CN106914460A - 一种单晶炉真空管道清理方法 - Google Patents

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沈浩锋
周林伟
朱伟忠
苏静洪
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    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • B08B9/02—Cleaning pipes or tubes or systems of pipes or tubes
    • B08B9/027—Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Abstract

本申请公开了一种单晶炉真空管道清理方法，在长晶加热时，向真空管道内通入含氧气体，所述含氧气体与所述真空管道内壁上附着的SiOx进行燃烧反应，得到粉末状物质，所述粉末状物质被抽吸排出所述真空管道外。本单晶炉真空管道清理方法防止了真空管道堵塞，利于长时间连续长晶工作，从而提高了生产效率。

Description

一种单晶炉真空管道清理方法
技术领域
本发明涉及单晶生长技术领域，特别涉及一种单晶炉真空管道清理方法。
背景技术
单晶炉是一种在惰性气体环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。
现有的单晶炉主要包括主炉室、副室、晶体提拉机构、抽真空装置、充惰性气体装置等。在向单晶炉中装入物料后，需要对单晶炉进行抽真空，之后再充入惰性气体。抽真空通过抽真空装置进行，抽真空装置主要包括真空管道和真空泵，真空管道连接真空泵和单晶炉。在长晶过程中，产生的SiOx会吸附在真空管道内壁上，长时间会堵塞真空管道，影响长晶。
综上所说，如何解决真空管道被SiOx堵塞的问题，成为了本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种单晶炉真空管道清理方法，以对单晶炉的真空管道进行清理，防止堵塞，保证长晶正常进行。
为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：
一种单晶炉真空管道清理方法，在长晶加热时，向真空管道内通入含氧气体，所述含氧气体与所述真空管道内壁上附着的SiOx进行燃烧反应，得到粉末状物质，所述粉末状物质被抽吸排出所述真空管道外。
优选地，在上述的单晶炉真空管道清理方法中，所述粉末状物质通过真空泵抽吸排出所述真空管道外。
优选地，在上述的单晶炉真空管道清理方法中，在向所述真空管道内通入含氧气体时，根据SiOx的含量调节通入所述含氧气体的流量。
优选地，在上述的单晶炉真空管道清理方法中，在向所述真空管道内通入含氧气体时，设定最大含氧气体通入流量限值。
优选地，在上述的单晶炉真空管道清理方法中，所述含氧气体为空气、氧气或含氧混合气体。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明提供的单晶炉真空管道清理方法中，在长晶加热时，向真空管道内通入含氧气体，含氧气体与所述真空管道内壁上附着的SiOx进行燃烧反应，得到粉末状物质，粉末状物质被抽吸排出真空管道外，实现了真空管道的清理，防止了真空管道堵塞，利于长时间连续长晶工作，从而提高了生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种单晶炉真空管道清理装置的结构示意图。
其中，1为单晶炉、2为真空管道、3为真空泵、4为供气管道、5为通断阀、6为节流阀、7为限流式垫片。
具体实施方式
本发明的核心是提供了一种单晶炉真空管道清理方法，能够对单晶炉的真空管道进行清理，防止堵塞，保证长晶正常进行。
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1，本发明实施例提供了一种单晶炉真空管道清理方法，在长晶加热时，向真空管道2内通入含氧气体，含氧气体与真空管道2内壁上附着的SiOx进行燃烧反应，得到粉末状物质，粉末状物质被抽吸排出真空管道2外。
可以看出，利用单晶炉本身长晶过程中的加热过程产生的热量，对真空管道2内的SiOx和外部通入的含氧气体进行加热，使SiOx和含氧气体燃烧得到粉末状物质，最后通过真空管道2内的负压抽吸排出。因此，只需要向真空管道2内通入含氧气体即可完成SiOx的清洁，清理操作方便，防止了真空管道2堵塞，利于长时间连续长晶工作，从而提高了生产效率。
作为优化，在本实施例中，粉末状物质通过真空泵3抽吸排出真空管道2外。真空泵3为单晶炉中原有的装置，用于单晶炉1的抽真空。
进一步地，在本实施例中，在向真空管道2内通入含氧气体时，根据SiOx的含量调节通入含氧气体的流量，使SiOx充分燃烧成粉末。具体可通过节流阀6来控制含氧气体的流量。
更进一步地，在本实施例中，在向真空管道2内通入含氧气体时，设定最大含氧气体通入流量限值。最大含氧气体通入流量限值根据真空管道2内的SiOx的含量而定。这样设置是为了防止燃烧过快，发生危险。
在本实施例中，含氧气体为空气、氧气或含氧混合气体。只要能够与SiOx在高温下燃烧即可。
如图1所示，基于上述的单晶炉真空管道清理方法，本实施例提供了一种单晶炉真空管道清理装置，其包括真空管道2、真空泵3、供气管道4和通断阀5。其中，真空管道2与单晶炉1和真空泵3连接；供气管道4与真空管道2连通，供气管道4与供气源连接，用于向真空管道2内通入含氧气体；通断阀5设置在供气管道4上，用于控制供气管道4的通断。
该单晶炉真空管道清理装置的工作原理为：工作时，从长晶加热开始，打开供气管道4上的通断阀5，向真空管道2中通入含氧气体，使真空管道2内壁上附着的SiOx充分燃烧成粉末随真空泵3排出真空管道2，防止真空管道2堵塞，利于长时间连续长晶工作，从而提高了生产效率。
作为优化，在本实施例中，通断阀5为气动阀或电动阀或手动阀。只要能够控制供气管道4的通断即可。并不局限于本实施例所列举的类型。
如图1所示，在本实施例中，单晶炉真空管道清理装置还包括设置在供气管道4上的节流阀6。通过调节节流阀6的开度，控制含氧气体的供气流量，以达到所需的含氧气体流量，使SiOx充分燃烧成粉末随真空泵3排出真空管道2。
进一步地，在本实施例中，单晶炉真空管道清理装置还包括设置在供气管道4上的限流式垫片7。限流式垫片7限制最大供气流量，防止SiOx燃烧过快，发生危险。
更进一步地，在本实施例中，在供气管道4上由供气源至真空管道2方向上依次设置限流式垫片7、节流阀6和通断阀5。当然，限流式垫片7、节流阀6和通断阀5还可以以任意顺序设置在供气管道4上。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (5)

1.一种单晶炉真空管道清理方法，其特征在于，在长晶加热时，向真空管道内通入含氧气体，所述含氧气体与所述真空管道内壁上附着的SiOx进行燃烧反应，得到粉末状物质，所述粉末状物质被抽吸排出所述真空管道外。
2.根据权利要求1所述的单晶炉真空管道清理方法，其特征在于，所述粉末状物质通过真空泵抽吸排出所述真空管道外。
3.根据权利要求1或2所述的单晶炉真空管道清理方法，其特征在于，在向所述真空管道内通入含氧气体时，根据SiOx的含量调节通入所述含氧气体的流量。
4.根据权利要求3所述的单晶炉真空管道清理方法，其特征在于，在向所述真空管道内通入含氧气体时，设定最大含氧气体通入流量限值。
5.根据权利要求1所述的单晶炉真空管道清理方法，其特征在于，所述含氧气体为空气、氧气或含氧混合气体。
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