CN106824404B - 通过干法球磨过筛提高ito粉末松装密度和振实密度的方法 - Google Patents

通过干法球磨过筛提高ito粉末松装密度和振实密度的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106824404B
CN106824404B CN201611184943.XA CN201611184943A CN106824404B CN 106824404 B CN106824404 B CN 106824404B CN 201611184943 A CN201611184943 A CN 201611184943A CN 106824404 B CN106824404 B CN 106824404B
Authority
CN
China
Prior art keywords
density
ito powder
apparent density
ito
tap density
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201611184943.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN106824404A (zh
Inventor
张红梅
左宁伟
马建保
方煕成
张淑琴
徐军伟
周帆
征卫星
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ningxia medium color new materials Co., Ltd.
Original Assignee
Ningxia Medium Color New Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ningxia Medium Color New Materials Co Ltd filed Critical Ningxia Medium Color New Materials Co Ltd
Priority to CN201611184943.XA priority Critical patent/CN106824404B/zh
Publication of CN106824404A publication Critical patent/CN106824404A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106824404B publication Critical patent/CN106824404B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B02CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING; PREPARATORY TREATMENT OF GRAIN FOR MILLING
    • B02CCRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING IN GENERAL; MILLING GRAIN
    • B02C17/00Disintegrating by tumbling mills, i.e. mills having a container charged with the material to be disintegrated with or without special disintegrating members such as pebbles or balls
    • B02C17/10Disintegrating by tumbling mills, i.e. mills having a container charged with the material to be disintegrated with or without special disintegrating members such as pebbles or balls with one or a few disintegrating members arranged in the container
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B02CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING; PREPARATORY TREATMENT OF GRAIN FOR MILLING
    • B02CCRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING IN GENERAL; MILLING GRAIN
    • B02C25/00Control arrangements specially adapted for crushing or disintegrating

Abstract

一种通过干法球磨过筛提高ITO粉末松装密度和振实密度的方法,属于粉末冶金技术领域。此方法包括:将ITO粉末放入装有一定量氧化锆球的容器中进行干法球磨过筛,得到的ITO粉末松装密度和振实密度将有明显提高。此方法处理得到的ITO粉完全适用并有利于模压和等静压制成素坯,在压制过程中将有效减少ITO素坯断裂、掉边等情况,提高ITO靶材成品率和密度,完全满足目前制备高密度ITO烧结体之需要。

Description

通过干法球磨过筛提高ITO粉末松装密度和振实密度的方法
技术领域
本发明属于粉末冶金技术领域,特别涉及一种通过干法球磨过筛提高ITO粉末松装密度和振实密度的方法。
背景技术
掺锡氧化铟(IndiumTinOxide),一般简称为ITO, ITO薄膜是一种n型半导体材料,具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性,因此,它是液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PDP)、电致发光显示器(EL/OLED)、触摸屏(TouchPanel)、太阳能电池以及其他电子仪表的透明电极最常用的薄膜材料,ITO靶材是制备ITO导电薄膜的原料,目前ITO靶的生产主要通过烧结法制备。
ITO粉是制备ITO靶材的原料,ITO粉末经过处理、压制或模铸、等静压制成素坯,烧结最终得到ITO靶材。
ITO粉末的松装密度和振实密度直接影响后续的压制工艺,如松装密度过小将导致压制的素坯强度不足,或掉边掉角现象严重,进而影响到最终的靶材质量,在目前已公开的技术中,处理的ITO粉末松装密度和振实密度无法有效提高或存在其它问题,中国专利申请CN104148159A公开了一种利用球磨机精确控制一次粉松装密度的方法,但此方法较为复杂,辅助设备和工序较多,生产成本高,不利于规模化生产。
发明内容
本发明的目的是针对现有的利用球磨机控制一次粉松装密度方法的不足之处,提供一种通过干法球磨过筛提高ITO粉末松装密度和振实密度的方法。
为实现上述目的,本发明的技术方案为:一种通过干法球磨过筛提高ITO粉末松装密度和振实密度的方法,将ITO粉末放入装有定量氧化锆球的容器中进行干法球磨过筛,得到的ITO粉末松装密度和振实密度明显提高。
该方法的具体步骤如下:
1. 定量称取ITO粉末放入干净容器中;
2.按粉末质量计算所需氧化锆球重量和比例;
3.设定时间干法球磨并过筛;
4.取样测定松装密度振实密度。
本发明的优点是:
通过此发明制造出的ITO粉末,其松装密度和振实密度均有明显提高,此方法处理得到的ITO粉完全适用并有利于模压和等静压制成素坯,在压制过程中将有效减少ITO素坯断裂、掉边等情况,提高ITO靶材成品率和密度,完全满足目前制备高密度ITO烧结体之需要,且设备和工序简单,易于操作。
具体实施方式
本发明的具体实施方式通过实施例做进一步说明。
实施例1:通过干法球磨过筛,提高铟锡比例(In2O3 : SnO2) wt%=90:10的ITO粉末的松装密度和振实密度,具体步骤为:
1.原始ITO粉末松装密度为0.6 g/cm3,振实密度为1.25 g/cm3
2.取ITO粉末3kg装入容器中;
3.称取氧化锆球4.5kg;
4.设定干法球磨时间1小时;
5.过80目标准筛后检测ITO粉末松装密度为0.80 g/cm3,振实密度为1.55g/cm3
实施例2:通过干法球磨过筛,提高铟锡比例(In2O3 : SnO2) wt%=90:10的ITO粉末的松装密度和振实密度,具体步骤为:
1.原始ITO粉末松装密度为0.9g/cm3,振实密度为1.65 g/cm3
2.取ITO粉末3kg装入容器中;
3.称取氧化锆球4.5kg;
4.设定干法球磨时间1小时;
5. 过80目标准筛后检测ITO粉末松装密度为1.0g/cm3,振实密度为1.85g/cm3
实施例3:通过干法球磨过筛,提高铟锡比例(In2O3 : SnO2)wt%=90:10的ITO粉末的松装密度和振实密度,具体步骤为:
1.原始ITO粉末松装密度为0.6g/cm3,振实密度为1.25 g/cm3
2.取ITO粉末3kg装入容器中;
3.称取氧化锆球15kg;
4.设定干法球磨时间1小时;
5. 过80目标准筛后检测ITO粉末松装密度为0.9g/cm3,振实密度为1.80g/cm3
实施例4:通过干法球磨过筛,提高铟锡比例(In2O3 : SnO2) wt%=90:10的ITO粉末的松装密度和振实密度,具体步骤为:
1.原始ITO粉末松装密度为0.9g/cm3,振实密度为1.65 g/cm3
2.取ITO粉末3kg装入容器中;
3.称取氧化锆球15kg;
4.设定干法球磨时间1小时;
5. 过80目标准筛后检测ITO粉末松装密度为1.10g/cm3,振实密度为1.99g/cm3

Claims (3)

1.一种通过干法球磨过筛提高ITO粉末松装密度和振实密度的方法,其特征在于,将ITO粉末放入装有定量氧化锆球的容器中进行干法球磨过筛,具体步骤为:(1)定量称取ITO粉末放入干净容器中;(2)按粉末质量计算所需氧化锆球重量和比例;(3)设定时间干法球磨并过筛;(4)取样测定松装密度和振实密度。
2.根据权利要求1所述的通过干法球磨过筛提高ITO粉末松装密度和振实密度的方法,其特征在于,提高铟锡比例(In2O3 : SnO2) wt%=90:10的ITO粉末的松装密度和振实密度步骤为:(1)原始ITO粉末松装密度为0.6g/cm3~0.9g/cm3,振实密度为1.25 g/cm3~1.65 g/cm3;(2)取ITO粉末3kg装入容器中;(3)称取氧化锆球4.5kg;(4)设定干法球磨时间1小时;(5)过80目标准筛后检测ITO粉末松装密度为0.80 g/cm3~1.0g/cm3,振实密度为1.55g/cm3~1.85g/cm3
3.根据权利要求1所述的通过干法球磨过筛提高ITO粉末松装密度和振实密度的方法,其特征在于,提高铟锡比例(In2O3 : SnO2) wt%=90:10的ITO粉末的松装密度和振实密度步骤为:(1)原始ITO粉末松装密度为0.6g/cm3~0.9g/cm3,振实密度为1.25 g/cm3~1.65 g/cm3;(2)取ITO粉末3kg装入容器中;(3)称取氧化锆球15kg;(4)设定干法球磨时间1小时;(5)过80目标准筛后检测ITO粉末松装密度为0.9g/cm3~1.10g/cm3,振实密度为1.80g/cm3~1.99g/cm3
CN201611184943.XA 2016-12-20 2016-12-20 通过干法球磨过筛提高ito粉末松装密度和振实密度的方法 Active CN106824404B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611184943.XA CN106824404B (zh) 2016-12-20 2016-12-20 通过干法球磨过筛提高ito粉末松装密度和振实密度的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611184943.XA CN106824404B (zh) 2016-12-20 2016-12-20 通过干法球磨过筛提高ito粉末松装密度和振实密度的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106824404A CN106824404A (zh) 2017-06-13
CN106824404B true CN106824404B (zh) 2019-01-08

Family

ID=59140790

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611184943.XA Active CN106824404B (zh) 2016-12-20 2016-12-20 通过干法球磨过筛提高ito粉末松装密度和振实密度的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106824404B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108155025B (zh) * 2017-12-26 2020-09-04 北京化工大学 一种高密度石墨烯材料、制备方法及其储能应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104148159A (zh) * 2014-08-02 2014-11-19 莱芜市泰东粉末科技有限公司 利用球磨机精确控制一次粉松装密度的方法
CN104802284A (zh) * 2015-03-31 2015-07-29 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 一种制备大规格ito坯体的方法
CN105344436A (zh) * 2015-03-09 2016-02-24 中南大学 一种消除雾化合金粉末空心缺陷的方法
CN105921222A (zh) * 2016-05-25 2016-09-07 福建翔丰华新能源材料有限公司 一种高效率制备纳米粉末或浆料的多功能球磨装置及其制备工艺
CN106082993A (zh) * 2016-06-08 2016-11-09 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 一种制备高性能ito造粒粉的方法
CN106111111A (zh) * 2016-06-27 2016-11-16 桂林理工大学 可见光响应的光催化剂LiInSi3O8及其制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012011331A (ja) * 2010-07-01 2012-01-19 Chuo Kakoki Shoji Kk 高純度粉砕物用の円板リング型粉砕媒体使用振動ミル

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104148159A (zh) * 2014-08-02 2014-11-19 莱芜市泰东粉末科技有限公司 利用球磨机精确控制一次粉松装密度的方法
CN105344436A (zh) * 2015-03-09 2016-02-24 中南大学 一种消除雾化合金粉末空心缺陷的方法
CN104802284A (zh) * 2015-03-31 2015-07-29 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 一种制备大规格ito坯体的方法
CN105921222A (zh) * 2016-05-25 2016-09-07 福建翔丰华新能源材料有限公司 一种高效率制备纳米粉末或浆料的多功能球磨装置及其制备工艺
CN106082993A (zh) * 2016-06-08 2016-11-09 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 一种制备高性能ito造粒粉的方法
CN106111111A (zh) * 2016-06-27 2016-11-16 桂林理工大学 可见光响应的光催化剂LiInSi3O8及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
彭平等.纳米ITO粉末的离心喷雾造粒工艺.《粉末冶金材料科学与工程》.2014,第19卷(第3期),第395-400页.

Also Published As

Publication number Publication date
CN106824404A (zh) 2017-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104775097B (zh) 一种低电阻率微硼掺杂旋转溅射硅靶材及其制备方法
CN101770319A (zh) 电容式触控面板及其制造方法以及液晶显示装置
WO2012083082A8 (en) Printable etchant compositions for etching silver nanowire-based transparent, conductive films
CN106830925A (zh) 通过素坯破碎过筛提高ito粉末松装密度和振实密度的方法
CN104603320B (zh) 带透明电极的基板的制造方法、以及带透明电极的基板
CN106824404B (zh) 通过干法球磨过筛提高ito粉末松装密度和振实密度的方法
CN203673462U (zh) 一种ogs全贴合电容屏
JP2009235541A (ja) 酸化亜鉛系焼結ターゲットの製造方法
TWI781315B (zh) 保護層、保護層之製造方法以及氧化物濺鍍靶
CN105734506B (zh) 一种热等静压氧化铌靶材的制备方法
TW201422835A (zh) 濺鍍靶材及導電金屬氧化物薄膜
CN105489270B (zh) 一种夹层结构透明导电薄膜及其制备方法
CN102181826A (zh) 镓钼共掺杂铟锡氧化物陶瓷靶、透明导电薄膜及制备方法
CN105741916B (zh) 一种柔性透明电极及其制备方法
CN107352996A (zh) 一种氧化锡锑陶瓷溅射靶材的制备方法
CN101542009A (zh) SnO2系溅射靶和溅射膜
CN106024110B (zh) 一种锡酸锶基柔性透明导电电极及其制备方法
CN103177800B (zh) 一种高透过率透明导电薄膜及其制备方法
TW200936790A (en) Sno2-based sputtering target
Gabriel et al. Indium extraction from LCD screens
CN209591561U (zh) 一种双面ito导电膜及触摸屏
CN102723441A (zh) 高功函数多层导电膜及其制备方法、有机电致发光器件
CN203976900U (zh) 一种溅射镀膜的靶材结构
CN102719787B (zh) 高功函数导电膜及其制备方法、有机电致发光器件
CN102013279B (zh) 氧化铟锡靶材浆料的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 753000 No. 119 metallurgical Road, Dawukou District, Shizuishan, the Ningxia Hui Autonomous Region

Applicant after: Northwest rare metal materials research institute Ningxia Co., Ltd.

Address before: 753000 No. 119 metallurgical Road, Dawukou District, Shizuishan, the Ningxia Hui Autonomous Region

Applicant before: Xibei Inst. of Rare Metal Material

CB02 Change of applicant information
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20180731

Address after: 753000 No. 119 metallurgical Road, Dawukou District, Shizuishan, the Ningxia Hui Autonomous Region

Applicant after: Ningxia medium color new materials Co., Ltd.

Address before: 753000 No. 119 metallurgical Road, Dawukou District, Shizuishan, the Ningxia Hui Autonomous Region

Applicant before: Northwest rare metal materials research institute Ningxia Co., Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant