CN106684043B - 一种防静电igbt模块 - Google Patents

一种防静电igbt模块 Download PDF

Info

Publication number
CN106684043B
CN106684043B CN201611148566.4A CN201611148566A CN106684043B CN 106684043 B CN106684043 B CN 106684043B CN 201611148566 A CN201611148566 A CN 201611148566A CN 106684043 B CN106684043 B CN 106684043B
Authority
CN
China
Prior art keywords
signal terminal
antistatic
igbt module
resistance
igbt
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201611148566.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106684043A (zh
Inventor
车湖深
于今
杨小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
China Resources Microelectronics Chongqing Ltd
Original Assignee
China Resources Microelectronics Chongqing Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by China Resources Microelectronics Chongqing Ltd filed Critical China Resources Microelectronics Chongqing Ltd
Priority to CN201611148566.4A priority Critical patent/CN106684043B/zh
Publication of CN106684043A publication Critical patent/CN106684043A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106684043B publication Critical patent/CN106684043B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Elimination Of Static Electricity (AREA)

Abstract

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种防静电IGBT模块，通过在连接IGBT芯片栅极的第一信号端子和连接IGBT芯片漏极的第二信号端子之间添加电阻，并利用信号端子座、保护盖和导电胶对该电阻进行固定，从而降低IGBT模块在运输、传递和使用过程中由于栅极静电造成损坏的风险，同时降低了IGBT模块中保护部件脱落的风险；且在制造测试过程中，在IGBT模块出厂前进行电阻的添加和保护盖的添加操作，进而保证IGBT模块在测试过程中不会由于电阻引起测试上的误差。

Description

一种防静电IGBT模块
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种防静电IGBT模块。
背景技术
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
IGBT模块是一种标准尺寸的模块产品，由于其优越的开关性能被广泛的应用于电机驱动、感应加热、风能发电、光伏等领域。由于IGBT是栅极敏感器件，容易受到来自栅极的静电造成失效。而目前的IGBT模块，如图1所示，主要采用在外壳1外围添加防静电泡棉或者短路环4进行防静电保护，其中，2为底板，3为信号端子，5为功率端子。这种壳体外围添加防静电泡绵或者短路环保护方式，由于没有很好的固定措施，在运输过程中存在脱落的风险。另外在使用IGBT模块时，需要手动将防静电的泡棉或者短路环卸下，然后进行电路连接。在电路连接过程中，IGBT模块本身处于不进行防静电保护措施的状态，在此时间内对产品的触摸、焊接、运输均存在静电击穿的风险；这是本领域技术人员所不期望见到的。
因此，如何降低IGBT模块在制造、运输及使用过程中的静电击穿风险成为本领域技术人员致力于研究的方向。
发明内容
针对上述存在的问题，本发明公开了一种防静电IGBT模块，包括：第一信号端子、第二信号端子、信号端子定位座、电阻、IGBT芯片和保护盖；
所述电阻的一端通过所述第一信号端子与所述IGBT芯片上的栅极连接，所述电阻的另一端通过所述第二信号端子与所述IGBT芯片上的漏极连接；
所述第一信号端子、所述第二信号端子和所述电阻均设置于所述信号端子定位座上，并利用所述信号端子定位座进行水平方向的定位；
所述保护盖设置于所述信号端子定位座之上，以在垂直方向上对所述第一信号端子、所述第二信号端子和所述电阻进行定位。
上述的防静电IGBT模块，其中，所述信号端子定位座上设置有两条横向槽口和一条纵向槽口，且所述两条横向槽口和一条纵向槽口形成一工字型结构；
所述第一信号端子和所述第二信号端子分别设置于所述两条横向槽口中，所述电阻设置于所述纵向槽口中。
上述的防静电IGBT模块，其中，所述保护盖设置有两个开孔。
上述的防静电IGBT模块，其中，所述第一信号端子和所述第二信号端子均为镜像L型结构，所述镜像L型结构的水平部分嵌入设置于所述横向槽口中，所述镜像L型结构的竖直部分贯穿所述开孔设置。
上述的防静电IGBT模块，其中，所述防静电IGBT模块还包括陶瓷覆铜板、底板和外壳；
所述IGBT芯片固定设置于所述陶瓷覆铜板之上，所述陶瓷覆铜板固定设置于所述底板上；
所述外壳环绕所述底板的边缘设置，并与所述保护盖连接。
上述的防静电IGBT模块，其中，所述IGBT芯片固定通过焊接的方式固定设置于所述陶瓷覆铜板之上，所述陶瓷覆铜板通过焊接的方式固定设置于所述底板上。
上述的防静电IGBT模块，其中，所述底板为镀镍紫铜板。
上述的防静电IGBT模块，其中，所述保护盖下部设置有第一倒勾和凸起；
所述外壳上设置有与所述第一倒勾相适配的第二倒勾，并设置有与所述凸起相适配的窗口。
上述的防静电IGBT模块，其中，所述防静电IGBT模块还包括功率端子和功率端子定位座；
所述功率端子焊接在所述陶瓷覆铜板上，所述功率端子定位座通过所述功率端子定位在所述底板上。
上述的防静电IGBT模块，其中，所述电阻与所述第一信号端子和所述第二信号端子之间均通过导电胶进行连接。
上述发明具有如下优点或者有益效果：
本发明公开的一种防静电IGBT模块，通过在连接IGBT芯片栅极的第一信号端子和连接IGBT芯片漏极的第二信号端子之间添加电阻，并利用信号端子座、保护盖和导电胶对该电阻进行固定，从而降低IGBT模块在运输、传递和使用过程中由于栅极静电造成损坏的风险，同时降低了IGBT模块中保护部件脱落的风险；且在制造测试过程中，在IGBT模块出厂前进行电阻的添加和保护盖的添加操作，进而保证IGBT模块在测试过程中不会由于电阻引起测试上的误差。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、外形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未可以按照比例绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
图1是现有技术中防静电IGBT模块的结构示意图；
图2是本发明实施例中防静电IGBT模块的结构示意图；
图3是本发明实施例中防静电IGBT模块的侧视图；
图4是图3中A处的剖面示意图；
图5是本发明实施例中防静电IGBT模块的侧视图；
图6是图5中B处的剖面示意图；
图7是本发明实施例中信号端子定位座的结构示意图；
图8是本发明实施例中栅极保护盖的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体的实施例对本发明作进一步的说明，但是不作为本发明的限定。
如图2～6所示，本实施例涉及本发明公开了一种防静电IGBT模块，包括：第一信号端子21、第二信号端子22、底板23、外壳24、功率端子25、保护盖26、信号端子定位座27、陶瓷覆铜板28、连接线29、IGBT芯片30和电阻31；该IGBT芯片30上设置有栅极和漏极，且IGBT芯片30的栅极通过连接线29与第一信号端子21连接(即将IGBT芯片30的栅极通过连接线29引出到第一信号端子21上)，且IGBT芯片30的漏极通过连接线29与第二信号端子22连接(即将IGBT芯片30的漏极通过连接线29引出到第二信号端子22上)；电阻31的一端与第一信号端子21电连接，另一端与第二信号端子22相连接(即相当于电阻31连接在IGBT芯片30的栅极和漏极之间)；从而可以通过该电阻31有效降低IGBT模块在运输、传递和使用过程中由于栅极静电造成损坏的风险(图4中由于剖的位置在图3中A处的第一信号端子和第二信号端子之间，因此未示出第二信号端子)。且第一信号端子21、第二信号端子22和电阻31均设置于信号端子定位座27上，并利用信号端子定位座27进行水平方向的定位；保护盖26设置于信号端子定位座27之上，以在垂直方向上对第一信号端子21、第二信号端子22和电阻31进行定位，从而降低了IGBT模块中保护部件脱落的风险。IGBT芯片30固定设置于陶瓷覆铜板28之上，陶瓷覆铜板28固定设置于底板23上；外壳24环绕底板23的边缘设置，并与保护盖26连接。功率端子25焊接在陶瓷覆铜板28上。
在本发明一个可选的实施例中，如图7所示，信号端子定位座27上设置有两条横向槽口271和一条纵向槽口272，且两条横向槽口271和一条纵向槽口22形成一工字型结构；上述第一信号端子21和第二信号端子22分别设置于两条横向槽口271中，电阻31设置于纵向槽口272中，以实现第一信号端子21、第二信号端子22和电阻31水平方向的定位。
在本发明一个可选的实施例中，如图8所示(为了更清晰的示出保护盖26的结构，图8中是将保护盖26垂直翻转(旋转180°)后的示意图，即图中所示的上部实质是保护盖26的下部)，保护盖26上设置有两个开孔261，下部设置有第一倒勾263和凸起262，侧部也设置有凸块264。该第一倒勾263、凸起262和凸块264均用于与外壳24连接，且该外壳24上设置有与第一倒勾263相适配的第二倒勾，并设置有与凸起262和凸块264相适配的窗口，以实现保护盖26与外壳24的固定连接。
在此基础上，进一步的，第一信号端子21和第二信号端子22均为镜像L型结构，镜像L型结构的水平部分嵌入设置于横向槽口271中，镜像L型结构的竖直部分贯穿开孔261设置。
在本发明一个可选的实施例中，IGBT芯片30的背面通过焊料采用高温焊接的方式固定设置于陶瓷覆铜板28之上，陶瓷覆铜板28通过高温焊接的方式固定设置于底板23上。
在本发明一个可选的实施例中，上述底板23为镀镍紫铜板，进一步的，该镀镍紫铜板为镀镍T2紫铜板。
在本发明一个可选的实施例中，上述防静电IGBT模块还包括功率端子定位座(图中未标示出)，该功率端子定位座通过功率端子25定位在底板23上。
在本发明一个可选的实施例中，上述电阻31与第一信号端子21和第二信号端子22之间均通过导电胶进行连接；进一步的，电阻31采用导电胶通过高温加热固化的方式与第一信号端子21和第二信号端子22相连。
在本发明一个可选的实施例中，上述连接线29的一端采用电焊的方式固定在信号端子21(22)的尾端，另一端采用焊接的方式固定在陶瓷覆铜板28，并与IGBT芯片30的栅极或IGBT的漏极相连。
在此，值得一提的是，本实施例的防静电IGBT模块，在制造测试过程中，在防静电IGBT模块出厂前进行电阻31的添加和保护盖26的添加操作，从而保证防静电IGBT模块在测试过程中不会由于该电阻31引起测试上的误差。
本领域技术人员应该理解，本领域技术人员在结合现有技术以及上述实施例可以实现变化例，在此不做赘述。这样的变化例并不影响本发明的实质内容，在此不予赘述。
以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本发明的实质内容。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (9)

1.一种防静电IGBT模块，其特征在于，包括：第一信号端子、第二信号端子、信号端子定位座、电阻、IGBT芯片和保护盖；
所述电阻的一端通过所述第一信号端子与所述IGBT芯片上的栅极连接，所述电阻的另一端通过所述第二信号端子与所述IGBT芯片上的漏极连接；
所述第一信号端子、所述第二信号端子和所述电阻均设置于所述信号端子定位座上，并利用所述信号端子定位座进行水平方向的定位；
所述保护盖设置于所述信号端子定位座之上，以在垂直方向上对所述第一信号端子、所述第二信号端子和所述电阻进行定位；
所述信号端子定位座上设置有两条横向槽口和一条纵向槽口，且所述两条横向槽口和一条纵向槽口形成一工字型结构；
所述第一信号端子和所述第二信号端子分别设置于所述两条横向槽口中，所述电阻设置于所述纵向槽口中。
2.如权利要求1所述的防静电IGBT模块，其特征在于，所述保护盖设置有两个开孔。
3.如权利要求2所述的防静电IGBT模块，其特征在于，所述第一信号端子和所述第二信号端子均为镜像L型结构，所述镜像L型结构的水平部分嵌入设置于所述横向槽口中，所述镜像L型结构的竖直部分贯穿所述开孔设置。
4.如权利要求1所述的防静电IGBT模块，其特征在于，所述防静电IGBT模块还包括陶瓷覆铜板、底板和外壳；
所述IGBT芯片固定设置于所述陶瓷覆铜板之上，所述陶瓷覆铜板固定设置于所述底板上；
所述外壳环绕所述底板的边缘设置，并与所述保护盖连接。
5.如权利要求4所述的防静电IGBT模块，其特征在于，所述IGBT芯片固定通过焊接的方式固定设置于所述陶瓷覆铜板之上，所述陶瓷覆铜板通过焊接的方式固定设置于所述底板上。
6.如权利要求4所述的防静电IGBT模块，其特征在于，所述底板为镀镍紫铜板。
7.如权利要求4所述的防静电IGBT模块，其特征在于，所述保护盖下部设置有第一倒勾和凸起；
所述外壳上设置有与所述第一倒勾相适配的第二倒勾，并设置有与所述凸起相适配的窗口。
8.如权利要求4所述的防静电IGBT模块，其特征在于，所述防静电IGBT模块还包括功率端子和功率端子定位座；
所述功率端子焊接在所述陶瓷覆铜板上，所述功率端子定位座通过所述功率端子定位在所述底板上。
9.如权利要求1所述的防静电IGBT模块，其特征在于，所述电阻与所述第一信号端子和所述第二信号端子之间均通过导电胶进行连接。
CN201611148566.4A 2016-12-13 2016-12-13 一种防静电igbt模块 Active CN106684043B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611148566.4A CN106684043B (zh) 2016-12-13 2016-12-13 一种防静电igbt模块

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611148566.4A CN106684043B (zh) 2016-12-13 2016-12-13 一种防静电igbt模块

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106684043A CN106684043A (zh) 2017-05-17
CN106684043B true CN106684043B (zh) 2019-05-03

Family

ID=58869566

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611148566.4A Active CN106684043B (zh) 2016-12-13 2016-12-13 一种防静电igbt模块

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106684043B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109755305A (zh) * 2017-11-02 2019-05-14 华润微电子（重庆）有限公司 一种igbt合封单管
CN110444533B (zh) * 2019-08-21 2021-02-09 江苏中科君芯科技有限公司 防静电igbt模块结构
CN115763396B (zh) * 2022-11-03 2024-02-02 江苏东海半导体股份有限公司 一种防静电igbt模块

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2896679Y (zh) * 2006-04-19 2007-05-02 深圳市中传电气技术有限公司 带保护装置的绝缘栅双极晶体管模块
CN101261966A (zh) * 2007-03-08 2008-09-10 富士电机电子设备技术株式会社 半导体装置及其制造方法
CN102315209A (zh) * 2010-06-18 2012-01-11 富士电机株式会社 功率半导体模块
CN102341880A (zh) * 2009-08-20 2012-02-01 富士电机机器制御株式会社 电磁接触设备
CN203165889U (zh) * 2013-01-31 2013-08-28 比亚迪股份有限公司 一种igbt模块
CN103295980A (zh) * 2012-03-05 2013-09-11 上海沪通企业集团有限公司 单管igbt封装全桥模块及其封装方法
CN103378070A (zh) * 2012-04-16 2013-10-30 富士电机株式会社 半导体器件
CN103650138A (zh) * 2011-08-25 2014-03-19 富士电机株式会社 半导体装置及其制造方法
CN205428914U (zh) * 2016-03-22 2016-08-03 富士电机（中国）有限公司 一种高静电耐量的igbt模块

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2896679Y (zh) * 2006-04-19 2007-05-02 深圳市中传电气技术有限公司 带保护装置的绝缘栅双极晶体管模块
CN101261966A (zh) * 2007-03-08 2008-09-10 富士电机电子设备技术株式会社 半导体装置及其制造方法
CN102341880A (zh) * 2009-08-20 2012-02-01 富士电机机器制御株式会社 电磁接触设备
CN102315209A (zh) * 2010-06-18 2012-01-11 富士电机株式会社 功率半导体模块
CN103650138A (zh) * 2011-08-25 2014-03-19 富士电机株式会社 半导体装置及其制造方法
CN103295980A (zh) * 2012-03-05 2013-09-11 上海沪通企业集团有限公司 单管igbt封装全桥模块及其封装方法
CN103378070A (zh) * 2012-04-16 2013-10-30 富士电机株式会社 半导体器件
CN203165889U (zh) * 2013-01-31 2013-08-28 比亚迪股份有限公司 一种igbt模块
CN205428914U (zh) * 2016-03-22 2016-08-03 富士电机（中国）有限公司 一种高静电耐量的igbt模块

Also Published As

Publication number Publication date
CN106684043A (zh) 2017-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106026692B (zh) 半导体模块、电力变换装置以及半导体模块的制造方法
US11206740B2 (en) High voltage power module
CN106684043B (zh) 一种防静电igbt模块
US9899328B2 (en) Power semiconductor module
US10134718B2 (en) Power semiconductor module
CN102856308A (zh) 功率半导体模块
CN108140640A (zh) 半导体装置及具备该半导体装置的半导体模块
DiMarino et al. Fabrication and characterization of a high-power-density, planar 10 kV SiC MOSFET power module
CN108242436A (zh) 共接触部半导体器件封装
JP2016004015A (ja) 半導体試験装置
CN205645798U (zh) 电磁加热烹饪电器的电子元件散热结构及电磁加热烹饪电器
US20170324406A1 (en) Bridge leg circuit assembly and full-bridge circuit assembly
EP3451377B1 (en) Three-level high-power module using a combined electrode
CN105375787B (zh) 模块化功率端子平面连接装置
CN104852615A (zh) 电力变换装置以及缓冲电容器
CN204315565U (zh) 引线框架
JP6394459B2 (ja) 半導体装置
US10804189B2 (en) Power device package structure
US8823053B2 (en) Semiconductor device including a plurality of first flat plates containing a material that absorbs an electromagnetic wave at a high frequency
CN206388694U (zh) 半导体功率模块3d封装构造
EP2688101A1 (en) Method for electrically connecting vertically positioned substrates
US11232992B2 (en) Power device package structure
CN105703710B (zh) 一种带保护组件的el测试电路
CN110444533B (zh) 防静电igbt模块结构
CN214750673U (zh) 一种用于碳化硅双脉冲测试的低杂感测试装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: 401331 No. 25 Xiyong Avenue, Xiyong Town, Shapingba District, Chongqing

Applicant after: Huarun Microelectronics (Chongqing) Co., Ltd.

Address before: 401331 No. 25 Xiyong Avenue, Xiyong Town, Shapingba District, Chongqing

Applicant before: China Aviation (Chongqing) Microelectronics Co., Ltd.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant