CN106684109A - 发光二极管显示面板及其制作方法、显示器 - Google Patents
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- CN106684109A CN106684109A CN201710004513.3A CN201710004513A CN106684109A CN 106684109 A CN106684109 A CN 106684109A CN 201710004513 A CN201710004513 A CN 201710004513A CN 106684109 A CN106684109 A CN 106684109A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 8
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 204
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 6
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 6
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- -1 Oxygen alkane Chemical class 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 210000004556 brain Anatomy 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- JZZIHCLFHIXETF-UHFFFAOYSA-N dimethylsilicon Chemical compound C[Si]C JZZIHCLFHIXETF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001296 zinc oxide Drugs 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B30/00—Optical systems or apparatus for producing three-dimensional [3D] effects, e.g. stereoscopic images
- G02B30/20—Optical systems or apparatus for producing three-dimensional [3D] effects, e.g. stereoscopic images by providing first and second parallax images to an observer's left and right eyes
- G02B30/22—Optical systems or apparatus for producing three-dimensional [3D] effects, e.g. stereoscopic images by providing first and second parallax images to an observer's left and right eyes of the stereoscopic type
- G02B30/25—Optical systems or apparatus for producing three-dimensional [3D] effects, e.g. stereoscopic images by providing first and second parallax images to an observer's left and right eyes of the stereoscopic type using polarisation techniques
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- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/30—Polarising elements
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- G02B5/3083—Birefringent or phase retarding elements
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/001—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes using specific devices not provided for in groups G09G3/02 - G09G3/36, e.g. using an intermediate record carrier such as a film slide; Projection systems; Display of non-alphanumerical information, solely or in combination with alphanumerical information, e.g. digital display on projected diapositive as background
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
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- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
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Abstract
一种发光二极管显示面板及其制作方法、显示器。该发光二极管显示面板包括基板,在基板上设置阵列排布的多个发光二极管;多个偏光层分别设置在多个发光二极管的出光侧,且多个偏光层与多个发光二极管一一对应设置;多个偏光层包括偏光方向不同的多个第一偏光层和多个第二偏光层。该发光二极管显示面板可以逐行/列或逐个的形成不同的偏光显示图像,该偏光显示图像光经过对应的偏光眼镜,使人眼的左右眼看到不同的图像,从而实现单色或彩色3D显示效果。利用该发光二极管显示面板可以解决3D串扰等问题,从而提高3D体验效果。
Description
技术领域
本发明至少一个实施例涉及一种发光二极管显示面板及其制作方法、显示器。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种能发光的半导体电子元件,具有体积小、亮度高、能耗小的特点,被广泛的应用于显示屏,背光源、照明以及三维(threedimensional,3D)显示领域。
近年来,3D显示技术越来越备受关注,3D显示技术可以使得画面变得立体逼真,其原理在于利用人眼的左右眼分别接受不同的画面,经过大脑对图像信息进行叠加重生,重新构建立体显示效果的影像。
发明内容
本发明的至少一个实施例提供一种发光二极管显示面板及其制作方法、显示器。利用该发光二极管显示面板可以形成逐行/列或逐个的偏光显示图像,该偏光显示图像光经过对应的偏光眼镜,使人眼的左右眼看到不同的图像,从而实现单色或彩色3D显示效果。利用该发光二极管显示面板可以解决3D串扰等问题,从而提高3D体验效果。
本发明的至少一个实施例提供一种发光二极管显示面板,该发光二极管显示面板包括基板;在基板上设置阵列排布的多个发光二极管;多个偏光层分别设置在多个发光二极管的出光侧,且多个偏光层与多个发光二极管一一对应设置;并且,多个偏光层包括偏光方向不同的多个第一偏光层和多个第二偏光层。
本发明的至少一个实施例提供一种发光二极管显示面板的制作方法,包括在基板上形成阵列排布的多个发光二极管;在多个发光二极管的出光侧形成多个偏光层,且多个偏光层与多个发光二极管一一对应设置,并且,多个偏光层包括偏光方向不同的多个第一偏光层和多个第二偏光层。
本发明的至少一个实施例提供一种显示器,包括上述发光二极管显示面板。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例,而非对本发明的限制。
图1为本发明一个实施例提供的一种发光二极管显示面板示意图;
图2为本发明一个实施例提供的另一种发光二极管显示面板示意图;
图3为本发明一个实施例提供的一个发光二极管结构示意图;
图4为本发明另一个实施例提供的一种发光二极管显示面板示意图;
图5为本发明另一个实施例提供的另一种发光二极管显示面板示意图;
图6为本发明一个实施例提供的一种发光二极管显示面板制作方法示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例的附图,对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
除非另外定义,本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
本发明的实施例提供一种发光二极管显示面板及其制作方法以及显示器,该发光二极管显示面板包括基板,在基板上设置阵列排布的多个发光二极管;多个偏光层分别设置在多个发光二极管的出光侧,且多个偏光层与多个发光二极管一一对应设置,并且,多个偏光层包括偏光方向不同的多个第一偏光层和多个第二偏光层。该发光二极管显示面板可以逐行/列或逐个的形成不同的偏光显示图像,该偏光显示图像光经过对应的偏光眼镜,使人眼的左右眼看到不同的图像,从而实现单色或彩色3D显示效果。利用该发光二极管显示面板可以解决3D串扰等问题,从而提高3D体验效果。
下面结合附图对本发明实施例提供的发光二极管显示面板及其制作方法以及显示器进行说明。
实施例一
本实施例提供一种发光二极管显示面板,如图1所示,该发光二极管显示面板包括:基板100,在基板100上设置阵列排布的多个发光二极管200;在多个发光二极管200的出光侧设置多个偏光层300,且多个发光二极管200和多个偏光层300一一对应设置,即,每个发光二极管200的出光侧设置一个偏光层300。如图1所示,虚线框内表示发光二极管200,本实施例以发光二极管200的出光侧位于其远离基板100的一侧为例,偏光层300设置在发光二极管200的出光侧,即偏光层300设置在发光二极管200远离基板100的一侧,但不限于此,例如,发光二极管200的出光侧还可以位于其面向基板100的一侧,偏光层300设置在发光二极管200的出光侧,即偏光层300设置在发光二极管200与基板100之间。
本实施例中,多个偏光层300包括偏光方向不同的多个第一偏光层310和多个第二偏光层320,第一偏光层310与第二偏光层320的偏光方向不同。例如,本实施例以第一偏光层310与第二偏光层320是线偏光层为例,即本实施例以第一偏光层310的偏光方向与第二偏光层320的偏光方向垂直为例,这里的“垂直”包括严格垂直和近似垂直。如图1所示,本实施例以第一偏光层310的透光方向为沿x方向,第二偏光层320的透光方向为沿y方向为例,但不限于此。多个发光二极管200发出的光照射到设置在出光侧的第一偏光层310上,第一偏光层310吸收了与x方向垂直的光,因此从第一偏光层310透射的光是偏振方向与x方向相同的线偏振光;同理,多个发光二极管200发出的光照射到设置在出光侧的第二偏光层320上,从第二偏光层320透射的光是偏振方向与y方向相同的线偏振光。本实施例不限于此,第一偏光层310与第二偏光层320也可以包括圆偏光层,例如,当第一偏光层310与第二偏光层320为圆偏光层时,第一偏光层310与第二偏光层320的偏光方向的旋向相反。因此,从第一偏光层310以及第二偏光层320透射的具有不同图像信息的偏振光经过对应的偏光眼镜可以分别进入人眼的左右眼,实现3D显示效果。一般在显示面板的出光侧设置整块的偏光板,容易使显示面板中的发光二极管发出的光传播到相邻的发光二极管对应的偏光区域,从而产生串扰现象。本实施例中的多个偏光层300分别设置在多个发光二极管200的出光侧,且多个偏光层300与多个发光二极管200一一对应设置,可以解决3D串扰等问题,从而提高3D体验效果。
例如,如图1所示,沿第一方向排列的多个发光二极管200的出光侧设置的偏光层300的偏光方向相同,沿与第一方向垂直的第二方向排列的多个发光二极管200的出光侧交替设置第一偏光层310以及第二偏光层320。需要说明的是,本实施例中的第一方向指图1中的y方向,第二方向指x方向,然而本实施例不限于此,还可以是,沿x方向排列的多个发光二极管200的出光侧设置的偏光层300的偏光方向相同,沿y方向排列的多个发光二极管200的出光侧交替设置第一偏光层310以及第二偏光层320。例如,在发光二极管显示面板周围还设置有驱动装置,用来驱动多个发光二极管200发光。例如,驱动装置驱动出光侧设置第一偏光层310的多个发光二极管200显示左(右)眼观看图像,驱动出光侧设置第二偏光层320的多个发光二极管200显示右(左)眼观看图像,由于沿x(y)方向排列的多个发光二极管200的出光侧交替设置第一偏光层310以及第二偏光层320,因此,该发光二极管显示面板可以逐行或逐列的形成不同的偏光显示图像,该偏光显示图像光经过对应的偏光眼镜,使人眼的左右眼看到不同的图像,从而实现3D显示效果。
图2为本实施例提供的另一种发光二极管显示面板示意图,如图2所示,每两个相邻的发光二极管200的出光侧分别设置第一偏光层310以及第二偏光层320,即沿x方向和y方向排列的多个发光二极管200的出光侧交替设置第一偏光层310以及第二偏光层320。通过驱动装置分别控制出光侧设置第一偏光层310以及第二偏光层320的多个发光二极管200显示两种不同的图像,以实现从第一偏光层310以及第二偏光层320出射的偏光图像经过对应的偏光眼镜后,人眼可以看到两种不同的图像,实现3D显示效果。利用该发光二极管显示面板可以实现逐个偏光显示,减小每个发光二极管200发出的光进入相邻发光二极管200对应的偏光区域而产生串扰的几率,解决3D串扰等问题,从而提高3D体验效果。
例如,驱动装置仅控制一部分发光二极管200发光,即驱动装置驱动出光侧设置第一偏光层310的多个发光二极管200发光,驱动出光侧设置第二偏光层320的多个发光二极管200不发光,或者相反,即驱动出光侧设置第二偏光层320的多个发光二极管200发光,驱动出光侧设置第一偏光层310的多个发光二极管200不发光,从而不经过偏光眼镜就可以观看到显示的图像信息,实现2D显示效果。因此,本实施例提供的发光二极管显示面板可以实现2D显示与3D显示的切换。
例如,还可以根据不同需要,按照不同排布方式对出光侧设置第一偏光层310以及第二偏光层320的发光二极管200进行排布,本实施例对此不作限制。
需要说明的是,本实施例中以单色显示为例,每个发光二极管200发出相同颜色的光,例如,红光、绿光或蓝光等,本实施例不限于此。
图3为本实施例提供的一个发光二极管结构示意图,如图3所示,发光二极管200包括第一电极201、电流分散层202、第一半导体层203、发光层204、第二半导体层205、第二电极206以及衬底基板207,本实施例对此不作限制。
例如,本实施例中以第一电极201和第二电极206位于不同层为例,但本实施例不限于此,第一电极201和第二电极206还可以位于同一层。
例如,本实施例以每个发光二极管200单独设置第一电极201和第二电极206为例,但本实施例对此不作限制,也可以多个发光二极管200共用任一个电极。
例如,衬底基板207的材料可以为蓝宝石(Al2O3)、硅(Si)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)等,本实施例不限于此。
例如,发光层204可以为单层量子阱(SQW)或多层量子阱(MQW)发光层,即,其结构为可局限载流子的量子阱,本实施例不限于此,发光层204还可以为量子点发光层。例如,红光发光二极管发光层的材料可选用铝砷化镓(AlGaAs)、磷砷化镓(GaAsP)、磷化镓(GaP)等材料中的一种或多种;绿光发光二极管发光层的材料可选用铟氮化镓/氮化镓(InGaN/GaN)、磷化镓(GaP)、铝磷化镓(AlGaP)等材料中的一种或多种;蓝光发光二极管发光层的材料可选氮化镓(GaN)、铟氮化镓(InGaN)、硒化锌(ZnSe)等材料中的一种或多种;黄光发光二极管发光层的材料可选磷砷化镓(GaAsP)、磷化镓(GaP)、硒化锌(ZnSe)、铟氮化镓(InGaN)、碳化硅(SiC)等材料中的一种或多种;红外线发光二极管发光层的材料可选用铝砷化镓(AlGaAs)、磷砷化镓(GaAsP)、磷化铟镓铝(AlGaInP)、掺杂氧化锌的磷化镓(GaP:ZnO)等材料中的一种或多种,紫外线发光二极管发光层的材料可选用氮化铝(AlN)、氮化铝镓(AlGaN)等材料中的一种或多种,本实施例对此不作限制。
例如,第一电极201的材料可以是不透明的导电材料,可以选用钛(Ti)、铂(Pt)、金(Au)、铬(Cr)等材料中的一种或几种,本实施例对此不作限制。例如,第一电极201的材料也可以是透明导电材料,例如,可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)中的组合或至少一种,本实施例对此不作限制。第二电极206的材料可以选用钛(Ti)、铝(Al)、镍(Ni)、铂(Pt)、金(Au)等材料中的一种或几种,本实施例对此不作限制。
例如,第一半导体层203可以为P型掺杂层,第二半导体层205可以为N型掺杂,本实施例不限于此,还可以是,第一半导体层203可以为N型掺杂层,第二半导体层205可以为P型掺杂层。
例如,如图3所示,电流分散层202是设置在第一半导体层203上的透明导电层,可以用来均匀分散从第一电极201注入的电流,并使电流能够流过整层第一半导体层203,需要说明的是,本实施例中的发光二极管200的结构中也可以不包括电流分散层202。
例如,第一电极201与第一半导体层203电连接,第二电极206与第二半导体层205电连接。例如,第一电极201为P电极,第一半导体层203为P型半导体层,第二电极206为N电极,第二半导体层205为N型半导体层,空穴和电子分别从第二电极206和第一电极201注入第二半导体层205和第一半导体层203,并在发光层204复合,表现以光子的形式释放能量,发光波长取决于发光材料的禁带宽度。本实施例对此不作限制,还可以是,第一电极201为N电极,第一半导体层203为N型半导体层,第二电极206为P电极,第二半导体层205为P型半导体层。
例如,本实施例中的发光二极管200的结构不限于此,还可以包括电流阻挡层、中间阻挡层、缓冲层等。
例如,如图3所示,发光二极管200中的第一电极201设置在发光二极管200的出光侧,且偏光层300与第一电极201设置在同一层。例如,偏光层300的厚度很薄,例如厚度为50埃-200埃,在此不作限制。将偏光层300与第一电极201设置在同一层可以不需要外置偏光片结构即可出射偏振光,从而减少发光二极管200整体的厚度以及体积,优化性能。
需要说明的是,如图3所示,本实施例以发光二极管200的出光侧位于其远离衬底基板207的一侧为例,第一电极201与偏光层300同层设置在出光侧,本实施例对此不作限制。
例如,如图3所示,发光二极管200的出光区域400在衬底基板207上的投影落入偏光层300在衬底基板207上的投影内,且偏光层300在衬底基板207上的投影落入发光二极管200在衬底基板207上的投影内。也就是说,发光二极管200的出光区域400沿平行于衬底基板207的截面的尺寸小于或等于偏光层300的沿平行于衬底基板207的截面的尺寸,以保证从发光二极管200的出光区域400出射的光都经过偏光层300成为偏振光。由于偏光层300与第一电极201同层设置,因此偏光层300的沿平行于衬底基板207的截面的尺寸小于发光二极管200的沿平行于衬底基板207的截面的尺寸,并且,这里的第一电极201是不透明导电电极。本实施例不限于此,例如,第一电极201为透明导电电极,偏光层300除与第一电极201同层设置外,还包括设置在第一电极201上的部分,也就是说第一电极201处于发光二极管200的出光区域400内。例如,多个发光二极管200公用第一电极201,第一电极201在基板100上的投影可以不落入发光层203在基板100上的投影内,此时,第一电极201可选取透明或不透明导电电极。
例如,偏光层300的材料例如包括金属或含有导电物质的树脂,例如可以包括钼、铝、铬、铜或银等;也可以是含有导电物质的树脂层,该导电物质可以为纳米级的金属丝线,包括银丝、铝线等,或者金属粉末状的添加剂等。本实施例对偏光层300的材料并不限定,也可以是具有纳米级的透明或不透明的非导电材料。
例如,多个偏光层300具有纳米尺寸的光栅图案,可以通过纳米压印或者激光直接成型技术等方法制作而成,本实施例不限于此。例如,偏光层300的光栅图案的周期可以为60纳米-300纳米。例如,偏光层300的光栅图案为平行排列的狭缝,例如金属线栅偏振结构。金属线栅偏振结构是利用金属表面自由电子的振荡特性,使得电场方向与线栅方向平行的横电(TE)偏振光能够激发电子沿线栅方向振荡,从而发生反射;而电场方向与线栅方向垂直的横磁(TM)偏振光由于周期性结构的限制无法激发自由电子振荡,因此TM偏振光主要表现为透射特性,即电场方向平行于线栅的光分量几乎全部被金属线栅偏振结构反射,反过来,电场方向垂直于线栅的大部分光都可以透过金属线栅偏振结构。
例如,多个发光二极管200的尺寸为几微米-几十微米,例如,发光二极管200的尺寸为1微米-100微米,即发光二极管200为微发光二极管,本实施例不限于此。
例如,多个发光二极管200中的每两个相邻的发光二极管200间隔设置,即,每两个相邻的发光二极管200的出光侧设置的偏光层300间隔设置。
实施例二
与实施例一不同的是本实施例提供的发光二极管包括多个发光二极管组,每个发光二极管组中包括至少两个不同颜色的发光二极管,因此可以实现彩色的3D显示效果。
图4为本实施例提供的一种发光二极管显示面板示意图,如图4所示,多个发光二极管200包括多个发光二极管组,例如,包括发光二极管组210和220。发光二极管组210中包括三个不同颜色的发光二极管211、212和213,发光二极管组220中包括三个不同颜色的发光二极管221、222和223,且每个发光二极管组中的每个发光二极管出光侧设置的偏光层300的偏光方向相同。例如,如图4所示,沿第一方向排列的多个发光二极管组的出光侧设置的偏光层300的偏光方向相同,沿第二方向排列的多个发光二极管组的出光侧交替设置第一偏光层310以及第二偏光层320,需要说明的是,本实施例中的第一方向指图4中的y方向,第二方向指x方向,然而本实施例不限于此。例如,发光二极管组210包括红色发光二极管211、绿色发光二极管212和蓝色发光二极管213,并且,三种颜色的发光二极管的出光侧设置第一偏光层310,其偏光方向沿x方向。发光二极管组220包括红色发光二极管221、绿色发光二极管222和蓝色发光二极管223,并且三种颜色的发光二极管的出光侧设置第二偏光层320,其偏光方向沿y方向,本实施例以x方向与y方向垂直为例,但不限于此,例如,第一偏光层310和第二偏光层320可以为偏光方向的旋向相反的圆偏光层。例如,每个发光二极管组可以形成一个像素,以进行彩色显示。
图5为本实施例提供的另一种发光二极管显示面板示意图,如图5所示,每两个相邻的发光二极管组的出光侧分别设置第一偏光层310以及第二偏光层320,例如,发光二极管组210包括红色发光二极管211、绿色发光二极管212和蓝色发光二极管213,并且,三种颜色的发光二极管的出光侧设置第一偏光层310;发光二极管组220包括红色发光二极管221、绿色发光二极管222和蓝色发光二极管223,并且三种颜色的发光二极管的出光侧设置第二偏光层320,本实施例以沿x方向和y方向交替排列设置发光二极管组210以及发光二极管组220为例,但不限于此。
例如,利用驱动装置分别控制出光侧设置第一偏光层310以及第二偏光层320的多个发光二极管组显示两种不同的图像,以实现从第一偏光层310以及第二偏光层320出射的偏光图像经过对应的偏光眼镜后,人眼可以看到两种不同的图像,从而实现彩色3D显示效果。利用该发光二极管显示面板可以实现逐行/列或逐个的偏光显示图像,减小每个发光二极管组发出的光进入相邻发光二极管组对应的偏光区域而产生串扰的几率,解决3D串扰等问题,从而提高3D体验效果。
实施例三
本实施例提供一种发光二极管显示面板的制作方法,如图6所示,该发光二极管显示面板的制作方法包括:在基板上形成阵列排布的多个发光二极管;在多个发光二极管的出光侧形成多个偏光层,且多个偏光层与多个发光二极管一一对应设置,并且,多个偏光层包括偏光方向不同的多个第一偏光层和多个第二偏光层。通过该发光二极管显示面板的制作方法制作的发光二极管显示面板可以逐行/列或逐个的形成不同的偏光显示图像,该偏光显示图像光经过对应的偏光眼镜,使人眼的左右眼看到不同的图像,从而实现单色或彩色3D显示效果。利用该发光二极管显示面板的制作方法制作的发光二极管显示面板可以解决3D串扰等问题,从而提高3D体验效果。
例如,形成发光二极管包括在衬底基板上形成第二半导体层;在第二半导体层上形成第二电极和发光层,例如,第二电极和发光层可以间隔设置;在发光层上形成第一半导体层;在第一半导体层上形成电流分散层;在电流分散层上形成第一电极。本实施例对此不作限制,例如,本实施例提供的发光二极管可以不包括电流分散层。例如,实施例提供的发光二极管还可以包括电流阻挡层、中间阻挡层、缓冲层等。
例如,第一电极形成在发光二极管的出光侧,本实施例以发光二极管的出光侧位于其远离衬底基板的一侧为例,本实施例并不限于此。
例如,本实施例提供的发光二极管为微发光二极管,例如,本实施例提供的发光二极管显示面板的制作方法中在基板上形成阵列排布的多个发光二极管包括:通过转印方法将多个发光二极管转印到基板上。例如,转印发光二极管的具体制备过程为:通过激光剥离技术将发光二极管芯片从蓝宝石类衬底基板上分离开,随后使用一个图案化的聚二甲基硅氧烷(PDMS)传送头将发光二极管芯片从蓝宝石类衬底基板吸附起来,并将PDMS传送头与接收基板进行对位,随后将PDMS传送头所吸附的发光二极管芯片贴附到接收基板上预设的位置处,再剥离PDMS传送头,即可完成将发光二极管芯片转移到接收基板上,从而制得发光二极管显示面板。
例如,在多个发光二极管的出光侧形成多个偏光层包括:在将多个发光二极管转印到基板上之后,在第一电极所在层同层形成多个偏光层。
例如,发光二极管的出光区域在基板上的投影落入偏光层在基板上的投影内,且偏光层在基板上的投影落入发光二极管在基板上的投影内。也就是说,发光二极管的出光区域沿平行于基板的截面的尺寸小于或等于偏光层沿平行于基板的截面的尺寸,以保证从发光二极管的出光区域出射的光都经过偏光层成为偏振光。由于偏光层与第一电极同层设置,因此偏光层沿平行于基板的截面的尺寸小于发光二极管沿平行于基板的截面的尺寸,并且,这里的第一电极是不透明导电电极。本实施例不限于此,例如,第一电极为透明导电电极,偏光层除与第一电极同层设置外,还包括设置在第一电极上的部分,也就是说第一电极处于发光二极管的出光区域。
例如,沿第一方向排列的多个发光二极管的出光侧形成偏光方向相同的多个偏光层,沿与第一方向垂直的第二方向排列的多个发光二极管的出光侧形成交替设置的多个第一偏光层以及多个第二偏光层。因此形成的发光二极管显示面板可以逐行/列的形成不同的偏光显示图像,该偏光显示图像光经过对应的偏光眼镜,使人眼的左右眼看到不同的图像,从而实现单色3D显示效果。
例如,每两个相邻的发光二极管的出光侧分别形成第一偏光层以及第二偏光层。因此形成的发光二极管显示面板可以逐个的形成不同的偏光显示图像,该偏光显示图像光经过对应的偏光眼镜,使人眼的左右眼看到不同的图像,从而实现单色3D显示效果。利用该发光二极管显示面板制作方法制作的发光二极管,可以减小每个发光二极管发出的光进入相邻发光二极管对应的偏光区域而产生串扰的几率,解决3D串扰等问题,从而提高3D体验效果。
例如,多个发光二极管包括多个发光二极管组,每个发光二极管组包括至少两个不同颜色的发光二极管,且每个发光二极管组中的每个发光二极管出光侧设置的偏光层的偏光方向相同。例如,每个发光二极管组包括红色发光二极管、绿色发光二极管、蓝色发光二极管,本实施例不限于此。例如,每个发光二极管组可以形成一个像素,以进行彩色3D显示,本实施例不限于此。
本实施例中将偏光层与第一电极设置在同一层可以不需要外置偏光片结构就可以出射偏振光,从而减少发光二极管整体的厚度以及体积,优化性能。
例如,采用纳米压印方法形成多个偏光层。例如,纳米压印技术是通过模板,将图形转移到相应的衬底上,转移的媒介通常是一层很薄的聚合物膜,通过热压或者辐照等方法使其结构硬化从而保留下转移的图形。该纳米压印模板预先根据偏振所需的平行排列的狭缝组成的光栅图案来制作,该模板可以采用石英、玻璃或塑料来制作。本实施例不限于纳米压印的方法,还可以采用激光直接成型技术等方法。例如,通过纳米压印形成的偏光层的厚度可以很薄,例如,偏光层的厚度可以为50埃-200埃,本实施例对此不作限制。因而可以减少发光二极管整体的厚度以及体积,优化性能。
实施例四
本实施例提供一种显示器,包括上述任一种发光二极管显示面板,该显示器可以逐行/列或逐个的形成不同的偏光显示图像,该偏光显示图像光经过对应的偏光眼镜,使人眼的左右眼看到不同的图像,从而实现单色或彩色的3D显示效果。利用该显示器还可以解决3D串扰等问题,从而提高3D体验效果。此外,在位于出光侧的第一电极的同层形成偏光层可以减少显示器整体的厚度以及体积,从而优化性能。
例如,该显示器可以为发光二极管显示器,例如可以为微发光二极管显示器等,本实施例不限于此。
有以下几点需要说明:
(1)除非另作定义,本发明实施例以及附图中,同一标号代表同一含义。
(2)本发明实施例附图中,只涉及到与本发明实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。
(3)为了清晰起见,在用于描述本发明的实施例的附图中,层或区域的厚度被放大。可以理解,当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时,该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”,或者可以存在中间元件。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (15)
1.一种发光二极管显示面板,包括:
基板;
在所述基板上设置阵列排布的多个发光二极管;
多个偏光层,分别设置在所述多个发光二极管的出光侧,且所述多个偏光层与所述多个发光二极管一一对应设置;
其中,所述多个偏光层包括偏光方向不同的多个第一偏光层和多个第二偏光层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管显示面板,其中,所述第一偏光层的偏光方向与所述第二偏光层的偏光方向垂直;或者所述第一偏光层和所述第二偏光层为圆偏光层且二者的旋向相反。
3.根据权利要求1所述的发光二极管显示面板,其中,沿第一方向排列的所述多个发光二极管的出光侧设置的所述偏光层的偏光方向相同,沿与所述第一方向垂直的第二方向排列的所述多个发光二极管的出光侧交替设置所述第一偏光层以及所述第二偏光层。
4.根据权利要求1所述的发光二极管显示面板,其中,每两个相邻的所述发光二极管的出光侧分别设置所述第一偏光层以及所述第二偏光层。
5.根据权利要求1所述的发光二极管显示面板,其中,所述发光二极管包括第一电极,所述第一电极设置在所述发光二极管的出光侧,且所述偏光层与所述第一电极设置在同一层。
6.根据权利要求1所述的发光二极管显示面板,其中,所述发光二极管的出光区域在所述基板上的投影落入所述偏光层在所述基板上的投影内,且所述偏光层在所述基板上的投影落入所述发光二极管在所述基板上的投影内。
7.根据权利要求6所述的发光二极管显示面板,其中,所述多个发光二极管中的每两个相邻的所述发光二极管间隔设置。
8.根据权利要求1所述的发光二极管显示面板,其中,所述多个发光二极管包括多个发光二极管组,每个所述发光二极管组中包括至少两个不同颜色的发光二极管,且每个所述发光二极管组中的发光二极管出光侧设置的所述偏光层的偏光方向相同。
9.根据权利要求1-8任一项所述的发光二极管显示面板,其中,所述发光二极管的尺寸为1微米-100微米。
10.根据权利要求1-8任一项所述的发光二极管显示面板,其中,所述多个偏光层具有纳米尺寸的光栅图案。
11.一种发光二极管显示面板的制作方法,包括:
在基板上形成阵列排布的多个发光二极管;
在所述多个发光二极管的出光侧形成多个偏光层,且所述多个偏光层与所述多个发光二极管一一对应设置,
其中,所述多个偏光层包括偏光方向不同的多个第一偏光层和多个第二偏光层。
12.根据权利要求11所述的发光二极管显示面板的制作方法,其中,形成所述发光二极管包括:在所述发光二极管的出光侧形成第一电极。
13.根据权利要求12所述的发光二极管显示面板的制作方法,其中,所述在基板上形成阵列排布的多个发光二极管包括:
通过转印方法将所述多个发光二极管转印到所述基板上;
所述在所述多个发光二极管的出光侧形成多个偏光层包括:在将所述多个发光二极管转印到所述基板上之后,在所述第一电极所在层同层形成所述多个偏光层。
14.根据权利要求11或12所述的发光二极管显示面板的制作方法,其中,所述发光二极管的出光区域在所述基板上的投影落入所述偏光层在所述基板上的投影内,且所述偏光层在所述基板上的投影落入所述发光二极管在所述基板上的投影内。
15.一种显示器,包括权利要求1-10任一项所述的发光二极管显示面板。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710004513.3A CN106684109B (zh) | 2017-01-04 | 2017-01-04 | 发光二极管显示面板及其制作方法、显示器 |
PCT/CN2017/098041 WO2018126697A1 (zh) | 2017-01-04 | 2017-08-18 | 发光二极管显示面板及其制作方法、显示器 |
US15/759,633 US10461122B2 (en) | 2017-01-04 | 2017-08-18 | Light emitting diode display panel and manufacturing method thereof, and display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710004513.3A CN106684109B (zh) | 2017-01-04 | 2017-01-04 | 发光二极管显示面板及其制作方法、显示器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106684109A true CN106684109A (zh) | 2017-05-17 |
CN106684109B CN106684109B (zh) | 2020-04-28 |
Family
ID=58849894
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710004513.3A Expired - Fee Related CN106684109B (zh) | 2017-01-04 | 2017-01-04 | 发光二极管显示面板及其制作方法、显示器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10461122B2 (zh) |
CN (1) | CN106684109B (zh) |
WO (1) | WO2018126697A1 (zh) |
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- 2017-08-18 US US15/759,633 patent/US10461122B2/en active Active
- 2017-08-18 WO PCT/CN2017/098041 patent/WO2018126697A1/zh active Application Filing
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---|---|
US10461122B2 (en) | 2019-10-29 |
CN106684109B (zh) | 2020-04-28 |
WO2018126697A1 (zh) | 2018-07-12 |
US20190051696A1 (en) | 2019-02-14 |
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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