CN106939412B - 溅射装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种溅射装置。本发明一实施例的溅射装置可包括：第一电极和第二电极，彼此面对地配置在腔室内；多个靶，在第二电极的第一面上被配置为沿第一方向彼此隔开；和磁场生成部，位于第二电极的朝向与第一面相反的一侧的第二面上，并包括被配置为与多个靶中的每一个对应的多个磁铁部件，对多个磁铁部件中的每一个来说，磁铁部件在与第一方向交叉的第二方向上的边缘区域的磁场强度比所述磁铁部件的中心区域小。

Description

溅射装置
技术领域
本发明涉及一种溅射装置。
背景技术
目前众所皆知的显示装置具有液晶显示装置(liquid crystal display：LCD)、等离子显示装置(plasma display panel：PDP)和有机发光显示装置(organic lightemitting diode device：OLED device)等。
为了形成这种显示装置，需要进行用于形成由规定物质构成的薄膜的薄膜沉积(thin film deposition)、光刻(photo-lithography)或蚀刻(etching)等各种彼此不同的工艺。
其中，薄膜沉积工艺中使用的溅射装置为在基板上沉积金属薄膜的装置，利用如下原理：当对真空下的两个电极施加直流电压并注入氩(Ar)气等时，氩被电离的同时向阴极加速，通过碰撞释放出设置于阴极的金属靶的粒子，此时释放出的粒子附着在位于阳极的基板表面上。
但是，有可能发生如下问题：由于氩气等未均匀地碰撞到金属靶，因此金属物质不会均匀地沉积在基板表面上。
发明内容
以如上所述的技术背景为基础，本发明的目的在于提供一种溅射装置，该溅射装置通过使等离子体状态的惰性气体与靶均匀地碰撞，能够将构成靶的金属粒子均匀地沉积在基板上。
本发明一实施例的溅射装置可包括：第一电极和第二电极，彼此面对地配置在腔室内；多个靶，沿第一方向彼此隔开地配置在所述第二电极的第一面上；以及磁场生成部，位于所述第二电极的朝向与所述第一面相反的一侧的第二面上，并包括被配置为与所述多个靶中的每一个对应的多个磁铁部件，对所述多个磁铁部件中的每一个来说，所述磁铁部件在与所述第一方向交叉的第二方向上的边缘区域的磁场强度可以比所述磁铁部件的中心区域的磁场强度小。
所述多个磁铁部件中的每一个包括：第一区域，位于所述磁铁部件的中心；以及第二区域和第三区域，沿所述第二方向依次位于所述第一区域的两侧，所述磁铁部件的磁场强度按所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域的顺序减小。
在所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域中可分别配置有多个单位磁铁。
所述多个单位磁铁在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上的长度可按所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域的顺序减小。
所述多个单位磁铁可由不同的物质构成，使得所述磁铁部件的磁场强度按所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域的顺序减弱。
所述多个单位磁铁之间的间隔可按所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域的顺序增加。
在每单位面积中，所述多个单位磁铁所占的面积可按所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域的顺序减小。
所述单位磁铁的截面可形成为相同的形状。
所述单位磁铁的截面可以是圆形形状。
所述多个磁铁部件中的每一个可包括：第四区域，位于所述磁铁部件的中心；以及第五区域，沿所述第一方向位于所述第四区域的两侧，位于所述第五区域的多个单位磁铁的上侧端面从所述中心朝向所述第一方向。
位于所述第五区域的多个单位磁铁在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上的长度可从所述中心沿所述第一方向逐渐减小。
位于所述第四区域的多个单位磁铁的长度可相同。
所述第二电极的所述第一面和所述第二面可彼此平行。
根据如上所述的溅射装置，由于等离子体状态的惰性气体与靶均匀地碰撞，从而能够使金属粒子均匀地沉积在基板上。
附图说明
图1是示意性地表示本发明第一实施例的溅射装置的立体图。
图2是表示图1的磁铁部件的磁场强度分布的图。
图3的(A)是本发明第一实施例的磁铁部件的俯视图，图3的(B)是图3的(A)的沿3(B)-3(B)剖切的剖面图。
图4的(A)是本发明第二实施例的磁铁部件的俯视图，图4的(B)是图4的(A)的沿4(B)-4(B)剖切的剖面图。
图5的(A)是本发明第三实施例的磁铁部件的俯视图，图5的(B)是图5的(A)的沿5(B)-5(B)剖切的剖面图。
图6的(A)是本发明第四实施例的磁铁部件的俯视图，图6的(B)是图6的(A)的沿6(B)-6(B)剖切的剖面图。
图7的(A)是本发明第五实施例的磁铁部件的俯视图，图7的(B)是图7的(A)的沿7(B)-7(B)剖切的剖面图。
图8的(A)是本发明第六实施例的磁铁部件的俯视图，图8的(B)是图8的(A)的沿8(B)-8(B)剖切的剖面图。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施例进行详细说明，使得在本发明所属技术领域的普通技术人员能够易于实施。本发明可以以多种不同的形式实现，并不限定于在此说明的实施例。为了清楚地说明本发明，附图中省略与说明无关的部分，在整个说明书中对相同或相似的结构要素使用相同的附图标记。
此外，为了方便说明，任意表示附图所示的各结构的大小和厚度，因此本发明并不一定限定于图示的内容。
为了清楚地表示各层和区域，在附图中放大表示厚度。并且，为了方便说明，在附图中夸张表示部分层和区域的厚度。当提及层、膜、区域、板等部分位于其它部分的“上方”或“上”时，还包括该部分直接位于其它部分的上方或在它们之间具有其它部分的情况。
此外，在整个说明书中，当提到某部分“包括”某结构要素时，除非有相反的记载，这表示并不排除其它结构要素，而是可进一步包括其它结构要素。此外，在整个说明书中，所谓“在……上”表示位于对象部分的上方或下方，并非一定表示以重力方向为基准位于上侧。
下面，参照图1至图3，对本发明第一实施例的溅射装置进行说明。
图1是示意性地表示本发明第一实施例的溅射装置的立体图，图2是表示图1的磁铁部件的磁场强度分布的图，图3的(A)是本发明第一实施例的磁铁部件的俯视图，图3的(B)是图3的(A)的沿3(B)-3(B)剖切的剖面图。
参照图1至图3，本发明第一实施例的溅射装置包括第一电极100、第二电极400、腔室600、多个靶200和磁场生成部500。
本实施例的溅射装置在第一电极100与第二电极400之间产生电压差时，腔室600内的惰性气体被电离的同时向设置于作为阴极的第二电极400的多个靶200加速运动并碰撞。通过所述碰撞从多个靶200中释放出金属粒子，并且释放出的金属粒子附着在位于作为阳极的第一电极100的基板S上。并且，由于在第二电极400的背面设置有由多个磁铁部件500(A)～500(G)构成的磁场生成部500，从而使所述惰性气体与所述多个靶200均匀地碰撞。
根据本实施例，各个磁铁部件500(A)～500(G)被排列成沿第一方向(图中的X轴方向)彼此隔开，并且磁场强度从多个磁铁部件500(A)～500(G)中的每一个的中心沿与第一方向交叉的第二方向(图中的Y方向)逐渐减小。当所述多个磁铁部件500(A)～500(G)如此配置时，惰性气体可与所述多个靶200均匀地碰撞，并从多个靶200中均匀地释放出金属粒子，从而金属粒子均匀地沉积在基板S上。以下，在附图中Z轴表示与第一方向和第二方向垂直的第三方向。
下面，对本实施例的溅射装置的主要结构进行说明。
参照图1，在腔室600内以彼此面对的方式配置有第一电极100和第二电极400。由于在所述第一电极100和所述第二电极400之间形成高电压差，因此填充到腔室600内的氩(Ar)等惰性气体变成等离子体(plasma)状态。此时，所述第一电极100和所述第二电极400可连接到直流电压源300。
此时，所述等离子体由氩离子(Ar+)和二次电子构成，所述氩离子(Ar+)与多个靶200快速碰撞，从而从所述靶200中分离出微细的金属粒子，并且分离出的所述金属粒子被沉积在基板S上。
另外，多个靶200位于所述第二电极400的上表面上，并且可由与待沉积在基板S上的沉积物质相同的物质构成。例如，所述多个靶200可由铝(Al)、铝合金(例如AlNd)、铬(Cr)或钼(Mo)等构成。
如前述，可通过氩离子(Ar+)的碰撞从所述多个靶200中分离出微细的金属粒子，并且所述金属粒子被沉积在基板S上，从而在基板S上形成金属薄膜。
并且，多个靶200可在所述第二电极400的上表面上被配置为沿第一方向以一定的间隔彼此隔开。此时，多个靶200中的每一个可形成为杆(bar)状。即，形成为杆状的多个靶200以一定的间隔被配置在第二电极400上。
如果加大待沉积金属粒子的基板S，则有必要一同加大靶以使金属粒子均匀地沉积在基板S上。但是，靶的大小越大，越难以制造靶，并且靶在运送过程中有可能被损坏。因此，为了防止靶的损坏，如上所述，将多个靶200中的每一个制造成杆(bar)状。即，如上所述，通过将多个靶200制造成杆状，能够容易运送制造出的靶，并且能够防止靶的损坏。
根据本实施例，在第二电极400的下表面上设置有用于生成磁场的磁场生成部500。磁场生成部500可利用磁场来使氩离子(Ar+)聚集到靶200。在此，第二电极400的上表面和下表面彼此平行。
磁场生成部500可包括多个磁铁部件500(A)～500(G)。多个磁铁部件500(A)～500(G)位于与多个靶200中的每一个对应的位置。即，多个磁铁部件500(A)～500(G)可被配置为沿第一方向以一定的间隔隔开。由此，磁场生成部500能够使所述氩离子(Ar+)与多个靶200均匀地碰撞。
此时，多个磁铁部件500(A)～500(G)中的每一个可被形成为与多个靶200的形状对应的形状。根据本实施例，与多个靶200同样地，多个磁铁部件500(A)～500(G)中的每一个可形成为杆(bar)状。
通过使多个磁铁部件500(A)～500(G)中的每一个形成为与多个靶200对应的杆状，能够使各个氩离子(Ar+)更均匀地碰撞到多个靶200。
另外，根据本实施例，多个磁铁部件500(A)～500(G)中的每一个的磁场强度从多个磁铁部件500(A)～500(G)各自的中心沿第二方向逐渐减小。
例如，如图2所示，杆(bar)状的磁铁部件500(A)的中心的磁场强度最强，磁铁部件500(A)的在第二方向上的边缘区域的磁场强度比所述中心的磁场强度小。
此时，磁铁部件500(A)也可以被形成为其磁场强度从磁铁部件500(A)的中心沿作为磁铁部件500(A)的长度方向的第二方向逐渐减小。
如此，当以前述的方式配置多个磁铁部件500(A)～500(G)中的每一个的磁场分布时，氩离子(Ar+)也能以与所述磁场分布对应的方式碰撞到多个靶200上。例如，氩离子(Ar+)的碰撞可从多个靶200的中心沿第二方向逐渐减小。即，在多个靶200的中心中氩离子(Ar+)的碰撞最多，氩离子(Ar+)的碰撞从多个靶200的中心沿第二方向逐渐减少。
但是，与本实施例不同，当磁场在多个磁铁部件500(A)～500(G)中均匀地分布时，与多个磁铁部件500(A)～500(G)各自的中心相比，在边缘区域中氩离子(Ar+)的碰撞更多。出现这样的现象是因为第一电极100与第二电极400之间的电压差不均匀。在该情况下，氩离子(Ar+)以与本实施例的多个磁铁部件500(A)～500(G)的磁场分布相反的方式碰撞，由此从靶中分离出的金属粒子不均匀地沉积在基板S上。
根据本实施例，通过多个磁铁部件的所述磁场分布，能够使氩离子(Ar+)与多个靶200均匀地碰撞。由此，从多个靶200中分离出的金属粒子能够均匀地沉积在基板S上。
另外，多个磁铁部件500(A)～500(G)中的每一个以多个靶200中相对应的靶为中心以一定的宽度在X轴方向上往复。例如，磁铁部件500(A)以多个靶200中在该磁铁部件500(A)的正上方对应设置的靶为中心维持一定的宽度并沿第一方向往复。通过使所述磁铁部件500(A)沿第一方向往复，能够在第一方向上均匀地形成磁铁部件500(A)的磁场强度的分布。
参照图3，多个磁铁部件500(A)～500(G)中的磁铁部件500(A)可包括多个单位磁铁510、530、550。
根据本实施例，多个单位磁铁510、530、550的N极和S极沿第一方向交替配置，在N极与S极之间形成磁场。多个单位磁铁510、530、550在第二方向上配置有相同的磁极。例如，如图3的(A)所示，S极的多个单位磁铁510、530、550沿第二方向配置，并且以与所述S极的多个单位磁铁510、530、550相邻的方式配置有N极的多个单位磁铁510、530、550。并且，以与所述N极的多个单位磁铁510、530、550相邻的方式配置有S极的多个单位磁铁510、530、550。即，多个单位磁铁510、530、550可沿第一方向按S极、N极和S极的顺序配置。
多个单位磁铁510、530、550中的多个单位磁铁510可被配置在第一区域Ⅰ，多个单位磁铁510、530、550中的多个单位磁铁530可被配置在第二区域Ⅱ，多个单位磁铁510、530、550中的多个单位磁铁550可被配置在第三区域Ⅲ。
此时，第一区域Ⅰ位于磁铁部件500(A)的中心，第二区域Ⅱ沿第二方向位于所述第一区域Ⅰ的两侧。并且，第三区域Ⅲ沿第二方向分别位于第二区域Ⅱ的两侧。
根据本实施例，对于多个单位磁铁510、530、550，其长度按第一区域Ⅰ、第二区域Ⅱ和第三区域Ⅲ的顺序减小。更具体而言，第一区域Ⅰ的多个单位磁铁510的长度大于第二区域Ⅱ的多个单位磁铁530的长度，并且第二区域Ⅱ的多个单位磁铁530的长度大于第三区域Ⅲ的多个单位磁铁550的长度。
在上述说明中，将磁铁部件500(A)划分为第一区域Ⅰ、第二区域Ⅱ和第三区域Ⅲ这三个区域，但并不限定于此，磁铁部件500(A)可被划分为三个区域以上。即，磁铁部件500(A)可被划分为四个、五个或更多个区域。如此，即使磁铁部件500(A)被划分为三个区域以上，磁铁部件500(A)的磁场强度也从中心沿第二方向逐渐减小。在该情况下，构成磁铁部件500(A)的多个单位磁铁的长度从中心沿第二方向逐渐减小。
另外，根据本实施例，多个单位磁铁510、530、550可由圆柱状的部件构成。即，磁铁部件500(A)可由圆柱状的多个单位磁铁510、530、550构成。
并且，多个单位磁铁510、530、550沿第二方向以均匀的间隔被配置。更具体而言，第一区域Ⅰ的多个单位磁铁510之间的间隔、第二区域Ⅱ的多个单位磁铁530之间的间隔、以及第三区域Ⅲ的多个单位磁铁550之间的间隔均相同。
此时，多个单位磁铁510、530、550的截面可形成为相同的形状。例如，如图3所示，多个单位磁铁510、530、550中的每一个的截面可形成为圆形形状。
在本实施例中，多个单位磁铁510、530、550由具有圆形形状的截面的杆形部件构成，被配置在第一区域Ⅰ、第二区域Ⅱ和第三区域Ⅲ中的多个单位磁铁510、530、550的沿第三方向(图中的Z轴方向)的长度彼此不同。即，在第一实施例中，通过多个单位磁铁510、530、550的长度差来调节磁场强度的分布。
下面，参照图4对本发明第二实施例的溅射装置进行说明。在说明第二实施例时，省略对与前述的第一实施例相同的结构的详细说明。
图4的A是本发明第二实施例的磁铁部件的俯视图，图4的B是图4的(A)的沿4(B)-4(B)剖切的剖面图。
参照图4的(A)，磁铁部件500(A)可包括多个单位磁铁511、531、551。
此时，多个单位磁铁511、531、551中的多个单位磁铁511可被配置在第一区域Ⅰ，多个单位磁铁511、531、551中的多个单位磁铁531可被配置在第二区域Ⅱ，多个单位磁铁511、531、551中的多个单位磁铁551可被配置在第三区域Ⅲ。
与第一实施例相同，第一区域Ⅰ位于磁铁部件500(A)的中心，第二区域Ⅱ沿第二方向位于所述第一区域Ⅰ的两侧。并且，第三区域Ⅲ沿第二方向分别位于第二区域Ⅱ的两侧。
根据本实施例，多个单位磁铁511、531、551由磁场按第一区域Ⅰ、第二区域Ⅱ和第三区域Ⅲ的顺序减弱的物质构成。
更具体而言，第一区域Ⅰ的多个单位磁铁511由磁场最强的物质构成，第二区域Ⅱ的多个单位磁铁531由磁场比第一区域Ⅰ的多个单位磁铁511的磁场弱的物质构成。并且，第三区域Ⅲ的多个单位磁铁551由磁场比第二区域Ⅱ的多个单位磁铁531的磁场弱的物质构成。
此时，与第一实施例同样地，多个单位磁铁511、531、551沿第二方向以均匀的间隔被配置。更具体而言，第一区域Ⅰ的多个单位磁铁511之间的间隔、第二区域Ⅱ的多个单位磁铁531之间的间隔、以及第三区域Ⅲ的多个单位磁铁551之间的间隔均相同。
并且，如图4的(B)所示，多个单位磁铁511、531、551的长度彼此相同。在第一实施例中多个单位磁铁510、530、550的长度被配置为彼此不同，但在第二实施例中多个单位磁铁511、531、551的长度被配置为彼此相同。
即，在第一实施例中通过多个单位磁铁510、530、550的长度差来调节磁场强度的分布，但在第二实施例中通过将多个单位磁铁511、531、551中的每一个的磁场物质配置为彼此不同来调节磁场强度的分布。
下面，参照图5，对本发明第三实施例的溅射装置进行说明。在说明第三实施例时，省略对与前述的第一实施例和第二实施例相同的结构的详细说明。
图5的(A)是本发明第三实施例的磁铁部件的俯视图，图5的(B)是图5的(A)的沿5(B)-5(B)剖切的剖面图。
参照图5的(A)和图5的(B)，磁铁部件500(A)可包括多个单位磁铁517、537、557。
此时，多个单位磁铁517、537、557中的多个单位磁铁517可被配置在第一区域Ⅰ，多个单位磁铁517、537、557中的多个单位磁铁537可被配置在第二区域Ⅱ，多个单位磁铁517、537、557中的多个单位磁铁557可被配置在第三区域Ⅲ。
与第一实施例同样地，第一区域Ⅰ位于磁铁部件500(A)的中心，第二区域Ⅱ沿第二方向位于所述第一区域Ⅰ的两侧。并且，第三区域Ⅲ沿第二方向分别位于第二区域Ⅱ的两侧。
根据本实施例，多个单位磁铁517、537、557的间隔按第一区域Ⅰ、第二区域Ⅱ和第三区域Ⅲ的顺序增加。更具体而言，参照图5的(B)，在将第一区域Ⅰ的多个单位磁铁517的沿第二方向的间隔设为W1，将第二区域Ⅱ的多个单位磁铁537的沿第二方向的间隔设为W2，将第三区域Ⅲ的多个单位磁铁557的沿第二方向的间隔设为W3时，多个单位磁铁517、537、557之间的间隔构成W1<W2<W3的关系。
当调节多个单位磁铁517、537、557之间的间隔时，能够调节磁场强度。多个单位磁铁517、537、557之间的间隔越窄，则磁场强度越大。
由此，磁场强度按第一区域Ⅰ的多个单位磁铁517、第二区域Ⅱ的多个单位磁铁537和第三区域Ⅲ的多个单位磁铁557的顺序减小。
并且，如图5的(B)所示，多个单位磁铁517、537、557的长度彼此相同。与第二实施例同样地，多个单位磁铁517、537、557的长度被配置为彼此相同。
即，在第一实施例中通过多个单位磁铁510、530、550的长度差来调节磁场强度的分布，并且在第二实施例中通过将多个单位磁铁511、531、551中的每一个的磁场物质配置为彼此不同来调节磁场强度的分布，但在第三实施例中通过调节多个单位磁铁517、537、557之间的间隔来调节磁场强度的分布。
下面，参照图6，对本发明第四实施例的溅射装置进行说明。在说明第四实施例时，省略对与前述的第一实施例至第三实施例相同的结构的详细说明。
图6的(A)是本发明第四实施例的磁铁部件的俯视图，图6的(B)是图6的(A)的沿6(B)-6(B)剖切的剖面图。
参照图6的(A)和图6的(B)，磁铁部件500(A)可包括多个单位磁铁515、535、555。
此时，多个单位磁铁515、535、555中的多个单位磁铁515可被配置在第一区域Ⅰ，多个单位磁铁515、535、555中的多个单位磁铁535可被配置在第二区域Ⅱ，多个单位磁铁515、535、555中的多个单位磁铁555可被配置在第三区域Ⅲ。
与第一实施例同样地，第一区域Ⅰ位于磁铁部件500(A)的中心，第二区域Ⅱ沿第二方向位于第一区域Ⅰ的两侧。并且，第三区域Ⅲ沿第二方向分别位于第二区域Ⅱ的两侧。
此时，与第二实施例同样地，多个单位磁铁515、535、555沿第二方向以均匀的间隔配置。更具体而言，第一区域Ⅰ的多个单位磁铁515之间的间隔、第二区域Ⅱ的多个单位磁铁535之间的间隔、以及第三区域Ⅲ的多个单位磁铁555之间的间隔均相同。
并且，如图6的(B)所示，多个单位磁铁515、535、555的长度彼此相同。在第一实施例中多个单位磁铁510、530、550的长度被配置为彼此不同，但在第四实施例中多个单位磁铁515、535、555的长度被配置为彼此相同。此外，多个单位磁铁515、535、555由磁场强度相同的物质构成。
根据本实施例，在每单位面积中，多个单位磁铁所占的面积按第一区域Ⅰ、第二区域Ⅱ和第三区域Ⅲ的顺序减小。更具体而言，如图6的(A)所示，第一区域Ⅰ的多个单位磁铁515所占的面积大于第二区域Ⅱ的多个单位磁铁535所占的面积，并且第二区域Ⅱ的多个单位磁铁535所占的面积大于第三区域Ⅲ的多个单位磁铁555所占的面积。
此时，第一区域Ⅰ的多个单位磁铁515由截面为四边形状的单位磁铁构成，第二区域Ⅱ的多个单位磁铁535通过组合截面为四边形状和圆形形状的单位磁铁而构成，第三区域Ⅲ的多个单位磁铁555由截面为圆形形状的单位磁铁构成。
磁场强度与在每单位面积中多个单位磁铁所占的面积成正比地增加。由此，在本实施例中，磁场强度按第一区域Ⅰ、第二区域Ⅱ和第三区域Ⅲ的顺序减小。
即，在本实施例中，通过调节每单位面积中多个单位磁铁所占的面积来调节磁场强度。
下面，参照图7，对本发明第五实施例的溅射装置进行说明。在说明第五实施例时，省略对与前述的第一实施例至第四实施例相同的结构的详细说明。
图7的(A)是本发明第五实施例的磁铁部件的俯视图，图7的(B)是图7的(A)的沿7(B)-7(B)剖切的剖面图。
在本实施例中，与前述的第一实施例至第四实施例同样地，磁铁部件500(A)的磁场强度从磁铁部件500(A)的中心沿第二方向逐渐减小。
进一步，如图7的(B)所示，沿第一方向并排配置的多个单位磁铁571～577中的一部分单位磁铁571、572、576、577被配置为其上侧端面从中心朝向第一方向。
更详细而言，沿第一方向并排配置的多个单位磁铁571～577中的多个单位磁铁573、574、575被配置在磁铁部件500(A)的第四区域P1，多个单位磁铁571～577中的多个单位磁铁571、572、576、577被配置在第五区域P2。此时，第四区域P1位于磁铁部件500(A)的第一方向的中心，第五区域P2沿第一方向位于所述第四区域P1的两侧。
如图7的(B)所示，当第五区域P2的多个单位磁铁571、572、576、577的上侧端面朝向第一方向时，能够使氩离子Ar+聚集在靶200的沿第一方向的两侧端部，靶200与所述磁铁部件500(A)上部对应设置。
并且，第五区域P2的多个单位磁铁571、572、576、577的长度从所述中心沿第一方向逐渐减小。更具体而言，在第五区域P2的多个单位磁铁571、572中单位磁铁572的长度比单位磁铁571的长度长，在第五区域P2的多个单位磁铁576、577中单位磁铁576的长度比单位磁铁577的长度长。
此时，与第五区域P2的多个单位磁铁571、572、576、577不同，第四区域P1的多个单位磁铁573、574、575的长度均相同。并且，在第五实施例中，第四区域P1的多个单位磁铁573、574、575的长度比第五区域P2的多个单位磁铁571、572、576、577的长度长。
下面，参照图8，对本发明第六实施例的溅射装置进行说明。在说明第六实施例时，省略对与前述的第五实施例相同的结构的详细说明。
图8的(A)是本发明第六实施例的磁铁部件的俯视图，图8的(B)是图8的(A)的沿8(B)-8(B)剖切的剖面图。
在本实施例中，与前述的第五实施例同样地，磁铁部件500(A)的磁场强度从磁铁部件500(A)的中心沿第二方向逐渐减小。并且，如图8的(B)所示，沿第一方向并排配置的多个单位磁铁591～597中的一部分单位磁铁591、592、596、597被配置为其上侧端面从中心朝向第一方向。
更详细而言，沿第一方向并排配置的多个单位磁铁591～597中的多个单位磁铁593、594、595被配置在磁铁部件500(A)的第四区域P1，多个单位磁铁591～597中的多个单位磁铁591、592、596、597被配置在第五区域P2。此时，第四区域P1位于磁铁部件500(A)的第一方向的中心，第五区域P2沿第一方向位于所述第四区域P1的两侧。
如图8的(B)所示，当第五区域P2的多个单位磁铁591、592、596、597的上侧端面朝向第一方向时，能够使氩离子Ar+聚集在位于所述磁铁部件500(A)上部的靶200的沿第一方向的两侧端部。
并且，第五区域P2的多个单位磁铁591、592、596、597的长度从所述中心沿第一方向逐渐减小。更具体而言，在第五区域P2的多个单位磁铁591、592中单位磁铁592的长度比单位磁铁591的长度长，在第五区域P2的多个单位磁铁596、597中单位磁铁596的长度比单位磁铁597的长度长。
另外，与第五区域P2的多个单位磁铁591、592、596、597不同，第四区域P1的多个单位磁铁593、594、595的长度均相同。并且，在第六实施例中，与第五实施例不同，第四区域P1的多个单位磁铁593、594、595的长度比第五区域P2的多个单位磁铁591、592、596、597的长度短。
对本发明一实施例的溅射装置来说，多个磁铁部件500(A)～500(G)中的每一个的磁场强度从多个磁铁部件500(A)～500(G)的中心沿第二方向逐渐减小。由此，能够使氩离子Ar+与多个靶200均匀地碰撞，并且从多个靶200中分离出的金属粒子被均匀地沉积在基板S上。
如上述，虽然通过已限定的实施例和附图来对本发明进行了说明，但本发明并不限定于此，本发明所属技术领域的普通技术人员在不脱离本发明的技术思想和后述的权利要求书范围的等同范围内能够进行各种修改和变形。
附图标记说明：
S 基板
100 第一电极
200 靶
300 直流电压源
400 第二电极
500 磁场生成部
600 腔室

Claims (8)

1.一种溅射装置，包括：
第一电极和第二电极，彼此面对地配置在腔室内；
多个靶，沿第一方向彼此隔开地配置在所述第二电极的第一面上；以及
磁场生成部，位于所述第二电极的朝向与所述第一面相反的一侧的第二面上，并包括被配置为与所述多个靶中的每一个对应的多个磁铁部件，
对于所述多个磁铁部件中的每一个，所述磁铁部件在与所述第一方向交叉的第二方向上的边缘区域的磁场强度比所述磁铁部件的中心区域的磁场强度小，
所述多个磁铁部件中的每一个包括：第一区域，位于所述磁铁部件的中心；第二区域，沿所述第二方向位于所述第一区域的两侧；以及第三区域，沿所述第二方向位于所述第二区域的两侧，
所述磁铁部件的磁场强度按所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域的顺序减小。
2.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，
在所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域中分别配置有多个单位磁铁。
3.根据权利要求2所述的溅射装置，其中，
所述多个单位磁铁在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上的长度按所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域的顺序减小。
4.根据权利要求2所述的溅射装置，其中，
所述多个单位磁铁由不同的物质构成，使得所述磁铁部件的磁场强度按所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域的顺序减弱。
5.根据权利要求2所述的溅射装置，其中，
所述多个单位磁铁之间的间隔按所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域的顺序增加。
6.根据权利要求2所述的溅射装置，其中，
在每单位面积中，所述多个单位磁铁所占的面积按所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域的顺序减小。
7.根据权利要求2所述的溅射装置，其中，
所述多个单位磁铁的截面形成为相同的形状。
8.一种溅射装置，包括：
第一电极和第二电极，彼此面对地配置在腔室内；
多个靶，沿第一方向彼此隔开地配置在所述第二电极的第一面上；以及
磁场生成部，位于所述第二电极的朝向与所述第一面相反的一侧的第二面上，并包括被配置为与所述多个靶中的每一个对应的多个磁铁部件，
对于所述多个磁铁部件中的每一个，所述磁铁部件在与所述第一方向交叉的第二方向上的边缘区域的磁场强度比所述磁铁部件的中心区域的磁场强度小，
所述多个磁铁部件中的每一个包括：第四区域，位于所述磁铁部件的沿所述第一方向的中心；以及第五区域，沿所述第一方向位于所述第四区域的两侧，
位于所述第五区域的多个单位磁铁在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上的长度从所述中心沿所述第一方向逐渐减小。
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