CN106816266B - 层叠线圈部件 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种层叠线圈部件，具备具有磁性的素体和线圈。线圈包含配置于素体内的多个内部导体。各内部导体具有：环状部，其具有一个端部及另一端部；延伸部，其沿着一个端部从另一端部延伸并且与一个端部分开。一个端部的边缘和另一端部的边缘互相相对。多个内部导体包含两个第一内部导体和在第一方向上位于两个第一内部导体之间的第二内部导体。两个第一内部导体中至少一个第一内部导体的一个端部包含：第一部分，其从第一方向观察时与第二内部导体的一个端部及另一端部的各边缘重合；第二部分，其从第一方向观察时与第二内部导体的一个端部及另一端部的各边缘之间的第一区域重合。与第一部分相比，第二部分向第一区域的相反侧凹陷。

Description

层叠线圈部件

技术领域

本发明涉及层叠线圈部件。

背景技术

日本特开2010-192715号公报公开了一种层叠线圈部件，具备具有磁性的素体和包含配置于素体内的多个内部导体的线圈。各内部导体具有：环状部，其具有一个端部及另一端部；延伸部，其沿着一个端部从另一端部延伸并且与一个端部分开。一个端部的边缘和另一端部的边缘互相相对。多个内部导体包含至少两个第一内部导体和在第一方向上位于两个第一内部导体彼此之间的第二内部导体。

上述层叠线圈部件中，第二内部导体的环状部的一个端部及另一端部的各边缘之间的距离小。因此，在第二内部导体的一个端部及另一端部的各边缘之间，在第一方向上互相相邻的第一内部导体间的区域狭窄。在该区域中，未充分充填用于构成素体的磁性体材料。因此，上述区域的密度低，上述区域的强度不充分。其结果，上述区域中可能产生裂纹。

发明内容

本发明一个方式的目的在于，提供一种抑制裂纹的产生的层叠线圈部件。

本发明的一个方式的层叠线圈部件具备具有磁性的素体和线圈。线圈包含配置于素体内的多个内部导体。各所述内部导体具有环状部和延伸部，该环状部具有一个端部及另一端部。延伸部沿着一个端部从另一端部延伸并且与一个端部分开。一个端部的边缘和另一端部的边缘互相相对。多个内部导体包含两个第一内部导体和第一方向上位于两个第一内部导体之间的第二内部导体。两个第一内部导体中，至少一个第一内部导体的一个端部包含从第一方向观察时与第二内部导体的一个端部及另一端部的各边缘重合的第一部分和与第二内部导体的一个端部及另一端部的各边缘之间的第一区域重合的第二部分。与第一部分相比，第二部分向第一区域的相反侧凹陷。

上述一个方式的层叠线圈部件中，至少一个第一内部导体的第一部分与第二内部导体的上述各边缘重合。至少一个第一内部导体的第二部分与第一区域重合。在第二内部导体的上述各边缘之间，至少一个第一内部导体的第二部分和另一第一内部导体经由第一区域在第一方向上相邻。即，在第二内部导体的上述各边缘之间，存在第一方向上互相相邻的第一内部导体之间的区域。与第一部分相比，第二部分向第一区域的相反侧凹陷。因此，第一方向上互相相邻的第一内部导体之间的区域在第一方向上扩展，该区域的体积较大。其结果，第一方向上互相相邻的第一内部导体之间的区域中的强度提高，因此，抑制第一区域中的裂纹的产生。

上述一个方式的层叠线圈部件中，第二部分在第一方向上的厚度也可以比第一部分在第一方向上的厚度小。在该情况下，第一内部导体的第二部分在第一方向上比第一内部导体的第一部分薄，因此，第一方向上互相相邻的第一内部导体之间的区域在第一方向上确实地扩展，该区域的体积确实地变大。其结果，第一方向上互相相邻的第一内部导体之间的区域中的强度确实地提高，因此，确实地抑制第一区域中的裂纹的产生。

上述一个方式的层叠线圈部件中，多个内部导体也可以还包含另一第二内部导体。在该情况下，第一内部导体也可以位于第一方向上第二内部导体和另一第二内部导体之间。第二内部导体及另一第二内部导体中至少一个第二内部导体的一个端部也可以包含第三部分和第四部分，其中，从第一方向观察时，第三部分与第一内部导体的一个端部及另一端部的各边缘重合，第四部分与第一内部导体的一个端部及另一端部的各边缘之间的第二区域重合。与第三部分相比，第四部分也可以向第二区域的相反侧凹陷。本方式的层叠线圈部件中，至少一个第二内部导体的第三部分与第一内部导体的上述各边缘重合。至少一个第二内部导体的第四部分与第二区域重合。在第一内部导体的上述各边缘之间，至少一个第二内部导体的第四部分和另一第二内部导体经由第二区域在第一方向上相邻。即，在第一内部导体的上述各边缘之间存在第一方向上互相相邻的第二内部导体之间的区域。与第三部分相比，第四部分向第二区域的相反侧凹陷。因此，第一方向上互相相邻的第二内部导体之间的区域在第一方向上扩展，该区域的体积大。其结果，第一方向上互相相邻的第二内部导体之间的区域中的强度提高，因此，抑制第二区域中的裂纹的产生。

上述一个方式的层叠线圈部件中，第四部分在第一方向上的厚度也可以比第三部分在上述第一方向上的厚度小。在该情况下，第二内部导体的第四部分在第一方向上比第二内部导体的第三部分薄，因此，第一方向上互相相邻的第二内部导体之间的区域在第一方向上确实地扩展，该区域的体积确实地变大。其结果，第一方向上互相相邻的第二内部导体之间的区域中的强度确实地提高，因此，确实地抑制第二区域中的裂纹的产生。

上述一个方式的层叠线圈部件也可以还具备低磁导率层，该低磁导率层具有比素体的磁导率低的磁导率。在该情况下，多个内部导体也可以具有从第一方向观察时相互重合的导体部分。低磁导率层也可以在第一方向上互相相邻的内部导体之间与导体部分接触。本方式的层叠线圈部件中，低磁导率层在第一方向上互相相邻的内部导体之间，与上述导体部分接触。因此，在素体内，在各内部导体的周围产生的磁通被低磁导率层遮挡。其结果，抑制磁饱和的产生，直流叠加特性提高。

上述一个方式的层叠线圈部件中，低磁导率层也可以具有第五部分和第六部分，该第五部分与第一方向上相邻的内部导体接触，该第六部分在第一方向上与第一方向上相邻的内部导体分开。在该情况下，素体也可以具有夹设于第六部分和内部导体之间的素体区域。本方式的层叠线圈部件中，直流叠加特性提高，且抑制裂纹的产生。

本发明通过以下给出仅以举例说明的方式给出的详细描述和附图进行进一步说明，因此应认为本发明不限定于此。

适用于本发明的范围在以下给出的详细描述中将变得更加明显。但是，应理解为，详细描述和具体例子虽然指示本发明优选的实施方式，但由于对于本领域技术人员来说由该详细说明可知其可以在本发明的精神和范围内进行各种变化和修改，因此其仅是以说明的方式给出。

附图说明

图1是表示第一实施方式的层叠线圈部件的立体图；

图2是图1所示的层叠线圈部件的分解立体图；

图3是表示图2所示的线圈导体的俯视图；

图4是表示图2所示的线圈导体的俯视图；

图5是表示图2所示的线圈导体的俯视图；

图6是表示图2所示的线圈导体的俯视图；

图7是沿着图1的VII-VII线的素体的截面图；

图8是沿着图1的VIII-VIII线的素体的截面图；

图9是表示图7所示的素体的一部分的截面图；

图10是表示第二实施方式的层叠线圈部件的素体的截面图。

具体实施方式

以下，参照附图详细地说明本发明的实施方式。此外，说明中，对相同要素或具有相同功能的要素使用相同符号，并省略重复的说明。

(第一实施方式)

参照图1～图8说明第一实施方式的层叠线圈部件的结构。图1是表示第一实施方式的层叠线圈部件的立体图。图2是图1所示的层叠线圈部件的分解立体图。图3～图6是表示图2所示的线圈导体的俯视图。图7是沿着图1的VII-VII线的素体的截面图。图8是沿着图1的VIII-VIII线的素体的截面图。图2中，省略磁性体部及外部电极的图示。图7及图8中，省略外部电极的图示。

如图1所示，层叠线圈部件1具备素体2和一对外部电极4、5。外部电极4、5配置于素体2的两端部。

素体2呈现长方体形状。素体2中，作为其外表面，具有互相相对的一对端面2a、2b和四个侧面2c、2d、2e、2f。四个侧面2c、2d、2e、2f以连结一对端面2a、2b的方式，沿着端面2a和端面2a相对的方向延伸。例如将层叠线圈部件1安装于未图示的其它电子设备(例如，电路基板或电子部件等)时，侧面2d是与其它电子设备相对的面。

端面2a和端面2b相对的方向(图中的X方向)、侧面2c和侧面2d相对的方向(图中的Z方向)、侧面2e和侧面2f相对的方向(图中的Y方向)相互大致正交。长方体形状包括角部及棱线部被倒角了的长方体的形状及角部及棱线部被磨圆了的长方体的形状。

素体2通过将多个磁性体层层叠而构成，包含磁性体部11(参照图3)。多个磁性体层沿侧面2c和侧面2d相对的方向层叠。即，将多个磁性体层层叠的方向与侧面2c和侧面2d相对的方向(图示的Z方向)一致。以下，将多个磁性体层叠的方向(即，侧面2c和侧面2d相对的方向)均称为“Z方向”。多个磁性体层分别呈现大致矩形形状。实际的素体2中，多个磁性体层一体化成不能辨认其层间边界的程度。

磁性体部11由例如包含磁性体材料(Ni-Cu-Zn系铁氧体材料、Ni-Cu-Zn-Mg系铁氧体材料、或Ni-Cu系铁氧体材料等)的粉末的磁性膏体的烧结体构成。即，素体2具有磁性。磁性膏体也可以包含Fe合金等粉末。

外部电极4配置于素体2的端面2a上，外部电极5配置于素体2的端面2b上。即，外部电极4和外部电极5在端面2a和端面2b相对的方向上相互分开。外部电极4、5在俯视图中呈现大致矩形形状，外部电极4、5的角被磨圆。外部电极4、5含有导电材料(例如，Ag或Pd等)。外部电极4、5作为含有导电性金属粉末(例如，Ag粉末或Pd粉末等)及玻璃粉的导电膏体的烧结体而构成。通过对外部电极4、5实施电镀，在外部电极4、5的表面上形成镀层。电镀中可使用例如Ni或Sn等。

外部电极4包含：位于端面2a上的电极部分4a、位于侧面2d上的电极部分4b、位于侧面2c上的电极部分4c、位于侧面2e上的电极部分4d、位于侧面2f上的电极部分4e的5个电极部分。电极部分4a覆盖端面2a的整个面。电极部分4b覆盖侧面2d的一部分。电极部分4c覆盖侧面2c的一部分。电极部分4d覆盖侧面2e的一部分。电极部分4e覆盖侧面2f的一部分。5个电极部分4a、4b、4c、4d、4e一体地形成。

外部电极5包含：位于端面2b上的电极部分5a、位于侧面2d上的电极部分5b、位于侧面2c上的电极部分5c、位于侧面2e上的电极部分5d、位于侧面2f上的电极部分5e的5个电极部分。电极部分5a覆盖端面2b的整个面。电极部分5b覆盖侧面2d的一部分。电极部分5c覆盖侧面2c的一部分。电极部分5d覆盖侧面2e的一部分。电极部分5e覆盖侧面2f的一部分。5个电极部分5a、5b、5c、5d、5e一体地形成。

如图2所示，层叠线圈部件1在素体2内具备：多个线圈导体21、22、23、24；连接导体13、14；一个磁隙层30；多个低磁导率层31。图2中，磁隙层30及各低磁导率层31以单点划线表示。

线圈导体21～24具有在Z方向(第一方向)上分开并且从Z方向观察时相互重合的导体部分。线圈导体21～24的端部彼此利用通孔导体17连接。通孔导体17位于Z方向上相邻的端部之间。线圈导体21～24具有将通孔导体17连接的连接部18。线圈导体21～24的连接部18彼此经由通孔导体17相互连接，由此，线圈导体21～24相互电连接。其结果，在素体2内构成包含线圈导体21～24的线圈20。即，层叠线圈部件1在素体2内具备线圈20。线圈20的轴心方向为Z方向。

多个线圈导体21～24中，线圈导体21配置于层叠方向上最接近素体2的侧面2c的位置。本实施方式中，线圈导体21的导体图案和连接导体13的导体图案一体连续地形成。连接导体13将线圈导体21的连接部E1和外部电极4连结，并在素体2的端面2a上露出。连接导体13与覆盖端面2a的电极部分4a连接。线圈20的一个端部和外部电极4经由连接导体13电连接。

多个线圈导体21～24中，线圈导体24配置于层叠方向上最接近素体2的侧面2d的位置。本实施方式中，线圈导体24的导体图案和连接导体14的导体图案一体连续地形成。连接导体14将线圈导体24的连接部E2和外部电极5连结，并在素体2的端面2b上露出。连接导体14与覆盖端面2b的电极部分5a连接。线圈20的另一端部和外部电极5经由连接导体14电连接。

线圈导体22配置于线圈导体21和线圈导体23之间及线圈导体23彼此之间。即，多个线圈导体22和多个线圈导体23在线圈导体21和线圈导体24之间交替排列。多个线圈导体22在第一方向(Z方向)上以线圈导体23位于线圈导体22之间的方式夹持排列。即，线圈导体23位于线圈导体22和与该线圈导体22不同的线圈导体22之间。

线圈导体21～24、连接导体13、14及通孔导体17含有例如导电性材料(例如，Ag或Pd等)。线圈导体21～24、连接导体13、14及通孔导体17作为含有导电性金属粉末(例如，Ag粉末或Pd粉末等)的导电性膏体的烧结体而构成。

如图3～图5所示，线圈导体21～23(多个内部导体)呈现大致环状。如图6所示，线圈导体24呈现大致U字状。以下，对各线圈导体21～24的形状进行说明。

如图3所示，线圈导体21(第一内部导体)呈现将导体以矩形状卷绕大致一周的形状。线圈导体21具有环状部21A和延伸部21B。环状部21A具有一个端部及另一端部。环状部21A的外形呈现大致长方形状。环状部21A包含：导体部21a、导体部21b、导体部21c、及导体部21d。导体部21a、导体部21b、导体部21c、及导体部21d以与素体2的四个面(端面2a、2b及侧面2e、2f)对应的方式配置。延伸部21B沿着环状部21A的一个端部从环状部21A的另一端部延伸。延伸部21B与环状部21A的一个端部分开。

导体部21a是环状部21A的一个端部。导体部21a沿着一对侧面2e、2f相对的方向(即，图中的Y方向)延伸。导体部21a具有连接连接导体13的连接部E1。在导体部21a中的连接部E1的相反侧连接有导体部21b。导体部21b沿着一对端面2a、2b相对的方向(即，图中的X方向)延伸。导体部21b连结导体部21a和导体部21c。

导体部21c沿着一对侧面2e、2f相对的方向(即，图中的Y方向)延伸。导体部21c在X方向上与导体部21a分开。导体部21c在Y方向上的长度与导体部21a在Y方向上的长度大致相同。导体部21c连结导体部21b和导体部21d。

导体部21d是环状部21A的另一端部。导体部21d沿着一对端面2a、2b相对的方向(即，图中的X方向)延伸。导体部21d在Y方向上与导体部21b分开。导体部21d在X方向上的长度比导体部21b在X方向上的长度短。导体部21d连结导体部21c和导体部21e。

导体部21e沿着导体部21a从导体部21d延伸。导体部21e沿着一对侧面2e、2f相对的方向(即，图中的Y方向)延伸。导体部21e在X方向上位于导体部21a和导体部21c之间。即，导体部21e比导体部21a、21c位于更靠素体2的内侧。导体部21e在X方向上与各导体部21a、21c分开。导体部21e在Y方向上的长度比导体部21a在Y方向上的长度短。导体部21e具有连接通孔导体17的连接部18。

导体部21a(环状部21A的一个端部)和导体部21d(环状部21A的另一端部)在X方向上相互分开。导体部21a的边缘21a₁和导体部21d的边缘21d₁在X方向上互相相对。导体部21a及导体部21d分别具有在X方向上相互分开，且相对的边缘21a₁和21d₁。

如图4所示，线圈导体22(第二内部导体)呈现导体以矩形状卷绕大致一周的形状。线圈导体22具有环状部22A和延伸部22B。环状部22A具有一个端部及另一端部。环状部22A的外形呈现大致长方形状。环状部22A包含：导体部22a、导体部22b、导体部22c、及导体部22d。导体部22a、导体部22b、导体部22c、及导体部22d以与素体2的四个面(端面2a、2b及侧面2e、2f)对应的方式配置。延伸部22B沿着环状部22A的一个端部，从环状部22A的另一端部延伸。延伸部22B与环状部22A的一个端部分开。

导体部22a是环状部22A的一个端部。导体部22a沿着一对端面2a、2b相对的方向(即，图中的X方向)延伸。导体部22a具有连接通孔导体17的连接部18。在导体部22a中的连接部18的相反侧连接有导体部22b。导体部22b沿着一对侧面2e、2f相对的方向(即，图中的Y方向)延伸。导体部22b连结导体部22a和导体部22c。

导体部22c沿着一对端面2a、2b相对的方向(即，图中的X方向)延伸。导体部22c在Y方向上与导体部22a分开。导体部22c在X方向上的长度与导体部22a在X方向上的长度大致相同。导体部22c连结导体部22b和导体部22d。

导体部22d是环状部22A的另一端部。导体部22d沿着一对侧面2e、2f相对的方向(即，图中的Y方向)延伸。导体部22d在X方向上与导体部22b分开。导体部22d在Y方向上的长度比导体部22b在Y方向上的长度短。导体部22d连结导体部22c和导体部22e。

导体部22e沿着导体部22a从导体部22d延伸。导体部22e沿着一对端面2a、2b相对的方向(即，图中的X方向)延伸。导体部22e在Y方向上位于导体部22a和导体部22c之间。即，导体部22e比导体部22a、22c位于更靠素体2的内侧。导体部22e在Y方向上与各导体部22a、22c分开。导体部22e在X方向上的长度比导体部22a在X方向上的长度短。导体部22e具有连接通孔导体17的连接部18。

导体部22a(环状部22A的一个端部)和导体部22d(环状部22A的另一端部)在Y方向上相互分开。导体部22a的边缘22a₁和导体部22d的边缘22d₁在Y方向上互相相对。导体部22a及导体部22d分别具有在Y方向上相互分开且相对的边缘22a₁、22d₁。

如图5所示，线圈导体23(第一内部导体)呈现将导体以矩形状卷绕大致一周的形状。线圈导体23具有环状部23A和延伸部23B。环状部23A具有一个端部及另一端部。环状部23A的外形呈现大致长方形状。环状部23A包含：导体部23a、导体部23b、导体部23c、及导体部23d。导体部23a、导体部23b、导体部23c、及导体部23d以与素体2的四个面(端面2a、2b及侧面2e、2f)对应的方式配置。延伸部23B沿着环状部23A的一个端部从环状部23A的另一端部延伸。延伸部23B与环状部23A的一个端部分开。

导体部23a是环状部23A的一个端部。导体部23a沿着一对侧面2e、2f相对的方向(即，图中的Y方向)延伸。导体部23a具有连接通孔导体17的连接部18。在导体部23a中的连接部18的相反侧连接有导体部23b。导体部23b沿着一对端面2a、2b相对的方向(即，图中的X方向)延伸。导体部23b连结导体部23a和导体部23c。

导体部23c沿着一对侧面2e、2f相对的方向(即，图中的Y方向)延伸。导体部23c在X方向上与导体部23a分开。导体部23c在Y方向上的长度与导体部23a在Y方向上的长度大致相同。导体部23c连结导体部23b和导体部23d。

导体部23d是环状部23A的另一端部。导体部23d沿着一对端面2a、2b相对的方向(即，图中的X方向)延伸。导体部23d在Y方向上与导体部23b分开。导体部23d在X方向上的长度比导体部23b在X方向上的长度短。导体部23d连结导体部23c和导体部23e。

导体部23e沿着导体部23a从导体部23d延伸。导体部23e沿着一对侧面2e、2f相对的方向(即，图中的Y方向)延伸。导体部23e在X方向上位于导体部23a和导体部23c之间。即，导体部23e比导体部23a、23c位于更靠素体2的内侧。导体部23e在X方向上与各导体部22a、23c分开。导体部23e在Y方向上的长度比导体部23a在Y方向上的长度短。导体部23e具有连接通孔导体17的连接部18。

导体部23a(环状部23A的一个端部)和导体部23d(环状部23A的另一端部)在X方向上相互分开。导体部23a的边缘23a₁和导体部23d的边缘23d₁在X方向上互相相对。导体部23a及导体部23d分别具有在X方向上相互分开且相对的边缘23a₁、23d₁。

如图6所示，线圈导体24呈现将导体卷绕成大致U字状的形状。线圈导体24具有：导体部24a、导体部24b、及导体部24c。导体部24a、导体部24b、及导体部24c以与素体2的三个面(端面2a、2b及侧面2e)对应的方式配置。

导体部24a沿着一对侧面2e、2f相对的方向(即，图中的Y方向)延伸。导体部24a具有连接通孔导体17的连接部18。在导体部24a中的连接部18的相反侧连接有导体部24b。导体部24b沿着一对端面2a、2b相对的方向(即，图中的X方向)延伸。导体部24b连结导体部24a和导体部24c。

导体部24c沿着一对侧面2e、2f相对的方向(即，图中的Y方向)延伸。导体部24c在X方向上与导体部24a分开。导体部24c在Y方向上的长度与导体部24a在Y方向上的长度大致相同。导体部24c具有连接连接导体14的连接部E2。

再次，参照图2。磁隙层30配置于线圈导体22和线圈导体23之间。磁隙层30在Z方向上位于素体2内的大致中央(参照图7及图8)。磁隙层30从Z方向观察时具有大致矩形状。磁隙层30以覆盖沿着Z方向的层叠面、即素体2中的与线圈20的轴心方向交叉的截面(沿X方向及Y方向延伸的面)的整体的方式延伸。磁隙层30形成有贯通孔。在该贯通孔中配置有通孔导体17，该通孔导体17在Z方向上连接位于磁隙层30的两侧的线圈导体22和线圈导体23。

低磁导率层31配置于Z方向上相邻的线圈导体21和线圈导体22之间、Z方向上相邻的线圈导体22和线圈导体23之间、及Z方向上相邻的线圈导体22和线圈导体24之间。低磁导率层31呈现例如框状。

位于线圈导体21和线圈导体22之间的低磁导率层31与从Z方向观察时线圈导体21中的与线圈导体22重合的导体部分和线圈导体22中的与线圈导体21重合的导体部分接触。即，位于线圈导体21和线圈导体22之间的低磁导率层31沿着线圈导体21的上述导体部分和线圈导体22的上述导体部分。位于线圈导体21和线圈导体22之间的低磁导率层31与从Z方向观察时线圈导体21中的不与线圈导体22重合的导体部分和线圈导体22中的不与线圈导体21重合的导体部分接触。即，低磁导率层31从Z方向观察时在导体部21a和导体部21d之间的区域、及导体部22a和导体部22d之间的区域中均重合。

位于线圈导体22和线圈导体23之间的低磁导率层31与从Z方向观察时线圈导体22中的与线圈导体23重合的导体部分和线圈导体23中的与线圈导体22重合的导体部分接触。即，位于线圈导体22和线圈导体23之间的低磁导率层31沿着线圈导体22的上述导体部分和线圈导体23的上述导体部分。位于线圈导体22和线圈导体23之间的低磁导率层31与从Z方向观察时线圈导体22中的不与线圈导体23重合的导体部分和线圈导体23中的不与线圈导体22重合的导体部分接触。即，低磁导率层31从Z方向观察时在导体部22a和导体部22d之间的区域、及导体部23a和导体部23d之间的区域中均重合。

位于线圈导体22和线圈导体24之间的低磁导率层31与从Z方向观察时线圈导体22中的与线圈导体24重合的导体部分和线圈导体24中的与线圈导体22重合的导体部分接触。即，位于线圈导体22和线圈导体24之间的低磁导率层31沿着线圈导体22的上述导体部分和线圈导体24的上述导体部分。位于线圈导体22和线圈导体24之间的低磁导率层31与从Z方向观察时线圈导体22中的不与线圈导体24重合的导体部分和线圈导体24中的不与线圈导体22重合的导体部分接触。即，低磁导率层31从Z方向观察时在导体部22a和导体部22d之间的区域、及导体部24a和导体部24c之间的区域中均重合。

磁隙层30及低磁导率层31具有比素体2的磁导率低的磁导率。磁隙层30及低磁导率层31含有例如具有比磁性体部11低的磁导率的弱磁性材料、或不具有磁性的非磁性体材料。本实施方式中，磁隙层30及低磁导率层31利用含有非磁性体材料(Cu-Zn系铁氧体材料等)的粉末的非磁性膏体的烧结体构成。

磁隙层30为非磁性，因此，遮挡在线圈20的整个周围产生的磁通。因此，抑制线圈20的整个周围的磁饱和的产生。各低磁导率层31与非磁性且Z方向上与低磁导率层31相邻的各线圈导体21～24接触，因此，遮挡在各线圈导体21～24的周围产生的磁通。因此，磁通不易向各线圈导体21～24的周围流入。各线圈导体21～24的周围中的局部磁饱和的产生被抑制。其结果，层叠线圈部件1中的磁饱和的产生被抑制，提高层叠线圈部件1的直流叠加特性。

如图7所示，线圈导体21的导体部21a具有第一部分21g和第二部分21f。从Z方向观察时，第一部分21g与Z方向上与线圈导体21相邻的线圈导体22的各边缘22a₁、22d₁(参照图4)重合。从Z方向观察，第二部分21f与边缘22a₁和边缘22d₁之间的区域重合。

第二部分21f具有第一方向(Z方向)上互相相对的一面和另一面。第二部分21f的一面凹陷，第二部分21f的另一面平坦。与第一部分21g相比，第二部分21f向边缘22a₁和边缘22d₁之间的区域的相反侧凹陷。第二部分21f在Z方向上的厚度La比第一部分21g在Z方向上的厚度Lb小。厚度La也可以是第二部分21f的平均厚度，也可以是第二部分21f在规定位置的厚度。第二部分21f在Z方向上比第一部分21g薄。

边缘22a₁和边缘22d₁之间隔为距离L2。边缘22a₁和边缘22d₁之间的各区域中不存在线圈导体22。经由边缘22a₁和边缘22d₁之间的各区域，线圈导体21的第二部分21f和线圈导体23的第二部分23f互相相邻。区域S2形成于Z方向上互相相邻的第二部分21f和第二部分23f之间。区域S2是被第二部分21f和第二部分23f夹持的区域。在Z方向上互相相邻的第二部分21f和第二部分23f之间夹设有低磁导率层31。区域S2中不仅包含素体2的磁性体部11，而且还包含低磁导率层31。第二部分21f比第一部分21g凹陷，并且在Z方向上比第一部分21g薄，因此，区域S2在Z方向上扩展。

线圈导体23的导体部23a具有第一部分23g和第二部分23f。从Z方向观察时，第一部分23g与Z方向上与线圈导体23相邻的线圈导体22的各边缘22a₁、22d₁(参照图4)重合。从Z方向观察时，第二部分23f与边缘22a₁和边缘22d₁之间的区域重合。

第二部分23f具有第一方向(Z方向)上互相相对的一面和另一面。第二部分23f的一面凹陷，第二部分23f的另一面平坦。与第一部分23g相比，第二部分23f向边缘22a₁和边缘22d₁之间的区域的相反侧凹陷。第二部分23f在Z方向上的厚度La比第一部分23g在Z方向上的厚度Lb小。厚度La也可以是第二部分23f的平均厚度，也可以是第二部分23f在规定位置的厚度。第二部分23f在Z方向上比第一部分23g薄。

边缘22a₁和边缘22d₁的间隔为距离L2。在边缘22a₁和边缘22d₁之间的各区域中不存在线圈导体22。经由边缘22a₁和边缘22d₁之间的各区域，线圈导体23的第二部分23f彼此互相相邻。区域S2形成于Z方向上互相相邻的第二部分23f之间。区域S2是被Z方向上互相相邻的第二部分23f夹持的区域。在Z方向上互相相邻的第二部分23f之间夹设有低磁导率层31。区域S2中不仅包含素体2的磁性体部11，而且还包含低磁导率层31。第二部分23f比第一部分23g凹陷，并且在Z方向上比第一部分23g薄，因此，区域S2在Z方向上扩展。

图9是表示图7所示的素体的一部分的截面图。图9中，表示包含线圈导体21～23及低磁导率层31与素体2的边界的区域。如图9所示，低磁导率层31具有接触部31a(第五部分)和分开部31b(第六部分)。接触部31a与线圈导体21、23和线圈导体22接触。分开部31b在Z方向上与线圈导体21、23和线圈导体22分开。线圈导体21、23和线圈导体22在Z方向上互相相邻。

素体2具有素体区域S1。素体区域S1夹设于低磁导率层31的分开部31b和Z方向上与对应的分开部31b相邻的线圈导体21～23之间。素体区域S1位于分开部31b和线圈导体21之间、分开部31b和线圈导体22之间、及分开部31b和线圈导体23之间。

图9所示的区域中，在沿着Z方向的假想轴线D上，线圈导体21～23、素体区域S1、及低磁导率层31按照线圈导体21、素体区域S1、低磁导率层31、素体区域S1、线圈导体22、素体区域S1、低磁导率层31、素体区域S1、线圈导体23、素体区域S1、低磁导率层31、素体区域S1、及线圈导体22的顺序排列。在Z方向上相邻的线圈导体21～23和低磁导率层31之间夹设有素体区域S1。线圈导体21～23及低磁导率层31与素体2的边界具有不沿着Z方向而在Z方向上交叉的面。

虽然图9中未图示，但本实施方式中，素体区域S1也位于分开部31b和线圈导体24之间。在Z方向上相邻的线圈导体24和低磁导率层31之间也夹设有素体区域S1。线圈导体23及低磁导率层31和素体2的边界也具有不沿着Z方向而在Z方向上交叉的面。

接下来，对层叠线圈部件1的制造过程进行说明。层叠线圈部件1例如如以下制造。首先，通过将用于构成磁性体部11的磁性膏体图案和用于构成线圈导体21～24、连接导体13、14及通孔导体17的导电性膏体图案、用于构成磁隙层30及低磁导率层31的非磁性膏体图案通过印刷法等依次层叠，从而得到层叠体。

磁性膏体图案通过涂布磁性膏体并使其干燥而形成。磁性膏体通过将上述磁性体材料的粉末和有机溶剂及有机粘合剂等混合而制作。导电性膏体图案通过涂布导电性膏体并使其干燥而形成。导电性膏体通过将上述导电性金属粉末和有机溶剂及有机粘合剂等混合而制作。非磁性膏体图案通过涂布非磁性膏体并使其干燥而形成。非磁性膏体通过将上述非磁性材料或弱磁性材料等粉末和有机溶剂及有机粘合剂等混合而制作。

接下来，将该层叠体切断，得到多个生坯芯片。生坯芯片具有对应于素体2的大小的大小。接着，进行得到的生坯芯片的滚筒研磨。其结果，得到角部或棱线被磨圆的生坯芯片。接着，在规定的条件下烧成进行了滚筒研磨的生坯芯片。其结果，作为磁性膏体图案的烧结体，构成磁性体部11并得到素体2。作为导电性膏体图案的烧结体，构成线圈导体21～24、连接导体13、14及通孔导体17。作为非磁性膏体图案的烧结体，构成磁隙层30及低磁导率层31。即，素体2具备：线圈导体21～24、通孔导体17、磁隙层30、及低磁导率层31。

接着，对素体2的外表面赋予外部电极4、5用的导电性膏体，将赋予的导电性膏体在规定条件下进行热处理。其结果，在素体2上形成外部电极4、5。然后，对外部电极4、5的表面实施镀敷。如以上，得到层叠线圈部件1。

第一实施方式的层叠线圈部件1中，线圈导体21、23的第一部分21g、23g与Z方向上相邻的线圈导体22的各边缘22a₁、22d₁重合。线圈导体21、23的第二部分21f、23f与Z方向上相邻的线圈导体22的边缘22a₁和边缘22d₁之间的区域重合。边缘22a₁和边缘22d₁之间的区域中，经由边缘22a₁和边缘22d₁之间的区域，第二部分21f、23f彼此在Z方向上互相相邻。在线圈导体23的各边缘22a₁、22d₁之间，如上所述，区域S2形成于Z方向上互相相邻的第二部分21f、23f之间。与第一部分21g、23g相比，第二部分21f、23f向边缘22a₁和边缘22d₁之间的区域的相反侧凹陷。因此，区域S2在Z方向上扩展，区域S2的体积大。其结果，区域S2中的强度提高，因此，边缘22a₁和边缘22d₁之间的区域中的裂纹的产生被抑制。

第一实施方式的层叠线圈部件1中，线圈导体21、23的第二部分21f、23f在Z方向上比线圈导体21、23的第一部分21g、23g薄，因此，区域S2在Z方向上确实地扩展，区域S2的体积确实地增大。其结果，区域S2中的强度确实地提高，因此，确实地抑制边缘22a₁和边缘22d₁之间的区域中的裂纹的产生。

第一实施方式的层叠线圈部件1中，线圈导体21～23具有从Z方向观察时相互重合的导体部分。低磁导率层31在相邻的线圈导体21～23之间与上述导体部分接触。因此，在素体2内，在各线圈导体21～23的周围产生的磁通被低磁导率层31遮挡。其结果，磁饱和的产生被抑制，层叠线圈部件1的直流叠加特性提高。

线圈导体24和线圈导体22具有从Z方向观察时相互重合的导体部分。低磁导率层31也配置于相邻的线圈导体24和线圈导体22之间，与线圈导体24及线圈导体22的上述导体部分接触。因此，在素体2内，在线圈导体24及线圈导体22的周围产生的磁通也被低磁导率层31遮挡。其结果，磁饱和的产生被更进一步抑制，进一步提高层叠线圈部件1的直流叠加特性。

第一实施方式的层叠线圈部件1中，低磁导率层31具有分开部31b。在分开部31b和线圈导体21～23之间夹设有素体区域S1。因此，线圈导体21～23及低磁导率层31与素体2的边界具有不沿着Z方向而在Z方向上交叉的面。因此，线圈导体21～23及低磁导率层31与素体2的边界发挥抵抗沿着Z方向的剪切应力的作用，沿着Z方向的剪切应力向与Z方向交叉的方向分散。其结果，即使在产生沿着Z方向的剪切应力的情况下，也不易在素体2上产生裂纹。根据以上，层叠线圈部件1中，直流叠加特性提高，并且进一步抑制裂纹的产生。

在分开部31b和线圈导体24之间也夹设有素体区域S1。因此，线圈导体24及低磁导率层31与素体2的边界具有不沿着Z方向而在Z方向上交叉的面。因此，线圈导体24及低磁导率层31与素体2的边界发挥抵抗沿着Z方向的剪切应力的作用，沿着Z方向的剪切应力向与Z方向交叉的方向分散。其结果，能更进一步抑制裂纹的产生。

(第二实施方式)

接下来，参照图10对第二实施方式的层叠线圈部件进行说明。图10是第二实施方式的层叠线圈部件的素体的截面图。图10所示的截面结构对应于沿着图1的X-X线的素体的截面结构。

第二实施方式的层叠线圈部件省略图示，但与第一实施方式的层叠线圈部件1一样，具备：素体2、一对外部电极4、5(参照图1)、多个线圈导体21～24(参照图2～图6)、多个连接导体13、14(参照图2)、一个磁隙层30(参照图2)、多个低磁导率层31(参照图2)。

与第一实施方式一样，线圈导体21、23具有第一部分21g、23g和第二部分21f、23f。经由边缘22a₁和边缘22d₁之间的各区域，线圈导体21的第二部分21f和线圈导体23的第二部分23f互相相邻。区域S2形成于Z方向上互相相邻的第二部分21f和第二部分23f之间(参照图7)。区域S2是被第二部分21f和第二部分23f夹持的区域。

与第一实施方式一样，低磁导率层31具有接触部31a及分开部31b，素体2具有多个素体区域S1(参照图9)。线圈导体21～24及低磁导率层31与素体2的边界具有不沿着Z方向而在Z方向上交叉的面。

如图10所示，第二实施方式的层叠线圈部件与上述的层叠线圈部件1的不同点在于，线圈导体22具有第三部分22g和第四部分22f。第三部分22g与从Z方向观察时在Z方向上与线圈导体22相邻的线圈导体23的各边缘23a₁、23d₁(参照图5)重合。从Z方向观察时，第四部分22f与边缘23a₁和边缘23d₁之间的区域重合。

第四部分22f具有第一方向(Z方向)上互相相对的一面和另一面。第四部分22f的一面凹陷，第四部分22f的另一面为平坦。与第三部分22g相比，第四部分22f向边缘23a₁和边缘23d₁之间的区域的相反侧凹陷。第四部分22f在Z方向上的厚度Lc比第三部分22g在Z方向上的厚度Ld小。厚度Lc也可以是第四部分22f的平均厚度，也可以是第四部分22f在规定位置的厚度。第四部分22f在Z方向上比第三部分22g薄。

边缘23a₁和边缘23d₁的间隔是距离L3。边缘23a₁和边缘23d₁之间的区域中不存在线圈导体23。经由边缘23a₁和边缘23d₁之间的区域，线圈导体22的第四部分22f彼此互相相邻。区域S3形成于Z方向上互相相邻的第四部分22f之间。区域S3是被Z方向上互相相邻的第四部分22f夹持的区域。在Z方向上互相相邻的第四部分22f之间夹设有低磁导率层31。区域S3中不仅包含素体2的磁性体部11，而且还包含低磁导率层31。第四部分22f比第三部分22g凹陷，并且在Z方向上比第三部分22g薄，因此，区域S3在Z方向上扩展。

第二实施方式的层叠线圈部件中，也与第一实施方式一样，区域S2在Z方向扩展，因此，边缘22a₁和边缘22d₁之间的区域中的裂纹的产生被抑制。

根据第二实施方式的层叠线圈部件，在线圈导体23的各边缘23a₁、23d₁之间，经由边缘23a₁和边缘23d₁之间的区域，在Z方向上线圈导体22的第四部分22f彼此相邻。在线圈导体23的各边缘23a₁、23d₁之间，如上所述，区域S3形成于Z方向上互相相邻的第四部分22f之间。与线圈导体22的第三部分22g相比，线圈导体22的第四部分22f向边缘23a₁和边缘23d₁之间的区域的相反侧凹陷。因此，区域S3在Z方向上扩展，区域S3的体积较大。其结果，区域S3中的强度提高，因此，边缘23a₁和边缘23d₁之间的区域中的裂纹的产生被抑制。

根据本实施方式的层叠线圈部件，第四部分22f在Z方向上比第三部分22g薄，因此，区域S3在Z方向上确实地扩展，区域S3的体积确实地变大。其结果，区域S3中的强度确实地提高，因此，边缘23a₁和边缘23d₁之间的区域中的裂纹的产生被确实地抑制。

以上，对本发明的各种实施方式进行说明，但本发明不限定于上述实施方式，也可以在不变更各权利要求所记载的宗旨的范围内进行变形或进行其它应用。

多个线圈导体21～23中也可以包含不具有第一部分21g、23g及第二部分21f、23f的线圈导体。第二部分21f、23f的厚度La比第一部分21g、23g的厚度Lb小的关系只要满足多个线圈导体21、23中至少一个即可。

多个线圈导体22中也可以包含不具有第三部分22g及第四部分22f的线圈导体。线圈导体22也可以不满足第四部分22f的厚度Lc比第三部分22g的厚度Ld小的关系。

素体2内所含的线圈导体的数量、磁隙层的数量、低磁导率层的数量不限定于上述实施方式。只要在多个内部导体内至少包含两个线圈导体21、23和位于两个线圈导体21、23之间的线圈导体22即可。磁隙层30的数量也可以为多个，低磁导率层31的数量也可以为一个。

层叠线圈部件也可以仅具备磁隙层30及低磁导率层31的任一者。层叠线圈部件也可以不具备磁隙层30及低磁导率层31两者。

低磁导率层31也可以在线圈导体21、23和线圈导体22之间具有多个分开部31b。一个低磁导率层31与素体2的边界也可以具有在Z方向上交叉的面。在该情况下，一个低磁导率层31与素体2的边界发挥抵抗沿着Z方向的剪切应力的作用，沿着Z方向的剪切应力向与Z方向交叉的方向分散。其结果，相对于沿着Z方向的剪切应力的强度提高，裂纹的产生被进一步抑制。

低磁导率层31也可以不具有分开部31b。线圈导体21～24及低磁导率层31与素体2的边界也可以不具有在Z方向上交叉的面。

上述实施方式中，低磁导率层31由非磁性体材料构成，但不限于此。低磁导率层31例如也可以由磁导率比例如素体2低的弱磁性材料构成。

上述实施方式中，低磁导率层31呈现框状，但不限于此。例如，也可以将低磁导率层31的一部分切口。低磁导率层31也可以不与线圈导体21～24中的相互不重合的上述导体部分接触。从Z方向观察时，低磁导率层31也可以不与线圈导体21～24中的上述分开区域重合。

上述实施方式中，区域S2、S3中不仅包含素体2的磁性体部11，而且还包含低磁导率层31，但也可以在区域S2、S3中不包含低磁导率层31。

Claims (8)

1.一种层叠线圈部件，具备：

素体，其具有磁性；

线圈，其包含配置于所述素体内的多个内部导体，其中，各所述内部导体具有包括一个端部及另一端部的环状部和沿着所述一个端部从所述另一端部延伸并且与所述一个端部分开的延伸部，所述一个端部的边缘和所述另一端部的边缘互相相对，

所述多个内部导体包含两个第一内部导体和在第一方向上位于所述两个第一内部导体之间的第二内部导体，

所述两个第一内部导体中至少一个所述第一内部导体的所述一个端部包含：第一部分和第二部分，其中所述第一部分从所述第一方向观察时与所述第二内部导体的所述一个端部及所述另一端部的各所述边缘重合；所述第二部分从所述第一方向观察时与所述第二内部导体的所述一个端部及所述另一端部的所述各边缘之间的第一区域重合，

与所述第一部分相比，所述第二部分向所述第一区域的相反侧凹陷。

2.根据权利要求1所述的层叠线圈部件，其中，

所述第二部分在所述第一方向上的厚度比所述第一部分在所述第一方向上的厚度小。

3.根据权利要求1所述的层叠线圈部件，其中，

所述多个内部导体还包含另一第二内部导体，所述第一内部导体在所述第一方向上位于所述第二内部导体和所述另一第二内部导体之间，

所述第二内部导体及所述另一第二内部导体中至少一个所述第二内部导体的所述一个端部包含：第三部分和第四部分，其中所述第三部分从所述第一方向观察时与所述第一内部导体的所述一个端部及所述另一端部的各所述边缘重合；所述第四部分从所述第一方向观察时与所述第一内部导体的所述一个端部及所述另一端部的所述各边缘之间的第二区域重合，

与所述第三部分相比，所述第四部分向所述第二区域的相反侧凹陷。

4.根据权利要求2所述的层叠线圈部件，其中，

所述多个内部导体还包含另一第二内部导体，所述第一内部导体在所述第一方向上位于所述第二内部导体和所述另一第二内部导体之间，

所述第二内部导体及所述另一第二内部导体中至少一个所述第二内部导体的所述一个端部包含：第三部分和第四部分，其中所述第三部分从所述第一方向观察时与所述第一内部导体的所述一个端部及所述另一端部的各所述边缘重合；所述第四部分从所述第一方向观察时与所述第一内部导体的所述一个端部及所述另一端部的所述各边缘之间的第二区域重合，

与所述第三部分相比，所述第四部分向所述第二区域的相反侧凹陷。

5.根据权利要求3所述的层叠线圈部件，其中，

所述第四部分在所述第一方向上的厚度比所述第三部分在所述第一方向上的厚度小。

6.根据权利要求4所述的层叠线圈部件，其中，

所述第四部分在所述第一方向上的厚度比所述第三部分在所述第一方向上的厚度小。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的层叠线圈部件，其中，

还具备低磁导率层，其具有比所述素体的磁导率低的磁导率，

所述多个内部导体具有从所述第一方向观察时相互重合的导体部分，

所述低磁导率层在所述第一方向上互相相邻的所述内部导体之间，与所述导体部分接触。

8.根据权利要求7所述的层叠线圈部件，其中，

所述低磁导率层具有：第五部分和第六部分，所述第五部分与所述第一方向上相邻的所述内部导体接触；所述第六部分在所述第一方向上与在所述第一方向上相邻的所述内部导体分开，

所述素体具有夹设于所述第六部分和所述内部导体之间的素体区域。