CN106847669A - 铝膜工艺方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种铝膜工艺方法，适用于厚度不低于的铝膜，去除金属膜时去掉聚合物，再用湿法刻蚀加干法刻蚀将剩余聚合物完全去除。去除金属膜采用氧气流和水剥离的方法。本发明方法在金属膜剥离时去除聚合物，再用湿法刻蚀和干法刻蚀完全去除剩余的聚合物，能将聚合物去除干净，增加后续工艺腐蚀窗口。

Description

铝膜工艺方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，特别是指一种针对厚度以上的铝膜工艺方法。
背景技术
铝在半导体工艺中被广泛应用，比如形成金属互连线、各种极板等等。从导电性能的角度来看，铝的导电性要比铜和金差一些，但如果用铜代替铝，铜与铝的接触电阻很高，并且如果铜进入器件区将引起器件性能的灾难，而铝则不具有前述问题，因而成为一种很好的选择。它有足够低的电阻率，有很好的过电流密度，对二氧化硅有很好的粘附性，能形成很高的纯度，天然具备与硅的低接触电阻，易于图形化工艺等等。
传统的铝膜湿法刻蚀是基于磷酸。现有厚铝(厚度以上)刻蚀工艺中由于刻蚀时间长，使用光刻胶厚，导致铝金属侧壁的聚合物(剩余的光刻胶)很厚，后续即使使用多次湿法和干法刻蚀都不能有效把聚合物去除干净，如图1所示，而造成金属腐蚀的因素之一的氯气Cl2,都隐藏在聚合物里面，铝腐蚀的反应原理为：
Al+Cl2→AlCl3；
AlCl3+H2O→Al(OH)3+Cl2.
可以看出，上述反应式能反复循环进行，铝就一直被腐蚀下去。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种铝膜工艺方法，能完全去除聚合物，保护铝膜不会被腐蚀。
本发明所述的铝膜工艺方法，适用于厚度不低于的铝膜，去除金属膜时去掉聚合物，再用湿法刻蚀加干法刻蚀将剩余聚合物完全去除。
进一步地，去除金属膜采用氧气流和水剥离的方法。
进一步地，去除金属膜时温度控制在230～270℃。
进一步地，氧气流使用工艺参数为:压力2Torr,射频功率0W，氧气流量4000sccm，时间为20s；水剥离使用工艺参数为：压力2Torr，射频功率1400w，水蒸气流量500sccm，时间为60s。
本发明所述的铝膜工艺方法，在金属膜剥离时去除聚合物，再用湿法刻蚀和干法刻蚀完全去除剩余的聚合物，能将聚合物去除干净，增加后续工艺腐蚀窗口。
附图说明
图1是铝金属膜聚合物残留的示意图，图中可见金属侧壁有聚合物残留。
图2是使用本发明工艺后，金属膜侧壁聚合物被去除干净的示意图。
具体实施方式
本发明所述的铝膜工艺方法，适用于厚度不低于的厚铝膜，首先是去除金属膜时去掉聚合物，去除金属膜采用氧气流和水剥离的方法，温度控制在230～270℃，氧气流使用工艺参数为:压力2Torr,射频功率0W，氧气流量4000sccm，时间为20s；水剥离使用工艺参数为：压力2Torr，射频功率1400w，水蒸气流量500sccm，时间为60s。再用湿法刻蚀加干法刻蚀将剩余聚合物完全去除。如图2所示，经过上述工艺之后，金属铝膜侧壁的聚合物已经几乎被全部去除，金属侧壁保持干净，增加后续工艺的腐蚀窗口。
以上仅为本发明的优选实施例，并不用于限定本发明。对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种铝膜工艺方法，适用于厚度不低于的铝膜，其特征在于：去除金属膜时去掉聚合物，再用湿法刻蚀加干法刻蚀将剩余聚合物完全去除。
2.如权利要求1所述的铝膜工艺方法，其特征在于：去除金属膜采用氧气流和水剥离的方法。
3.如权利要求2所示的铝膜工艺方法，其特征在于：去除金属膜时温度控制在230～270℃。
4.如权利要求2所述的铝膜工艺方法，其特征在于：氧气流使用工艺参数为:压力2Torr,射频功率0W，氧气流量4000sccm，时间为20s；水剥离使用工艺参数为：压力2Torr，射频功率1400w，水蒸气流量500sccm，时间为60s。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030228755A1 (en) * 2002-06-07 2003-12-11 Esry Thomas Craig Method for metal patterning and improved linewidth control
US20040180551A1 (en) * 2003-03-13 2004-09-16 Biles Peter John Carbon hard mask for aluminum interconnect fabrication
CN101063821A (zh) * 2006-04-30 2007-10-31 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 去除刻蚀残留物的方法
CN102723273A (zh) * 2012-05-28 2012-10-10 上海华力微电子有限公司 一种扩大铝线干法刻蚀腐蚀缺陷工艺窗口的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030228755A1 (en) * 2002-06-07 2003-12-11 Esry Thomas Craig Method for metal patterning and improved linewidth control
US20040180551A1 (en) * 2003-03-13 2004-09-16 Biles Peter John Carbon hard mask for aluminum interconnect fabrication
CN101063821A (zh) * 2006-04-30 2007-10-31 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 去除刻蚀残留物的方法
CN102723273A (zh) * 2012-05-28 2012-10-10 上海华力微电子有限公司 一种扩大铝线干法刻蚀腐蚀缺陷工艺窗口的方法

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