CN106684258B - 薄膜封装的制程方法及薄膜封装oled器件 - Google Patents

薄膜封装的制程方法及薄膜封装oled器件 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种薄膜封装的制程方法及薄膜封装OLED器件，该薄膜封装的制程方法，包括：在设置有OLED发光单元矩阵的柔性基底上形成覆盖所述OLED发光单元矩阵中各OLED发光单元的保护层；在所述保护层上形成光罩层，所述光罩层包括多个与所述OLED发光单元的数量相等的图块，所述图块的尺寸大于所述OLED发光单元的尺寸，每个图块对应设置在覆盖各OLED发光单元的保护层的上方，且完全覆盖所述OLED发光单元的边缘；对未覆盖有所述光罩层的保护层进行刻蚀。该薄膜封装的制程方法降低了光罩对封装精度的影响，同时通过保护层与光罩层之间的相互层叠，提高了封装膜层的强度。

Description

薄膜封装的制程方法及薄膜封装OLED器件
技术领域
本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种薄膜封装的制程方法及薄膜封装OLED器件。
背景技术
研究表明，空气中的水汽和氧气等成分对OLED的寿命影响很大，其原因主要基于以下几方面考量：一方面，OLED器件工作时要从阴极注入电子，这要求阴极功函数越低越好，但是做阴极的金属，如铝，镁，钙等，一般比较活泼，易与渗透进来的水汽发生反应。另一方面，水汽还会与空穴传输层(ETL)发生化学反应，这些反应都会引起OLED器件的失效。
因此，对OLED器件进行有效封装，使期间的各功能层与大气中的水汽，氧气等分隔开，就可以大大延长器件寿命。
另外，由于目前柔性OLED显示设备的需求，柔性封装技术逐渐受到追捧，对柔性OLED器件进行有效封装的需求也越来越迫切。
发明内容
本发明所要解决的技术问题之一是需要提供一种对柔性OLED器件进行有效封装的方法。
为了解决上述技术问题，本申请的实施例首先提供了一种薄膜封装的制程方法，包括：在设置有OLED发光单元矩阵的柔性基底上形成覆盖所述OLED发光单元矩阵中各OLED发光单元的保护层；在所述保护层上形成光罩层，所述光罩层包括多个与所述OLED发光单元的数量相等的图块，所述图块的尺寸大于所述OLED发光单元的尺寸，每个图块对应设置在覆盖各OLED发光单元的保护层的上方，且完全覆盖所述OLED发光单元的边缘；对未覆盖有所述光罩层的保护层进行刻蚀。
优选地，利用喷墨打印机形成所述光罩层。
优选地，所述光罩层的厚度为4μm-6μm。
优选地，所述保护层的厚度为1μm-2μm。
优选地，在形成一层保护层与一层光罩层之后，还包括，在形成的光罩层的上方，重复执行形成保护层的步骤以及形成光罩层的步骤，直至形成的各保护层与光罩层的总的厚度达到设定的薄膜封装厚度时为止。
优选地，利用PECVD设备的腔室清洗功能对未覆盖有所述光罩层的保护层进行刻蚀。
本申请的实施例还提供了一种薄膜封装OLED器件，包括：柔性基底；OLED发光单元矩阵，设置在所述柔性基底上，且是由多个OLED发光单元排列而成的矩阵；复合封装膜，设置在与各OLED发光单元相对应的位置，且完全覆盖所述OLED发光单元，所述复合封装膜包括至少一层保护层与至少一层光罩层，所述保护层与所述光罩层间隔层叠设置，且所述复合封装膜的最下层为保护层，其最上层为光罩层。
优选地，所述光罩层由喷墨打印机打印生成。
优选地，所述光罩层的厚度为4μm-6μm。
优选地，所述保护层的厚度为1μm-2μm。
与现有技术相比，上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果：
通过采用形成于保护层的光罩层作为光罩，以取代CVD设备的光罩来制作OLED器件薄膜封装层，降低了光罩对封装精度的影响，同时通过保护层与光罩层之间的相互层叠，提高了封装膜层的强度。
本发明的其他优点、目标，和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述，并且在某种程度上，基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的，或者可以从本发明的实践中得到教导。本发明的目标和其他优点可以通过下面的说明书，权利要求书，以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本申请的技术方案或现有技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分。其中，表达本申请实施例的附图与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，但并不构成对本申请技术方案的限制。
图1为根据本发明第一实施例的薄膜封装的制程方法的流程示意图；
图2a-图2d为根据本发明第一实施例的薄膜封装的制程方法的示意图；
图3为根据本发明第二实施例的薄膜封装OLED器件的结构示意图；
图4a和图4b为根据本发明第三实施例的薄膜封装OLED器件的结构示意图。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成相应技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。本申请实施例以及实施例中的各个特征，在不相冲突前提下可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
第一实施例：
图1为根据本发明第一实施例的薄膜封装的制程方法的流程示意图，如图所示，该方法包括以下步骤：
步骤S110、在设置有OLED发光单元矩阵的柔性基底上形成覆盖OLED发光单元矩阵中各OLED发光单元的保护层。
步骤S120、在保护层上形成光罩层，光罩层包括多个与OLED发光单元的数量相等的图块，图块的尺寸大于OLED发光单元的尺寸，每个图块对应设置在覆盖各OLED发光单元的保护层的上方，且完全覆盖OLED发光单元的边缘。
步骤S130、对未覆盖有光罩层的保护层进行刻蚀。
具体的，在步骤S110中，首先在柔性基底101上制作OLED器件401，如图2a所示。再利用等离子体增强化学气相沉积法PECVD形成第一层保护层201，这层保护层201能够整面覆盖柔性基底101，如图2b所示。
在本发明的一个实施例中，制作形成保护层的薄膜材料用于增加OLED器件的防水氧效果，包括但不限于SiNx、SiCNx、SiOx等无机材料。
在本发明的一个实施例中，形成的保护层201的厚度一般为1μm-2μm，保护层201如果太厚，难于达到膜层平坦度的要求，且如果膜层不平坦，将会存储大量应力，导致膜层易碎裂。
在步骤S120中，如图2c所示，利用喷墨打印机在整片柔性基底的保护层201以及OLED器件401之上打印一层光罩层301。
进一步如图2c所示，光罩层301包括多个与OLED发光单元的数量相等的图块，每个图块分别对应于一个OLED发光单元设置，且图块完全覆盖对应的OLED发光单元。
容易知道的是，每个图块的尺寸需大于OLED器件201的边缘尺寸才可以完全覆盖在OLED器件的上方。
在本发明的一个实施例中，光罩层301的厚度可以为4μm-6μm。
在步骤S130中，可以采用干刻蚀的方法将不需要的保护层201去除。在本实施例中，直接利用PECVD设备的腔室清洗功能RPSC，将除光罩层301覆盖的保护层201以外的区域刻蚀掉，如图2d所示。
现有技术需要借助光罩来形成保护层301，在保护层301与光罩的接触边缘易形成阴影，会影响封装精度。
在本发明实施例中，通过采用喷墨打印机打印的光罩层301替代现有封装工艺中的光罩，由于无需采用光罩，且光罩层301直接形成在保护层201上，这样在减少CVD设备的光罩，节省成本的同时，也减小了光罩对膜层的影响，有利于提高封装精度。
在本发明的另一个具体的实施例中，在步骤S120之后，且在步骤S130之前，还包括步骤S125：
步骤S125、在形成的光罩层的上方，重复执行形成保护层的步骤以及形成光罩层的步骤，直至形成的各保护层与光罩层的总的厚度达到设定的薄膜封装厚度时为止。
具体的，如果通过步骤S110和步骤S120中形成的保护层201和光罩层301的总的厚度未达到薄膜封装所要求的厚度，则重复执行步骤S110与步骤S120。
需要注意的是，步骤S110与步骤S120成组执行，且保证形成的保护层201与光罩层301相互间隔层叠在一起。
直至形成的保护层201与光罩层301的总的厚度(如图2c中示意处的厚度H)达到薄膜封装所要求的厚度后，结束成膜步骤。
光罩层301由有机物形成，本发明实施例中的封装方法，最终形成的封装结构为光罩层301夹在两层保护层201之间，光罩层301与保护层201相互配合，有利于释放保护层201中的应力。
第二实施例：
图3为根据本发明第二实施例的薄膜封装OLED器件的结构示意图，如图所示，该薄膜封装OLED器件，包括柔性基底101，在柔性基底101上设置有OLED发光单元矩阵，该OLED发光单元矩是由多个OLED发光单元401排列而成的矩阵。
该薄膜封装OLED器件还包括复合封装膜100，设置在与各OLED发光单元401相对应的位置，且完全覆盖OLED发光单元401。
该复合封装膜包括一层保护层201与一层光罩层301，且保护层201位于下层，直接覆盖各OLED发光单元401，光罩层301位于上层，该光罩层301可以由喷墨打印机生成。
一般的，光罩层301的厚度为4μm-6μm，保护层201的厚度为1μm-2μm。
光罩层301与保护层201的总的厚度等于复合封装膜的厚度，该复合封装膜的厚度需满足封装要求。
如图3所示，其示出的为复合封装膜的侧视图，该复合封装膜的形状可以为正方形，或其他形状，本实施例中对其不做限定，以实施方便为宜。
保护层201采用等离子体增强化学气相沉积法形成。
本发明实施例的复合封装膜由保护层201与光罩层301相互层叠而成，其中，光罩层301由有机物形成，且覆盖在保护层301的上方，光罩层301与保护层201相互配合，有利于释放保护层201中的应力，提高薄膜封装器件的产品性能与使用寿命。
第三实施例：
图4a和图4b为根据本发明第三实施例的薄膜封装OLED器件的结构示意图，该薄膜封装OLED器件的复合封装膜由至少一层保护层201与至少一层光罩层301组成。
如图4a所示，该实施例中的复合封装膜100包括第一层保护层201、第一层光罩层301、第二层保护层202、第二层光罩层302，保护层201与光罩层301间隔层叠设置，且复合封装膜100的最下层为保护层201，其最上层为光罩层302。
该复合封装膜100的制作过程如图4b所示，先依次形成各保护层膜层与光罩层膜层，再整体刻蚀各层保护层，具体方法步骤可以参考第一实施例，此处不再赘述。
一般的，光罩层301的厚度为4μm-6μm，保护层201的厚度为1μm-2μm。
光罩层301与保护层201的总的厚度等于复合封装膜的厚度，该复合封装膜的厚度需满足封装要求。
本发明实施例的复合封装膜中的各光罩层与保护层可以相互配合，有利于释放保护层中的应力，提高薄膜封装器件的性能与寿命。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (9)

1.一种薄膜封装的制程方法，包括：
在设置有OLED发光单元矩阵的柔性基底上形成覆盖所述OLED发光单元矩阵中各OLED发光单元的保护层；
在所述保护层上形成光罩层，所述光罩层包括多个与所述OLED发光单元的数量相等的图块，所述图块的尺寸大于所述OLED发光单元的尺寸，每个图块对应设置在覆盖各OLED发光单元的保护层的上方，且完全覆盖所述OLED发光单元的边缘；
在形成的光罩层的上方，重复执行形成保护层的步骤以及形成光罩层的步骤，直至形成的各保护层与光罩层的总的厚度达到设定的薄膜封装厚度时为止；
对未覆盖有所述光罩层的保护层进行刻蚀。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用喷墨打印机形成所述光罩层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光罩层的厚度为4μm-6μm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层的厚度为1μm-2μm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用PECVD设备的腔室清洗功能对未覆盖有所述光罩层的保护层进行刻蚀。
6.一种薄膜封装OLED器件，包括：
柔性基底；
OLED发光单元矩阵，设置在所述柔性基底上，且是由多个OLED发光单元排列而成的矩阵；
复合封装膜，设置在与各OLED发光单元相对应的位置，且完全覆盖所述OLED发光单元，所述复合封装膜包括至少两层保护层与至少两层光罩层，所述保护层与所述光罩层间隔层叠设置，且所述复合封装膜的最下层为保护层，其最上层为光罩层。
7.根据权利要求6所述的薄膜封装OLED器件，其特征在于，所述光罩层由喷墨打印机打印生成。
8.根据权利要求6所述的薄膜封装OLED器件，其特征在于，所述光罩层的厚度为4μm-6μm。
9.根据权利要求6所述的薄膜封装OLED器件，其特征在于，所述保护层的厚度为1μm-2μm。
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