CN106960857A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置。显示装置可以包括像素和光阀。像素可以包括第一区域和第二区域。光阀可以设置在第二区域中。光阀可以包括第一电极、设置在第一电极上的热产生层以及设置在热产生层上的相变层。相变层可以包括光学性质根据温度而变化的相变材料。

Description

显示装置
技术领域
示例实施例涉及显示装置。更具体地，示例实施例涉及包括光阀(light shutter)的透明显示装置。
背景技术
显示装置已经用作信息传递媒体。近来随着电视、计算机、平板电脑和智能电话的普及，对显示装置的需求增加。传统的显示装置具有对一个方向显示图像的不透明屏幕。近来，已经开发出包括透明窗口并且能够通过该透明窗口透射位于显示装置的背面上的对象(或者目标)的图像的透明显示装置。
通常，包括在透明显示装置中的每个像素具有显示区域和透光区域，可以通过与显示区域相邻并透射光的透光区域看到位于显示装置的背面上的对象。
然而，由于透明显示装置的透光区域的透明度，导致显示区域的图像可能被扭曲，并且用户不能清楚地识别显示区域的图像。此外，当透明显示装置的背景比透明显示装置的图像亮时，显示区域的图像会是不可见的。
发明内容
示例实施例提供了一种能够选择性透射或阻挡入射光的显示装置。
根据示例实施例，一种显示装置可以包括像素和光阀。像素可以包括第一区域和第二区域。光阀可以设置在第二区域中。光阀可以包括第一电极以及设置在第一电极上的相变层。相变层可以包括光学性质根据温度变化的相变材料。
在示例实施例中，光阀还可以包括：热产生层，设置在第一电极与相变层之间。
在示例实施例中，第一区域可以是发光区域，第二区域可以是不发射光的透光区域。
在示例实施例中，像素可以包括设置在第一区域中的有机发光结构。有机发光结构可以包括阳极、设置在阳极上的有机发光层以及设置在有机发光层上的阴极。
在示例实施例中，第一电极和阳极可以设置在基本同一水平面上。
在示例实施例中，光阀还可以包括设置在相变层上的第二电极。第二电极可以电连接到阴极。
在一些示例实施例中，第一区域和第二区域两者可以既是发光区域又是透光区域。
在一些示例实施例中，像素可以包括设置在第一区域和第二区域中的液晶结构。
在一些示例实施例中，液晶结构可以包括像素电极、设置在像素电极上的液晶层以及设置在液晶层上的共电极。
在示例实施例中，相变材料可以是基于硫族化物的材料。
在示例实施例中，相变材料可以包括锗-锑-碲(Ge-Sb-Te)。
在示例实施例中，相变层和热产生层中的每个可以掺杂有碳、氮和氧中的至少一种。
在示例实施例中，相变材料的晶态可以根据温度而变化。相变层的透光率可以根据相变材料的晶态而变化。
在示例实施例中，显示装置还可以包括信号线。第一电极可以电连接到信号线。
在示例实施例中，显示装置还可以包括多个光阀。所述多个光阀都可以共同透射或阻挡入射到第二区域中的外部光。
在一些示例实施例中，显示装置还可以包括第一信号线、与第一信号线垂直的第二信号线以及电连接到第一信号线和第二信号线的开关元件。第一电极可以电连接到开关元件。
在一些示例实施例中，显示装置还可以包括多个光阀。所述多个光阀中的每个可以单独地透射或阻挡入射到第二区域中的外部光。
在示例实施例中，使入射到第二区域中的外部光透射的第一信号或者阻挡外部光的第二信号可以被传递到第一电极。
在示例实施例中，第一信号和第二信号中的每个可以基于显示装置的背景的亮度产生。
在一些示例实施例中，第一信号和第二信号中的每个可以基于显示装置的用户的选择产生。
根据示例实施例，显示装置可以包括设置在第二区域中的光阀，光阀可以包括第一电极、热产生层以及包括光学性质可以根据温度而变化的相变材料的相变层。因此，显示装置可以透射或阻挡入射到第二区域中的外部光。因此，显示装置可以用作透射外部光以使用户观看到位于显示装置的后面上的对象的透明显示装置，或者用作阻挡外部光以提高来自显示装置的图像的可见度的不透明显示装置。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解说明性的、非限制性示例实施例。
图1是示出根据示例实施例的显示装置的平面图。
图2是示出根据示例实施例的显示装置的剖视图。
图3是示出根据一些示例实施例的显示装置的剖视图。
图4A、图4B和图4C是示出相变材料的光学性质的变化的图。
图5是示出根据示例实施例的显示装置的平面图。
图6是示出根据一些示例实施例的显示装置的平面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细解释根据示例实施例的显示装置。
图1是示出根据示例实施例的显示装置的平面图。图2是示出根据示例实施例的显示装置的剖视图。
参照图1和图2，显示装置可以包括设置在第一基底10上的多个像素PX和多个光阀100。
尽管图1仅示出了一个像素PX，但是显示装置可以包括周期性地布置的多个像素PX。例如，多个像素PX可以布置为基本的矩阵构造。在示例实施例中，像素PX中的每个可以相应地发射红光、绿光或者蓝光，并且三个像素PX可以组成一个像素组。在一些示例实施例中，像素PX中的每个可以相应地发射红光、绿光、蓝光或者白光，并且四个像素PX可以组成一个像素组。
显示装置还可以包括多条扫描线、多条数据线、多条电源线等。扫描线可以沿着第一方向延伸并且可以将扫描信号传递到像素PX。数据线可以沿着基本垂直于第一方向的第二方向延伸并且可以将数据信号传递到像素PX。电源线可以沿着第二方向延伸，并且可以将电源电压传递到像素PX。
像素PX中的每个可以包括第一区域Ⅰ和第二区域Ⅱ。第一区域Ⅰ和第二区域Ⅱ中的每个可以具有如图1所示的大致矩形的平面形状。然而，第一区域Ⅰ和第二区域Ⅱ中的每个的形状可以不限于此。例如，第一区域Ⅰ和第二区域Ⅱ中的每个可以具有诸如大致椭圆形形状、大致圆形形状、大致多边形形状等的各种平面形状。
在示例实施例中，第一区域Ⅰ可以是发光区域，第二区域Ⅱ可以是不发射光的透光区域。用于发射光的显示结构可以设置在第一区域Ⅰ中，并且可以从显示结构发射光(例如，红光、绿光或者蓝光)。用于显示图像的光不会从第二区域Ⅱ发射，第二区域Ⅱ可以用作使从显示装置的前面或后面入射到第二区域Ⅱ中的外部光透射的透光区域。因此，用户可以识别出位于显示装置的前面或后面的对象。显示装置的透光率可以根据第二区域Ⅱ的尺寸而变化。
第一基底10可以包括透射光的透明材料。例如，第一基底10可以包括三乙酸纤维素(TAC)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚乙烯醇(PVA)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和/或环烯烃聚合物(COP)。
像素电路30可以在第一区域Ⅰ中设置在第一基底10上。像素电路30可以驱动设置在其上的有机发光结构200。像素电路30可以被包括在每个像素PX中。像素电路30可以包括驱动晶体管、开关晶体管、电容器等。例如，与数据电压和基准电压之间差对应的电压可以被充在结合在驱动晶体管的栅电极和源电极之间的电容器中，并且可以通过充电电压来操作驱动晶体管。
在示例实施例中，第一有源图案、第二有源图案和第三有源图案可以设置在第一基底10上，栅极绝缘层可以设置在第一基底10上以覆盖有源图案。分别与第一有源图案、第二有源图案和第三有源图案叠置的第一栅电极、第二栅电极和第三栅电极可以设置在栅极绝缘层上，且绝缘夹层可以设置在栅极绝缘层和栅电极上。第一源电极和第二源电极以及第一漏电极和第二漏电极可以设置在绝缘夹层上，通孔绝缘层可以设置在绝缘夹层上以覆盖源电极和漏电极。驱动晶体管可以包括第一有源图案、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极。开关晶体管可以包括第二有源图案、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极。电容器可以包括第三有源图案和第三栅电极。
有机发光结构200可以在第一区域Ⅰ中设置在像素电路30上。有机发光结构200可以基于通过驱动晶体管传递的驱动电流来发射用于显示图像的光。这里，显示装置可以是有机发光显示装置。
在示例实施例中，有机发光结构200可以包括阳极210、有机发光层220和阴极230。
阳极210可以被图案化在每个像素PX中，像素限定层可以形成为围绕阳极210。像素限定层可以与阳极210的边缘部分叠置以使阳极210的中心部分暴露。阳极210可以电连接到像素电路30的驱动晶体管。
在示例实施例中，阳极210可以包括诸如铝(Al)、银(Ag)、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、钽(Ta)、钕(Nd)、钪(Sc)的金属或者其合金。在另一示例实施例中，阳极210可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等的透明导电材料。在另外的示例实施例中，阳极210可以具有包括所述金属和所述透明导电材料的多层结构。
有机发光层220可以形成在阳极210上以与阳极210的被暴露的中心部分叠置。阴极230可以形成在有机发光层220上。在示例实施例中，阴极230可以设置在第一区域Ⅰ和第二区域Ⅱ中。在另一示例实施例中，阴极230可以不设置在第二区域Ⅱ中以提高显示装置的第二区域Ⅱ中的透光率。
绝缘层40可以在第二区域Ⅱ中设置在第一基底10上。绝缘层40可以防止蒸汽穿过第一基底10渗透并防止杂质在第一基底10和其上的结构之间扩散。绝缘层40可以减轻由所述结构产生的应力。在示例实施例中，栅极绝缘层、绝缘夹层和通孔绝缘层可以延伸到第二区域Ⅱ以形成绝缘层40。
光阀100可以在第二区域Ⅱ中设置在绝缘层40上。光阀100可以包括第一电极120、热产生层130和相变层140。在示例实施例中，光阀100还可以包括第二电极150。
第一电极120可以形成在绝缘层40上。第一电极120可以包括透明导电材料(例如，ITO、IZO等)以具有高导电率和高透光率。可选择地，第一电极120可以包括使用银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)及其合金的金属网格形状。
在示例实施例中，光阀100的第一电极120与有机发光结构200的阳极210可以设置在第一基底10上方的基本同一水平面处。例如，当阳极210包括透明导电材料时，透明导电材料可以形成在第一区域Ⅰ和第二区域Ⅱ中以同时形成阳极210和第一电极120。因此，可以不需要形成第一电极120的额外工艺。
热产生层130可以形成在第一电极120上。电流或电压可以施加到与热产生层130接触的第一电极120上，热产生层130可以因来自施加的电流或电压的电能而产生焦耳热，从而对热产生层130上的相变层140进行加热。在示例实施例中，热产生层130可以包括氮化钛(TiN)、氮氧化钛(TiON)、氮化钛铝(TiAlN)、氮化钛硅(TiSiN)、氮化钽铝(TaAlN)、氮化钽硅(TaSiN)和硅锗(SiGe)中的任意一种。热产生层130可以以金属网格形状形成，从而可以使光透射通过。然而，示例实施例不限于此，热产生层130可以具有各种材料、形状和结构。
相变层140可以形成在热产生层130上。相变层140可以包括其光学性质根据温度而变化的相变材料。相变层140可以通过溅射方法来形成。
相变材料的晶态可以根据温度而变化，光的透射率和反射率可以根据晶态而变化。具体地，相变材料可以在高温下变成非晶态，并且可以在低温下变成晶态。相变材料可以具有纳秒左右的响应速度，此响应速度是非常快的响应速度。可以利用低功率来驱动相变材料。例如，相变层140的响应速度可以是大约30纳秒(ns)到大约1微秒(μs)，用于相变层140的驱动电流可以是大约50微安(μA)到大约2毫安(mA)。
在示例实施例中，相变材料可以是基于硫族化物的材料，该材料可以被通过第一电极120施加的电流或电压焦耳加热。相变材料可以包括锗-锑-碲(Ge-Sb-Te)。包括Ge-Sb-Te的材料可以在特定的温度或以上的温度下变为非晶态，并且可以在该特定的温度或以下的温度下变为晶态。这里，晶态可以是不会透射光的不透明状态，非晶态可以是可以透射光的透明状态。因此，如果使用包括Ge-Sb-Te的材料，则可以基于材料的温度来控制透光率。通常，包括Ge-Sb-Te的材料可以在大约500摄氏度(℃)至大约600℃的温度下改变其相态。然而，相变的基准温度可以根据材料的具体组成而变化。包括Ge-Sb-Te的相变材料可以具有化合物或合金的结构。例如，化合物可以包括作为三元化合物的Ge2Sb2Te5、作为四元化合物的(GeSn)SbTe、GeSb(SeTe)等。
虽然在示例实施例中使用包括Ge-Sb-Te的材料作为相变材料，但是本发明可不限于此。在示例实施例中，可以不受限制地使用相变材料，只要它是透光率可以根据温度而变化的材料即可。热产生层130和相变层140可以掺杂有碳、氮和氧中的至少一种，使得相变材料的电学性质或光学性质可以根据掺杂水平而变化。将参照图4A至图4C来描述相变材料的光学性质。
第二电极150可以形成在相变层140上。第二电极150可以包括透明导电材料(例如，ITO、IZO等)以获得高导电率和高透光率。可选择地，第二电极150可以包括使用银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)和它们的合金的金属网格形状。
在示例实施例中，第二电极150可以电连接到阴极230。在这种情况下，阴极230的电阻可以减小，从而减小阴极230的电阻-电容(RC)延迟。
侧壁50可以形成在绝缘层40上以基本围绕光阀100。侧壁50可以防止材料从光阀100移动并且可以防止光阀100被污染。
第二基底20可以是与第一基底10相对的上基底。第二基底20可以设置在阴极230和第二电极150上。第二基底20可以像第一基底10一样包括可使光透射通过的透明材料。例如，第二基底20可以包括三乙酸纤维素、聚碳酸酯、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯和/或环烯烃聚合物。
图3是示出根据一些示例实施例的显示装置的剖视图。
参照图1和图3，显示装置可以包括设置在第一基底10上的多个像素PX和多个光阀100。可以不重复图3中的显示装置的与参照图2的元件基本相同或相似的的元件的详细描述。
在示例实施例中，第一区域Ⅰ和第二区域Ⅱ两者可以既是发光区域又是透光区域。用于发射光的显示结构可以设置在第一区域Ⅰ和第二区域Ⅱ中，从而发射光(例如，红光、绿光或蓝光)。第一区域Ⅰ和第二区域Ⅱ也可以用作使从显示装置的前面或后面入射到第一区域Ⅰ和第二区域Ⅱ中的外部光透射的透光区域。因此，用户可以识别出位于显示装置的前面或后面的对象。
像素电路(未示出)和绝缘层40可以设置在第一基底10上，绝缘层40可以设置在第一区域Ⅰ上。在示例实施例中，像素电路可以定位成与黑色矩阵70叠置。像素电路可以驱动液晶结构300。像素电路可以设置在每个像素PX处。像素电路可以包括开关晶体管、电容器等。例如，与数据电压和基准电压之间差对应的电压可以被充在结合在开关晶体管的栅电极和源电极之间的电容器中。可以通过充电电压对开关晶体管进行驱动。
光阀100可以在第二区域Ⅱ中设置在第一基底10上。光阀100可以包括第一电极120、热产生层130和相变层140。
在示例实施例中，光阀100和绝缘层40可以设置在第一基底10上方的基本同一水平面处。换言之，光阀100可以设置在液晶结构300下方。
液晶结构300可以在第一区域Ⅰ和第二区域Ⅱ中设置绝缘层40和光阀100上。在示例实施例中，液晶结构300可以包括像素电极310、液晶层320和共电极330。这里，显示装置可以是液晶显示装置。
像素电极310可以被图案化在每个像素PX中。液晶层320和共电极330可以不被图案化在每个像素PX中，并且可以形成在基本整个的第一基底10上。像素电极310可以电连接到像素电路的开关晶体管。
滤色器60和黑色矩阵70可以形成在与第一基底10相对的第二基底20上。滤色器60和黑色矩阵70可以形成为与像素电极310对应以限定发光区域。覆层可以形成在滤色器60和黑色矩阵70与共电极330之间。
图4A、图4B和图4C是示出相变材料的光学性质的变化的图。
图4A是示出向相变材料施加脉冲的方法的曲线图。图4B是示出相变材料的晶态和非晶态之间的转变条件的图。图4C是示出晶态和非晶态的透光率的曲线图。
如果将电压施加到第一电极120，则热产生层130可以辐射热。如果热产生层130辐射热，则相变层140的温度会升高，从而引起相变层140的相变。具体地，如果将具有强而短的非晶脉冲的电流施加到第一电极120使得相变层140中的相变材料被加热到熔融温度Ta或以上，则相变材料会变成液态。非晶脉冲会在相变材料变成液态之后出于快速冷却的目的要求一个很短的脉冲。在这种情况下，在相变材料刚刚被加热到熔融温度Ta或以上之后，相变材料可以在短时间内(例如，在非晶脉冲终止之后的第一时间t1期间)被快速冷却到结晶温度Tx或以下，使得相变材料可以变成非晶态。由于相变材料的透光率在非晶态下相对高，所以入射到相变层140上的光可以被透射。
同时，如果将具有强度比非晶脉冲小并且持续时间比非晶脉冲长的结晶脉冲的电流施加到第一电极120，使得相变材料被加热到熔融温度Ta和结晶温度Tx之间的温度，则相变材料的原子可以被重新排列使得相变材料可以变为结晶态。结晶态脉冲会需要一个长脉冲，以使相变材料保持在结晶温度Tx或以上并且在熔融温度Ta以下。相变材料会需要在保持在结晶温度Tx或以上达第二时间t2的同时被冷却一段相对长的时间。由于相变材料的透光率在结晶态相对低，所以入射到相变层140上的光可以被阻挡。以此方式，光阀100可以控制光的透射率。
图5是示出根据示例实施例的显示装置的平面图。
参照图5，显示装置可以包括多个像素PX、多个光阀100和多条信号线400。
每条信号线400可以设置为与像素PX相邻。具体地，每条信号线400可以沿着第一方向(或沿着基本垂直于第一方向的第二方向)延伸，从而设置为与沿第一方向(或沿第二方向)布置的像素PX相邻。
信号线400可以包括诸如铝(Al)或Al合金的Al基金属、诸如银(Ag)或Ag合金的Ag基金属、诸如铜(Cu)或Cu合金的Cu基金属、诸如钼(Mo)或Mo合金的Mo基金属、铬(Cr)、钽(Ta)或者钛(Ti)。
在示例实施例中，信号线400可以具有包括两个物理性质不同的导电层的多层结构。这两个导电层中的一个可以包括具有低电阻率的金属(例如，Al基金属、Ag基金属或Cu基金属等)，以减小信号延迟或压降。另一个导电层可以包括另一种材料，特别是具有与氧化铟锡(ITO)和氧化锌锡(IZO)的优异的物理、化学和电接触特性的材料。例如，所述另一个导电层可以包括Mo基金属、Cr、Ta或Ti等。
信号线400可以电连接到光阀100的第一电极120。例如，信号线400可以通过接触孔连接到第一电极120。信号线400可以向第一电极120提供电信号。电信号可以包括第一信号S1和第二信号S2。第一信号S1可以是用来使入射到第二区域Ⅱ中的外部光透射的信号。第二信号S2可以是用来阻挡外部光的信号。
在示例实施例中，如上所述，第一信号S1可以是使相变材料变为非晶态的非晶脉冲，第二信号S2可以是使相变材料变为晶态的结晶脉冲。因此，当通过信号线400向第一电极120施加第一信号S1时，可以使相变材料的透光率增大，当通过信号线400向第一电极120施加第二信号S2时，可以使相变材料的透光率减小。
在示例实施例中，第一信号S1和第二信号S2可以基于显示装置的背景产生。在一些情况下，当显示装置显示图像时，显示装置的背景的亮度可能比显示装置的图像的亮度大。在这种情况下，用户不能识别出显示装置的图像。因此，显示装置可以向光阀100提供第二信号S2，并可以阻挡入射到像素PX的第二区域Ⅱ中的外部光以提高图像的可见度。为了这个目的，显示装置可以包括感测外部光的亮度的光传感构件(例如，光传感器)。
在一些示例实施例中，第一信号S1和第二信号S2可以基于显示装置的用户的选择产生。用户可以使用显示装置作为不观看图像的玻璃窗口、作为仅用来观看图像的显示工具、或者作为用来既观看图像又观看位于显示装置的后面上的对象的显示工具。因此，基于用户的选择，显示装置可以向光阀100提供第一信号S1从而可以使入射到像素PX的第二区域Ⅱ中的外部光透射，或者可以向光阀100提供第二信号S2从而可以阻挡入射到像素PX的第二区域Ⅱ中的外部光。
在示例实施例中，所有的光阀100可以共同地透射或阻挡入射到第二区域Ⅱ中的外部光。具体地，所有设置在多个像素PX的第二区域Ⅱ中的光阀100可以接收基本相同的电信号，从而入射到多个第二区域Ⅱ中的多个外部光可以被共同地透射或阻挡。
如图5所述，沿第一方向布置的像素PX可以连接到沿第一方向延伸的信号线400中的一条，像素PX可以接收基本相同的电信号。此外，沿第一方向延伸的信号线400可以从光阀驱动器接收基本相同的电信号。因此，第一信号S1和第二信号S2可以共同施加到所有的光阀100，使得显示装置的所有光阀100可以共同透射或阻挡入射到第二区域Ⅱ中的外部光。
图6是示出根据一些示例实施例的显示装置的平面图。
参照图6，显示装置可以包括多个像素PX、多个光阀100、多条第一信号线500、多条第二信号线510和多个开关元件520。
每条第一信号线500可以设置为与像素PX相邻。具体地，每条第一信号线500可以沿着第一方向延伸，从而设置为与沿第一方向布置的像素PX相邻。
第一信号线500可以包括诸如铝(Al)或Al合金的Al基金属、诸如银(Ag)或Ag合金的Ag基金属、诸如铜(Cu)或Cu合金的Cu基金属、诸如钼(Mo)或Mo合金的Mo基金属、铬(Cr)、钽(Ta)或者钛(Ti)。
在一个示例实施例中，第一信号线500可以具有包括两个物理性质不同的导电层的多层结构。这两个导电层中的一个可以包括具有低电阻率的金属，(例如，Al基金属、Ag基金属或Cu基金属等)，以减小信号延迟或压降。另一个导电层可以包括另一种材料，特别是具有与氧化铟锡(ITO)和氧化锌锡(IZO)的优异的物理、化学和电接触特性的材料。例如，所述另一个导电层可以包括Mo基金属、Cr、Ta或Ti等。
每条第二信号线510可以设置为与像素PX相邻。具体地，每条第二信号线510可以沿基本垂直于第一方向的第二方向延伸，从而设置为与沿第二方向布置的像素PX相邻。第二信号线510可以包括与第一信号线500的材料基本相同的材料。
每个开关元件520可以电连接到每条第一信号线500和每条第二信号线510。另外，开关元件520的电极可以电连接到光阀100的第一电极120。例如，开关元件520的电极可以通过接触孔连接到第一电极120。
在示例实施例中，开关元件520可以是响应于从第一信号线500施加的信号而导通并向第一电极120施加电信号的薄膜晶体管(TFT)。具体地，开关元件520可以包括栅电极524、设置在栅电极524上的沟道层(未示出)以及设置在沟道层上的源电极522和漏电极526。例如，栅电极524可以连接到第一信号线500，源电极522可以连接到第二信号线510，漏电极526可以连接到光阀100的第一电极120。
第一信号线500可以向开关元件520的栅电极524提供用于导通开关元件520的信号。第二信号线510可以向开关元件520的源电极522提供电信号。电信号可以包括第一信号S1和第二信号S2。第一信号S1可以是用来使入射到第二区域Ⅱ中的外部光透射的信号。第二信号S2可以是用来阻挡外部光的信号。
在示例实施例中，如上所述，第一信号S1可以是使相变材料变为非晶态的非晶脉冲，第二信号S2可以是使相变材料变为晶态的结晶脉冲。因此，当通过第二信号线510向第一电极120施加第一信号S1时，可以使相变材料的透光率增大，当通过第二信号线510向第一电极120施加第二信号S2时，可以使相变材料的透光率减小。
在示例实施例中，第一信号S1和第二信号S2可以基于显示装置的背景产生。在一些情况下，当显示装置显示图像时，显示装置的背景的亮度可能比显示装置的图像的亮度大。在这种情况下，用户不能识别出显示装置的图像。因此，显示装置可以产生用于施加到光阀100的第二信号S2，并可以阻挡入射到像素PX的第二区域Ⅱ中的外部光以提高图像的可见度。为了这个目的，显示装置可以包括感测外部光的亮度的光传感构件(例如，光传感器)。
在一些示例实施例中，第一信号S1和第二信号S2可以基于显示装置用户的选择产生。用户可以使用显示装置作为不观看图像的玻璃窗口、作为仅用来观看图像的显示工具或者作为用来既观看图像又观看位于显示装置的后面上的对象的显示工具。因此，基于用户的选择，显示装置可以向光阀100提供第一信号S1从而可以使入射到像素PX的第二区域Ⅱ中的外部光透射，或者可以向光阀100提供第二信号S2从而可以阻挡入射到像素PX的第二区域Ⅱ中的外部光。
在示例实施例中，每个光阀100可以单独地透射或阻挡入射到第二区域Ⅱ中的外部光。具体地，设置在像素PX的第二区域Ⅱ中的每个光阀100可以接收基本不同的电信号，从而光阀100中的一些可以透射入射到第二区域Ⅱ中的外部光，而其他的光阀100可以阻挡入射到第二区域Ⅱ中的外部光。
如图6所示，沿第一方向布置的像素PX可以连接到沿第一方向延伸的第一信号线500中的一条，像素PX可以接收基本相同的导通信号。沿第一方向延伸的第一信号线500可以顺序地接收导通信号。此外，沿第二方向布置的像素PX可以连接到沿第二方向延伸的第二信号线510中的一条，第二信号线510可以接收基本不同的电信号。因此，第一信号S1和第二信号S2可以单独地施加到光阀100，从而显示装置的每个光阀100可以单独地透射或阻挡入射到第二区域Ⅱ中的外部光。
根据示例实施例的显示装置可以应用于各种电子装置。例如，显示装置可以应用于计算机、笔记本、移动电话、智能电话、智能平板、个人媒体播放器(PMP)、个人数字助理(PDA)、MP3播放器、数码相机、摄像机等。
尽管已经描述了一些示例实施例，但是本领域技术人员将容易理解的是，在实质上不脱离本发明构思的新颖性教导和优点的情况下，能够在示例实施例中做出许多修改。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
像素，包括第一区域和第二区域；以及
光阀，设置在所述第二区域中；
其中，所述光阀包括第一电极和设置在所述第一电极上的相变层，
其中，所述相变层包括光学性质根据温度而变化的相变材料。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述光阀还包括：热产生层，设置在所述第一电极与所述相变层之间。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一区域是发光区域，所述第二区域是不发射光的透光区域。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述像素包括设置在所述第一区域中的有机发光结构，
其中，所述有机发光结构包括：
阳极；
有机发光层，设置在所述阳极上；以及
阴极，设置在所述有机发光层上。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一电极和所述阳极设置在同一水平面上。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述光阀还包括设置在所述相变层上的第二电极，其中，所述第二电极电连接到所述阴极。
7.根据权利要求1所述的显示装置，所述第一区域和所述第二区域两者既是发光区域又是透光区域。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述像素包括设置在所述第一区域和所述第二区域中的液晶结构。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述液晶结构包括：
像素电极；
液晶层，设置在所述像素电极上；以及
共电极，设置在所述液晶层上。
10.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述相变材料是基于硫族化物的材料。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述相变材料包括锗-锑-碲。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述相变层和所述热产生层中的每个掺杂有碳、氮和氧中的至少一种。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述相变材料的晶态根据所述温度而变化，以及
其中，所述相变层的透光率根据所述相变材料的所述晶态而变化。
14.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括信号线，
其中，所述第一电极电连接到所述信号线。
15.根据权利要求14所述的显示装置，包括在所述显示装置中的所述光阀为多个光阀，
其中，所述多个光阀都共同透射或阻挡入射到所述第二区域中的外部光。
16.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一信号线；
第二信号线，与所述第一信号线垂直；以及
开关元件，电连接到所述第一信号线和所述第二信号线，
其中，所述第一电极电连接到所述开关元件。
17.根据权利要求16所述的显示装置，包括在所述显示装置中的所述光阀为多个光阀，
其中，所述多个光阀中的每个单独地透射或阻挡入射到所述第二区域中的外部光。
18.根据权利要求1所述的显示装置，其中，使入射到所述第二区域中的外部光透射的第一信号或者阻挡所述外部光的第二信号被传递到所述第一电极。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第一信号和所述第二信号中的每个是基于所述显示装置的背景的亮度产生的。
20.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第一信号和所述第二信号中的每个是基于所述显示装置的用户的选择产生的。
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