CN106848020B - 一种GaN基发光二极管外延片的制造方法 - Google Patents
一种GaN基发光二极管外延片的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106848020B CN106848020B CN201611161065.XA CN201611161065A CN106848020B CN 106848020 B CN106848020 B CN 106848020B CN 201611161065 A CN201611161065 A CN 201611161065A CN 106848020 B CN106848020 B CN 106848020B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- temperature
- gan layer
- type
- gan
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 50
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 23
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract description 7
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 158
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 2
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 210000003739 neck Anatomy 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
- H01L33/145—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。包括：在衬底上依次形成缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、N型阻挡层、应力释放层、量子阱、P型电子阻挡层、P型GaN层；N型阻挡层由高温AlGaN层和低温GaN层组成，高温AlGaN层和低温GaN层中均掺杂有N型掺杂剂，高温AlGaN层的生长温度高于低温GaN层的生长温度。本发明通过高温AlGaN层有效限制电子的迁移，减小电子的迁移速率，提高发光阱区载流子的浓度，最终提升发光效率；同时通过低温GaN层阻隔缺陷，改变V形坑的大小和开口位置，减少由于晶格失配产生的位错，减少漏电，提高抗静电能力。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种GaN基发光二极管外延片的制造方法。
背景技术
GaN材料在发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)器件上的应用十分普遍，是人们一直以来关注的热点。采用GaN制造的LED颜色纯正、亮度高、能耗低，性能比传统的AlGaInP基LED或者GaAlAs基LED更优越，广泛应用于照明、医疗、显示、玩具等众多领域。
GaN基LED通常在蓝宝石衬底上形成，蓝宝石与GaN之间存在晶格失配，LED内会产生缺陷和位错，造成电子和空穴之间的非辐射复合增多，大大降低LED的发光效率。
发明内容
为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种GaN基发光二极管外延片的制造方法。所述技术方案如下：
本发明实施例提供了一种GaN基发光二极管外延片的制造方法，所述制造方法包括：
在衬底上依次形成缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、N型阻挡层、应力释放层、量子阱、P型电子阻挡层、P型GaN层；
其中，所述N型阻挡层由高温AlGaN层和低温GaN层组成，所述高温AlGaN层和所述低温GaN层中均掺杂有N型掺杂剂，所述高温AlGaN层的生长温度高于所述低温GaN层的生长温度。
在本发明一种可能的实现方式中，所述高温AlGaN层的生长温度高于所述N型GaN层的生长温度，所述低温GaN层的生长温度低于所述N型GaN层的生长温度。
可选地，所述高温AlGaN层的生长温度比所述N型GaN层的生长温度高10～100℃。
可选地，所述低温GaN层的生长温度比所述N型GaN层的生长温度低10～100℃。
在本发明另一种可能的实现方式中，所述低温GaN层的厚度为所述高温AlGaN层的厚度的4～12倍。
可选地，所述高温AlGaN层的厚度为2～15nm。
在本发明又一种可能的实现方式中，所述高温AlGaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度高于所述低温GaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度。
可选地，所述高温AlGaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度为1019～1020cm-3。
在本发明又一种可能的实现方式中，所述低温GaN层为N型掺杂的GaN层，或者N型掺杂的GaN层和没有掺杂的GaN层交替层叠形成的超晶格结构。
可选地，所述N型掺杂的GaN层和所述没有掺杂的GaN层的层数相同，所述没有掺杂的GaN层的层数为2～20层。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过在N型GaN层上形成由高温AlGaN层和低温GaN层组成的N型阻挡层，高温AlGaN层的生长温度高于低温GaN层的生长温度，高温AlGaN层可以有效限制电子的迁移，减小电子的迁移速率，避免电子越过发光阱区，提高发光阱区载流子的浓度，最终提升发光效率；同时低温GaN层可以阻隔缺陷，改变V形坑的大小和开口位置，减少由于晶格失配产生的位错，减少漏电，提高抗静电能力。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例一提供的一种GaN基发光二极管外延片的制造方法的流程示意图；
图2是本发明实施例一提供的N型阻挡层的结构示意图；
图3是本发明实施例一提供的外延片的结构示意图；
图4是本发明实施例二提供的生长温度的对比示意图；
图5是本发明实施例三提供的厚度和掺杂浓度的对比示意图；
图6是本发明实施例四提供的N型阻挡层的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
实施例一
本发明实施例提供了一种GaN基发光二极管外延片的制造方法，在本实施例中，采用金属有机化合物化学气相沉淀(英文：Metal Organic Chemical Vapor Deposition，简称：MOCVD)技术制造外延片，以三甲基镓(TMGa)或者三乙基镓(TEGa)作为镓源，高纯NH3作为氮源，三甲基铟(TMIn)作为铟源，三甲基铝(TMAl)作为铝源，N型掺杂剂选用硅烷(SiH4)，P型掺杂剂选用二茂镁(CP2Mg)。
具体地，参见图1，该制造方法包括：
步骤201：在衬底上形成缓冲层。
在本实施例中，衬底可以为蓝宝石衬底，衬底的尺寸可以为2英寸、4英寸或者8英寸。缓冲层可以为GaN层，也可以由交替层叠的GaN层和AlGaN层组成。
步骤202：在缓冲层上形成未掺杂GaN层。
具体地，未掺杂GaN层可以为单层没有掺杂的GaN层，也可以为多层没有掺杂的GaN层，各层GaN层的生长温度不同。
步骤203：在未掺杂GaN层上形成N型GaN层。
具体地，N型GaN层可以为单层掺杂Si的GaN层，也可以为多层掺杂Si的GaN层，各层GaN层中Si的掺杂浓度不同。
步骤204：在N型GaN层上形成N型阻挡层。
在本实施例中，参见图2，N型阻挡层由高温AlGaN层51和低温GaN层52组成，高温AlGaN层和低温GaN层中均掺杂有N型掺杂剂，高温AlGaN层的生长温度高于低温GaN层的生长温度。
在本实施例的一种实现方式中，高温AlGaN层的生长温度可以高于N型GaN层的生长温度，低温GaN层的生长温度可以低于N型GaN层的生长温度。
可选地，高温AlGaN层的生长温度可以比N型GaN层的生长温度高10～100℃。
可选地，低温GaN层的生长温度可以比N型GaN层的生长温度低10～100℃。
在本实施例的另一种实现方式中，低温GaN层的厚度可以为高温AlGaN层的厚度的4～12倍。
可选地，高温AlGaN层的厚度可以为2～15nm。
在本实施例的又一种实现方式中，高温AlGaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度可以高于低温GaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度。
可选地，高温AlGaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度可以为1019～1020cm-3。
在本实施例的又一种实现方式中，低温GaN层可以为N型掺杂的GaN层，或者N型掺杂的GaN层和没有掺杂的GaN层交替层叠形成的超晶格结构。
可选地，N型掺杂的GaN层和没有掺杂的GaN层的层数相同，没有掺杂的GaN层的层数可以为2～20层。
步骤205：在N型阻挡层上形成应力释放层。
在本实施例中，应力释放层为InGaN层和GaN层交替层叠形成的超晶格结构，也可以为单层的InGaN层。
步骤206：在应力释放层上形成量子阱。
在本实施例中，量子阱可以为InGaN量子阱层，也可以为InGaN量子阱层和GaN量子垒层交替层叠形成的超晶格结构。
步骤207：在量子阱上形成P型电子阻挡层。
在本实施例中，P型电子阻挡层可以为P型掺杂的AlGaN层。
步骤208：在P型电子阻挡层上形成P型GaN层。
图3为本实施例制造的发光二极管外延片的结构示意图。其中，1为衬底，2为缓冲层，3为未掺杂GaN层，4为N型GaN层，5为N型阻挡层，6为应力释放层，7为量子阱，8为P型电子阻挡层，9为P型GaN层。
本发明实施例通过在N型GaN层上形成由高温AlGaN层和低温GaN层组成的N型阻挡层，高温AlGaN层的生长温度高于低温GaN层的生长温度，高温AlGaN层可以有效限制电子的迁移，减小电子的迁移速率，避免电子越过发光阱区，提高发光阱区载流子的浓度，最终提升发光效率；同时低温GaN层可以阻隔缺陷，改变V形坑的大小和开口位置，减少由于晶格失配产生的位错，减少漏电，提高抗静电能力。
实施例二
本发明实施例提供了一种GaN基发光二极管外延片的制造方法，为实施例一提供的制造方法的一种具体实现。在本实施例中，参见图4，N型GaN层的生长温度为1200℃，高温AlGaN层的生长温度为1260℃，低温GaN层的生长温度为1150℃。
本发明实施例通过在N型GaN层上生长高温AlGaN层，减缓电子的迁移速率，有效阻挡电子迁移，同时在高温下让部分位错逐渐变小，甚至闭合。接着再生长低温GaN层，限制部分小位错继续扩大，与高温AlGaN层相互作用，限制电子迁移，提高电子和空穴的复合几率，同时减小位错密度，改善漏电流，提高晶体质量。实验表明，本实施例制造的外延片制成的LED芯片，相比传统LED芯片，4KV条件下的静电释放(英文：Electro-Static discharge，简称：ESD)良率提升了13％。
实施例三
本发明实施例提供了一种GaN基发光二极管外延片的制造方法，为实施例一提供的制造方法的一种具体实现。在本实施例中，参见图5，低温GaN层的厚度可以为高温AlGaN层的厚度的4～12倍，并且高温AlGaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度可以高于低温GaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度，高温AlGaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度可以为1019～1020cm-3。
在本实施例中，逐渐增加高温AlGaN层的厚度，N型阻挡层对电子的限制作用先在一定程度上变强再没有明显变化。当高温AlGaN层的厚度和低温GaN层的厚度达到最佳时，AlGaN和GaN更容易形成二维电子气，电子受到限制，载流子浓度升高，发光效率得到提升。同时高温AlGaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度可以高于低温GaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度，可以改善电流的扩展能力，增加电容效应，减少漏电途径，有利于晶体质量的提高和电子空穴的复合效率。实验表明，在最优条件(包括厚度和掺杂浓度)下，本实施例制造的外延片制成的LED芯片，相比传统LED芯片，发光效率提高5％，4KV条件下的抗静电能力(即ESD良率)提升了10％。
实施例四
本发明实施例提供了一种GaN基发光二极管外延片的制造方法，为实施例一提供的制造方法的一种具体实现。在本实施例中，参见图6，N型阻挡层由高温AlGaN层51和低温GaN层52组成，低温GaN层52为五层N型掺杂的GaN层52a和五层没有掺杂的GaN层52b交替层叠形成的超晶格结构。
本发明实施例通过低温GaN层为N型掺杂的GaN层和没有掺杂的GaN层交替层叠形成的超晶格结构，一方面可以阻断积累的应力形成的缺陷，减小位错，另一方面避免由于位错密度太小，导致位错诱导形成的V形坑太小，进而对空穴的注入造成不良影响，在最优的超晶格层数下，可以既加深空穴的注入深度，又减小部分位错，最终提升发光效率和改善漏电。实验表明，在最优条件(超晶格层数)下，本实施例制造的外延片制成的LED芯片，相比传统LED芯片，发光效率提高12％，4KV条件下的抗静电能力(即ESD良率)提升了20％。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种GaN基发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
在衬底上依次形成缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、N型阻挡层、应力释放层、量子阱、P型电子阻挡层、P型GaN层；
其中，所述N型阻挡层由高温AlGaN层和低温GaN层组成，所述高温AlGaN层和所述低温GaN层中均掺杂有N型掺杂剂，所述高温AlGaN层的生长温度高于所述低温GaN层的生长温度。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述高温AlGaN层的生长温度高于所述N型GaN层的生长温度，所述低温GaN层的生长温度低于所述N型GaN层的生长温度。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述高温AlGaN层的生长温度比所述N型GaN层的生长温度高10～100℃。
4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述低温GaN层的生长温度比所述N型GaN层的生长温度低10～100℃。
5.根据权利要求1～4任一项所述的制造方法，其特征在于，所述低温GaN层的厚度为所述高温AlGaN层的厚度的4～12倍。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述高温AlGaN层的厚度为2～15nm。
7.根据权利要求1～4任一项所述的制造方法，其特征在于，所述高温AlGaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度高于所述低温GaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述高温AlGaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度为1019～1020cm-3。
9.根据权利要求1～4任一项所述的制造方法，其特征在于，所述低温GaN层为N型掺杂的GaN层和没有掺杂的GaN层交替层叠形成的超晶格结构。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述N型掺杂的GaN层和所述没有掺杂的GaN层的层数相同，所述没有掺杂的GaN层的层数为2～20层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611161065.XA CN106848020B (zh) | 2016-12-15 | 2016-12-15 | 一种GaN基发光二极管外延片的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611161065.XA CN106848020B (zh) | 2016-12-15 | 2016-12-15 | 一种GaN基发光二极管外延片的制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106848020A CN106848020A (zh) | 2017-06-13 |
| CN106848020B true CN106848020B (zh) | 2019-05-14 |
Family
ID=59140244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611161065.XA Active CN106848020B (zh) | 2016-12-15 | 2016-12-15 | 一种GaN基发光二极管外延片的制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106848020B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109256443B (zh) * | 2018-09-03 | 2020-05-29 | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 | 一种利用溅射GaN衬底的外延生长的半导体发光二极管及制备方法 |
| CN109860357B (zh) * | 2018-10-30 | 2021-08-03 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法 |
| WO2023279241A1 (zh) * | 2021-07-05 | 2023-01-12 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | Led芯片、led阵列及电子设备 |
| CN114122208B (zh) * | 2021-11-10 | 2022-11-29 | 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 | 一种led外延结构、led芯片及led外延结构制备方法 |
| CN115425128B (zh) * | 2022-10-21 | 2023-01-31 | 至善时代智能科技(北京)有限公司 | 一种紫外led外延结构及其制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101604716A (zh) * | 2008-06-10 | 2009-12-16 | 北京大学 | 一种深紫外发光二极管及其制备方法 |
| CN101847578A (zh) * | 2010-04-23 | 2010-09-29 | 西安电子科技大学 | 基于m面Al2O3衬底上半极性GaN的生长方法 |
| CN103400914A (zh) * | 2013-08-07 | 2013-11-20 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种提高氮化镓基电流扩展的外延结构及其生长方法 |
| CN104009138A (zh) * | 2014-05-21 | 2014-08-27 | 华南师范大学 | 一种led外延结构 |
| CN104576852A (zh) * | 2015-01-26 | 2015-04-29 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种GaN基LED外延结构的发光量子阱应力调控方法 |
| CN205385037U (zh) * | 2016-03-01 | 2016-07-13 | 聚灿光电科技股份有限公司 | 紫外GaN基LED外延结构 |
-
2016
- 2016-12-15 CN CN201611161065.XA patent/CN106848020B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101604716A (zh) * | 2008-06-10 | 2009-12-16 | 北京大学 | 一种深紫外发光二极管及其制备方法 |
| CN101847578A (zh) * | 2010-04-23 | 2010-09-29 | 西安电子科技大学 | 基于m面Al2O3衬底上半极性GaN的生长方法 |
| CN103400914A (zh) * | 2013-08-07 | 2013-11-20 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种提高氮化镓基电流扩展的外延结构及其生长方法 |
| CN104009138A (zh) * | 2014-05-21 | 2014-08-27 | 华南师范大学 | 一种led外延结构 |
| CN104576852A (zh) * | 2015-01-26 | 2015-04-29 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种GaN基LED外延结构的发光量子阱应力调控方法 |
| CN205385037U (zh) * | 2016-03-01 | 2016-07-13 | 聚灿光电科技股份有限公司 | 紫外GaN基LED外延结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106848020A (zh) | 2017-06-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106848020B (zh) | 一种GaN基发光二极管外延片的制造方法 | |
| CN103681985B (zh) | 一种发光二极管的外延片及其制作方法 | |
| CN108461592B (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| JP6587673B2 (ja) | 発光素子 | |
| CN109346583B (zh) | 一种发光二极管外延片及其制备方法 | |
| CN106159048B (zh) | 一种发光二极管外延片及其生长方法 | |
| CN104576852A (zh) | 一种GaN基LED外延结构的发光量子阱应力调控方法 | |
| CN105633235A (zh) | 一种n型GaN结构的GaN基LED外延结构及生长方法 | |
| CN110265514B (zh) | 发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片 | |
| JP2009260203A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| WO2019015217A1 (zh) | 一种深紫外led | |
| CN217641376U (zh) | 一种led外延片及led芯片 | |
| CN106229390A (zh) | 一种GaN基发光二极管芯片的生长方法 | |
| CN106972085A (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN108336198A (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN103413877A (zh) | 外延结构量子阱应力释放层的生长方法及其外延结构 | |
| CN112366256B (zh) | 发光二极管外延片及其制造方法 | |
| WO2024002094A1 (zh) | 一种发光二极管及其外延结构 | |
| CN109473514A (zh) | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN106848017B (zh) | 一种GaN基发光二极管的外延片及其生长方法 | |
| CN109671817B (zh) | 一种发光二极管外延片及其制备方法 | |
| CN105552178A (zh) | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法 | |
| JP6500239B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 | |
| WO2019149095A1 (zh) | 一种GaN基LED外延结构及其制备方法 | |
| CN113161453B (zh) | 发光二极管外延片及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |