CN106920842A - 一种具有载流子存储层的槽型soi ligbt - Google Patents
一种具有载流子存储层的槽型soi ligbt Download PDFInfo
- Publication number
- CN106920842A CN106920842A CN201710328752.4A CN201710328752A CN106920842A CN 106920842 A CN106920842 A CN 106920842A CN 201710328752 A CN201710328752 A CN 201710328752A CN 106920842 A CN106920842 A CN 106920842A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- type
- accumulation layer
- dielectric
- region
- carrier accumulation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7394—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET on an insulating layer or substrate, e.g. thin film device or device isolated from the bulk substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明属于功率半导体技术领域,涉及一种具有载流子存储层的槽型SOI LIGBT。本发明相对于传统结构,具有以下几个特点:一、具有高浓度的载流子存储层,其在正向导通时起阻挡空穴的作用,使界面附近的空穴浓度增大,根据电中性原理,更多的电子注入漂移区,电导调制效应增强,进而降低器件的正向导通压降。同时,引入介质槽,在物理上阻挡空穴被阴极收集,起到进一步降低正向导通压降的作用,更重要的是,在正向阻断时起到辅助耗尽载流子存储层的作用,使得在高浓度载流子存储层的情况下器件保持高耐压;二、采用三栅结构,提高沟道密度;三、三栅结构与介质槽可以同时制作,无需额外的工艺步骤。
Description
技术领域
本发明属于功率半导体技术领域,涉及一种具有载流子存储层的槽型SOI LIGBT。
背景技术
LIGBT是一种由横向场效应晶体管和双极型晶体管混合而成的结构,兼具场效应晶体管输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单及双极型晶体管电流密度大,饱和压降低的优点。SOI LIGBT与标准CMOS电路兼容,广泛应用在高压集成电路中,其SOI衬底能够起到完全的介质隔离作用。
高压LIGBT的电流密度能力对驱动能力有很大的影响,因此增大其电流密度能力成为提高芯片性能,降低芯片成本的关键。LIGBT的大电流能力源于其漂移区的电导调制效应,通过提高漂移区中过剩载流子浓度可以有效降低LIGBT的导通压降,增大导通电流。但在关断时,漂移区存储的大量非平衡电子空穴对需要被抽取,这些载流子因远离P型体区和N型漂移区形成的耐压PN结,所以在LIGBT关断时无法被耗尽区内建电场快速扫出漂移区,造成关断时间长、关断损耗大等不良影响。
发明内容
本发明的目的是针对上述问题,通过引入载流子存储层的介质槽有效地降低了SOI LIGBT的导通压降,同时兼顾了关断损耗和导通压降的折衷关系。
本发明的技术方案是:一种具有载流子存储层的槽栅SOI LIGBT器件,包括衬底层1及其上方的介质埋层2;所述介质埋层2的上表面沿器件水平方向依次具有阴极结构、N型半导体漂移区4和阳极结构;
所述阴极结构包括P型阱区3、P型重掺杂区5及N型重掺杂区6,P型重掺杂区5和N型重掺杂区6位于P型阱区3的上表面,两者相互独立且N型重掺杂区6位于靠近漂移区4的一侧;所述P型重掺杂区5和N型重掺杂区6上表面引出阴极;
其特征在于,在所述N型重掺杂区6与N型半导体漂移区4之间的P型阱区3上表面具有平面栅结构,沿器件纵向,在所述平面栅结构的两端具有槽栅结构,所述槽栅结构由第一导电材料7及其四周的第一绝缘介质8构成,第一绝缘介质8的一侧从上到下依次与N型重掺杂区6和P型阱区3的侧面接触,第一绝缘介质8和第一导电材料7的底部与介质埋层2接触;所述器件纵向方向为与器件水平方向和器件垂直方向均垂直的第三维度方向;;
所述平面栅结构和两侧的槽栅结构形成三栅,其共同引出端为栅极;在槽栅结构靠近漂移区4的一侧具有介质槽,所述介质槽中填充有第二导电材料11及位于第二导电材料11四周的第二绝缘介质12,第二绝缘介质12的一侧与槽栅结构接触,另一侧与漂移区4接触,第二导电材料11及第二绝缘介质12的下表面与介质埋层2接触;所述介质槽在第三维度方向间断分布,其间隙宽度大于槽栅结构的间隙宽度,其间隙处具有载流子存储层13,所述载流子存储层13一侧与P型阱区3相接,另一侧与漂移区4相接;所述槽栅结构和介质槽以器件横向方向的中线为对称轴,在器件纵向方向上呈对称分布;
所述阳极结构包括N型阱区14和P型阳极区15,所述N型阱区14的下表面和介质埋层2相接,N型阱区14的侧面与漂移区4接触;P型阳极区15引出阳极电极。
进一步的,所述介质槽引出端与阴极相连。
进一步的,所述介质槽引出端与栅电极相连。
本发明的有益效果为,通过引入载流子存储层,有效地降低了SOI LIGBT的导通压降,兼顾关断损耗和导通压降的折衷关系。同时,通过介质槽在正向阻断时辅助耗尽载流子存储层,使得在高浓度载流子存储层的情况下器件保持高耐压。
附图说明
图1为本发明器件的三维结构示意图;
图2为沿图1中AA’线的剖面结构示意图;
图3为沿图1中BB’线的剖面结构示意图;
图4为沿图1中CC’线的剖面结构示意图;
图5为本发明器件中介质槽引出端与阴极相连的三维结构示意图;
图6为本发明器件中介质槽引出端与栅电极相连的三维结构示意图。
具体实施方式
如图1所示,为本发明器件的三维结构示意图,结合图2、图3和图4可得,本发明的器件与传统的器件结构相比,具有高浓度的载流子存储层及介质槽。
本发明的工作原理为:在正向导通时,阳极的PN结开启,向漂移区内注入空穴,空穴通过漂移区到达载流子存储层,被载流子存储层阻挡,根据电中性原理,更多的电子注入漂移区,电导调制效应增强,进而降低器件的正向导通压降。同时,引入介质槽,在物理上阻挡空穴被阴极收集,起到进一步降低正向导通压降的作用,更重要的是,在正向阻断时起到辅助耗尽载流子存储层的作用,使得在高浓度载流子存储层的情况下器件保持高耐压。
如图5所示,与图1所示的结构相比,介质槽引出端与阴极相连,具有较小的栅电容。
如图6所示,与图1所示的结构相比,介质槽引出端与栅电极相连,能够更有效地辅助耗尽载流子存储层。
Claims (3)
1.一种具有载流子存储层的槽栅SOI LIGBT器件,包括衬底层(1)及其上方的介质埋层(2);所述介质埋层(2)的上表面沿器件水平方向依次具有阴极结构、N型半导体漂移区(4)和阳极结构;
所述阴极结构包括P型阱区(3)、P型重掺杂区(5)及N型重掺杂区(6),P型重掺杂区(5)和N型重掺杂区(6)位于P型阱区(3)的上表面,两者相互独立且N型重掺杂区(6)位于靠近漂移区(4)的一侧;所述P型重掺杂区(5)和N型重掺杂区(6)上表面引出阴极;
其特征在于,在所述N型重掺杂区(6)与N型半导体漂移区(4)之间的P型阱区(3)上表面具有平面栅结构,沿器件纵向,在所述平面栅结构的两端具有槽栅结构,所述槽栅结构由第一导电材料(7)及其四周的第一绝缘介质(8)构成,第一绝缘介质(8)的一侧从上到下依次与N型重掺杂区(6)和P型阱区(3)的侧面接触,第一绝缘介质(8)和第一导电材料(7)的底部与介质埋层(2)接触;所述器件纵向方向为与器件水平方向和器件垂直方向均垂直的第三维度方向;
所述平面栅结构和两侧的槽栅结构形成三栅,其共同引出端为栅极;在槽栅结构靠近漂移区(4)的一侧具有介质槽,所述介质槽中填充有第二导电材料(11)及位于第二导电材料(11)四周的第二绝缘介质(12),第二绝缘介质(12)的一侧与槽栅结构接触,另一侧与漂移区(4)接触,第二导电材料(11)及第二绝缘介质(12)的下表面与介质埋层(2)接触;所述介质槽在器件纵向方向间断分布,其间隙宽度大于槽栅结构的间隙宽度,其间隙处具有载流子存储层(13),所述载流子存储层(13)一侧与P型阱区(3)相接,另一侧与漂移区(4)相接;所述槽栅结构和介质槽以器件横向方向的中线为对称轴,在器件纵向方向上呈对称分布;
所述阳极结构包括N型阱区(14)和P型阳极区(15),所述N型阱区(14)的下表面和介质埋层(2)相接,N型阱区(14)的侧面与漂移区(4)接触;P型阳极区(15)引出阳极电极。
2.根据权利要求1所述的一种具有载流子存储层的SOI LIGBT器件,其特征在于,所述介质槽引出端与阴极相连。
3.根据权利要求1所述的一种具有载流子存储层的SOI LIGBT器件,其特征在于,所述介质槽引出端与栅电极相连。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710328752.4A CN106920842B (zh) | 2017-05-11 | 2017-05-11 | 一种具有载流子存储层的槽型soi ligbt |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710328752.4A CN106920842B (zh) | 2017-05-11 | 2017-05-11 | 一种具有载流子存储层的槽型soi ligbt |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106920842A true CN106920842A (zh) | 2017-07-04 |
CN106920842B CN106920842B (zh) | 2023-03-28 |
Family
ID=59568530
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710328752.4A Active CN106920842B (zh) | 2017-05-11 | 2017-05-11 | 一种具有载流子存储层的槽型soi ligbt |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106920842B (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107342321A (zh) * | 2017-08-31 | 2017-11-10 | 电子科技大学 | 一种具有可控集电极槽的soi ligbt |
CN107482058A (zh) * | 2017-09-25 | 2017-12-15 | 电子科技大学 | 一种具有载流子存储层的薄soi ligbt器件 |
CN109004025A (zh) * | 2018-08-01 | 2018-12-14 | 电子科技大学 | 一种具有结型漂移区结构的薄soi ligbt |
CN110504305A (zh) * | 2019-08-06 | 2019-11-26 | 电子科技大学 | 一种具有自偏置pmos钳位载流子存储层的SOI-LIGBT器件 |
CN110504260A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-11-26 | 电子科技大学 | 一种具有自偏置pmos的横向沟槽型igbt及其制备方法 |
CN110808283A (zh) * | 2018-08-06 | 2020-02-18 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 具有载流子存储区的ligbt |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5796125A (en) * | 1994-09-16 | 1998-08-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High breakdown voltage semiconductor device using trench grooves |
JP2005217202A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | トレンチ横型半導体装置およびその製造方法 |
WO2008067269A1 (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-05 | Fairchild Semiconductor Corporation | Integrated latch-up free insulated gate bipolar transistor |
CN101694850A (zh) * | 2009-10-16 | 2010-04-14 | 电子科技大学 | 一种具有p型浮空层的载流子存储槽栅igbt |
US20140008723A1 (en) * | 2012-07-06 | 2014-01-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lateral insulated gate bipolar transistor structure with low parasitic bjt gain and stable threshold voltage |
CN104465379A (zh) * | 2013-09-18 | 2015-03-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件及形成方法 |
CN105826367A (zh) * | 2016-03-18 | 2016-08-03 | 东南大学 | 一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件 |
CN206774552U (zh) * | 2017-05-11 | 2017-12-19 | 电子科技大学 | 一种具有载流子存储层的槽型soi ligbt |
-
2017
- 2017-05-11 CN CN201710328752.4A patent/CN106920842B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5796125A (en) * | 1994-09-16 | 1998-08-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High breakdown voltage semiconductor device using trench grooves |
JP2005217202A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | トレンチ横型半導体装置およびその製造方法 |
WO2008067269A1 (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-05 | Fairchild Semiconductor Corporation | Integrated latch-up free insulated gate bipolar transistor |
CN101694850A (zh) * | 2009-10-16 | 2010-04-14 | 电子科技大学 | 一种具有p型浮空层的载流子存储槽栅igbt |
US20140008723A1 (en) * | 2012-07-06 | 2014-01-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lateral insulated gate bipolar transistor structure with low parasitic bjt gain and stable threshold voltage |
CN103531619A (zh) * | 2012-07-06 | 2014-01-22 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 具有低寄生bjt增益和稳定阈值电压的横向绝缘栅极双极型晶体管结构 |
CN104465379A (zh) * | 2013-09-18 | 2015-03-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件及形成方法 |
CN105826367A (zh) * | 2016-03-18 | 2016-08-03 | 东南大学 | 一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件 |
CN206774552U (zh) * | 2017-05-11 | 2017-12-19 | 电子科技大学 | 一种具有载流子存储层的槽型soi ligbt |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
WOO-BEOM CHOI,ETC: "Dual-channel SOI LIGBT with improved latch-up and forward voltage drop characteristics", 《DEVICE RESEARCH CONFERENCE. CONFERENCE DIGEST》 * |
YOUNG-SU KANG,ETC: "Trench Emitter IGBT with Lateral", 《2002 23RD INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONICS. PROCEEDINGS 》 * |
徐文杰等: "漂移区均匀掺杂SOILIGBT通态电阻模型", 《杭州电子科技大学学报》 * |
许生根等: "双槽栅SOI LDMOS器件结构及其制造方法研究", 《科技通报》 * |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107342321A (zh) * | 2017-08-31 | 2017-11-10 | 电子科技大学 | 一种具有可控集电极槽的soi ligbt |
CN107342321B (zh) * | 2017-08-31 | 2023-03-31 | 电子科技大学 | 一种具有可控集电极槽的soi ligbt |
CN107482058A (zh) * | 2017-09-25 | 2017-12-15 | 电子科技大学 | 一种具有载流子存储层的薄soi ligbt器件 |
CN107482058B (zh) * | 2017-09-25 | 2023-03-31 | 电子科技大学 | 一种具有载流子存储层的薄soi ligbt器件 |
CN109004025A (zh) * | 2018-08-01 | 2018-12-14 | 电子科技大学 | 一种具有结型漂移区结构的薄soi ligbt |
CN110808283A (zh) * | 2018-08-06 | 2020-02-18 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 具有载流子存储区的ligbt |
CN110504305A (zh) * | 2019-08-06 | 2019-11-26 | 电子科技大学 | 一种具有自偏置pmos钳位载流子存储层的SOI-LIGBT器件 |
CN110504260A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-11-26 | 电子科技大学 | 一种具有自偏置pmos的横向沟槽型igbt及其制备方法 |
CN110504260B (zh) * | 2019-08-29 | 2022-11-04 | 电子科技大学 | 一种具有自偏置pmos的横向沟槽型igbt及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106920842B (zh) | 2023-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106920842A (zh) | 一种具有载流子存储层的槽型soi ligbt | |
CN108389901B (zh) | 一种载流子存储增强型超结igbt | |
CN108389902B (zh) | 一种含有背面槽栅的逆导型igbt | |
CN101771073B (zh) | 一种高速横向soi绝缘栅双极性晶体管 | |
CN105633137B (zh) | 一种槽栅功率mosfet器件 | |
CN108321195B (zh) | 一种具有阳极夹断槽的短路阳极soi ligbt | |
CN107482058A (zh) | 一种具有载流子存储层的薄soi ligbt器件 | |
CN107342321B (zh) | 一种具有可控集电极槽的soi ligbt | |
CN103715238A (zh) | 一种超低比导通电阻的横向高压器件 | |
CN110416294B (zh) | 一种高耐压低损耗超结功率器件 | |
CN109904155A (zh) | 一种集成高速反向续流二极管的碳化硅mosfet器件 | |
CN109888007B (zh) | 具有二极管钳位载流子存储层的soi ligbt器件 | |
CN110400840A (zh) | 一种抑制电压回折现象的rc-ligbt器件 | |
CN106298900A (zh) | 一种高速soi‑ligbt | |
CN109004025A (zh) | 一种具有结型漂移区结构的薄soi ligbt | |
CN105932056B (zh) | 一种具有超结的rb-igbt | |
CN107452805A (zh) | 一种具有低导通电阻高耐压的ldmos器件 | |
CN109860303A (zh) | 一种积累型沟道的绝缘栅功率器件 | |
CN109860171A (zh) | 集成高速反向续流二极管的双极型碳化硅半导体功率器件 | |
CN206774552U (zh) | 一种具有载流子存储层的槽型soi ligbt | |
CN108258041B (zh) | 一种具有载流子存储层的三栅薄soi ligbt | |
CN113437141A (zh) | 一种具有多晶硅二极管栅极结构的浮空p区cstbt器件 | |
CN110459609B (zh) | 一种短路阳极薄层高压功率器件 | |
CN114823863B (zh) | 一种具有阳极槽的低功耗横向功率器件 | |
CN110504305A (zh) | 一种具有自偏置pmos钳位载流子存储层的SOI-LIGBT器件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |