CN106873275B - 像素结构 - Google Patents
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Abstract
一种像素结构包含多个像素电极与至少一延伸电极，设置于一基板上。每个像素电极经由至少一主动元件电性连接至少一数据线及至少一扫描线，其中，相邻的二个像素电极之间存在该至少一扫描线，该至少一延伸电极设置于该相邻的二个像素电极之间，该至少一延伸电极一端连接该相邻的二个像素电极其中一个，该延伸电极另一端往该相邻的二个像素电极另一个延伸且经过位于相邻的二个像素电极之间的该至少一扫描线，但该至少一延伸电极另一端不连接该二个相邻的像素电极另一个。
Description
技术领域
本发明是关于一种像素结构。
背景技术
随着科技的进步，显示器的技术也不断地发展。轻、薄、短、小的平面显示面板(Flat Panel Display,FPD)逐渐取代传统厚重的阴极映像管显示器(Cathode Ray Tube,CRT)。如今，由于平面显示面板的轻薄特性，平面显示面板更被配置到许多建筑物或电子设备的非平面的表面上。
然而，显示面板仍能存在于一些缺陷，例如：因工艺偏移所造成的不同像素亮暗不均。
发明内容
于本发明的多个实施方式中，借由设计相邻的二个像素结构其中一个具有至少一延伸电极及其相关设计，可降低或补偿于因工艺上的偏移产生寄生电容(例如：Cgs)的变化，而造成的亮暗不均的现象。
本发明的多个实施方式提供一种像素结构，包括：基板、多条数据线、多条扫描线、多个像素电极、至少一延伸电极。多条数据线，设置于基板上。多条扫描线，设置于基板上，且多个扫描线与数据线交错，其中，每一扫描线具有一第一侧与一相对的第二侧。多个像素电极，设置于基板上，多个像素电极包含至少二个相邻的像素电极，其中，每一像素电极经由至少一主动元件连接于所对应的数据线与所对应的扫描线。至少一延伸电极，设置于基板上，其中，至少二相邻的像素电极垂直投影于基板上之间存在多条扫描线其中一条与至少一延伸电极，其中，至少一延伸电极一端连接至少二个相邻的像素电极其中一个且经过第一侧与第二侧往至少二个相邻的像素电极另一个延伸，但至少一延伸电极另一端与至少二个相邻的像素电极另一个相分隔。
于本发明的一或多个实施方式中，至少一延伸电极垂直投影于基板上的形状包含多边形。
于本发明的一或多个实施方式中，至少一延伸电极垂直投影于基板上的形状包含L型、T型或其它合适的形状。
于本发明的一或多个实施方式中，至少一延伸电极具有长度与预定距离呈反比，其中，预定距离为至少二个相邻的像素电极其中一个与位于至少二相邻的像素电极之间的多条扫描线其中一条之间。
于本发明的一或多个实施方式中，至少二个相邻的像素电极另一个不存在至少一延伸电极往至少二个相邻的像素电极其中一个延伸。
本发明的多个实施方式提供一种像素结构，包括：基板、多个像素电极与至少一延伸电极。多个像素电极，设置于基板上，且每个像素电极经由至少一主动元件电性连接至少一数据线及至少一扫描线，其中，相邻的二个像素电极之间存在至少一扫描线。至少一延伸电极，设置于基板上，其中，至少一延伸电极设置于相邻的二个像素电极之间，至少一延伸电极一端连接相邻的二个像素电极其中一个，延伸电极另一端往相邻的二个像素电极另一个延伸且经过位于相邻的二个像素电极之间的至少一扫描线，但至少一延伸电极另一端不连接相邻的二个像素电极另一个。
于本发明的一或多个实施方式中，至少一延伸电极垂直投影于基板上的形状包含多边形。
于本发明的一或多个实施方式中，至少一延伸电极垂直投影于基板上的形状包含L型、T型或其它合适的形状。
于本发明的一或多个实施方式中，至少一延伸电极具有长度与预定距离呈反比，其中，预定距离为相邻的二个像素电极其中一个与位于相邻的二个像素电极之间的至少一条扫描线之间。
于本发明的一或多个实施方式中，至少二个相邻的像素电极另一个不存在至少一延伸电极往至少二个相邻的像素电极其中一个延伸。
附图说明
通过参照附图进一步详细描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其他示例性实施例，优点和特征将变得更加清楚，其中:
图1为本发明第一实施例的像素结构的俯视示意图。
图2为本发明第一实施例的像素结构沿着AA’剖面线的剖面示意图。
图3A为本发明第一实施例未偏移的像素结构的局部放大示意图。
图3B为本发明第一实施例偏移的像素结构的局部放大示意图。
图4为本发明第二实施例未偏移的像素结构的局部放大示意图。
图5A为本发明第二实施例第一偏移量的像素结构的局部放大示意图。
图5B为本发明第二实施例第二偏移量的像素结构的局部放大示意图。
图5C为本发明第二实施例第二偏移量的像素结构沿着BB’剖面线的剖面示意图。
其中，附图标记：
10:基板 20:扫描线
30:数据线 40、40-1～40-4、40a像素电极
41:延伸电极 41b:第二部
41a:第一部 60:主动元件
50:共享电极 G:栅极
100:像素结构 D:漏极
C:预定距离 L:长度
I1、I2:绝缘层 W:宽度
S:源极 Cgs_1、Cgs_1’、Cgs_2、Cgs_2’、Cgs_3、
AA’、BB’:剖面线 Cgs_3’、Cgs_4、Cgs_4”:寄生电容
SE:半导体层
ZO:局部放大区
具体实施方式
以下将以图式揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些习知惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式为之。
在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件”上”或”连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反地，当元件被称为”直接在另一元件上”或”直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，”连接”可以指物理及/或电连接。
这里使用的术语仅仅是为了描述特定实施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非内容清楚地指示，否则单数形式”一”、”一个”和”该”旨在包括复数形式，包括”至少一个”。”或”表示”及/或”。如本文所使用的，术语”及/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语”包括”及/或”包括”指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一个或多个其它特征、区域整体、步骤、操作、元件、部件及/或其组合的存在或添加。
本文使用的”约”或”近似”或”实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，”约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或例如±20％、±15％、±10％、±5％内。
除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明本领域技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。
请参考图1至图3A。图1为本发明第一实施例的像素结构的俯视示意图，图2为本发明第一实施例的像素结构沿着AA’剖面线的剖面示意图，图3A为本发明第一实施例未偏移的像素结构的局部放大示意图，且图3B为本发明第一实施例偏移的像素结构的局部放大示意图。如图1，像素结构100至少包含基板10、多条扫描线20、多条数据线30、多个像素电极40与至少一延伸电极41。举例而言，多条扫描线20、多条数据线30与多个像素电极40皆设置于基板10上，多条扫描线20与多条数据线30交错，且每一扫描线20具有第一侧S1与第二侧S2(参阅图3A或3B)。多个像素电极40包含至少二个相邻的像素电极40a，例如：至少二个相邻的像素电极40a可为像素电极40-1与40-2。同理，像素电极40-2与40-3可为至少二个相邻的像素电极40a或者是像素电极40-1与40-4为至少二个相邻的像素电极40a，如图1所示范例，但不限于图1排列方式。每个像素电极，例如：像素电极40-1，可经由至少一主动元件60连接(或电性连接)所对应的数据线30(例如：图1右边的数据线)与所对应的扫描线20。换言之，每个像素电极，例如：像素电极40-1，可经由至少一主动元件60连接(或电性连接)至少一数据线30(例如：图1右边的数据线)与至少一扫描线20。本实施例中，至少一主动元件60是以错位排列连接所对应的数据线30，例如：图1中像素电极40-1经由主动元件60系连接图1中右边的数据线30，而图1中像素电极40-2经由主动元件60连接图1中左边的数据线30，但不限于此。于其它实施例中，至少一主动元件60皆可连接同一侧所对应的数据线30，例如：图1中像素电极40-1经由主动元件60系连接图1中右边的数据线30，而图1中像素电极40-2经由主动元件60系连接图1中右边的数据线30。
为了能够了解至少一主动元件60的元件与其它元件的关系，请由图1的AA’剖面线来参阅图2。由图2可知，至少一主动元件60设置于基板10上，且至少包含至少一栅极G、至少一源极S、至少一漏极D与至少一半导体层SE。举例而言，源极S连接(或电性连接)所对应的数据线30，栅极G连接(或电性连接)所对应的扫描线20，漏极D连接(或电性连接)所对应的像素电极40-1。本发明实施例的主动元件60，系以底栅型晶体管，例如：栅极G位于半导体层SE下方为范例，但不限于此。于其它实施例中，主动元件60，系以顶栅型晶体管，例如：栅极G位于半导体层SE上方或其它适类型的晶体管，例如：立体型晶体管、双栅型晶体管。半导体层SE可为单层或多层结构，且其材料包含非晶硅、微晶硅、单晶硅、多晶硅、纳米晶硅、纳米碳管/杆、氧化物半导体材料(例如：铟镓锌氧化物、铟锌氧化物、铟镓氧化物或其它合适的材料)、有机半导体材料或其它合适的材料。为了让各电极或导电元件能够分隔，则各电极或导电元件之间存在绝缘层，例如：绝缘层I1存在于栅极G与半导体层SE之间以及绝缘层I2存在于扫描线20与数据线30之间。绝缘层I1与I2其中至少一者，可为单层或多层结构，且其材料包含无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化铪(HfO)或其它合适的材料)、有机材料(例如：光刻胶、彩色滤光材料、黑色矩阵材料、苯并环丁烯(Benzocyclobutene,BCB)、聚亚酰胺(PI)、压克力树脂或其它合适的材料)或其它合适的材料。
参阅图1，至少一延伸电极41，设置于基板10上。然而，为了了解至少一延伸电极41与像素电极40以及扫描线20的关系请由图1的局部放大区ZO来参阅图3A。由图3A可知，至少二相邻的像素电极40a(例如：像素电极40-1与40-2)垂直投影于基板10之间存在多条扫描线20其中一条与至少一延伸电极41。换言之，相邻的二个像素电极40a(例如：像素电极40-1与40-2)之间存在至少一延伸电极41，且至少一扫描线20也位于相邻的二个像素电极40a(例如：像素电极40-1与40-2)之间。至少一延伸电极41一端连接至少二个相邻的像素电极40a其中一个(例如：像素电极40-1)且经过扫描线20第一侧S1与第二侧S2往至少二个相邻的像素电极40a另一个(例如：像素电极40-2)延伸，但是至少一延伸电极41另一端与至少二个相邻的像素电极40a另一个(例如：像素电极40-2)相分隔开来，即不连接。换言之，至少一延伸电极41一端连接至少二个相邻的像素电极40a其中一个(例如：像素电极40-1)且经过位于相邻的二个像素电极40(例如：像素电极40-1与40-2)之间的至少一扫描线20(例如：第一侧S1与第二侧S2)往至少二个相邻的像素电极40a另一个(例如：像素电极40-2)，但是至少一延伸电极41另一端不连接至少二个相邻的像素电极40a另一个(例如：像素电极40-2)，即相分隔开来。
通常导电的元件之间或多或少会形成电容、寄生电容或杂散电容，而让多个像素结构于驱动时会产生亮暗不均的现象。因此，请再参阅图2与图3A，图3A为本发明未偏移的像素结构局部放大图。可以知道，至少一延伸电极41一部份于垂直投影于基板10上与扫描线20一部份于垂直投影于基板10上重迭，通电位时，可以产生平行板电容，即寄生电容Cgs_1(如图2剖面图所示或图3A局部放大图所示的长条部)。其中，本发明的寄生电容，基本上是以垂直投影于基板10上的重迭处为计算基准，可较少考虑二电极部份/全部不重迭的斜向电容或其它必要的电容(例如：储存电容Cst与Clc)。必需说明的是，寄生电容Cgs中的s来自于源极S的电位，然而，像素电极40-1经由漏极D接受来自源极S的电位(可能有变动或未变动)，则寄生电容Cgs，亦可称为Cgp(即像素电极40-1与扫描线20重迭处产生的电容)。本发明的至少一延伸电极41的垂直投影于基板10上的形状，以多边形范例，例如：L型、类似L型、T型或类似T型，但不包含只有直条形。换言之，L型或T型的延伸电极41可分为至少一第一部41a以及至少一与第一部连接的第二部42a，且第一部41a因连接像素电极40-1也可称为连接部，而第二部42a的延伸方向实质上平行于扫描线20的延伸方向也可称为长边(或称为长方向、或称为长条部)。以图3A至少一延伸电极41的T型为例，且依照前述的至少一延伸电极41的连接关系，则T型尚有长边垂直投影于基板10上仍可以与扫描线20部份于垂直投影于基板10上重迭，形成寄生电容Cgs_2，而本发明另外考虑像素电极40-1部份(例如：主体如像素电极图标所指处)与扫描线20之间存在间距(或称为预定距离)C，所形成的寄生电容Cgs_3。因此，图3A的未偏移的像素结构的寄生电容加总Ct(或称为总Ct、或Ct总和)为Cgs_1+Cgs_2+Cgs_3。假设，在制造前述元件时，可能因为工艺的变异产生的偏移(例如：像素电极40-1与所对应扫描线20的偏移)，而让像素电极40-1与至少一延伸电极41往像素电极40-2方向偏移，则可由图3B(本发明偏移的像素结构局部放大图)可以知道，则至少一延伸电极41一部份于垂直投影于基板10上与扫描线20一部份于垂直投影于基板10上重迭会发生改变而形成Cgs_1’。至少一延伸电极41以T型范例，尚有长边垂直投影于基板10上仍可以与扫描线20部份于垂直投影于基板10上未重迭，形成寄生电容Cgs_2’，而另外考虑像素电极40-1部份(例如：主体)与扫描线20之间的间距变小，所形成的寄生电容Cgs_3’。因此，图3B的偏移的像素结构的寄生电容加总Ct(或称为总Ct、或Ct总和)为Cgs_1’+Cgs_2’+Cgs_3’。当，Ct(未偏移)实质上等于Ct(偏移)，则可降低或可抵消工艺偏移所造成的总Cgs变化量(△Cgs)。于图3B中，至少一延伸电极41以T型范例，尚有长边(例如：其延伸方向实质上平行于扫描线20的延伸方向)垂直投影于基板10上仍可以与扫描线20于垂直投影于基板10上并未重迭，则Cgs_2’近似于0。而且，图3B中的至少一延伸电极41一部份于垂直投影于基板10上与扫描线20一部份于垂直投影于基板10上重迭会发生改变所形成Cgs_1’近似于图3A中的至少一延伸电极41一部份于垂直投影于基板10上与扫描线20一部份于垂直投影于基板10上重迭所形成的Cgs_1。因此，△Cgs实质上等于(Cgs_3’-Cgs_3)，也实质上等于Cgs_2。由此，可以知道，工艺偏移所造成的总Cgs变化量(△Cgs)，可以被平板电容Cgs_2可降低或可抵消，即至少一延伸电极41的设计(例如：多边形(例如：L型或T型)，但不包含只有直条形，例如：只有第一部41a的形状)与其连接关系(例如：至少一延伸电极41延伸过位于二相邻像素电极40a之间扫描线20(例如:延伸过第一侧S1与第二侧S2)，且只连接二相邻像素电极40a其中一个(例如：像素电极40-1))可以来降低或抵消工艺偏移所造成的总Cgs变化量(△Cgs)。
为了，能够可更了解本发明实施例的至少一延伸电极可对于工艺偏移的降低或抵消的效果，提出了下列的实验数据列于表1中。其中，至少一延伸电极41以多边形，即包含第一部41a与第二部41b，但不包含只有长条形的形状，例如：只有第一部41a的形状为范例，而多边形，例如：T型或L型，通常会有长边(或长方向)L与短边(短方向)W，但不限于此。换言之，多边形(例如：T型或L型)，可视为第二部41b具有长边L与短边W。于表一中，为了容易了解本实施例的至少一延伸电极41的T型的长边L需要设计长度(单位:微米(um))才可以降低或抵消工艺偏移量。于是，固定短边W数值约为1um为范例，但不限于此。于其它实施例中，短边W数值可调整、或者固定长边L数值来调整短边W数值、或者长边L数值与短边W数值皆可调整。必需说明的是，长边L数值可大于、实质上等于或小于短边W数值。当长边L数值实质上等于或小于短边W数值时，则长边L可称为第一边，短边W可称为第二边，且其垂直投影于基板10的形状类似于铆钉的厚头部，仍类似于T型。
表一
其中，A1为像素电极(例如：像素电极40-1)与其对应的扫描线20第一侧S1间的预定距离C(单位:微米，um)；B1为相邻的二个像素电极其中一个(例如：像素电极40-1)往相邻的二个像素电极另一个(例如：像素电极40-2)的偏移量(或称为位移量，单位:微米，um)；C1为通电时，未偏移或偏移像素结构的Cgs总和(单位:picofarad(皮法拉)，pF)；D1为偏移像素结构与未偏移像素结构相减的总Cgs变化量(△Cgs，单位:picofarad(皮法拉)，pF)；E1为至少一延伸电极41的T型的长边L所需要的长度(单位:微米，um)。由表一可知，不论像素电极(例如：像素电极40-1)与其对应的扫描线20第一侧S1间的预定距离C由小至大的调整，皆可设计出需要的至少一延伸电极41的T型的长边L所需要的长度(例如:由长至短)来让偏移像素结构与未偏移像素结构相减的总Cgs变化量(△Cgs可近似于零。换言之，至少一延伸电极具有长边L的长度(或称为第二部的长度)与预定距离C呈反比，其中，预定距离C为至少二个相邻的像素电极40a其中一个(例如：像素电极40-1)与位于至少二个相邻的像素电极40a(例如：像素电极40-1与40-2)之间的多条扫描线20其中一条之间。简言之，至少一延伸电极具有长边L的长度(或称为第二部的长度)与预定距离C呈反比，其中，预定距离C为相邻的二个像素电极40a其中一个(例如：像素电极40-1)与位于相邻的二个像素电极40a(例如：像素电极40-1与40-2)之间的至少一条扫描线20(例如：第一侧S1)之间。因此，本发明实施例的至少一延伸电极及其连接关系，对于工艺偏移(例如:像素电极40-1与所对应扫描线20的偏移)可有效的降低或抵消的效果，而可让不同区像素结构显示亮或暗实质上均一。再者，本发明的实施例，以像素电极(例如：像素电极40-1)与其对应的扫描线20第一侧S1间的预定距离(或称为间距)C为范例，但不限于此。于其它实施例中，若绝缘层I2(图2)的厚度较厚或者绝缘层I2(图2)的材料选用有机材料(例如：光刻胶、彩色滤光层、或其它适的材料)时，因绝缘层I2(图2)的厚度及/或选用有机材料可降低二个导电电极于通电时，所形成的平行板电容(例如：寄生电容Cgs)，则像素电极40-1与其对应的扫描线20第一侧S1间的预定距离C可为零(例如：像素电极40-1的部份边缘(例如：像素电极的主体边缘)与其对应的扫描线20第一侧S1于垂直投影于基板10上实质上切齐或者是负值(例如：像素电极40-1的部份边缘(例如：像素电极的主体边缘)与其对应的扫描线20(例如：第一侧S1)于垂直投影于基板10上部份重迭)。
图4至图5C。图4为本发明第二实施例未偏移的像素结构的俯视示意图，图5A为本发明第二实施例第一偏移量的像素结构的局部放大示意图图5B为本发明第二实施例第二偏移量的像素结构的局部放大示意图，且图5C为本发明第二实施例第二偏移量的像素结构沿着BB’剖面线的剖面示意图。本发明的第二实施例的未偏移像素结构100与第一实施例的未偏移像素结构100主要差别在于:至少一延伸电极41，只延伸过位于相邻的二个像素电极间的扫描线20第一侧S1，而未延伸过扫描线20第二侧S2，且至少一延伸电极41垂直投影于基板10的形状仅为长条形，如图4所示。本实施例大致上与第一实施例及第一实施例的变形例相似且采用类似的标示，相关的描述可参阅第一实施例及第一实施例的变形例，于此不再赘言。
请参阅图4，可以知道，至少一延伸电极41一部份于垂直投影于基板10上与扫描线20一部份于垂直投影于基板10上重迭，通电位时，可以产生平行板电容，即寄生电容Cgs_1(可参阅图4局部放大图所示的长条形且其剖面图类似于图5C而可简略的参阅之)。因至少一延伸电极41的垂直投影于基板10上的形状并不具有长条部(即不具有L型的第二部41b的长边L，仅具有连接部41a)，所以，本实施例并不存在Cgs_2。然而，本实施例仍有另外考虑像素电极40-1部份(例如：主体如像素电极图标所指处)与扫描线20之间存在间距(或称为预定距离)C，所形成的寄生电容Cgs_3以及。因此，图4的未偏移的像素结构的寄生电容加总Ct’(或称为总Ct’、或Ct’总和)为Cgs_1+Cgs_3。
假设，在制造前述元件时，可能因为工艺的变异产生的第一偏移量(例如：像素电极40-1与所对应扫描线20的偏移，即像素电极40-1往像素电极40-2偏移，如图5A)，而让像素电极40-1与至少一延伸电极41往像素电极40-2方向偏移，则可由图5A(本发明第一偏移量的像素结构局部放大图)可以知道，则至少一延伸电极41从扫描线20第一侧S1延伸，但仍未延伸过第二侧S2，则至少一延伸电极41一部份于垂直投影于基板10上与扫描线20一部份于垂直投影于基板10上重迭位置虽然发生变更，但至少一延伸电极41与扫描线20一部份重迭的面积不变，则其寄生电容仍实质上为Cgs_1’。然而，另外考虑像素电极40-1部份与扫描线20之间的间距(或称为预定距离)变小，更甚而，像素电极40-1部份(例如：主体)与扫描线20(例如：第一侧S1及其附近)于垂直投影于基板10上重迭(如图5A所示)，使得二者间的重迭面积增加，产生了较大的寄生电容Cgs_3’。再者，像素电极40-1另一部份(例如：主体)更与至少一主动元件60处的扫描线20(例如：第一侧S1及其附近)于垂直投影于基板10上重迭，使得二者间的重迭面积增加，产生了较大的寄生电容Cgs_4。因至少一延伸电极41的垂直投影于基板10上的形状并不具有长条部41b(或称为长边)，仅具有连接部41a，所以，本实施例并不存在Cgs_2。因此，图5A的偏移的像素结构的寄生电容加总Ct”(或称为总Ct”、或Ct”总和)为Cgs_1’+Cgs_3’+Cgs_4。当，Ct’(未偏移)实质上等于Ct”(偏移)，则可降低或可抵消工艺偏移所造成的总Cgs变化量(△Cgs)。虽然，未偏移的Cgs_1近似于偏移的Cgs_1’，但是，未偏移的Cgs_3远小于偏移的Cgs_3’，且存在偏移的Cgs_4。因此，总Cgs变化量(△Cgs)，即偏移的Ct”与未偏移的Ct’相减，仍然会存在Cgs_3’+Cgs_4(即远大于零)，其可能会影响驱动像素结构的馈通电压(Vth)，而让不同区的像素结构显示呈现更明显的亮暗不均的现象。
假设，在制造前述元件时，可能因为工艺的变异产生的第二偏移量(例如：像素电极40-1与所对应扫描线20的偏移，即像素电极40-1更往像素电极40-2偏移，如图5B)大于因为工艺的变异产生的第一偏移量(例如：像素电极40-1与所对应扫描线20的偏移，如图5A)，而让像素电极40-1与至少一延伸电极41往像素电极40-2方向更偏移，则可由图5B(本发明第二偏移量的像素结构局部放大图)可以知道，至少一延伸电极41从扫描线20第一侧S1延伸且更延伸过第二侧S2，则至少一延伸电极41一部份于垂直投影于基板10上与扫描线20一部份于垂直投影于基板10上重迭位置虽然发生变更，但其重迭的面积不变，其寄生电容仍可实质上为Cgs_1’。然而，另外考虑像素电极40-1部份与扫描线20之间的间距变小，更甚而，像素电极40-1部份(例如：主体)与扫描线20(例如：第一侧S1及其附近)于垂直投影于基板10上重迭，使得像素电极40-1部份与扫描线20的重迭面积增加，产生了较大的寄生电容Cgs_3”。再者，像素电极40-1另一部份(例如：主体)更与至少一主动元件60处的扫描线20(例如：第一侧S1及其附近)于垂直投影于基板10上重迭，使得二者间的重迭面积增加，产生了较大的寄生电容Cgs_4”。因此，图5B的第二偏移量的像素结构的寄生电容加总Ct’”(或称为总Ct’”、或Ct’”总和)为Cgs_1’+Cgs_3”+Cgs_4”。当，Ct’(未偏移)实质上等于Ct’”(偏移)，则可降低或可抵消工艺偏移所造成的总Cgs变化量(△Cgs)。虽然，未偏移的Cgs_1近似于偏移的Cgs_1’，但是，未偏移的Cgs_3远小于偏移的Cgs_3”，且仍存在更大的Cgs_4”。因此，总Cgs变化量(△Cgs)，即偏移的Ct’”与未偏移的Ct’相减，仍然会存在Cgs_3”+Cgs_4”(即△Cgs远大于零)，其可能比图5A所示的像素结构更加影响驱动像素结构的馈通电压(Vth)，而让不同区的像素结构显示呈现更明显的亮暗不均的现象，即图5B的不同区的像素结构的亮暗不均现象会比图5A的不同区的像素结构的亮暗不均现象更无法降低或抵消，也代表图4的像素结构设计可能较无法降低或抵消工艺上的偏移。
本发明前述实施例中，每个或部份的像素结构100可选择性的更包含至少一共享电极50，且其垂直投影于基板10上的形状为十字型为范例，但不限于此。于其它实施例中，至少一共享电极50垂直投影于基板10上的形状可为H型、U型、I型或其它合适的形状。至少一共享电极50所传输的电位可选择性的包含固定电位(例如：共通电位或接地电位)或者是浮接电位。
再者，本发明前述实施例的每一个像素结构100，即每个像素电极40，皆包含至少一个延伸电极41为范例，但不限于此。于其它实施例中，至少二个相邻的像素电极40a另一个(例如：像素电极40-2)不存在至少一延伸电极往相邻的二个像素电极40a其中一个(例如：像素电极40-1)延伸。本发明前述实施例的每个像素电极相互分隔开来，即不相连。每个或部份像素结构中的至少一延伸电极41也相互分隔开来，即不相连。本发明前述实施例的至少一个延伸电极41并不限于包含一个第一部或称为连接部)41a与一个第二部(或称为长边)41b。于其它实施例中，至少一个延伸电极41可选择性的包含一或多个第一部或称为连接部)41a及/或一或多个第二部(或称为长边)41b。举例而言，多个第一部41a与一个第二部41b、一个第一部41a与多个第二部41b、或者多个第一部41a与多个第二部41b，其中，多个第一部41a可连接在一起，多个第二部41b可连接在一起。本发明前述实施例的每个或部份像素电极可选择性的更包含相邻的二个分支电极(未标示)，且相邻的二个分支电极(未标示)之间可夹设至少一狭缝(未标示)。本发明前述实施例的延伸电极41及/或主动元件60的个数，可为一或多个。若前述实施例的主动元件60为多个，例如：二个时，其源极可为共享源极S、相互分隔的源极、共享漏极D或者是相互分隔的漏极D，依照需求来设计。
此外，本发明前述实施例的像素结构系以躺平(或称为横躺)为范例，但不限于此。于其它实施例中，本发明前述实施例的像素结构系可直立。本发明的前述实施例的像素结构的垂直投影形状系以矩形为范例，但不限于此。于其它实施例中，本发明前述实施例的像素结构的垂直投影形状可为多边形，例如：三角形、四边形、菱形、五边形、六边形、楕圆形、圆形或其它合适的投影形状。本发明前述实施例的像素电极PE可为单层或多层结构，且其材料可包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铝铟(AIO)、氧化铟(InO)与氧化镓(gallium oxide,GaO)、石墨烯、纳米银或其它合适的材料或前述任二者材料的堆栈。于其它实施例中，若像素电极PE一部份使用遮光导电材料或者像素电极PE为遮光导电材料与透明导电材料堆栈。于其它实施例中，像素结构可为单一个像素及/或像素具有多个次像素结构，其余相关设计可参阅前述，再此不再赘言。
本发明前述实施例的显示面板可包含非自发光显示面板(例如：垂直电场非自发光显示面板、水平电场非自发光显示面板、复合式电场非自发光显示面板或其它电场驱动方式的非自发光显示面板)，例如：液晶显示面板为范例，但不限于此。于其它实施例中，亦可为自发光显示面板或者是自发光与非自发光的复合式显示面板。
虽然本发明的实施例及其优点已揭露如上，但应该了解的是，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。此外，本发明的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何本领域技术人员可从本发明揭示内容中理解现行或未来所发展出的工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本发明使用。因此，本发明的保护范围包括上述工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一申请专利范围构成个别的实施例，且本发明的保护范围也包括各个申请专利范围及实施例的组合。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (8)
1.一种像素结构，其特征在于，包括：
一基板；
多条数据线，设置于该基板上；
多条扫描线，设置于该基板上，且该多条扫描线与该多条数据线交错，其中，每一扫描线具有一第一侧与一相对的第二侧；
多个像素电极，设置于该基板上，该多个像素电极包含至少二个相邻的像素电极，其中，每一像素电极经由至少一主动元件连接于所对应的数据线与所对应的扫描线；以及
至少一延伸电极，设置于该基板上，其中，该至少二相邻的像素电极于该基板上的垂直投影之间存在该多条扫描线其中一条与该至少一延伸电极，其中，该至少一延伸电极一端连接该至少二个相邻的像素电极其中一个且经过该第一侧与该第二侧往该至少二个相邻的像素电极另一个延伸，但该至少一延伸电极另一端与该至少二个相邻的像素电极另一个相分隔；
该至少一延伸电极具有一长度与一预定距离呈反比，其中，该预定距离为该至少二个相邻的像素电极其中一个与位于该至少二个相邻的像素电极之间的该多条扫描线其中一条之间的距离。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该至少一延伸电极垂直投影于该基板上的形状包含多边形。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该至少一延伸电极垂直投影于该基板上的形状包含L型或T型。
4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该至少二个相邻的像素电极另一个不存在该至少一延伸电极往该至少二个相邻的像素电极其中一个延伸。
5.一种像素结构，其特征在于，包括：
一基板；
多个像素电极，设置于该基板上，且每个像素电极经由至少一主动元件电性连接至少一数据线及至少一扫描线，其中，相邻的二个像素电极之间存在该至少一扫描线；
至少一延伸电极，设置于该基板上，其中，该至少一延伸电极设置于该相邻的二个像素电极之间，该至少一延伸电极一端连接该相邻的二个像素电极其中一个，该延伸电极另一端往该相邻的二个像素电极另一个延伸且经过位于相邻的二个像素电极之间的该至少一扫描线，但该至少一延伸电极另一端不连接该相邻的二个像素电极另一个；
该至少一延伸电极具有一长度与一预定距离呈反比，其中，该预定距离为该相邻的二个像素电极其中一个与位于该相邻的二个像素电极之间的该至少一条扫描线之间的距离。
6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，该至少一延伸电极垂直投影于该基板上的形状包含多边形。
7.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，该至少一延伸电极垂直投影于该基板上的形状包含L型或T型。
8.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，该相邻的二个像素电极另一个不存在该至少一延伸电极往该相邻的二个像素电极其中一个延伸。
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