CN112331803A - 一种柔性oled器件结构及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及OLED器件技术领域，特别涉及一种柔性OLED器件结构及其制造方法，包括玻璃基板和切割隔离柱，玻璃基板的一侧面上依次层叠设有聚酰亚胺薄膜层、隔离层、TFT器件层、OLED器件层和TFE封装层，切割隔离柱的一端依次穿过TFE封装层、OLED器件层和TFT器件层与隔离层接触，与切割隔离柱的一端相对的另一端伸至TFE封装层外部，这样能够解决激光切割过程中，激光切割TFT器件层和TFE封装层时引起的无机层的龟裂现象，避免导致OLED器件中的发光材料(对光极度敏感)失效的问题，提高激光剥离的效率和良率，并提高了OLED器件稳定性和延长器件的寿命。
Description
技术领域
本发明涉及OLED器件技术领域，特别涉及一种柔性OLED器件结构及其制造方法。
背景技术
在有机发光二极管(英文全称为Organic Light Emitting Diode，缩写为OLED)显示器具备低功耗，宽视角，清晰度与对比度高，响应速度快，使用温度范围宽，超轻期薄，抗震性好等特点，作为自主发光的器件越来越多被运用到高性能的显示区域，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置；
目前柔性OLED器件的激光切割是用聚焦镜将UV或者CO2激光束聚焦在玻璃基板表面切割位，使玻璃基板熔化，同时用与激光束同轴的压缩气体吸走被熔化的面板材料，并使激光束与面板沿一定轨迹作相对运动，从而形成一定形状的切缝；
由于TFT器件层的制备是在玻璃基板上整面制备器件，在激光切割基板的同时也切割玻璃基板上面的无机层，无机层容易在产生裂纹(crack)，这些裂纹会在柔性OLED器件的弯折过程中传递到有效显示区中，存在OLED器件失效的风险，影响OLED器件的寿命和产品的良率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种柔性OLED器件结构及其制造方法。
为了解决上述技术问题，本发明采用的第一种技术方案为：
一种柔性OLED器件结构，包括玻璃基板和切割隔离柱，所述玻璃基板的一侧面上依次层叠设有聚酰亚胺薄膜层、隔离层、TFT器件层、OLED器件层和TFE封装层，所述切割隔离柱的一端依次穿过TFE封装层、OLED器件层和TFT器件层与隔离层接触，与所述切割隔离柱的一端相对的另一端伸至TFE封装层外部。
本发明采用的第二种技术方案为：
一种柔性OLED器件结构的制造方法，包括以下步骤：
步骤S1、提供一玻璃基板，且在所述玻璃基板表面覆盖有聚酰亚胺薄膜层；
步骤S2、形成隔离层，且覆盖于所述聚酰亚胺薄膜层表面；
步骤S3、形成切割隔离柱，且设置于所述隔离层表面；
步骤S4、形成TFT器件层，且覆盖于所述隔离层表面；
步骤S5、形成OLED器件层，且覆盖于所述TFT器件层表面；
步骤S6、形成TFE封装层，且覆盖于所述OLED器件层表面。
本发明的有益效果在于：
通过在玻璃基板的一侧面上依次层叠设置聚酰亚胺薄膜层、隔离层、TFT器件层、OLED器件层和TFE封装层，切割隔离柱的一端依次穿过TFE封装层、OLED器件层和TFT器件层与隔离层接触，与切割隔离柱的一端相对的另一端伸至TFE封装层外部，这样能够解决激光切割过程中，激光切割TFT器件层和TFE封装层时引起的无机层的龟裂现象，避免导致OLED器件中的发光材料(对光极度敏感)失效的问题，提高激光剥离的效率和良率，并提高了OLED器件稳定性和延长器件的寿命。
附图说明
图1为根据本发明的一种柔性OLED器件结构的结构示意图；
图2为根据本发明的一种柔性OLED器件结构的制造方法的步骤流程图；
标号说明：
1、玻璃基板；2、切割隔离柱；3、聚酰亚胺薄膜层；4、隔离层；5、TFT器件层；6、OLED器件层；7、TFE封装层。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
请参照图1，本发明提供的一种技术方案：
一种柔性OLED器件结构，包括玻璃基板和切割隔离柱，所述玻璃基板的一侧面上依次层叠设有聚酰亚胺薄膜层、隔离层、TFT器件层、OLED器件层和TFE封装层，所述切割隔离柱的一端依次穿过TFE封装层、OLED器件层和TFT器件层与隔离层接触，与所述切割隔离柱的一端相对的另一端伸至TFE封装层外部。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：
通过在玻璃基板的一侧面上依次层叠设置聚酰亚胺薄膜层、隔离层、TFT器件层、OLED器件层和TFE封装层，切割隔离柱的一端依次穿过TFE封装层、OLED器件层和TFT器件层与隔离层接触，与切割隔离柱的一端相对的另一端伸至TFE封装层外部，这样能够解决激光切割过程中，激光切割TFT器件层和TFE封装层时引起的无机层的龟裂现象，避免导致OLED器件中的发光材料(对光极度敏感)失效的问题，提高激光剥离的效率和良率，并提高了OLED器件稳定性和延长器件的寿命。
进一步的，所述切割隔离柱的厚度范围为6μm-10μm，所述切割隔离柱的宽度范围为0.02μm-0.04μm。
由上述描述可知，将切割隔离柱的厚度范围设为6μm-10μm，将切割隔离柱的宽度范围设为0.02μm-0.04μm，能够进一步提高激光剥离的效率和良率。
进一步的，所述隔离层的厚度范围为0.01μm-0.02μm。
由上述描述可知，将隔离层的厚度范围设为0.01μm-0.02μm，能够进一步提高激光剥离的效率和良率。
进一步的，所述隔离层的材质为金属单质或金属氧化物。
进一步的，所述聚酰亚胺薄膜层的厚度为2μm-4μm。
请参照图2，本发明提供的另一种技术方案：
一种柔性OLED器件结构的制造方法，包括以下步骤：
步骤S1、提供一玻璃基板，且在所述玻璃基板表面覆盖有聚酰亚胺薄膜层；
步骤S2、形成隔离层，且覆盖于所述聚酰亚胺薄膜层表面；
步骤S3、形成切割隔离柱，且设置于所述隔离层表面；
步骤S4、形成TFT器件层，且覆盖于所述隔离层表面；
步骤S5、形成OLED器件层，且覆盖于所述TFT器件层表面；
步骤S6、形成TFE封装层，且覆盖于所述OLED器件层表面。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：
本方案设计的柔性OLED器件结构的制造方法，不仅提高了柔性切割的效率和产品切割的良率，而且避免了TFT器件层和TFE封装层中无机薄膜切割时龟裂带来的风险，保护了OLED器件的稳定性，延长显示器件的寿命。
进一步的，所述切割隔离柱的厚度范围为6μm-10μm，所述切割隔离柱的宽度范围为0.02μm-0.04μm。
由上述描述可知，将切割隔离柱的厚度范围设为6μm-10μm，将切割隔离柱的宽度范围设为0.02μm-0.04μm，能够进一步提高激光剥离的效率和良率。
进一步的，所述隔离层的厚度范围为0.01μm-0.02μm。
由上述描述可知，将隔离层的厚度范围设为0.01μm-0.02μm，能够进一步提高激光剥离的效率和良率。
进一步的，所述隔离层的材质为金属单质或金属氧化物。
进一步的，所述聚酰亚胺薄膜层的厚度为2μm-4μm。
请参照图1，本发明的实施例一为：
一种柔性OLED器件结构，包括玻璃基板1和切割隔离柱2，所述玻璃基板1的一侧面上依次层叠设有聚酰亚胺薄膜层3、隔离层4、TFT器件层5、OLED器件层6和TFE封装层7，所述切割隔离柱2的一端依次穿过TFE封装层7、OLED器件层6和TFT器件层5与隔离层4接触，与所述切割隔离柱2的一端相对的另一端伸至TFE封装层7外部。
所述切割隔离柱2的厚度范围为6μm-10μm，优选为8μm，所述切割隔离柱2的宽度范围为0.02μm-0.04μm，优选为0.03μm。
所述隔离层4的厚度范围为0.01μm-0.02μm，优选为0.015μm。
所述隔离层4的材质为金属单质或金属氧化物。
所述TFT器件层5所选为蚀刻阻挡型金属氧化物薄膜晶体管，所述OLED器件层6包含包含阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；OLED器件层6的发光机理是通过电子和空穴这两种载流子注入有机发光层并在有机发光层内复合发光；所述TFE封装层7包含有机层和无机层，起到隔离水氧，保护OLED器件层和TFT器件层的作用。
在所述玻璃基板1上通过Coater(显影)机台涂布一层聚酰亚胺薄膜层3，经过固化形成柔性衬底；
所述隔离层4是将柔性衬底和上层的切割隔离柱2分隔开，防止在切割隔离柱2剥离时对下层柔性衬底的伤害，隔离层4的材料不限于金属Ag，Al，金属氧化物ITO，AZO，IGZO等。
所述聚酰亚胺薄膜层3的厚度为2μm-4μm，优选为3μm。
请参照图1和图2，本发明的实施例二为：
一种柔性OLED器件结构的制造方法，包括以下步骤：
步骤S1、提供一玻璃基板1，且在所述玻璃基板1表面覆盖有聚酰亚胺薄膜层3；
步骤S2、形成隔离层4，且覆盖于所述聚酰亚胺薄膜层3表面；
步骤S3、形成切割隔离柱2，且设置于所述隔离层4表面；
步骤S4、形成TFT器件层5，且覆盖于所述隔离层4表面；
步骤S5、形成OLED器件层6，且覆盖于所述TFT器件层5表面；
步骤S6、形成TFE封装层7，且覆盖于所述OLED器件层6表面。
所述切割隔离柱2的厚度范围为6μm-10μm，优选为8μm，所述切割隔离柱2的宽度范围为0.02μm-0.04μm，优选为0.03μm。
所述隔离层4的厚度范围为0.01μm-0.02μm，优选为0.015μm。
所述隔离层4的材质为金属单质或金属氧化物。
所述聚酰亚胺薄膜层3的厚度为2μm-4μm，优选为3μm。
上述的柔性OLED器件结构的制造方法的具体实施例为：
步骤一：在玻璃基板1上通过Coater机台涂布一层聚酰亚胺薄膜层3，经过固化形成柔性衬底；
步骤二：在步骤一的基础上通过PVD(物理气相沉积)溅射隔离层4，隔离层4是将柔性衬底和上层的切割隔离柱2分隔开，防止在切割隔离柱2剥离时对下层柔性衬底的伤害，隔离层4的材料不限于金属Ag，Al，金属氧化物ITO，AZO，IGZO等，然后通过点胶机，将有机树脂或者聚酰亚胺在玻璃的切割位置点胶一定厚度和宽度的聚酰亚胺薄膜，经过固化形成切割隔离柱2；
步骤三：在步骤二的基础上依次制备TFT器件层5、OLED器件层6和TFE封装层7；由于切割隔离柱2的高度高，制备无机薄膜时，切割隔离柱2上的无机薄膜与玻璃基板1上的无机薄膜形成的段差足够大，以致无法相连在切割隔离柱2上的无机膜和在柔性衬底上的无机膜断裂，形成的断裂有助于切割隔离柱2的剥离；
步骤四：在将大面板切割成小片的OLED显示屏之前，先通过激光分离技术(英文全称为Laser Lift-off，缩写为LLO)将切割隔离柱2剥离，形成切割位空洞，最后进行小片切割，切割位置无其他薄膜，有助于激光切割时，激光直接切割玻璃而不接触无机薄膜，提高了切割效率和切割良率，避免切割异常导致水汽侵入OLED器件，导致OLED器件失效的风险。
综上所述，本发明提供的一种柔性OLED器件结构及其制造方法，通过在玻璃基板的一侧面上依次层叠设置聚酰亚胺薄膜层、隔离层、TFT器件层、OLED器件层和TFE封装层，切割隔离柱的一端依次穿过TFE封装层、OLED器件层和TFT器件层与隔离层接触，与切割隔离柱的一端相对的另一端伸至TFE封装层外部，这样能够解决激光切割过程中，激光切割TFT器件层和TFE封装层时引起的无机层的龟裂现象，避免导致OLED器件中的发光材料(对光极度敏感)失效的问题，提高激光剥离的效率和良率，并提高了OLED器件稳定性和延长器件的寿命。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种柔性OLED器件结构，其特征在于，包括玻璃基板和切割隔离柱，所述玻璃基板的一侧面上依次层叠设有聚酰亚胺薄膜层、隔离层、TFT器件层、OLED器件层和TFE封装层，所述切割隔离柱的一端依次穿过TFE封装层、OLED器件层和TFT器件层与隔离层接触，与所述切割隔离柱的一端相对的另一端伸至TFE封装层外部。
2.根据权利要求1所述的柔性OLED器件结构，其特征在于，所述切割隔离柱的厚度范围为6μm-10μm，所述切割隔离柱的宽度范围为0.02μm-0.04μm。
3.根据权利要求1所述的柔性OLED器件结构，其特征在于，所述隔离层的厚度范围为0.01μm-0.02μm。
4.根据权利要求1所述的柔性OLED器件结构，其特征在于，所述隔离层的材质为金属单质或金属氧化物。
5.根据权利要求1所述的柔性OLED器件结构，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜层的厚度为2μm-4μm。
6.一种根据权利要求1所述的柔性OLED器件结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1、提供一玻璃基板，且在所述玻璃基板表面覆盖有聚酰亚胺薄膜层；
步骤S2、形成隔离层，且覆盖于所述聚酰亚胺薄膜层表面；
步骤S3、形成切割隔离柱，且设置于所述隔离层表面；
步骤S4、形成TFT器件层，且覆盖于所述隔离层表面；
步骤S5、形成OLED器件层，且覆盖于所述TFT器件层表面；
步骤S6、形成TFE封装层，且覆盖于所述OLED器件层表面。
7.根据权利要求6所述的柔性OLED器件结构的制造方法，其特征在于，所述切割隔离柱的厚度范围为6μm-10μm，所述切割隔离柱的宽度范围为0.02μm-0.04μm。
8.根据权利要求6所述的柔性OLED器件结构的制造方法，其特征在于，所述隔离层的厚度范围为0.01μm-0.02μm。
9.根据权利要求6所述的柔性OLED器件结构的制造方法，其特征在于，所述隔离层的材质为金属单质或金属氧化物。
10.根据权利要求6所述的柔性OLED器件结构的制造方法，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜层的厚度为2μm-4μm。
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