CN106707638A - 阵列基板及其制作方法、显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，该阵列基板包括：第一基板；位于第一基板第一侧的多条扫描线；覆盖扫描线的第一绝缘层；位于第一绝缘层背离扫描线一侧的多条数据线，多条数据线与多条扫描线交叉设置限定出多个子像素区域，子像素区域包括开口区和包围开口区的遮光区；其中，第一绝缘层对应遮光区的部分为包括至少一层氧化硅层和至少一层氮化硅层的堆叠结构，第一绝缘层对应开口区的部分为包括至少一层氧化硅层的氧化硅层结构，该阵列基板制成显示面板时，可避免由于氮化硅层的刻蚀过程难以控制而导致各子像素区域中开口区的第一绝缘层厚度不均现象，从而缓解色偏现象，提高显示质量，同时提高显示亮度。

Description

阵列基板及其制作方法、显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、包括该阵列基板的显示面板以及一种阵列基板的制作方法。

背景技术

随着显示技术的发展，显示面板的应用越来越广泛，已逐渐成为人们生活和工作必不可少的重要工具。

目前显示面板通常包括：交叉且绝缘设置的多条数据线和多条扫描线，多条数据线和多条扫描线限定出多个子像素区域；位于所述数据线和所述扫描线之间的层间绝缘层；与各子像素区域一一对应的薄膜晶体管，其中，薄膜晶体管的栅极与扫描线电连接，源极与数据线电连接，从而使得该薄膜晶体管可以在扫描线的控制下，将数据线中的信号传输给各子像素，控制各子像素区域的显示。

需要说明的是，为了保证数据线和扫描线之间的良好电绝缘性，现有显示面板中，该层间绝缘层通常包括氮化硅层，具体制作时，主要是通过先形成一较厚的氮化硅层，再通过刻蚀将该氮化硅层刻蚀至预设厚度，但是，由于氮化硅层的刻蚀速率较快，使得其刻蚀过程难以精确控制，从而导致各子像素处的层间绝缘层厚度不均，造成在同一背光下，各子像素的显示颜色不完全相同，使得所述显示面板存在色偏现象，显示质量有待提高。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种阵列基板及包括该阵列基板的显示面板，以改善该显示面板的色偏现象，提高显示质量。

为解决上述问题，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种阵列基板，包括：

第一基板；

位于所述第一基板第一侧的多条扫描线；

覆盖所述扫描线的第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层背离所述扫描线一侧的多条数据线，所述多条数据线与所述多条扫描线交叉设置限定出多个子像素区域，所述子像素区域包括开口区和包围所述开口区的遮光区；

其中，所述第一绝缘层对应所述遮光区的部分为包括至少一层氧化硅层和至少一层氮化硅层的堆叠结构，所述第一绝缘层对应所述开口区的部分为包括至少一层氧化硅层的氧化硅层结构。

可选的，所述第一绝缘层对应所述遮光区的部分包括一层所述氧化硅层和一层所述氮化硅层；所述第一绝缘层对应所述开口区的部分包括一层所述氧化硅层。

可选的，所述第一绝缘层对应所述遮光区的部分包括两层所述氧化硅层和位于所述两层所述氧化硅层之间的一层所述氮化硅层；所述第一绝缘层对应所述开口区的部分包括两层所述氧化硅层。

可选的，所述第一绝缘层对应所述遮光区的部分包括两层所述氮化硅层和位于所述两层所述氮化硅层之间的一层所述氧化硅层；所述第一绝缘层对应所述开口区的部分包括一层所述氧化硅层。

可选的，所述第一绝缘层各处的厚度取值范围为300-900nm，包括端点值；一层所述氧化硅层的厚度取值范围为100-600nm，包括端点值；一层所述氮化硅层的厚度取值范围为100-600nm，包括端点值。

可选的，所述阵列基板还包括：

位于所述第一基板第一侧，与所述子像素区域一一对应且位于所述子像素区域内的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、与所述栅极相绝缘的源极、漏极以及连接所述源极和所述漏极的有源层，其中，所述栅极与所述扫描线位于同一层且电连接，所述源极与所述数据线电连接，所述漏极与其对应子像素区域的像素电极电连接；且所述源极、所述漏极与所述数据线位于同一层，所述源极通过第一过孔与所述有源层电连接，所述漏极通过第二过孔与所述有源层电连接。

可选的，所述有源层位于所述扫描线背离所述数据线一侧。

可选的，所述有源层包括：与所述源极电连接的源区、与所述漏极电连接的漏区，以及位于所述源区和所述漏区之间的沟道区；

所述阵列基板还包括：位于所述扫描线朝向所述第一基板一侧的遮光结构，以及位于所述遮光结构与所述扫描线之间的缓冲层，其中，所述遮光结构在所述第一基板上的投影至少覆盖所述沟道区在所述第一基板上的投影。

一种显示面板，包括：上述阵列基板，与所述阵列基板相对设置的第二基板。

一种阵列基板的制作方法，包括：

在第一基板第一侧形成多条扫描线；

在所述扫描线背离所述第一基板一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层对应遮光区的部分为包括至少一层氧化硅层和至少一层氮化硅层的堆叠结构，所述第一绝缘层对应开口区的部分为包括至少一层氧化硅层的氧化硅层结构；

在所述第一绝缘层背离所述扫描线一侧形成多条数据线，所述多条数据线与所述多条扫描线交叉设置限定出多个子像素区域，所述子像素区域包括所述开口区和包围所述开口区的所述遮光区。

可选的，所述在所述扫描线背离所述第一基板一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层对应遮光区的部分为包括至少一层氧化硅层和至少一层氮化硅层的堆叠结构，所述第一绝缘层对应开口区的部分为包括至少一层氧化硅层的氧化硅层结构包括：

在所述扫描线背离所述第一基板一侧形成氮化硅层；

对所述氮化硅层对应所述开口区的位置进行刻蚀，去掉所述开口区处的所述氮化硅层；

在所述氮化硅层背离所述扫描线一侧形成氧化硅层，所述氧化硅层覆盖所述开口区和所述遮光区。

可选的，所述在所述氮化硅层背离所述扫描线一侧形成氧化硅层之后还包括：

在所述氧化硅层背离所述氮化硅层一层形成另一氮化硅层；

对所述另一氮化硅层对应所述开口区的位置进行刻蚀，去掉所述开口区处的所述另一氮化硅层。

可选的，所述在所述扫描线背离所述第一基板一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层对应遮光区的部分为包括至少一层氧化硅层和至少一层氮化硅层的堆叠结构，所述第一绝缘层对应开口区的部分为包括至少一层氧化硅层的氧化层结构包括：

在所述扫描线背离所述第一基板一侧形成氧化硅层，所述氧化硅层覆盖所述开口区和所述遮光区；

在所述氧化硅层背离所述扫描线一侧形成氮化硅层；

对所述氮化硅层对应所述开口区的位置进行刻蚀，去掉所述开口区处的所述氮化硅层。

可选的，所述对所述氮化硅层对应所述开口区的位置进行刻蚀，去掉所述开口区处的所述氮化硅层之后还包括：

在所述氮化硅层背离所述扫描线一侧形成另一氧化硅层，所述另一氧化硅层覆盖所述开口区和所述遮光区

本发明实施例所提供的技术方案，阵列基板及包括该阵列基板的显示面板，通过去除掉所述第一绝缘层中对应所述子像素区域开口区部分的氮化硅层，来避免由于氮化硅层的刻蚀过程难以控制而导致各子像素区域中开口区的第一绝缘层厚度不均现象，从而缓解各子像素区域因其对应部分的第一绝缘层厚度不均而造成的色偏现象，提高显示质量，同时提高了显示亮度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一个实施例所提供的阵列基板的俯视图；

图2为图1沿AB方向的一种剖视图；

图3为图1沿AB方向的另一种剖视图；

图4为图1沿AB方向的又一种剖视图；

图5为本发明另一个实施例所提供的阵列基板的俯视图；

图6为图5所示阵列基板的一种局部剖视图；

图7为图5所示阵列基板的另一种局部剖视图；

图8为本发明一个实施例所提供的显示面板的剖视图；

图9示出了现有显示面板和本发明所提供显示面板在不同视角下的色偏示意图；

图10为本发明一个实施例所提供的阵列基板的制作方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

如图1和图2所示，图1示出了本发明一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图，图2为图1沿AB方向的剖视图。具体的，在本发明实施例中，该阵列基板包括：第一基板10；位于第一基板10第一侧的多条扫描线20；覆盖所述扫描线20的第一绝缘层30；位于第一绝缘层30背离扫描线20一侧的多条数据线40，多条数据线40和多条扫描线20交叉限定出多个子像素区域50，所述子像素区域50包括开口区51和包围所述开口区51的遮光区52；其中，所述第一绝缘层30对应所述遮光区52的部分为包括至少一层氮化硅层32和至少一层氧化硅层31的堆叠结构，所述第一绝缘层30对应所述开口区51的部分为包括至少一层氧化硅层31的氧化硅层结构。

由此可见，本发明实施例所提供的阵列基板中，在各子像素区域50的开口区51，所述第一绝缘层30只包括氧化硅层31，而不包括氮化硅层32，从而避免了由于氮化硅层32的刻蚀过程难以控制而导致各子像素区域50中开口区51的第一绝缘层30厚度不均现象，缓解了各子像素区域50中的开口区51因其对应部分的第一绝缘层30厚度不均而造成的色偏现象，提高了显示质量。

而且，由于对应各子像素区域50中开口区51的第一绝缘层30部分相较于对应各子像素区域50中遮光区52的第一绝缘层30部分，少了至少一层氮化硅层32，从而提高了各子像素区域50中开口区51的光线透过率，提高了各子像素区域50中开口区的显示亮度。

此外，在各子像素区域50的遮光区52，所述第一绝缘层30至少包括一层氮化硅层32，从而可以充分利用氮化硅层32介电常数大的特性来保证数据线40和扫描线20之间的良好电绝缘性；所述第一绝缘层30至少包括一层氧化硅层31，所述氧化硅层31的介电常数小于所述氮化硅层32的介电常数，从而可以利用所述氧化硅层31调节所述第一绝缘层30的介电常数，从而减小所述数据线40和所述扫描线20之间的寄生电容，缓解由于该寄生电容而导致的显示画面闪烁现象。

在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，继续如图2所示，所述第一绝缘层30对应所述子像素区域50遮光区52的部分包括一层氧化硅层31和一层氮化硅层32，所述第一绝缘层30对应所述子像素区域50开口区51的部分包括一层氧化硅层31，即所述第一绝缘层30对应所述子像素区域50遮光区52的部分只包括一层氮化硅层32和一层氧化硅层31，所述第一绝缘层30对应所述子像素区域50开口区51的部分只包括一层氧化硅层31，以降低所述第一绝缘层30的厚度，从而降低所述阵列基板的厚度。其中，所述氮化硅层32介电常数大，用来保证数据线40和扫描线20之间的良好电绝缘性；所述氧化硅层31的介电常数小于所述氮化硅层32的介电常数，从而可以利用所述氧化硅层31，用来调节所述第一绝缘层30的介电常数，从而减小所述数据线40和所述扫描线20之间的寄生电容，缓解由于该寄生电容而导致的显示画面闪烁现象。

需要说明的是，在本发明实施例中，在所述子像素区域50的遮光区52，所述氮化硅层32可以位于所述氧化硅层31背离所述第一基板10的一侧，也可以位于所述氧化硅层31朝向所述第一基板10的一侧，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。

如图3所示，图3为图1沿AB方向的另一种剖视图，在本发明实施例中，所述第一绝缘层30对应所述遮光区52的部分包括两层所述氧化硅层31和位于所述两层所述氧化硅层31之间的一层所述氮化硅层32；所述第一绝缘层30对应所述开口区51的部分包括两层所述氧化硅层31。其中，一层氮化硅层32用来保证数据线40和扫描线20之间的良好电绝缘性；两层氧化硅层31用来调节所述第一绝缘层30的介电常数，从而减小所述数据线40和所述扫描线20之间的寄生电容，缓解由于该寄生电容而导致的显示画面闪烁现象。需要说明的是，位于氮化硅层32朝向数据线40一侧的氧化硅层由于刻蚀速度易于控制，故其刻蚀后的表面较为平坦，从而使得位于氧化硅层表面的数据线不易发生断裂。

如图4所示，图3为图1沿AB方向的又一种剖视图，在本发明实施例中，所述第一绝缘层30对应所述遮光区52的部分包括两层所述氮化硅层32和位于所述两层所述氮化硅层32之间的一层所述氧化硅层31；所述第一绝缘层30对应所述开口区51的部分包括一层所述氧化硅层31。其中，两层氮化硅层32用来保证数据线40和扫描线20之间的良好电绝缘性；一层氧化硅层31用来调节所述第一绝缘层30的介电常数，从而减小所述数据线40和所述扫描线20之间的寄生电容，缓解由于该寄生电容而导致的显示画面闪烁现象。需要说明的是，位于氧化硅层31朝向数据线40一侧的氮化硅层还有利于改善阵列基板制成显示面板后的显示不均现象。

在上述任一实施例中，所述第一绝缘层30各处的厚度取值范围可选为300-900nm，包括端点值；一层所述氧化硅层31的厚度取值范围可选为100-600nm，包括端点值，以在利用所述氧化硅层31减小所述扫描线20和所述数据线40之间寄生电容的同时不会导致阵列基板的厚度过大；一层所述氮化硅层32的厚度取值范围可选为100-600nm，包括端点值，以在利用所述氮化硅层32保证扫描线20和数据线40之间的绝缘效果的同时不会导致阵列基板的厚度过大。但本发明对此并不做限定，具体视情况而定。

在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，如图5和图6所示，图5为本发明另一个实施例所提供的阵列基板俯视图，图6为图5所示阵列基板的一种局部剖视图，在本实施例中，所述阵列基板还包括：

位于所述第一基板10第一侧，与所述子像素区域50一一对应且位于所述子像素区域50内的薄膜晶体管60，所述薄膜晶体管60包括：栅极g、与所述栅极g相绝缘的源极s、漏极d以及连接所述源极s和所述漏极d的有源层61，其中，所述栅极g与所述扫描线20位于同一层且电连接，所述源极s与所述数据线40电连接，所述漏极d与其对应子像素区域的像素电极70电连接；且所述源极S、所述漏极D与所述数据线位于同一层，所述源极s通过第一过孔与所述有源层61电连接，所述漏极d通过第二过孔与所述有源层61电连接。

此外，所述阵列基板还包括：位于所述第一基板10第一侧，与所述像素电极70相绝缘的公共电极80。需要说明的是，在本发明实施例中，所述公共电极80可以位于所述像素电极70背离所述第一基板70一侧，也可以位于所述像素电极70朝向所述第一基板10一侧，还可以与所述像素电极70位于同一层，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。

具体工作时，所述公共电极80电连接至一固定电位，所述薄膜晶体管60在所述扫描线20的控制下导通，将其源极s输入的所述数据线40中的数据信号经其漏极d传输给像素电极70，从而在像素电极70和公共电极80之间形成控制电场，控制各子像素区域的显示。

在上述实施例中，在本发明的一个实施例中，如图6所示，所述薄膜晶体管60为底栅结构，即所述有源层61位于所述扫描线朝向所述数据线一侧，以减少所述薄膜晶体管60的制作工艺步骤，从而减少所述阵列基板的制作工艺步骤。如图7所示，图7为图5所示阵列基板的另一种局部剖视图，在本发明实施例中，所述薄膜晶体管60为顶栅结构，即所述有源层61位于所述扫描线背离所述数据线一侧，以降低所述薄膜晶体管60的制作工艺难度，从而降低所述阵列基板的制作工艺难度，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。其中，所述有源层61包括：与所述源极s电连接的源区、与所述漏极d电连接的漏区，以及位于所述源区和所述漏区之间的沟道区。

需要说明的是，当所述薄膜晶体管60为顶栅结构时，所述阵列基板还包括：位于所述扫描线朝向所述第一基板一侧的遮光结构90，以及位于所述遮光结构90与所述扫描线(栅极g所在层)之间的缓冲层91，其中，所述遮光结构90在所述第一基板10上的投影至少覆盖所述有源层61中沟道区在所述第一基板10上的投影，以利用所述遮光结构90对所述沟道区进行遮光，避免从所述遮光结构背离所述有源层一侧射向所述遮光结构一侧的光线射向所述沟道区，影响所述薄膜晶体管的工作性能。当所述薄膜晶体管为底栅结构时，所述栅极在所述第一基板上的投影至少覆盖所述沟道区在所述第一基板上的投影，以利用所述栅极对所述沟道区进行遮光，避免从所述栅极背离所述有源层一侧射向所述栅极一侧的光线射向所述沟道区，影响所述薄膜晶体管的工作性能。

此外，本发明实施例还提供了一种显示面板，如图8所示，图8为本发明一个实施例所提供的显示面板的剖视图，在本发明实施例中，该显示面板包括：阵列基板100以及与所述阵列基板100相对设置的第二基板200，其中，所述阵列基板为本发明上述任一实施例所提供的阵列基板。其中，所述显示面板可以为液晶显示面板，也可以为OLED显示面板，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。

如表1所示，表1示出了现有技术显示面板和本发明提供的显示面板中子像素区域对应的像素驱动电压和光线透过率。从表1中可以看出，现有显示面板在4.5V的驱动电压线下光线透过率为4.63％，而本发明所提供的显示面板在4V的驱动电压下光线透过率为4.94％，相较于现有显示面板，本发明实施例所提供的显示面板的光线透过率至少可以提升2.6％。

	现有技术	本发明
			像素驱动电压(V)	4.5V	4V
光线透过率(Tr％)	4.63％	4.75％
			提升比例	参考	2.6％

如图9所示，图9示出了现有显示面板和本发明所提供显示面板在不同视角下的色偏示意图。其中，曲线a为现有显示面板在不同视角下的色偏示意图；曲线b为本发明所提供显示面板在不同视角下的色偏示意图。从图9中可以看出，本发明所提供的显示面板可以明显改善色偏。

由上述可知，本发明实施例所提供的阵列基板及包括该阵列基板的显示面板，通过去除掉所述第一绝缘层中对应所述子像素区域开口区部分的氮化硅层，来避免由于氮化硅层的刻蚀过程难以控制而导致各子像素区域中开口区的第一绝缘层厚度不均现象，从而缓解各子像素区域因其对应部分的第一绝缘层厚度不均而造成的色偏现象，提高显示质量，同时提高了显示亮度。

相应的，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，如图10所示，该制作方法包括：

S1：在第一基板第一侧形成多条扫描线；

S2：在所述扫描线背离所述第一基板一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层对应遮光区的部分为包括至少一层氧化硅层和至少一层氮化硅层的堆叠结构，所述第一绝缘层对应开口区的部分为包括至少一层氧化硅层的氧化硅层结构，其中，氮化硅层介电常数大可以用来保证数据线和扫描线之间的良好电绝缘性；所述氧化硅层的介电常数小于所述氮化硅层的介电常数，可以用来调节所述第一绝缘层的介电常数，从而减小所述数据线和所述扫描线之间的寄生电容，缓解由于该寄生电容而导致的显示画面闪烁现象。

S3：在所述第一绝缘层背离所述扫描线一侧形成多条数据线，所述多条数据线与所述多条扫描线交叉设置限定出多个子像素区域，所述子像素区域包括所述开口区和包围所述开口区的所述遮光区。

在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述在所述扫描线背离所述第一基板一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层对应遮光区的部分为包括至少一层氧化硅层和至少一层氮化硅层的堆叠结构，所述第一绝缘层对应开口区的部分为包括至少一层氧化硅层的氧化硅层结构包括：

在所述扫描线背离所述第一基板一侧形成氮化硅层；

对所述氮化硅层对应所述开口区的位置进行刻蚀，去掉所述开口区处的所述氮化硅层；

在所述氮化硅层背离所述扫描线一侧形成氧化硅层，所述氧化硅层覆盖所述开口区和所述遮光区。

需要说明的是，在上述实施例中，所述第一绝缘层对应所述子像素区域遮光区的部分只包括一层氮化硅层和一层氧化硅层，所述氧化硅层位于所述氮化硅层背离所述第一基板的一侧，所述第一绝缘层对应所述子像素区域开口区的部分只包括一层氧化硅层，以降低所述阵列基板的厚度。

在本实施例中，一层氮化硅层用来保证数据线和扫描线之间的良好电绝缘性；一层氧化硅层用来调节所述第一绝缘层的介电常数，从而减小所述数据线和所述扫描线之间的寄生电容，缓解由于该寄生电容而导致的显示画面闪烁现象。

在上述实施例的基础上，在本发明的另一个实施例中，所述在所述氮化硅层背离所述扫描线一侧形成氧化硅层之后还包括：在所述氧化硅层背离所述氮化硅层一层形成另一氮化硅层；对所述另一氮化硅层对应所述开口区的位置进行刻蚀，去掉所述开口区处的所述另一氮化硅层。即在本发明实施例中，所述第一绝缘层对应所述遮光区的部分包括两层所述氮化硅层和位于所述两层所述氮化硅层之间的一层所述氧化硅层；所述第一绝缘层对应所述开口区的部分包括一层所述氧化硅层。

在本实施例中，两层氮化硅层用来保证数据线和扫描线之间的良好电绝缘性；一层氧化硅层用来调节所述第一绝缘层的介电常数，从而减小所述数据线和所述扫描线之间的寄生电容，缓解由于该寄生电容而导致的显示画面闪烁现象。需要说明的是，位于氧化硅层朝向数据线一侧的另一氮化硅层还有利于改善阵列基板制成显示面板后的显示不均现象。

在本发明的另一个实施例中，所述在所述扫描线背离所述第一基板一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层对应遮光区的部分为包括至少一层氧化硅层和至少一层氮化硅层的堆叠结构，所述第一绝缘层对应开口区的部分为包括至少一层氧化硅层的氧化层结构包括：

在所述扫描线背离所述第一基板一侧形成氧化硅层，所述氧化硅层覆盖所述开口区和所述遮光区；

在所述氧化硅层背离所述扫描线一侧形成氮化硅层，

对所述氮化硅层对应所述开口区的位置进行刻蚀，去掉所述开口区处的所述氮化硅层。

在上述实施例中，所述第一绝缘层对应所述子像素区域遮光区的部分只包括一层氮化硅层和一层氧化硅层，所述氮化硅层位于所述氧化硅层背离所述第一基板的一侧，所述第一绝缘层对应所述子像素区域开口区的部分只包括一层氧化硅层，以降低所述阵列基板的厚度。在本实施例中，一层氮化硅层用来保证数据线和扫描线之间的良好电绝缘性；一层氧化硅层用来调节所述第一绝缘层的介电常数，从而减小所述数据线和所述扫描线之间的寄生电容，缓解由于该寄生电容而导致的显示画面闪烁现象。

在上述实施例的基础上，在本发明的另一个实施例中，所述对所述氮化硅层对应所述开口区的位置进行刻蚀，去掉所述开口区处的所述氮化硅层之后还包括：在所述氮化硅层背离所述扫描线一侧形成另一氧化硅层，所述另一氧化硅层覆盖所述开口区和所述遮光区。即在本发明实施例中，所述第一绝缘层对应所述遮光区的部分包括两层所述氧化硅层和位于所述两层所述氧化硅层之间的一层所述氮化硅层；所述第一绝缘层对应所述开口区的部分包括两层所述氧化硅层。在本实施例中，一层氮化硅层用来保证数据线和扫描线之间的良好电绝缘性；两层氧化硅层用来调节所述第一绝缘层的介电常数，从而减小所述数据线和所述扫描线之间的寄生电容，缓解由于该寄生电容而导致的显示画面闪烁现象。需要说明的是，位于氮化硅层朝向数据线一侧的另一氧化硅层由于刻蚀速度易于控制，故其刻蚀后的表面较为平坦，从而使得位于氧化硅层表面的数据线不易发生断裂。

此外，在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，该制作方法还包括：

位于所述第一基板第一侧形成与所述子像素区域一一对应且位于所述子像素区域内的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、与所述栅极相绝缘的源极、漏极以及连接所述源极和所述漏极的有源层，其中，所述栅极与所述扫描线位于同一层且电连接，所述源极与所述数据线电连接，所述漏极与其对应子像素区域的像素电极电连接；且所述源极、所述漏极与所述数据线位于同一层，所述源极通过第一过孔与所述有源层电连接，所述漏极通过第二过孔与所述有源层电连接；

在所述第一基板第一侧形成与所述像素电极相绝缘的公共电极。

需要说明的是，在本发明实施例中，所述公共电极可以位于所述像素电极背离所述第一基板一侧，也可以位于所述像素电极朝向所述第一基板一侧，还可以与所述像素电极位于同一层，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。

具体工作时，所述公共电极电连接至一固定电位，所述薄膜晶体管在所述扫描线的控制下导通，将其源极输入的所述数据线中的数据信号经其漏极传输给像素电极，从而在像素电极和公共电极之间形成控制电场，控制各子像素区域的显示。

还需要说明的是，在上述实施例中，所述薄膜晶体管可以为底栅结构，也可以为顶栅结构，当所述薄膜晶体管为顶栅结构时，该制作方法还包括：

在所述扫描线与所述第一基板之间形成遮光结构；在所述遮光结构与所述扫描线之间形成缓冲层，其中，所述遮光结构在所述第一基板上的投影至少覆盖所述沟道区在所述第一基板上的投影，以利用所述遮光结构对所述沟道区进行遮光，避免从所述遮光结构背离所述有源层一侧射向所述遮光结构一侧的光线射向所述沟道区，影响所述薄膜晶体管的工作性能。当所述薄膜晶体管为底栅结构时，所述栅极在所述第一基板上的投影至少覆盖所述沟道区在所述第一基板上的投影，以利用所述栅极对所述沟道区进行遮光，避免从所述栅极背离所述有源层一侧射向所述栅极一侧的光线射向所述沟道区，影响所述薄膜晶体管的工作性能。

综上所述，利用本发明实施例所提供的阵列基板制作方法制作的阵列基板，在用于制成显面板时，可以避免由于氮化硅层的刻蚀过程难以控制而导致各子像素区域中开口区的第一绝缘层厚度不均现象，从而缓解各子像素区域因其对应部分的第一绝缘层厚度不均而造成的色偏现象，提高显示质量，同时提高了显示亮度。

本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (14)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

第一基板；

位于所述第一基板第一侧的多条扫描线；

覆盖所述扫描线的第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层背离所述扫描线一侧的多条数据线，所述多条数据线与所述多条扫描线交叉设置限定出多个子像素区域，所述子像素区域包括开口区和包围所述开口区的遮光区；

其中，所述第一绝缘层对应所述遮光区的部分为包括至少一层氧化硅层和至少一层氮化硅层的堆叠结构，所述第一绝缘层对应所述开口区的部分为包括至少一层氧化硅层的氧化硅层结构。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层对应所述遮光区的部分包括一层所述氧化硅层和一层所述氮化硅层；所述第一绝缘层对应所述开口区的部分包括一层所述氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层对应所述遮光区的部分包括两层所述氧化硅层和位于所述两层所述氧化硅层之间的一层所述氮化硅层；所述第一绝缘层对应所述开口区的部分包括两层所述氧化硅层。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层对应所述遮光区的部分包括两层所述氮化硅层和位于所述两层所述氮化硅层之间的一层所述氧化硅层；所述第一绝缘层对应所述开口区的部分包括一层所述氧化硅层。

5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层各处的厚度取值范围为300-900nm，包括端点值；一层所述氧化硅层的厚度取值范围为100-600nm，包括端点值；一层所述氮化硅层的厚度取值范围为100-600nm，包括端点值。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

位于所述第一基板第一侧，与所述子像素区域一一对应且位于所述子像素区域内的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、与所述栅极相绝缘的源极、漏极以及连接所述源极和所述漏极的有源层，其中，所述栅极与所述扫描线位于同一层且电连接，所述源极与所述数据线电连接，所述漏极与其对应子像素区域的像素电极电连接；且所述源极、所述漏极与所述数据线位于同一层，所述源极通过第一过孔与所述有源层电连接，所述漏极通过第二过孔与所述有源层电连接。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层位于所述扫描线背离所述数据线一侧。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层包括：与所述源极电连接的源区、与所述漏极电连接的漏区，以及位于所述源区和所述漏区之间的沟道区；

所述阵列基板还包括：位于所述扫描线朝向所述第一基板一侧的遮光结构，以及位于所述遮光结构与所述扫描线之间的缓冲层，其中，所述遮光结构在所述第一基板上的投影至少覆盖所述沟道区在所述第一基板上的投影。

9.一种显示面板，其特征在于，包括：权利要求1-8任一项所述的阵列基板，与所述阵列基板相对设置的第二基板。

10.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在第一基板第一侧形成多条扫描线；

在所述扫描线背离所述第一基板一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层对应遮光区的部分为包括至少一层氧化硅层和至少一层氮化硅层的堆叠结构，所述第一绝缘层对应开口区的部分为包括至少一层氧化硅层的氧化硅层结构；

在所述第一绝缘层背离所述扫描线一侧形成多条数据线，所述多条数据线与所述多条扫描线交叉设置限定出多个子像素区域，所述子像素区域包括所述开口区和包围所述开口区的所述遮光区。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述在所述扫描线背离所述第一基板一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层对应遮光区的部分为包括至少一层氧化硅层和至少一层氮化硅层的堆叠结构，所述第一绝缘层对应开口区的部分为包括至少一层氧化硅层的氧化硅层结构包括：

在所述扫描线背离所述第一基板一侧形成氮化硅层；

对所述氮化硅层对应所述开口区的位置进行刻蚀，去掉所述开口区处的所述氮化硅层；

在所述氮化硅层背离所述扫描线一侧形成氧化硅层，所述氧化硅层覆盖所述开口区和所述遮光区。

12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述在所述氮化硅层背离所述扫描线一侧形成氧化硅层之后还包括：

在所述氧化硅层背离所述氮化硅层一层形成另一氮化硅层；

对所述另一氮化硅层对应所述开口区的位置进行刻蚀，去掉所述开口区处的所述另一氮化硅层。

13.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述在所述扫描线背离所述第一基板一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层对应遮光区的部分为包括至少一层氧化硅层和至少一层氮化硅层的堆叠结构，所述第一绝缘层对应开口区的部分为包括至少一层氧化硅层的氧化层结构包括：

在所述扫描线背离所述第一基板一侧形成氧化硅层，所述氧化硅层覆盖所述开口区和所述遮光区；

在所述氧化硅层背离所述扫描线一侧形成氮化硅层；

对所述氮化硅层对应所述开口区的位置进行刻蚀，去掉所述开口区处的所述氮化硅层。

14.根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于，所述对所述氮化硅层对应所述开口区的位置进行刻蚀，去掉所述开口区处的所述氮化硅层之后还包括：

在所述氮化硅层背离所述扫描线一侧形成另一氧化硅层，所述另一氧化硅层覆盖所述开口区和所述遮光区。