。
此外，在附图中，为了易于描述，任意地示出每个元件的尺寸和厚度，并且本公开不必受限于附图中示出的情形。在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了易于描述，夸大了一些层和区域的厚度。
在本公开中，术语“基本上”包括完全、几乎完全或在一些应用下且根据本领域技术人员任意显著程度的含义。另外，“形成、设置或定位在……上方”也可以意为“形成、设置或定位在……上”。术语“连接”包括电连接。
图1A示出了根据一个示例性实施例的基本上圆形OLED显示器的显示面板4100的示意性俯视图。图1B示出了根据另一示例性实施例的基本上四边形OLED显示器的显示面板4100'的示意性俯视图。
参照图1A，显示面板4100包括基底100。基底100包括用于显示图像的显示区域DA和设置在显示区域DA的外部的外围区域PA。
薄膜包封层10覆盖在显示区域DA中的多个像素和除了在外围区域PA中的边缘部分之外的至少一些区域。将在后面参照图2详细描述该边缘部分。
参照图1B，显示面板4100'包括基底100'。基底100'包括用于显示图像的显示区域DA'和设置在显示区域DA'的外部的外围区域PA'。
薄膜包封层10'覆盖在显示区域DA'中的多个像素和除了在外围区域PA'中的边缘部分之外的至少一些区域。
显示面板可以为图1A中示出的圆形显示面板4100或者图1B中示出的四边形显示面板4100'。在另一示例性实施例中，显示面板可以为椭圆形的。此外，显示面板可以为除了四边形的多边形。另外，显示面板可以为包括四个弯曲的角的基本上四边形。
如后面将参照图11A和图11B详细描述的，当前的示例性实施例可以应用于在滚动层压工艺期间应力可集中于其上的具有弯曲表面或角部分的边缘部分的显示面板。例如，当显示面板的基底包括具有弯曲表面或角部分的边缘部分时，当前的示例性实施例可以应用于任意类型的OLED显示器。图1A的基底100是具有弯曲表面的边缘部分的示例，图1B的基底100'是具有角表面的边缘部分的示例。
图2示出了沿线II-II'截取的图1A或图1B的显示面板4100或4100'的剖视图。为了更好地理解和易于描述，将基于图1A的圆形OLED显示器的显示面板4100来描述图2。
基底100可以为有机层和无机层交替地堆叠的柔性基底。例如，基底100具有包括聚酰亚胺(PI)的有机层、作为设置在有机层上的第一阻挡层(第一阻挡)的由氧化硅(SiOx)形成的无机层以及在无机层上的由聚酰亚胺形成的有机层堆叠的结构。另外，基底100还可以包括作为有机层上的第二阻挡层的由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成的无机层以及堆叠在无机层上的缓冲层。缓冲层在待形成在基底100上的半导体层200的结晶工艺期间阻挡来自基底100的杂质，以用于改善半导体层200的特性并减小施加到基底100的应力。虽然可以描述包括半导体层200的基底100，但是由于在显示区域DA外部的半导体层200可以形成为具有可忽略不计的薄厚度，所以现在半导体层200将被描述为包括在基底100的显示区域DA中的晶体管中。
基底100的堆叠结构为示例，并且可以被各种修改。在另一示例性实施例中，基底100由玻璃形成。
基底100的外围区域PA包括边缘部分110。在另一示例性实施例中，如在前述的图1B的四边形基底100'中的，基底可以包括角边缘部分。
薄膜包封(TFE)层10覆盖在显示区域DA中的多个像素，并且覆盖除了在外围区域PA中的边缘部分110之外的至少一些区域。
薄膜包封层10可以具有有机层和无机层交替地堆叠的结构。在当前的示例性实施例中，薄膜包封层10具有无机层1300、有机层1400和无机层1500堆叠的结构。各无机层和有机层的数量和厚度不受限制。无机层1300和1500防止外部空气的湿气渗透。有机层1400作为无机层1300与无机层1500之间的缓冲，以防止无机层1300和1500因杂质或工艺残余而损坏。薄膜包封层10防止设置在显示区域DA中的像素损坏。
每个像素包括晶体管30和由晶体管30控制的OLED 20。
晶体管30包括用作沟道的半导体层200、作为打开或关闭沟道的控制电极的栅电极400、以及分别连接到沟道的相对端的源电极610和漏电极620。根据掺杂在半导体层200中的杂质的种类，源电极610和漏电极620可以为可互换的。
OLED 20包括阳极810、有机发射层1010和阴极1200。
像素包括在晶体管30与阴极1200之间的多个绝缘层。绝缘层可以包括钝化层700和像素限定层910。像素限定层910可以将多个像素分区。
将与显示面板4100的堆叠结构的描述一起描述晶体管30和OLED 20的详细结构。
半导体层200设置在基底100上并且可以形成晶体管30的沟道。半导体层200可以包括沟道掺杂有N型杂质或P型杂质的沟道、以及形成在沟道的相对侧上并具有比掺杂在沟道上的掺杂杂质的掺杂浓度高的掺杂浓度的源掺杂区域和漏掺杂区域。此外，在半导体层200中，设置在不同的晶体管的源掺杂区域与漏掺杂区域之间的区域可以被掺杂以电连接不同的晶体管。
半导体层200可以由多晶硅(poly-Si)或氧化物半导体形成。氧化物半导体可以包括基于钛(Ti)、铪(Hf)、锆(Zr)、铝(Al)、钽(Ta)、锗(Ge)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)或铟(In)的氧化物以及它们的复合氧化物(诸如铟镓锌氧化物(InGaZnO4)、铟锌氧化物(Zn-In-O)、锌锡氧化物(Zn-Sn-O)、铟镓氧化物(In-Ga-O)、铟锡氧化物(In-Sn-O)、铟锆氧化物(In-Zr-O)、铟锆锌氧化物(In-Zr-Zn-O)、铟锆锡氧化物(In-Zr-Sn-O)、铟锆镓氧化物(In-Zr-Ga-O)、铟铝氧化物(In-Al-O)、铟锌铝氧化物(In-Zn-Al-O)、铟锡铝氧化物(In-Sn-Al-O)、铟铝镓氧化物(In-Al-Ga-O)、铟钽氧化物(In-Ta-O)、铟钽锌氧化物(In-Ta-Zn-O)、铟钽锡氧化物(In-Ta-Sn-O)、铟钽镓氧化物(In-Ta-Ga-O)、铟锗氧化物(In-Ge-O)、铟锗锌氧化物(In-Ge-Zn-O)、铟锗锡氧化物(In-Ge-Sn-O)、铟锗镓氧化物(In-Ge-Ga-O)、钛铟锌氧化物(Ti-In-Zn-O)和铪铟锌氧化物(Hf-In-Zn-O))中的一种。当半导体层200由氧化物半导体形成时，可以添加单独的钝化层以保护易受诸如高温等的外部环境的伤害的氧化物半导体。
栅极绝缘层300设置在半导体层200上。栅极绝缘层300设置为使栅电极400与半导体层200绝缘。栅极绝缘层300可以由无机材料形成，无机材料可以包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。
栅极绝缘层300可以设置在显示区域DA和外围区域PA中，但是可以不设置在整个基底100上。在当前的示例性实施例中，栅极绝缘层300设置为在裂缝防止部分40的前部。
当诸如来自弯曲的冲击施加到显示面板4100时，裂缝防止部分40用于防止裂缝产生。裂缝防止部分40可以包括金属图案410和绝缘层994。
当设置在栅极绝缘层300上的栅电极400形成时，金属图案410可以由与栅电极400相同的材料基本上同时形成。因此，金属图案410可以由钼(Mo)、钼合金、铜(Cu)、铜合金、铝(Al)和铝合金中的一种形成。在另一示例性实施例中，当数据电极层610、620和630形成时，金属图案410可以由与数据电极层610、620和630相同的材料基本上同时形成。金属图案410不受限于其结构，并且可以具有诸如Z字形形式的蜿蜒图案。因此，当诸如来自弯曲的冲击施加于金属图案410时，具有相对长的长度的金属图案410可以吸收冲击。图2示出了沿具有Z字形图案的金属图案410的中心线截取的剖视图。当钝化层700和像素限定层910中的至少一个形成时，绝缘层994可以基本上同时形成。
晶体管的栅电极400可以由钼(Mo)、钼合金、铜(Cu)、铜合金、铝(Al)和铝合金中的一种形成。
层间绝缘层500设置在栅电极400上。层间绝缘层500使栅电极400与数据电极层610、620和630绝缘。层间绝缘层500可以由无机材料形成，无机材料可以包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。
栅极绝缘层300和层间绝缘层500包括接触孔，源电极610和漏电极620通过栅极绝缘层300和层间绝缘层500的接触孔接触半导体层200的源掺杂区域和漏掺杂区域。边缘部分110包括开口2510和2520，开口2510和2520可以与栅极绝缘层300和层间绝缘层500的接触孔一起形成。开口2510和2520与应力分布部分(后面描述)相互作用并且可以分布施加到显示面板4100的应力。在当前的示例性实施例中，示出了开口2510和2520形成在栅极绝缘层300和层间绝缘层500中，然而在另一示例性实施例中，凹进部分形成在包括在基底100中的缓冲层和第二阻挡层中，所以开口2510和2520的深度可以通过凹进部分进一步加深。这将参照图6B详细描述。
数据电极层610、620和630设置在层间绝缘层500上。如上所述，作为晶体管30的组件的源电极610和漏电极620通过接触孔分别接触半导体层200的源掺杂区域和漏掺杂区域。电极630电连接到后面描述的阴极1200以供应电源电压。数据电极层610、620和630由钼(Mo)、钼合金、铜(Cu)、铜合金、铝(Al)和铝合金中的一种形成。
钝化层700设置在数据电极层610、620和630上以使源电极610等与OLED 20的阳极810绝缘。钝化层700具有接触孔，设置在钝化层700上的阳极810通过钝化层700的接触孔接触漏电极620。当钝化层700形成时，第一坝(dam)的下层710和多个应力分布部分的下层720、730和740可以一起形成。钝化层700可以由有机材料形成。
坝是防止在薄膜包封层10的有机层1400固化之前过涂覆的有机材料溢出的结构。在当前的示例性实施例中，第一坝包括下层710、中间层930和上层1120，第二坝包括下层920和上层1110。上层1120和1110可以包括分隔件。
应力分布部分设置在边缘部分110处，并且包括与多个绝缘层700和910中的至少一个相同的层。在图2的示例性实施例中，设置在第一应力分布区域2100中的多个应力分布部分包括与两个绝缘层700和910中的每个相同的层，设置在第二应力分布区域2200中的多个应力分布部分包括与一个绝缘层910相同的层。
第一应力分布区域2100是设置在裂缝防止部分40与薄膜包封层10之间的区域，第二应力分布区域2200是设置在裂缝防止部分40与基底100的边缘之间的区域。
图3示出了图2的第一应力分布区域2100和第二应力分布区域2200的附近的放大的剖视图。
参照图2、图3和图4A，第一应力分布区域2100包括应力分布部分A1(2110)、应力分布部分B1(2111)和应力分布部分C1(2112)。
应力分布部分A1(2110)包括下层A1(720)和上层A1(940和941)，上层A1(940和941)具有槽A1(2630)。应力分布部分B1(2111)包括下层B1(730)和上层B1(950、951、960和961)，上层B1(950、951、960和961)具有十字形的槽B1(2610)。应力分布部分C1(2112)包括下层C1(740)和上层C1(970、971、980和981)，上层C1(970、971、980和981)具有十字形的槽C1(2620)。这里，槽A1(2630)、槽B1(2610)和槽C1(2620)不限制上层A1(940和941)、上层B1(950、951、960和961)和上层C1(970、971、980和981)的形状，而是它们是用于示出上层可以以各种形状形成的示例。
参照图2、图3和图5，第二应力分布区域2200包括应力分布部分A2(991)、应力分布部分B2(992)和应力分布部分C2(993)。
参照图3，在当前的示例性实施例中，第一应力分布区域2100的应力分布部分分别包括双层，第二应力分布区域2200的应力分布部分分别包括单层。
当执行按压显示面板4100与其他组件的滚动层压工艺时，根据当前的示例性实施例的应力分布部分有效地分布集中在显示面板4100的边缘区域的应力，由此防止薄膜包封层10损坏。具体地，当执行滚动层压工艺时，应力分布部分可以改变应力集中并扩散于其上的裂缝的方向，并且可以延迟它的速度。根据当前的示例性实施例的OLED显示器防止通过裂缝在薄膜包封层10处产生的损坏，从而实现刚性结构以收缩缺陷。
用于阳极810和820的层设置在钝化层700上。阳极810通过形成在钝化层700中的接触孔接触漏电极620。阳极820电连接电极630和阴极1200。
用于分区(或限定)像素的像素限定层910设置在钝化层700以及阳极810和820上。像素限定层910包括限定区域的多个开口，在所述区域中，OLED 20的有机发射层1010、1020和1030形成在显示区域DA中。红色、绿色和蓝色有机发射层1010、1020和1030可以设置在像素限定层910中包括的开口中。
当像素限定层910形成时，第一坝的中间层930、第二坝的下层920、第一应力分布区域2100的应力分布部分的上层A1(940)、上层B1(950和960)、上层C1(970和980)以及第二应力分布区域2200的应力分布部分可以一起形成。
阴极1200设置在像素限定层910以及有机发射层1010、1020和1030上。
无机层1300、有机层1400和无机层1500堆叠并形成的薄膜包封层10设置在阴极1200上。在当前的示例性实施例中，薄膜包封层10不设置在边缘部分110处。
图4A示出了根据一个示例性实施例的设置在第一应力分布区域2100中的多个应力分布部分(2110、2111、2112、2113、2114和2115)和多个开口(2510、2511、2512和2513)的布局图。
应力分布部分E1(2114)可以设置为被开口(2510、2511、2512、2513)围绕。开口2510可以设置为被应力分布部分A1(2110)、应力分布部分B1(2111)、应力分布部分D1(2113)和应力分布部分E1(2114)围绕。开口(2511)可以设置为被应力分布部分B1(2111)、应力分布部分C1(2112)、应力分布部分E1(2114)和应力分布部分F1(2115)围绕。剩余的应力分布部分也可以设置为被开口围绕，只要空间和布置允许即可。以相同的方式，剩余的开口也可以设置为被应力分布部分围绕，只要空间和布置允许即可。
因此，施加到应力分布部分的应力可以被有效地分布。应力分布部分(2110、2111、2112、2113、2114和2115)可以被构造为通过各种布置和图4A的布置来分布应力。为了对此进行解释，将进一步参照图4B。
图4B示出了根据另一示例性实施例的设置在第一应力分布区域2100'中的应力分布部分2150、2151和2152以及开口2550、2551和2552的布局图。
参照图4B，开口2550、2551和2552从基底100的中心朝向边缘部分110在基于第一方向11a形成第一角度(θ1)的方向上设置。开口2550、2551和2552形成一个阵列，其他开口可以形成另一个阵列。因此，可以通过开口形成多个阵列。通过开口形成的阵列可以被称作多个第一阵列。
应力分布部分2150、2151和2152从基底100的中心朝向边缘部分110在基于第二方向11b形成第二角度(θ2)的方向上设置。应力分布部分2150、2151和2152形成一个阵列，其他应力分布部分可以形成另一个阵列。因此，可以通过应力分布部分形成多个阵列。通过应力分布部分形成的阵列可以被称作多个第二阵列。
第一阵列和第二阵列可以沿基本上与第一方向垂直(或交叉)的方向交替地设置。
当基底100为圆形时，开口2550、2551和2552以及应力分布部分2150、2151和2152均设置为阵列，并且它们可以设置为基于其中心从径向以预定角度倾斜。当然，在另一示例性实施例中，开口2550、2551和2552以及应力分布部分2150、2151和2152均设置为阵列，并且它们可以以与径向对应的阵列设置。
在一个示例性实施例中，第一角度(θ1)和第二角度(θ2)可以基本上相同。
图5示出了根据一个示例性实施例的设置在第二应力分布区域2200中的应力分布部分的布局图。
参照图5，包括应力分布部分A2(991)、应力分布部分B2(992)和应力分布部分C2(993)的多个应力分布部分以矩阵形式布置。在另一示例性实施例中，与图4A和图4B的第一应力分布区域2100相似，可以在包括开口的同时以各种形式布置第二应力分布区域2200的应力分布部分。
图6A示出了根据另一示例性实施例的第一应力分布区域2100a和第二应力分布区域2200a的附近的放大的剖视图。图6B示出了根据进一步示例性实施例的第一应力分布区域2100b和第二应力分布区域2200b的附近的放大的剖视图。
参照图6A，第一应力分布区域2100a的多个应力分布部分和第二应力分布区域2200a的多个应力分布部分可以分别形成为具有双层的结构。第一应力分布区域2100a的应力分布部分包括下层720a、730a和740a以及上层940a、950a、960a、970a和980a。第二应力分布区域2200a的应力分布部分包括下层750a、760a和770a以及上层991a、992a和993a。
当钝化层700形成时，在包括与钝化层700相同的层的同时，下层720a、730a、740a、750a、760a和770a可以一起形成。当像素限定层910形成时，在包括与像素限定层910相同的层的同时，上层940a、950a、960a、970a、980a、991a、992a和993a可以一起形成。
参照图6B，第一应力分布区域2100b的多个应力分布部分和第二应力分布区域2200b的多个应力分布部分可以分别形成为具有三层的结构。第一应力分布区域2100b的应力分布部分包括下层720b、730b和740b、中间层940b、950b和970b以及上层1130b、1140b和1150b。第二应力分布区域2200b的应力分布部分包括下层750b、760b和770b、中间层991b、992b和993b以及上层1160b、1170b和1180b。
当钝化层700形成时，在包括与钝化层700相同的层的同时，下层720b、730b、740b、750b、760b和770b可以一起形成。当像素限定层910形成时，在包括与像素限定层910相同的层的同时，中间层940b、950b、970b、991b、992b和993b可以一起形成。当第一坝的上层1120和第二坝的上层1110如图2所示地形成时，在包括与上层1120和1110相同的层的同时，上层1130b、1140b、1150b、1160b、1170b和1180b可以一起形成。即，上层1130b、1140b、1150b、1160b、1170b和1180b可以形成为分隔件。
图6B示出了基底100b的示例性堆叠结构。基底100b的堆叠结构与参照图2示例性描述的基底100的堆叠结构对应。基底100b包括包含聚酰亚胺的有机层155b、以及作为设置在有机层155b上的第一阻挡层的包括氧化硅(SiOx)等的无机层154b。基底100b也包括在无机层154b上的包括聚酰亚胺的有机层153b、在有机层153b上的作为第二阻挡层的包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机层152b、以及堆叠在无机层152b上的缓冲层151b。
在图2的示例性实施例中，虽然层间绝缘层500和栅极绝缘层300包括开口2510和2520，但是在图6B的示例性实施例中，层间绝缘层500b、栅极绝缘层300b、缓冲层151b和无机层152b包括开口2510b和2520b。在图6B的示例性实施例中，可以通过基本上同时地蚀刻层间绝缘层500b、栅极绝缘层300b、缓冲层151b和无机层152b来形成开口2510b和2520b。在这种情况下，包括在基底100b中的缓冲层151b和无机层152b的开口被称作基底100b的凹进部分123b和124b。凹进部分123b和124b设置在第一应力分布区域2100b中。
基底100b包括设置在第二应力分布区域2200b中的凹进部分121b和122b。凹进部分121b和122b可以执行与开口相似的功能。凹进部分121b和122b为包括在基底100b中的缓冲层151b和无机层152b中所包括的开口。可以通过与开口2510b和2520b一起蚀刻来形成凹进部分121b和122b。
与以单层构造并具有比双层高的高度的多个其他应力分布部分相比，以双层或多个层形成的应力分布部分具有相对均匀的高度。根据最近的具有较大显示区域的OLED显示器，以单层构造并具有比双层高的高度的其他应力分布部分可能具有应力分布部分的各高度因不均匀地涂覆的有机材料而不均匀的问题。因此，当需要应力分布部分的高度是高的时，应力分布部分可以具有多层而不是单层。
图7至图9示出了用于解释根据一个示例性实施例的包括应力分布部分的OLED显示器的制造方法的图。在图7至图9的制造方法的解释中，将省略参照图1A至图6B详细描述的内容。
参照图7，在基底100上形成用于形成晶体管的沟道的半导体层200。半导体层200形成为具有预定的厚度以在显示区域DA中形成诸如晶体管的沟道的功能层，并且可以在外围区域PA中形成为具有预定的薄厚度。半导体层200可以被蚀刻为具有预定的形状。
在半导体层200上形成栅极绝缘层300。栅极绝缘层300可以形成为其中形成有金属图案410的区域的参考。
通过在栅极绝缘层300上形成金属层并使金属层图案化来形成栅电极400。在这种情况下，金属图案410可以与其一起形成。
在栅极绝缘层300和栅电极400上形成层间绝缘层500。形成的层间绝缘层500可以与栅极绝缘层300基本上同时干法蚀刻，以形成暴露半导体层200的接触孔。在这种情况下，可以一起形成开口2510和2520。
参照图8，形成包括电极630、源电极610和漏电极620的数据电极层610、620和630。在数据电极层610、620和630上形成绝缘层，绝缘层可以包括钝化层700。当形成钝化层700时，可以在与钝化层700相同的层中形成第一坝的下层710以及第一应力分布区域2100的应力分布部分的下层720、730和740。钝化层700可以由有机材料形成。
参照图9，在形成钝化层700后，形成并蚀刻阳极层810和820。在形成的阳极层810和820上形成像素限定层910。当形成像素限定层910时，一起形成第一坝的中间层930、第二坝的下层920、第一应力分布区域2100的应力分布部分的下层940、950、960、970和980以及第二应力分布区域2200的应力分布部分991、992和993。像素限定层910可以由有机材料形成。
图10示出了用于解释根据一个示例性实施例的包括显示面板的OLED显示器的堆叠结构的图。
参照图10，OLED显示器可以包括显示面板4100、偏振器4200、第一光学透明粘合剂(OCA)4300、触摸屏面板4400、第二OCA和窗口4600。
偏振器4200用于防止显示质量因从窗口4600输入的外部光的反射而恶化。在OLED显示器中，外部光被晶体管30的电极和OLED 20反射，并且当反射的外部光与OLED 20发射的光干涉时，用户可能会不正确地观看OLED显示器的显示图像。
偏振器4200被构造为利用线偏振和相延迟的原理，从而防止外部光的反射。偏振器4200可以包括圆偏振板。
第一OCA(光学透明粘合剂)4300和第二OCA 4500为粘合剂膜，第一OCA 4300将偏振器4200与触摸屏面板4400结合，第二OCA 4500将触摸屏面板4400与窗口4600结合。
触摸屏面板4400是感测用户的触摸的输入装置。在当前的示例性实施例中，虽然分开地示出了触摸屏面板4400和显示面板4100，但是可以整体地形成触摸屏面板4400和显示面板4100。当在OLED显示器中不需要触摸屏面板4400时(例如用于电视的构造)，可以省略触摸屏面板4400和第二OCA4500。
在下文中，将参照图11A和图11B描述作为显示面板4100的边缘与偏振器4200的边缘之间的长度差的距离D1和作为触摸屏面板4400的边缘与第二OCA 4500的边缘之间的长度差的距离D2。
图11A和图11B示出了用于解释当对于图10的OLED显示器执行滚动层压工艺时产生的应力的图。
如图11A所示，通过使用辊50对于圆形OLED显示器的显示面板4100执行滚动层压工艺。
根据图11A中示出的滚动层压工艺的实验结果，在与辊50接触的区域最大的显示面板4100的中心位置4110处产生的最大应力被测量为大约3.51MPa。此外，在与辊50接触的区域为三分之二的显示面板4100的位置4120处产生的最大应力被测量为大约3.61MPa。此外，在与辊50接触的区域为三分之一的显示面板4100的位置4130处产生的最大应力被测量为大约4.10MPa。此外，在滚动层压工艺的端部位置4140处产生的最大应力被测量为大约97.90MPa。即，与其他位置相比，在滚动层压工艺的端部位置4140处测量了非常高的应力。
当在圆形OLED显示器中执行滚动层压工艺时，由于存在最大应力的产生所发生的一个或更多个位置4140，因此需要可以解决这样的应力的方法。
在位置4140处基于距离D1和D2的产生最大应力的测量结果是相同的。
当距离D2为大约300um且距离D1为大约300um时，最大应力的产生被测量为大约108.17MPa。当距离D2为大约300um且距离D1为大约150um时，最大应力的产生被测量为大约97.90MPa。当距离D2为大约300um且距离D1为0um时，最大应力的产生被测量为大约90.63MPa。因此，随着距离D1减小，可以看出最大应力的产生减小。
当距离D1为大约300um且距离D2为大约300um时，最大应力的产生被测量为大约97.90MPa。当距离D1为大约300um且距离D2为大约150um时，最大应力的产生被测量为大约97.90MPa。当距离D1为大约300um且距离D2为0um时，最大应力的产生被测量为大约97.90MPa。因此，可以看出距离D2不影响最大应力的产生。
因此，为了减小距离D1，至少一些偏振器4200可以与第一应力分布区域叠置。
此外，至少一些偏振器4200可以与第一应力分布区域和第二应力分布区域叠置。
如图11B中所示，通过使用辊50'对于OLED显示器的四边形显示面板4100'执行滚动层压工艺。
根据图11B中示出的滚动层压工艺的实验结果，可以看出在位置4110'处的最大应力的产生比在位置4120'处的最大应力的产生小。此外，在位置4120'处的最大应力的产生比在位置4130'处的最大应力的产生小。此外，在位置4130'处的最大应力的产生比在位置4140'处的最大应力的产生小。
因此，即使在图11B的示例性实施例中，由于在作为角边缘部分的位置4140'处最大应力的产生为最大，因此当前的示例性实施例也可以应用于此。
本公开的附图和详细描述仅是说明性的，并且用于描述本公开的目的，而不用于限制权利要求中描述的本公开的含义或范围。因此，本领域技术人员将理解的是，本公开的各种修改和其他等同实施例是可能的。因此，必须基于所附权利要求的技术精神来确定本公开的真正技术保护范围。

Claims (10)

1.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：
基底，包括被构造为显示图像的显示区域、围绕所述显示区域的外围区域、以及设置在所述外围区域处并且具有弯曲形状或角形状的边缘部分；
多个像素，设置在所述显示区域处并且包括多个晶体管和设置在所述晶体管上方的多个绝缘层；
薄膜包封层，覆盖所述显示区域中的所述像素和所述外围区域的至少一部分；
裂缝防止部分，设置在所述边缘部分处；以及
应力分布部分，包括在所述边缘部分处设置在所述裂缝防止部分与所述薄膜包封层之间的第一应力分布区域，并且包括所述绝缘层中的至少一个。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述像素包括多个有机发光二极管，其中，所述绝缘层包括：
钝化层，设置在所述晶体管与所述有机发光二极管之间；以及
像素限定层，限定所述像素。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述晶体管包括多个栅电极，所述有机发光二极管显示器还包括：
半导体层，形成在所述基底上方；
栅极绝缘层，设置在所述半导体层与所述栅电极之间；以及
层间绝缘层，设置在所述栅电极和所述栅极绝缘层上方，
其中，所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层中的至少一个至少部分地覆盖所述边缘部分并且包括设置在所述边缘部分的被部分地覆盖的区域的开口。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，所述开口包括多个开口，其中，所述应力分布部分包括多个应力分布部分和所述开口，其中，所述应力分布部分中的每个被至少两个所述开口围绕，其中，所述开口中的每个被至少两个所述应力分布部分围绕。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中，所述基底包括缓冲层和无机层，其中，所述边缘部分包括设置在所述应力分布部分的外围处并且包括所述开口的凹进部分，其中，所述凹进部分形成在所述缓冲层和所述无机层中。
6.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中，所述开口以多个第一阵列布置并且在与第一方向形成第一角度的方向上设置，其中，所述应力分布部分以多个第二阵列布置并且在与所述第一方向形成第二角度的方向上设置。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一阵列和所述第二阵列沿与所述第一方向交叉的方向交替地设置。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中，所述裂缝防止部分设置为与所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层相邻并且包括金属图案，其中，所述应力分布部分还包括设置在所述裂缝防止部分与所述基底的边缘之间的第二应力分布区域。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括设置在所述薄膜包封层上方的偏振器，其中，所述偏振器的至少一部分在所述有机发光二极管显示器的深度量度上与所述第一应力分布区域叠置。
10.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示还包括设置在所述薄膜包封层上方的偏振器，其中，所述偏振器的至少一部分在所述有机发光二极管显示器的深度量度上与所述应力分布部分叠置。
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