CN106770896B - 一种分析碳化硅含量的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种分析碳化硅含量的方法，包括碳化硅和助熔剂，所述助熔剂为锡粒:铁粒:氧化铜粒为1:2:6的混合助熔剂，0.5克的锡粒放在分析瓷舟的底部，在此锡粒层上放0.1g的碳化硅，将1.8克的所述混合助溶剂放在碳化硅层上后，将所述分析瓷舟送入加热炉中加热到1150℃—1200℃下燃烧，收集燃烧所产生的二氧化碳气体，经换算后即可得到碳化硅的含量，所述混合助熔剂中的铁粒为纯铁粒，本发明与现有技术比较具有节能和不污染环境的显著优点。

Description

一种分析碳化硅含量的方法
技术领域
本发明涉及一种分析含量的方法，特别是一种分析碳化硅含量的方法。
背景技术
碳化硅具有硬度大、熔点高和耐化学腐蚀性能强的优点，目前一般采用燃烧法分析碳化硅含量时，选用的助熔剂为四氧化三铅。首先对四氧化三铅加热至熔化，冷却后制成细颗粒，按一定比例将碳化硅和四氧化三铅粉混合置于分析瓷舟中，在将四氧化三铅粉的一定量放在上述混合物上，在管式炉内加热到1150℃—1200℃，燃烧产生二氧化碳气体，通过换算得到碳化硅的含量。上述助熔剂和燃烧工艺的缺点一是有两次加热，耗能大；二是四氧化三铅在燃烧中变为气体污染环境。
发明内容
本发明的目的是提供一种不污染环境和耗能小的分析碳化硅含量的方法。
本发明的技术方案是：一种分析碳化硅含量的方法，包括碳化硅和助熔剂，所述助熔剂为锡粒:铁粒:氧化铜粒为1:2:6的混合助熔剂，0.5克的锡粒放在分析瓷舟的底部，在此锡粒层上放0.1g的碳化硅，将1.8克的所述混合助溶剂放在碳化硅层上后，将所述分析瓷舟送入加热炉中加热到1150℃—1200℃下燃烧，收集燃烧所产生的二氧化碳气体，经换算后即可得到碳化硅的含量，所述混合助熔剂中的铁粒为纯铁粒。
本发明与现有技术比较具有节能和不污染环境的显著优点。
具体实施方式
为了解决现有四氧化三铅助熔剂污染环境和能耗大的缺点，本发明采用锡、纯铁和氧化铜混合助熔剂、上述三种物质的配比为：锡粒:纯铁粒:氧化铜粒=1:2:6。
使用上述助熔剂的分析方法：首先将0.5g的锡粒放在分析瓷舟的底部，再将0.1g的碳化硅样品放在上述锡粒层上，最后将1.8g的上述混合助熔剂放在碳化硅上面后，将分析瓷舟送入管式炉内加热燃烧，加热温度为1150℃—1200℃，产生二氧化碳气体，收集此二氧化碳气体，经换算便可得到样品中硅的含量。
本发明采用的锡、铁和氧化铜混合助熔剂的机理是，锡的熔点为230℃，比四氧化三铅的熔点500℃低，铁在氧化燃烧时，起到了稀释的作用，同时又释放出4.866千焦的热能，而氧化铜在高温时起了催化作用。
由于采用本发明的混合助熔剂，不污染环境且节约了能源。

Claims (1)

1.一种分析碳化硅含量的方法，包括碳化硅和助熔剂，其特征在于：所述助熔剂为锡粒:铁粒:氧化铜粒为1:2:6的混合助熔剂，0.5克的锡粒放在分析瓷舟的底部，在此锡粒层上放0.1g的碳化硅，将1.8克的所述混合助熔 剂放在碳化硅层上后，将所述分析瓷舟送入加热炉中加热到1150℃—1200℃下燃烧，收集燃烧所产生的二氧化碳气体，经换算后即可得到碳化硅的含量，所述混合助熔剂中的铁粒为纯铁粒。
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