CN106992120A - 一种显示用电子器件高导电联耦合电极及其制备方法 - Google Patents

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陶洪
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Abstract

本发明属于电子器件材料制备技术领域，公开了一种显示用电子器件高导电联耦合电极及其制备方法。所述方法包括如下制备步骤：(1)在衬底上沉积5～200nm厚度的铜合金薄膜作为粘附阻挡层；(2)在铜合金薄膜上沉积5～1000nm厚的纯铜薄膜。步骤(1)和步骤(2)完成后可选择性在温度100～500℃的条件下进行退火0.5～2h。所述铜合金薄膜的材料成分包括铜、铬和锆。本发明制备的高导电联耦合电极具有高结合强度，低电阻率，刻蚀兼容性好，工艺简单，成本低廉的优点。

Description

一种显示用电子器件高导电联耦合电极及其制备方法
技术领域
本发明属于电子器件材料制备技术领域，具体涉及一种显示用电子器件高导电联耦合电极及其制备方法。
背景技术
伴随信息化社会的快速发展，微电子集成程度越来越高，对构成微电子基本电路的各种电子元器件在体积和性能上都提出了更高的要求。电子器件电极呈现出用铜电极替代铝电极的发展趋势。
目前，铜作为器件电极，主要面临以下困难：(1)Cu原子结构中最外层只有一个核外电子，化学活性弱，难以与衬底键合，导致铜电极与衬底的结合强度差。(2)铜原子发生扩散造成铜污染，导致绝缘层或半导体有源层中形成深能级受主杂质，使器件性能退化。(3)铜机械强度低。(4)铜电极表面存在氧化和硫化问题，导致电极电阻率上升。
基于以上问题，目前的解决方法主要有：(1)在铜薄膜电极和绝缘层或有源层之间，添加一层或多层其他金属或氧化物薄膜，作为过渡层来阻挡铜原子的扩散并提高结合强度。如现在常见的使用Mo/Cu或Ni/Cu的叠层作为薄膜晶体管的源漏电极。这种处理方式，添加的过渡层与纯铜薄膜的刻蚀特性存在差异，导致工艺复杂，成本较高。且在界面处存在晶格失配会导致寄生电容增加。(2)铜合金化：使用铜合金代替纯铜作为电极材料。合金化虽然提高了电极与衬底的结合强度，但是会明显削弱铜电极高导特性，使其失去优势甚至不能达到使用要求。(3)在铜电极和衬底之间生长铜籽晶层，用于改善结合强度和抗电迁移性。引入籽晶层的技术，虽然可以达到以上目的，但是仍无法阻止铜原子向衬底材料的扩散和污染。需要另加扩散阻挡层，这会导致工艺变复杂，成本急剧上升，不利于量产。
针对以上种种不足，提供一种工艺简单、成本低廉、性能优良的显示用电子器件高导电联耦合电极及其制备方法是很有意义的。
发明内容
为了解决以上现有技术的缺点和不足之处，本发明的首要目的在于提供一种显示用电子器件高导电联耦合电极的制备方法。
本发明的另一目的在于提供一种通过上述方法制备得到的显示用电子器件高导电联耦合电极。
本发明目的通过以下技术方案实现：
一种显示用电子器件高导电联耦合电极的制备方法，包括如下制备步骤：
(1)在衬底上沉积5～200nm厚度的铜合金薄膜作为粘附阻挡层；
(2)在铜合金薄膜上沉积5～1000nm厚度的纯铜薄膜。
优选地，步骤(1)完成后在温度100～500℃的条件下进行退火0.5～2h，然后进行步骤(2)。更优选在温度300～350℃的条件下进行退火。
优选地，步骤(2)完成后在温度100～500℃的条件下进行退火0.5～2h。更优选在温度300～350℃的条件下进行退火。
优选地，所述衬底包括玻璃衬底、单晶硅衬底、SiOx衬底、SiNx衬底、Al2O3衬底、IZO(铟锌氧化物)衬底或IGZO(铟镓锌氧化物)衬底。
优选地，所述铜合金薄膜中存在多种非籽晶层的晶格结构。
所述铜合金薄膜的材料成分包括铜、铬和锆，以重量百分比计，Cr占合金总量的比例为0.1％～0.39％，Zr占合金总量的比例为0.1％～0.5％。优选地，Cr占合金总量的比例为0.29％～0.32％，Zr占合金总量的比例为0.18％～0.21％。更优选地，Cr占合金总量的比例为0.3％，Zr占合金总量的比例为0.2％。
优选的，步骤(1)中以磁控溅射方法、自溅射方法、离子溅射方法、化学气相沉积方法、蒸发方法或电化学方法在衬底上沉积铜合金薄膜作为粘附阻挡层。
优选的，步骤(2)中以磁控溅射方法、自溅射方法、离子溅射方法、化学气相沉积方法、蒸发方法或电化学方法在铜合金薄膜上沉积纯铜薄膜作为导电电极主体。
一种显示用电子器件高导电联耦合电极，通过上述方法制备得到。
本发明原理为：由于纯铜薄膜不易与玻璃衬底或单晶硅衬底发生较强的键合作用，导致纯铜薄膜在上述衬底上的附着强度很差，采用铜合金薄膜作为粘附阻挡层的纯铜电联耦合电极技术，可以使电极的电阻率接近纯铜的同时，又能保证较高的电极强度。由Cu-Cr和Cu-Zr合金二元相图可知，Cr和Zr两种元素在Cu中的室温固溶度极小，且不会生成中间化合物。采用过饱和固溶体的Cu-Cr-Zr合金靶成膜，通过高温退火处理会有过饱和的Cr和Zr排出，导致与铜相分离，在薄膜的界面处自发形成过渡层，可以阻挡Cu的扩散，同时Cr和Zr更易与氧结合形成稳定的氧化物，导致电极与衬底的结合强度明显提高。纯铜层与合金层界面处都是以Cu(111)为主的晶格结构，能够很好的键合，不存在界面的晶格失配问题，这使该电极具备良好的导电性和附着性。
对铜合金薄膜衬底退火处理后再沉积纯铜薄膜，由于铜合金薄膜经退火处理在衬底界面处和上表面都形成了氧化物，再沉积纯铜薄膜后，经退火处理纯铜与金属氧化物薄膜可以发生很好的键合，使结合强度明显增加。
对铜合金薄膜不进行退火处理而直接沉积纯铜导电主体，由于Cr和Zr几乎都排到衬底界面处形成稳定的氧化物，合金层上表面成分接近纯铜而发生紧密键合，可以使纯铜薄膜牢牢附着在衬底上。最终制备出整体结合强度良好的导电电极。
与现有技术在铜薄膜电极和衬底之间，添加一层其他金属或金属氧化物薄膜，作为过渡层来阻挡铜污染并提高结合强度相比。本发明采用铜合金薄膜作为纯铜电极的粘附阻挡层，铜合金薄膜提高了纯铜电极与衬底的结合强度的同时，又保证了电极的低电阻率，两薄膜的界面处，铜相结构相同，不存在晶格失配问题。铜合金薄膜仅是作为衬底与纯铜薄膜的粘附阻挡层，导电主体仍是纯铜层，不会导致电阻率有明显提高，但保证了纯铜电极的结合强度，并阻止Cu扩散。铜合金薄膜可以自发在电极和衬底界面处形成扩散阻挡层。铜合金层为非籽晶层，不需要考虑复杂的生长条件以控制晶体生长方向，使制备工艺明显简化，成本大大降低。本发明的导电主体仍是纯铜，更能凸显铜材料作为高导电联耦合电极的电学性能优势。
相对于现有技术，本发明具有如下优点及有益效果：
本发明制备的高导电联耦合电极具有高结合强度，低电阻率，刻蚀兼容性好，工艺简单，成本低廉的优点。
附图说明
图1为本发明所制备的高导电联耦合电极的结构示意图；
图2是实施例1中沉积的Cu-Cr-Zr合金薄膜的XRD分析图谱。
具体实施方式
下面结合实施例及附图对本发明作进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
实施例1
本实施例的一种显示用电子器件高导电联耦合电极的制备方法，通过如下步骤进行：
(1)在衬底上以磁控溅射的方法沉积5nm厚度的铜合金薄膜作为粘附阻挡层；铜合金薄膜的材料成分由铜、铬和锆组成，以重量百分比计，Cr占合金总量的比例为0.1％，Zr占合金总量的比例为0.5％；然后在温度100℃的条件下进行退火0.5h。
(2)在退火处理后，在铜合金薄膜上以磁控溅射方法沉积5nm厚度的纯铜薄膜，并在温度100℃的条件下进行退火0.5h。
本实施例所制备的高导电联耦合电极的结构示意图如图1所示。
本实施例步骤(1)沉积的Cu-Cr-Zr合金薄膜的XRD分析图谱如图2所示，由图2可知，铜合金薄膜中存在多种非籽晶层晶相结构。
实施例2
本实施例的一种显示用电子器件高导电联耦合电极的制备方法，通过如下步骤进行：
(1)在衬底上以磁控溅射的方法沉积200nm厚度的铜合金薄膜作为粘附阻挡层；铜合金薄膜的材料成分由铜、铬和锆组成，以重量百分比计，Cr占合金总量的比例为0.1％，Zr占合金总量的比例为0.5％；
(2)再在铜合金薄膜上以磁控溅射方法沉积1000nm厚度的纯铜薄膜。
本实施例所制备的高导电联耦合电极的结构示意图如图1所示。
本实施例步骤(1)沉积的Cu-Cr-Zr合金薄膜的XRD分析图谱与实施例1相同，铜合金薄膜中存在多种非籽晶层晶相结构。
实施例3
本实施例的一种显示用电子器件高导电联耦合电极的制备方法，通过如下步骤进行：
(1)在衬底上以磁控溅射的方法沉积5nm厚度的铜合金薄膜作为粘附阻挡层；铜合金薄膜的材料成分由铜、铬和锆组成，以重量百分比计，Cr占合金总量的比例为0.39％，Zr占合金总量的比例为0.1％；然后在温度100℃的条件下进行退火0.5h。
(2)在退火处理后，在铜合金薄膜上以磁控溅射方法沉积5nm厚度的纯铜薄膜。
本实施例所制备的高导电联耦合电极的结构示意图如图1所示。
本实施例步骤(1)沉积的Cu-Cr-Zr合金薄膜的XRD分析图谱与实施例1相同，铜合金薄膜中存在多种非籽晶层晶相结构。
实施例4
本实施例的一种显示用电子器件高导电联耦合电极的制备方法，通过如下步骤进行：
(1)在衬底上以磁控溅射的方法沉积200nm厚度的铜合金薄膜作为粘附阻挡层；铜合金薄膜的材料成分由铜、铬和锆组成，以重量百分比计，Cr占合金总量的比例为0.39％，Zr占合金总量的比例为0.1％。
(2)在铜合金薄膜上以磁控溅射方法沉积1000nm厚度的纯铜薄膜，并在温度500℃的条件下进行退火2h。
本实施例所制备的高导电联耦合电极的结构示意图如图1所示。
本实施例步骤(1)沉积的Cu-Cr-Zr合金薄膜的XRD分析图谱与实施例1相同，铜合金薄膜中存在多种非籽晶层晶相结构。
依照ASTM D3359描述的胶带法评估薄膜的粘附性。粘附性测试的具体过程如下：首先，用刀片在薄膜上划出10×10个边长为1mm的方格；然后，将压敏胶带覆盖在方格上，停留1min后将其撕下；最后观察膜层的脱落状况。用测试后膜层的脱落率来评价薄膜的粘附性。
以上实施例1～4制备电极的工艺和得到的电极测试效果如表1所示。
表1实施例1～4的制备工艺和得到的电极测试效果
由表1结果可知，本发明制得的导电电极，具有与基板结合强度高、电极电阻率低的特点。
实施例5
本实施例的一种显示用电子器件高导电联耦合电极的制备方法，具体制备工艺和得到的电极测试效果如表2所示。
表2实施例5制备工艺和得到的电极的测试效果
由表2结果可知，本发明制得的导电电极，具有与基板结合强度高、电极电阻率低的特点。
实施例6
本实施例的一种显示用电子器件高导电联耦合电极的制备方法，具体制备工艺和得到的电极测试效果如表3所示。
表3实施例6制备工艺和得到的电极的测试效果
由表3结果可知，本发明制得的导电电极，具有与基板结合强度高、电极电阻率低的特点。
实施例7
本实施例的一种显示用电子器件高导电联耦合电极的制备方法，具体制备工艺和得到的电极测试效果如表4所示。
表4实施例7制备工艺和得到的电极的测试效果
由表4结果可知，本发明制得的导电电极，具有与基板结合强度高、电极电阻率低的特点。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其它的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种显示用电子器件高导电联耦合电极的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：
(1)在衬底上沉积5～200nm厚度的铜合金薄膜作为粘附阻挡层；
(2)在铜合金薄膜上沉积5～1000nm厚度的纯铜薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种显示用电子器件高导电联耦合电极的制备方法，其特征在于：步骤(1)完成后在温度100～500℃的条件下进行退火0.5～2h，然后进行步骤(2)。
3.根据权利要求1或2所述的一种显示用电子器件高导电联耦合电极的制备方法，其特征在于：步骤(2)完成后在温度100～500℃的条件下进行退火0.5～2h。
4.根据权利要求1所述的一种显示用电子器件高导电联耦合电极的制备方法，其特征在于：所述衬底包括玻璃衬底、单晶硅衬底、SiOx衬底、SiNx衬底、Al2O3衬底、IZO衬底或IGZO衬底。
5.根据权利要求1所述的一种显示用电子器件高导电联耦合电极的制备方法，其特征在于：所述铜合金薄膜中存在多种非籽晶层的晶格结构。
6.根据权利要求1所述的一种显示用电子器件高导电联耦合电极的制备方法，其特征在于：所述铜合金薄膜的材料成分包括铜、铬和锆，以重量百分比计，Cr占合金总量的比例为0.1％～0.39％，Zr占合金总量的比例为0.1％～0.5％。
7.根据权利要求6所述的一种显示用电子器件高导电联耦合电极的制备方法，其特征在于：Cr占合金总量的比例为0.29％～0.32％，Zr占合金总量的比例为0.18％～0.21％。
8.根据权利要求7所述的一种显示用电子器件高导电联耦合电极的制备方法，其特征在于：Cr占合金总量的比例为0.3％，Zr占合金总量的比例为0.2％。
9.根据权利要求1所述的一种显示用电子器件高导电联耦合电极的制备方法，其特征在于：步骤(1)中以磁控溅射方法、自溅射方法、离子溅射方法、化学气相沉积方法、蒸发方法或电化学方法在衬底上沉积铜合金薄膜作为粘附阻挡层；步骤(2)中以磁控溅射方法、自溅射方法、离子溅射方法、化学气相沉积方法、蒸发方法或电化学方法在铜合金薄膜上沉积纯铜薄膜作为导电电极主体。
10.一种显示用电子器件高导电联耦合电极，其特征在于：通过权利要求1～9任一项所述的方法制备得到。
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