CN106847341A - 一种纯电动汽车综合信息存储装置的存储体自检装置及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种纯电动汽车综合信息存储装置的存储体自检装置及方法，包括存储体、控制芯片和缓存SRAM，所述存储体分别通过存储体连接数据总线、存储体连接地址总线和存储体连接控制总线与控制芯片控制连接，所述缓存SRAM分别通过缓存连接数据总线、缓存连接地址总线和缓存连接控制总线与控制芯片控制连接；所述存储体的全部地址空间分成若干个被检测块。在综合信息数据存储装置刚刚开始上电时就对存储体的好坏进行检测，并且标记出发生故障的存储空间，使得综合信息数据存储装置在记录数据时能够避免将数据存储在有故障的存储体上。

Description

一种纯电动汽车综合信息存储装置的存储体自检装置及方法
技术领域
本发明涉及纯电动汽车上安装综合信息数据存储装置领域，具体地说是一种纯电动汽车综合信息存储装置的存储体自检装置及方法。
背景技术
纯电动汽车是新能源汽车发展的重要方向。国家鼓励在纯电动汽车上安装综合信息数据存储装置来记录纯电动汽车的运行状况，以为事故责任鉴定、实际行驶里程鉴定等工作提供依据。因此综合信息存储装置上的存储体的好坏就变得十分重要。目前公知的综合信息数据存储装置不进行存储体自检，这样如果要记录的数据被写入到坏的存储体当中就会让数据不能正常记录，造成数据丢失风险。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术缺陷，提供一种纯电动汽车综合信息存储装置的存储体自检装置及方法，解决综合信息数据存储装置不进行存储体数据检测可能导致的数据写入坏的存储体而引起的数据丢失的问题。
本发明通过下述技术方案实现：
一种纯电动汽车综合信息存储装置的存储体自检装置，包括存储体、控制芯片和缓存SRAM，所述存储体分别通过存储体连接数据总线、存储体连接地址总线和存储体连接控制总线与控制芯片控制连接，所述缓存SRAM分别通过缓存连接数据总线、缓存连接地址总线和缓存连接控制总线与控制芯片控制连接；所述存储体的全部地址空间分成若干个被检测块。
进一步的，所述存储体的全部地址空间按照顺序分成若干个被检测块。
进一步的，所述存储体的全部地址空间按照固定的大小存储空间分成若干个被检测块。
本发明通过下述另一技术方案实现：
一种纯电动汽车综合信息存储装置的存储体自检方法，包括步骤：
步骤1：控制芯片将存储体的第一个存储体内的被检测块的数据读入到缓存SRAM（3）中；
步骤2：然后控制芯片对存储体内的该被检测块进行写入规定拓扑的数据；
步骤3：再从该存储体内的被检测块中读出数据和写入的数据作比较；
步骤4：如果读出的数据和写入的数据不一致，说明存储体内的该被检测块为故障存储体，上面存储的数据已经不可信，则将存储体内的该被检测块对应的地址空间标记为故障块，并废弃数据；
步骤5：如果读出的数据与写入的都一致，说明存储体内的该被检测块是好块，则将缓存在缓存SRAM内的数据再写回到存储体内的该被检测块地址空间内。
进一步的，还包括步骤：
步骤6：对存储体上的其他被检测块重复上述操作，直到对存储体上的全部被检测块都被检测到。
本发明的有益效果是：
在综合信息数据存储装置刚刚开始上电时就对存储体的好坏进行检测，并且标记出发生故障的存储空间，使得综合信息数据存储装置在记录数据时能够避免将数据存储在有故障的存储体上。
附图说明
图1为本发明一种纯电动汽车综合信息存储装置的存储体自检装置的原理示意图；
图2为本发明存储体自检的流程示意图；
附图中标记及相应的零部件名称：
1-存储体，2-控制芯片，3-缓存SRAM，4-被检测块，5-缓存连接数据总线，6-缓存连接地址总线，7-缓存连接控制总线，8-存储体连接数据总线，9-存储体连接地址总线，10-存储体连接控制总线。
具体实施方式
下面结合实施例进一步说明本发明的实质内容，但本发明的内容并不限于此。
实施例1
如图1所示，一种纯电动汽车综合信息存储装置的存储体自检装置，包括存储体1、控制芯片2和缓存SRAM3，存储体1分别通过存储体连接数据总线8、存储体连接地址总线9和存储体连接控制总线10与控制芯片2控制连接，缓存SRAM3分别通过缓存连接数据总线5、缓存连接地址总线6和缓存连接控制总线7与控制芯片2控制连接；存储体1的全部地址空间按照顺序分成10个被检测块4，如第一被检测块、第二被检测块、第三被检测块、、、、第十被检测块。被检测块4按照相同的存储空间分成。
控制芯片２将存储体１的第一个存储体内的被检测块４的数据读入到缓存SRAM3中；然后控制芯片２对存储体1内的该被检测块４进行写入规定拓扑的数据；再从该存储体内的被检测块４中读出数据和写入的数据作比较；如果读出的数据和写入的数据不一致，说明存储体1内的该被检测块４为故障存储体，上面存储的数据已经不可信，则将存储体1内的该被检测块４对应的地址空间标记为故障块，并废弃数据；如果读出的数据与写入的都一致，说明存储体1内的该被检测块４是好块，则将缓存在缓存SRAM3内的数据再写回到存储体3内的该被检测块４地址空间内。
对存储体１上的其他被检测块４重复上述操作，直到对存储体１上的全部被检测块４都被检测到。
在综合信息数据存储装置刚刚开始上电时就对存储体的好坏进行检测，并且标记出发生故障的存储空间，使得综合信息数据存储装置在记录数据时能够避免将数据存储在有故障的存储体上。
实施例2
如图2所示，一种纯电动汽车综合信息存储装置的存储体自检方法，包括步骤：
步骤1：控制芯片２将存储体１的第一个存储体内的被检测块４的数据读入到缓存SRAM3中；
步骤2：然后控制芯片２对存储体1内的该被检测块４进行写入规定拓扑的数据；如十六进制的0x00，0xff，0x55，0xaa等操作；
步骤3：再从该存储体内的被检测块４中读出数据和写入的数据作比较；
步骤4：如果读出的数据和写入的数据不一致，说明存储体1内的该被检测块４为故障存储体，上面存储的数据已经不可信，则将存储体1内的该被检测块４对应的地址空间标记为故障块，并废弃数据；
步骤5：如果读出的数据与写入的都一致，说明存储体1内的该被检测块（４）是好块，则将缓存在缓存SRAM3内的数据再写回到存储体3内的该被检测块４地址空间内。
5、如权利要求4的一种纯电动汽车综合信息存储装置的存储体自检方法，其特征在于，还包括步骤：
步骤6：对存储体１上的其他被检测块４按顺序重复上述操作，直到对存储体１上的全部被检测块４都被检测到。
本发明一种纯电动汽车综合信息存储装置的存储体自检方法，空闲时对上面的存储体进行自动检测，检测结束后将检测的结果保存下来，这样综合信息数据存储装置在记录数据时避开有故障的存储体对应的地址空间，避免数据丢失。
以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种纯电动汽车综合信息存储装置的存储体自检装置，包括存储体（1）、控制芯片（2）和缓存SRAM（3），其特征在于：所述存储体（1）分别通过存储体连接数据总线（8）、存储体连接地址总线（9）和存储体连接控制总线（10）与控制芯片（2）控制连接，所述缓存SRAM（3）分别通过缓存连接数据总线（5）、缓存连接地址总线（6）和缓存连接控制总线（7）与控制芯片（2）控制连接；所述存储体（1）的全部地址空间分成若干个被检测块（4）。
2.根据权利要求1所述的一种纯电动汽车综合信息存储装置的存储体自检装置，其特征在于：所述存储体（1）的全部地址空间按照顺序分成若干个被检测块（4）。
3.根据权利要求1或2所述的一种纯电动汽车综合信息存储装置的存储体自检装置，其特征在于：所述存储体（1）的全部地址空间按照固定的大小存储空间分成若干个被检测块（4）。
4.如权利要求1的一种纯电动汽车综合信息存储装置的存储体自检方法，其特征在于，包括步骤：
步骤1：控制芯片（２）将存储体（１）的第一个存储体内的被检测块（４）的数据读入到缓存SRAM（3）中；
步骤2：然后控制芯片（２）对存储体（1）内的该被检测块（４）进行写入规定拓扑的数据；
步骤3：再从该存储体内的被检测块（４）中读出数据和写入的数据作比较；
步骤4：如果读出的数据和写入的数据不一致，说明存储体（1）内的该被检测块（４）为故障存储体，上面存储的数据已经不可信，则将存储体（1）内的该被检测块（４）对应的地址空间标记为故障块，并废弃数据；
步骤5：如果读出的数据与写入的都一致，说明存储体（1）内的该被检测块（４）是好块，则将缓存在缓存SRAM（3）内的数据再写回到存储体（3）内的该被检测块（４）地址空间内。
5.如权利要求4的一种纯电动汽车综合信息存储装置的存储体自检方法，其特征在于，还包括步骤：
步骤6：对存储体（１）上的其他被检测块（４）重复上述操作，直到对存储体（１）上的全部被检测块（４）都被检测到。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1427420A (zh) * 2001-12-20 2003-07-02 华为技术有限公司 Ram高速测试控制电路及其测试方法
CN1725382A (zh) * 2004-07-20 2006-01-25 中兴通讯股份有限公司 一种闪存存储器的检测方法
CN200968863Y (zh) * 2006-05-25 2007-10-31 万向电动汽车有限公司 电动汽车车载信息平台
CN101599305A (zh) * 2008-06-04 2009-12-09 威刚科技股份有限公司 具有数据修复功能的储存系统及其数据修复方法
CN101727989A (zh) * 2008-10-16 2010-06-09 付建云 一种nand flash存储芯片测试系统
CN102667944A (zh) * 2009-10-28 2012-09-12 桑迪士克科技股份有限公司 通过写入后读取和适应性重写来管理错误的非易失性存储器和方法
CN103678493A (zh) * 2013-11-13 2014-03-26 许继集团有限公司 电动汽车运营监控的数据存储系统、方法
CN104143359A (zh) * 2013-05-10 2014-11-12 全视技术有限公司 在线存储器测试系统及方法
CN104425040A (zh) * 2013-08-23 2015-03-18 辉达公司 用于测试存储器的方法和系统
CN105760112A (zh) * 2016-02-01 2016-07-13 惠州市蓝微新源技术有限公司 延长存储器使用时间的数据存储方法、读取方法及系统

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1427420A (zh) * 2001-12-20 2003-07-02 华为技术有限公司 Ram高速测试控制电路及其测试方法
CN1725382A (zh) * 2004-07-20 2006-01-25 中兴通讯股份有限公司 一种闪存存储器的检测方法
CN200968863Y (zh) * 2006-05-25 2007-10-31 万向电动汽车有限公司 电动汽车车载信息平台
CN101599305A (zh) * 2008-06-04 2009-12-09 威刚科技股份有限公司 具有数据修复功能的储存系统及其数据修复方法
CN101727989A (zh) * 2008-10-16 2010-06-09 付建云 一种nand flash存储芯片测试系统
CN102667944A (zh) * 2009-10-28 2012-09-12 桑迪士克科技股份有限公司 通过写入后读取和适应性重写来管理错误的非易失性存储器和方法
CN104143359A (zh) * 2013-05-10 2014-11-12 全视技术有限公司 在线存储器测试系统及方法
CN104425040A (zh) * 2013-08-23 2015-03-18 辉达公司 用于测试存储器的方法和系统
CN103678493A (zh) * 2013-11-13 2014-03-26 许继集团有限公司 电动汽车运营监控的数据存储系统、方法
CN105760112A (zh) * 2016-02-01 2016-07-13 惠州市蓝微新源技术有限公司 延长存储器使用时间的数据存储方法、读取方法及系统

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