CN106710669B - 一种可绕曲金属网格透明导电薄膜制备方法及其制品 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种可绕曲金属网格透明导电薄膜制备方法及其制品。所述透明导电薄膜至少包含：透明衬底，所述透明衬底包含第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面相对设置；金属网格布线，所述金属网格布线是由金属纳米线和/或棒之间通过缠绕、钩挂、搭接或其组合方式紧密接触形成；所述金属网格布线直接或/和间接设置于透明衬底的第一表面或/和第二表面。本发明所制备金属网格解决了传统金属网格不可绕曲、金属网格可见等问题。本发明所述制备方法简单，易于实施大规模生产。

Description

一种可绕曲金属网格透明导电薄膜制备方法及其制品

技术领域

本发明涉及一种金属网格透明导电薄膜制备方法及其制品，尤其是涉及一种可绕曲、金属网格不可见的金属网格透明导电膜制备方法及其制品。

背景技术

通过印刷技术制备金属网格的技术是多样的，常规技术包括：纳米压印、丝网印刷、喷墨打印等。其中纳米压印技术制备的金属网格精度最高，其线宽通常为5微米，适用于一些触控产品，尤其是一些大尺寸触控产品。但在手机或平板电脑产品中，金属网格要求肉眼不可见，其线宽至少要小于2微米。纳米压印技术能够将压印凹槽的线宽降低到2微米以下，但是却没有合适的导电浆料匹配来填充凹槽，原因如下：（1）填涂纳米颗粒粒度较大（通常位于200~500nm之间）的导电浆料，颗粒难以进入较细的凹槽，将会造成填涂不均匀，部分区域形成开路，产品的良率极大下降；（2）若填涂纳米颗粒粒度较小（通常小于200nm）的导电浆料，小颗粒导电浆料易于进入凹槽，但是由于小颗粒之间的接触不够好，固化后会引起开裂，尤其在绕曲状态下开裂更甚，同样也会导致产品的良品率降低。针对以上技术问题，亟待提供一种新的金属网格透明导电薄膜，解决传统金属网格透明导电薄膜不可绕曲、金属网格可见等问题。

发明内容

为解决上述技术问题，尤其是解决不可绕曲、金属网格可见等问题，本发明提出一种可绕曲金属网格透明导电薄膜及其制备方法。

一种可绕曲金属网格透明导电薄膜的制备方法

本发明提供一种可绕曲金属网格透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：S1,提供包含第一表面和第二表面的透明衬底，第一表面和第二表面相对设置；S2,通过微纳压印方法，在透明衬底第一表面上或第一表面内部形成具有超细线宽的网格凹槽；S3,制备包含金属纳米线/棒的导电浆料，所述金属纳米线/棒的长度小于网格凹槽线宽的2倍；S4,在网格凹槽中刮涂包含金属纳米线/棒的导电浆料；S5,移除未填入网格凹槽的导电浆料；S6,将填入凹槽的包含金属纳米线/棒的导电浆料固化，金属纳米线和/或棒之间通过缠绕、钩挂、搭接或其组合方式形成紧密接触，得到金属网格布线。

所述S2步骤的实施方式是多样的，包括：在第一表面内形成凹槽或在第一表面上形成凹槽。

所述在第一表面内形成凹槽的方法具体步骤包括：将具有纹路的的压印模具植入透明衬底的第一表面，压印模具的纹路被反印在透明衬底中；去掉压印模具，凹槽在透明衬底上形成。通常这种实施方式，要求透明衬底是软性物质或者具有热塑性等特性。一种非限制性的第一表面内形成凹槽的结构示意图如图1所示，其中111是透明衬底，1111是透明衬底的第一表面，1112是透明衬底的第二表面，401是凹槽，凹槽401位于透明衬底第一表面内。

所述在第一表面上形成凹槽的方法具体步骤包括：涂覆，在第一表面上涂覆一层透明基材；压印，通过压印方式在透明基材上形成凹槽。更为具体的步骤为：在第一表面上涂覆软性透明基材；将具有纹路的压印模具植入透明基材；将透明基材固化；再将压印模具去掉，由此在透明衬底的第一表面上形成凹槽。通常所述透明基材的选择为热固化材料或光固化材料，在本发明的实施例中选择UV固化光学胶。一种非限制性的第一表面上形成凹槽的结构示意图如图2所示，其中，其中112是透明衬底，1121是透明衬底的第一表面，1122是透明衬底的第二表面，311是透明基材层，402是凹槽，凹槽402位于透明基材层311内。

根据选择金属纳米线/棒的原始长度和直径的不同，所述S3步骤的制备包含金属纳米线/棒的导电浆料的实施方式是多样的。

在一些实施方式中，S3步骤选取的金属纳米线/棒的原始长径比较大，且原始长度远远超出网格凹槽线宽的2倍，金属纳米线/棒的易于折断。S3具体实施方式为：长度调节，提供金属纳米线/棒的溶液，将溶液进行球磨处理、超高速搅拌处理、强力超声处理或其组合处理，使金属纳米线/棒在外力的作用下发生断裂，所述金属纳米线/棒断裂后的长度小于网格凹槽线宽2倍，所述长度调节步骤中，金属纳米线/棒的长度调节是通过设置球磨珠尺寸、搅拌速率或超声功率实现；浆料配置，在长度调节后的金属纳米线/棒溶液中加入粘度调节剂、分散剂、表面活性剂、防沉剂、流平剂、溶剂、光引发剂、光敏剂、粘合剂或其组合配置成为包含金属纳米线/棒的导电浆料。所述金属纳米线/棒的断裂机理如图3所述。在本发明的一个非限制性实施例中，S3步骤选用的金属纳米线/棒的原始平均直径是20nm，原始平均长度是5000nm，经过S3步骤处理后，金属纳米线/棒的平均直径是20nm，平均长度是800nm。

在一些实施方式中，S3步骤选取的金属纳米线/棒的原始长径比适中，且直径较粗，原始长度小于网格凹槽线宽的2~3倍，金属纳米线/棒易于弯折的同时又不至于折断,其具体实施方式为：弯折度调节，选择长度小于网格凹槽线宽2倍的金属纳米线/棒的溶液，将溶液进行高速剪切搅拌或超声处理或其组合处理，使金属纳米线/棒在剪切里的作用下发生弯折；浆料配置，长度调节后的金属纳米线/棒溶液中加入粘度调节剂、分散剂、表面活性剂、防沉剂、流平剂、溶剂、光引发剂、光敏剂、粘合剂或其组合配置成为包含金属纳米线/棒的导电浆料。所述金属纳米线/棒的断裂机理如图4所述。在本发明的一个非限制性实施例中，S3步骤选用的金属纳米线/棒的平均直径平均直径是50nm，平均长度是800nm，经过S3步骤处理后，金属纳米线/棒是弯折形态，弯折角度为30°—150°，平均直径是50nm，平均长度是800nm。

在一些实施方式中，S3步骤选取的金属纳米线/棒的原始长度小于网格凹槽线宽的两倍，其具体实施方式为：浆料配置，提供长度小于网格凹槽线宽2倍的金属纳米线/棒溶液，在溶液中加入粘度调节剂、分散剂、表面活性剂、防沉剂、流平剂、溶剂、光引发剂、光敏剂、粘合剂或其组合配置成为包含金属纳米线/棒的导电浆料。在本发明的一个非限制性实施例中，S3步骤制备包含金属纳米线/棒的导电浆料，所述金属纳米线/棒的平均直径是50nm，平均长度是400nm。

在一些实施方式中，S3步骤中的浆料配置步骤可加入金属纳米颗粒、富勒烯、石墨烯及其衍生物、碳纳米管、金属氧化物颗粒、导电高分子或其组合物从而调节所形成金属网格布线的韧性、导电性、抗氧化性、抗腐蚀性等性能。

在一些实施方式中，透明衬底的第二表面上同样需要制备金属网格布线，如权利要求1所述制备方法以同样方式实施于所述透明衬底的第二表面；

在一些实施方式中，需要在透明衬底的第二表面或/和第一表面的功能层上制备金属网格布线，如权利要求1所述制备方法以同样方式实施于所述透明衬底的第二表面或/和第一表面的功能层之上。例如，在以制备金属网格布线的透明衬底上涂覆一层功能层，再在功能层表面上制备金属网格布线。

一种可绕曲金属网格透明导电薄膜

本发明提供一种可绕曲金属网格透明导电薄膜，所述可绕曲金属网格透明导电薄膜至少包含：透明衬底，所述透明衬底包含第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面相对设置；金属网格布线，所述金属网格布线是由金属纳米线和/或棒之间通过缠绕、钩挂、搭接或其组合方式紧密接触形成；所述金属网格布线直接或/和间接设置于透明衬底的第一表面或/和第二表面。

可选地，所述可绕曲金属网格透明导电薄膜包含凹槽层和/或功能层，所述凹槽层和/或功能层位于透明衬底的表面之上；所述功能层是保护层、增透层、防眩光层、阻隔层、粘结层、抗静电层中的任意一种或其多种组合。

所述金属纳米线/棒，其材质构成包括：Pt、Pd、Cu、Au、Ag、Sn、Ni、Al或其组合；例如：一个非限制性的材质构成为Au/Ag合金。

所述金属纳米线/棒，其结构构成包括：嵌段结构、核壳结构、空心结构或其组合。

一种非限制性的嵌段结构示意图如图5（a）,其中601是第一部分，602是第二部分，第一部分和第二部分够成了一根完整的金属纳米线/棒，两部分材料成分不一致，例如：601是Au,602是Pd。

一种非限制性的核壳结构示意图如图5（b）,其中603是核，604是壳，603核和604壳构成了一根完整的金属纳米棒，603核与604壳材料成分不一致，例如603是Au,604是Ag。

一种非限制性的核壳结构示意图如图5（c）,其中605是空心部分，606是实体部分。

所述缠绕方式是指金属纳米线和/棒之间通过无规则的的紧密缠绕形成金属成网格布线，通常这种接触方式要求金属纳米线/棒的长径比较大，以使得金属纳米线/棒的本身的柔韧性能较佳，一个非限制性的长径比数值要求长径比大于100。一种非限制性的缠绕接触方式示意图如图6所示，其中，图左侧是金属网格布线的俯视图，215是金属网格布线，图右侧是501区域的结构放大图；501区域结构放大图显示金属纳米线和/棒之间通过无规则的紧密缠绕成网格的布线。

所述钩挂方式是指弯折的金属纳米线/棒之间通过无规则的紧密钩挂形成金属网格布线，通常这种接触方式要求金属纳米线/棒的长径比适中，以使得金属纳米棒能够被外力弯折而又不至于折断，从而形成弯折的形态。一种非限制性的钩挂接触方式示意图如图7所示，其中，图左侧是金属网格布线的俯视图，216是金属网格布线，图右侧是502区域的结构放大图；502区域的结构放大图显示弯折的金属纳米棒之间通过无规则的紧密钩挂形成金属网格布线。

所述搭接方式是指金属纳米线/棒之间通过无规则的紧密搭接形成金属网格布线，通常这种接触方式要求金属纳米线/棒的长径比较低，金属纳米棒本身的韧性和弯曲性能较差。一种非限制性的搭接接触方式示意图如图8所示，其中，图左侧是金属网格布线的俯视图，217是金属网格布线，图右侧是503区域的结构放大图；503区域的结构放大图显示金属纳米棒之间通过无规则的紧密搭接形成金属网格布线。

所述金属网格布线直接设置于透明衬底的第一表面或/和第二表面的方式是多样的，包括：位于表面上、部分含纳于表面内，完全含纳于表面内或其组合方式。示例如下：

金属网格布线完全含纳于透明衬底表面内的一种非限制性结构的截面示意图如图9(a)所示，其中，101是透明衬底，1011是透明衬底的第一表面，1012是透明衬底的第二表面，201是金属网格布线，金属网格布线201完全含纳于透明衬底的第一表面1011内；

金属网格布线部分含纳于透明衬底表面内的一种非限制性结构的截面示意图如图9(b)所示，其中，102是透明衬底，1021是透明衬底的第一表面，1022是透明衬底的第二表面，202是金属网格布线，金属网格布线202部分含纳于透明衬底的第一表面1021内；

金属网格布线部位于透明衬底表面上的一种非限制性结构的截面示意图如图9(c)所示，其中，103是透明衬底，1031是透明衬底的第一表面，1032是透明衬底的第二表面，203是金属网格布线，金属网格布线203位于透明衬底的第一表面1031之上；

金属网格布线以组合方式直接设置于透明衬底表面的一种非限制性的结构的截面示意图如图9(d)所示，其中，104是透明衬底，1041是透明衬底的第一表面，1042是透明衬底的第二表面，204是第一金属网格布线，205是第二金属网格布线，第一金属网格布线204部分含纳于透明衬底的第一表面1041内，金属网格布线205完全含纳于透明衬底的第二表面1042内。

在一些实际的应用中，金属网格布线通常间接设置于透明衬底的第一表面或/和第二表面，金属网格布线和透明衬底表面之间并非直接接触而是与位于透明衬底表面之上的功能层或/和凹槽层接触。金属网格布线和透明衬底表面之上的功能层或/和凹槽层接触方式包括：位于其表面上、部分含纳于其表面内，完全含纳于其表面内或其组合方式。示例如下：

金属网格布线完全含纳于凹槽层表面内的一种非限制性结构的截面示意图如图10（a）所示，其中，105是透明衬底，1051是透明衬底的第一表面，1052是透明衬底的第二表面，301是凹槽层，206是金属网格布线，凹槽层301位于透明衬底第一表面1051之上，金属网格布线206完全含纳于凹槽层301表面之内；

金属网格布线部分含纳于凹槽层表面内的一种非限制性结构的截面示意图如图10（b）所示，其中，106是透明衬底，1061是透明衬底的第一表面，1062是透明衬底的第二表面，302是凹槽层，207是金属网格布线，凹槽层302位于透明衬底第一表面1061之上，金属网格布线207部分含纳于凹槽层302表面之内；

金属网格布线位于功能层的表面上的一种非限制性结构的截面示意图如图10（c）所示，其中，107是透明衬底，1071是透明衬底的第一表面，1072是透明衬底的第二表面，303是功能层，208是金属网格布线，功能层303位于透明衬底第一表面1071之上，金属网格布线208位于功能层303表面之上；

双层金属网格布线完全含纳的凹槽层表面之内的一种非限制性结构的截面示意图如图10（d）所示，其中，108是透明衬底，1081是透明衬底的第一表面，1082是透明衬底的第二表面，304是第一凹槽层，305是第二凹槽层，209是第一金属网格布线，210是第二金属网格布线，第一凹槽层304位于透明衬底第一表面1081之上，第二凹槽层305位于透明衬底第二表面1082之上，第一金属网格布线209完全含纳于第一凹槽层304表面之内，第二金属网格布线210完全含纳于第二凹槽层305表面之内。

在一些实际的应用中，金属网格布线需要在透明衬底某一表面的同侧多次设置，通常所设置同侧的金属网格布线之间需要阻隔性或绝缘性功能层隔开。示例如下：

双层金属网格布线位于透明衬底第一表面同侧的一种非限制性结构的截面示意图如图11（a）所示，109是透明衬底，1091是透明衬底的第一表面，1092是透明衬底的第二表面，306是第一凹槽层，308是第二凹槽层，307是功能层，211是第一金属网格布线，212是第二金属网格布线，第一凹槽层304位于透明衬底第一表面1091之上，功能层307位于第一凹槽层304表面之上，第二凹槽层308位于功能层307之上，第一金属网格布线211完全含纳于第一凹槽层306表面之内，第二金属网格布线212完全含纳于第二凹槽层308表面之内；

双层金属网格布线位于透明衬底第一表面同侧的一种非限制性结构的截面示意图如图11（b）所示，110是透明衬底，1101是透明衬底的第一表面，1102是透明衬底的第二表面，310是凹槽层，309是功能层，213是第一金属网格布线，214是第二金属网格布线，功能层309位于透明衬底第一表面1101之上，凹槽层310位于功能层309之上，第一金属网格布线213完全含纳于透明衬底第一表面1101之内，第二金属网格布线214完全含纳于凹槽层310表面之内。

在更为广泛的应用中，本专利上述所有金属网格设置于透明衬底的方式，可以根据需求实施任意组合。

本发明的应用范围，根据本发明制备的金属网格透明导电薄膜应用范围是广泛的，其主要应用范围包括但不限于：触控屏、柔性触控屏、太阳能电池、智能窗、薄膜太阳能电池、智能调光膜、OLED、LCD等。

本发明的优点，根据本发明所制备的金属网格透明导电薄膜主要优点包括但不限于：

（1）可绕曲，金属网格布线是由金属纳米线/棒之间通过搭接、钩挂、缠绕或其组合方式紧密接触形成，上述方式使得金属网格布线具有韧性，不易开裂。

（2）金属网格不可见，由于采用金属纳米线/棒作为填料，金属网格布线的连续性变优良，所制备金属网格布线的线宽更细，可以完全实现肉眼不可见。

（3）优良的导电性，金属纳米线/棒之间的有更多的接触点，电阻变小，故本发明所制备的金属网格透明导电薄膜具有更优良的导电性。

附图说明

图1 一种非限制性位于衬底表面内的凹槽结构示意图

图2 一种位于透明基材表面内的凹槽结构示意图

图3 金属纳米线/棒断裂机理示意图

图4 金属纳米线/棒弯折机理示意图

图5 三种金属纳米线/棒的结构示意图

图6 一种以缠绕方式形成金属网格布线的结构示意图

图7 一种以钩挂方式形成金属网格布线的结构示意图

图8 一种以搭接方式形成金属网格布线的结构示意图

图9 四种金属网格布线直接设置于衬底表面的结构示意图

图10 四种金属网格布线间接设置于透明衬底表面的结构示意图

图11 两种透明衬底第一表面多次设置金属网格布线的结构示意图

具体的实施方式

实施例1

该实施例的金属网格透明导电薄膜结构如图10（a）所示，其中，

105是PET透明衬底，厚度为125微米，1051是PET透明衬底的第一表面，1052是PET透明衬底的第二表面；

301是凹槽层，凹槽层的材质是UV固化胶，其厚度为20微米，凹槽层301位于PET透明衬底第一表面1051之上；

206是金属网格布线，所述金属网格布线是由银纳米线无规则的紧密缠绕形成，其缠绕方式结构示意图如图6所示，所述银纳米线的平均直径是20nm，平均长度是800nm。金属网格布线206完全含纳于凹槽层301表面之内。

具体制备方法如下：

S1,提供包含第一表面和第二表面的PET透明衬底，厚度为125微米，其中第一表面和第二表面相对设置。

S2,在PET衬底的第一表面上涂覆UV固化基材；将纹路线宽为2微米的压印模具植入透明基材；而后将透明基材固化；再将压印模具去掉，由此在PET透明衬底的第一表面上形成线宽为2微米的凹槽。

S3, 长度调节，选择原始平均直径是20nm，原始平均长度是5000nm的银纳米线的乙醇溶液，其固含量为4%，将溶液进行强力超声处理，处理功率为120W，处理时间为0.5小时，使银纳米线在外力的作用下发生断裂；其断裂后的平均长度为800nm,平均直径为20nm；

浆料配置，将超声后的银纳米线溶液用丙酮沉降，将获得的银纳米线固体中加入粘度调节剂和溶剂，所选粘度调节剂为改性环氧树脂，可选型号为HR2000LV，所选溶剂为二丙二醇甲醚，之后进行机械混匀，将混匀后的银纳米线导电浆料放置进入40℃的真空烘箱中脱泡处理，最终浆料中二丙二醇甲醚的质量百分比为70%，银纳米线的质量百分比为10%，环氧树脂的质量百分比为20%。

S4,在网格凹槽中刮涂S3步骤制备的银纳米线导电浆料。

S5,移除未填入网格凹槽的导电浆料。

S6,将填入凹槽的银纳米线的导电浆料固化，银纳米线之间通过缠绕方式形成紧密接触，得到金属网格布线。

实施例2

该实施例的金属网格透明导电薄膜结构如图10（a）所示，其中，

105是PET透明衬底，厚度为125微米，1051是PET透明衬底的第一表面，1052是PET透明衬底的第二表面；

301是凹槽层，凹槽层的材质是UV固化胶，其厚度为20微米，凹槽层301位于PET透明衬底第一表面1051之上；

206是金属网格布线，所述金属网格布线是由弯折的银纳米棒之间通过无规则的紧密钩挂形成，其钩挂方式结构示意图如图7所示，所述银纳米棒的纳米的平均直径是50nm，平均长度是500nm。金属网格布线206完全含纳于凹槽层301表面之内。

具体制备方法，除S3步骤外，其余S1，S2，S4，S5，S6步骤与实施例1一致，此处不再赘述。S3步骤如下：

弯折度调节，选择原始平均直径是50nm，原始平均长度是800nm的银纳米棒的乙醇溶液，其固含量为4%，将溶液进行超高速机械搅拌，搅拌速率为5000RPM，搅拌时间为1小时，使银纳米线在外力的作用下发生弯折；弯折角度为30°-150°，平均直径是50nm，平均长度是800nm。

浆料配置，将超声后的银纳米线溶液用丙酮沉降，将获得的银纳米线固体中加入粘度调节剂和溶剂，所选粘度调节剂为改性环氧树脂，型号为HR2000LV，所选溶剂为二丙二醇甲醚，之后进行机械混匀，将混匀后的银纳米线导电浆料放置进入40℃的真空烘箱中脱泡处理，最终浆料中二丙二醇甲醚的质量百分比为68%，银纳米棒的质量百分比为12%，环氧树脂的质量百分比为20%。

实施例3

该实施例的金属网格透明导电薄膜结构如图10（a）所示，其中：

105是PET透明衬底，厚度为125微米，1051是PET透明衬底的第一表面，1052是PET透明衬底的第二表面；

301是凹槽层，凹槽层的材质是UV固化胶，其厚度为20微米，凹槽层301位于PET透明衬底第一表面1051之上；

206是金属网格布线，所述金属网格布线是由银纳米棒之间通过无规则的紧密搭接形成，其搭接方式结构示意图如图8所示，所述银纳米棒的纳米的平均直径是50nm，平均长度是400nm，金属网格布线206完全含纳于凹槽层301表面之内。

具体制备方法，除S3步骤外，其余S1，S2，S4，S5，S6步骤与实施例1一致，此处不再赘述。S3步骤如下：

浆料配置，选取银纳米棒的水溶液，将其用丙酮沉降，将获得的银纳米线固体中加入粘度调节剂和溶剂，所选粘度调节剂为改性环氧树脂，型号为HR2000LV，加入后的质量百分比为20%，所选溶剂为二丙二醇甲醚，之后进行机械混匀，将混匀后的银纳米线导电浆料放置进入40℃的真空烘箱中脱泡处理，最终浆料中二丙二醇甲醚的质量百分比为65%，银纳米棒的质量百分比为15%，环氧树脂的质量百分比为20%。

实施例4

该实施例的金属网格透明导电薄膜结构如图10（d）所示，其中：

108是PET透明衬底，厚度为125微米，1081是PET透明衬底的第一表面，1082是PET透明衬底的第二表面；

304是第一凹槽层，305是第二凹槽层，所述第一凹槽层和第二凹槽层的材质是UV固化胶，其厚度为20微米，凹槽层304位于PET透明衬底第一表面1081之上；

209是第一金属网格布线，所述第一金属网格布线是由银纳米线之间通过无规则的紧密缠绕形成，其缠绕方式结构示意图如图6所示，所述银纳米线的平均直径是20nm，平均长度是800nm，所述第一金属网格布线209完全含纳于第一凹槽层304表面之内；

210是第二金属网格布线，所述第二金属网格布线是由银纳米线之间通过无规则的紧密缠绕形成，其缠绕方式结构示意图如图6所示，所述银纳米线的平均直径是20nm，平均长度是800nm，所述第二金属网格布线210完全含纳于第二凹槽层305表面之内；

具体制备方法，首先制备第一金属网格布线，而后制备第二金属网格布线，第一表面金属网格布线和第二表面金属网格布线的制备方法均可以参考实施例1实施。

实施例5

该实施例的金属网格透明导电薄膜结构如图11（a）所示，其中：

109是PET透明衬底，厚度为125微米，1091是透明衬底的第一表面，1092是透明衬底的第二表面;

306是第一凹槽层，308是第二凹槽层，307是功能层，211是第一金属网格布线，212是第二金属网格布线，第一凹槽层306位于透明衬底第一表面1091之上，功能层307位于第一凹槽层306表面之上，第二凹槽层308位于功能层307之上，第一金属网格布线211完全含纳于第一凹槽层306表面之内，第二金属网格布线212完全含纳于第二凹槽层308表面之内；

具体制备方法，第一金属网格布线的制备方法可以选取实施例1~3中的任意一个实施，此处不再赘述；待第一金属网格布线制备完毕后，在第一金属网格布线层上涂布阻隔层；待阻隔层干燥或固化后，在阻隔层表面制备第二金属网格布线，其制备方法可以选取实施例1~3中的任意一个实施，此处不再赘述。

通过以上描述的内容，本领域技术人员将会认识到，本发明的方法和系统可具有许多其他实施方式。申请人要指出，以上内容只是为了说明的目的，而非以任何方式限制本发明权利要求的范围。

Claims (10)

1.一种可绕曲金属网格透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：S1,提供包含第一表面和第二表面的透明衬底，第一表面和第二表面相对设置；S2,通过微纳压印方法，在透明衬底第一表面上或第一表面内部形成具有超细线宽的网格凹槽；S3,制备包含金属纳米线/棒的导电浆料，所述金属纳米线/棒的长度小于网格凹槽线宽的2倍；S4,在网格凹槽中刮涂包含金属纳米线/棒的导电浆料；S5,移除未填入网格凹槽的导电浆料；S6,将填入凹槽的包含金属纳米线/棒的导电浆料固化，金属纳米线和/或棒之间通过缠绕、钩挂、搭接或其组合方式形成紧密接触，得到金属网格布线。

2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述S2步骤中在透明衬底的第一表面上形成具有超细线宽的网格凹槽的具体步骤为：

涂覆，在第一表面上涂覆一层透明基材；

压印，通过压印方式在透明基材上形成凹槽。

3.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述S3的具体步骤为:

浆料配置，提供长度小于网格凹槽线宽2倍的金属纳米线/棒溶液，在溶液中加入粘度调节剂、分散剂、表面活性剂、防沉剂、流平剂、溶剂、光引发剂、光敏剂、粘合剂或其组合配置成为包含金属纳米线/棒的导电浆料。

4.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述S3的具体步骤为:

长度调节，提供金属纳米线/棒的溶液，将溶液进行球磨处理、超高速搅拌处理、强力超声处理或其组合处理，使金属纳米线/棒在外力的作用下发生断裂，所述金属纳米线/棒断裂后的长度小于网格凹槽线宽2倍，所述长度调节步骤中，金属纳米线/棒的设置长度是通过设置球磨珠尺寸、搅拌速率或超声功率实现；

浆料配置，长度调节后的金属纳米线/棒溶液中加入粘度调节剂、分散剂、表面活性剂、防沉剂、流平剂、溶剂、光引发剂、光敏剂、粘合剂或其组合配置成为包含金属纳米线/棒的导电浆料。

5.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述S3的具体步骤为:

弯折度调节，选择长度小于网格凹槽线宽2倍的金属纳米线/棒的溶液，将溶液进行高速剪切搅拌或超声处理或其组合处理，使金属纳米线/棒在剪切里的作用下发生弯折；

浆料配置，长度调节后的金属纳米线/棒浓浆中加入粘度调节剂、分散剂、表面活性剂、防沉剂、流平剂、溶剂、光引发剂、光敏剂、粘合剂或其组合配置成为包含金属纳米线/棒的导电浆料。

6.根据权利要求3、4、5任意一项所述制备方法，其特征在于，浆料配置步骤中，加入金属纳米颗粒、富勒烯、石墨烯及其衍生物、碳纳米管、金属氧化物颗粒、导电高分子或其组合物。

7.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，如权利要求1所述制备方法实施于所述透明衬底的第二表面；或者如权利要求1所述制备方法实施于所述透明衬底的第一表面或/和第二表面的功能层之上。

8.根据权利要求1所述制备方法制备的可绕曲金属网格透明导电薄膜，其特征在于，所述可绕曲金属网格透明导电薄膜至少包含：透明衬底，所述透明衬底包含第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面相对设置；金属网格布线，所述金属网格布线是由金属纳米线和/或棒之间通过缠绕、钩挂、搭接或其组合方式紧密接触形成；所述金属网格布线直接或/和间接设置于透明衬底的第一表面或/和第二表面。

9.根据权利要求8所述可绕曲金属网格透明导电薄膜，其特征在于，所述可绕曲金属网格透明导电薄膜包含凹槽层和/或功能层，所述凹槽层和/或功能层位于透明衬底的表面之上；所述功能层是保护层、增透层、防眩光层、阻隔层、粘结层、抗静电层中的任意一种或其多种组合。

10.根据权利要求8所述可绕曲金属网格透明导电薄膜，其特征在于，所述金属纳米线/棒组份构成包括：Pt、Pd、Cu、Au、Ag、Sn、Ni、Al或其组合；所述金属纳米线/棒的结构构成包括：嵌段结构、核壳结构、空心结构或其组合。