CN106676526A - 银蚀刻液组合物和使用了其的显示基板 - Google Patents

银蚀刻液组合物和使用了其的显示基板 Download PDF

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李承洙
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Abstract

本发明涉及银蚀刻液组合物，相对于组合物的总重量，其包含磷酸30～60重量％、硝酸0.5～10重量％、醋酸33～50重量％、唑系化合物0.01～10重量％、和余量的脱离子水以使组合物的总重量成为100重量％。

Description

银蚀刻液组合物和使用了其的显示基板
技术领域
本发明涉及银蚀刻液组合物和使用了其的显示基板，更详细地说，涉及相对于组合物的总重量、包含磷酸30～60重量％、硝酸0.5～10重量％、醋酸33～50重量％、唑系化合物0.01～10重量％、和余量的脱离子水以使组合物的总重量成为100重量％的银蚀刻液组合物和使用了其的显示基板。
背景技术
随着进入真正的信息化时代，对大量的信息进行处理和显示的显示器领域急速地发展，相应地开发了多种平板显示器而受到关注。
作为这样的平板显示器装置的例子，可列举液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay device：LCD)、等离子体显示装置(Plasma Display Panel device：PDP)、场致发射显示装置(Field Emission Display device：FED)、电致发光显示装置(Electroluminescence Display device：ELD)、有机发光显示器(Organic LightEmitting Diodes：OLED)等。另外，这样的平板显示装置不仅在电视、视频等的家电领域中，而且在笔记本电脑这样的计算机和移动电话等多种用途中使用。这些平板显示装置由于薄型化、轻量化和低消耗电力化等优异的性能，已迅速地替代了以往使用的阴极射线管(Cathode Ray Tube：NIT)。
特别地，OLED由于元件自身发光，即使以低电压也能够驱动，因此最近已在便携设备等的小型显示器市场中迅速地应用。另外，OLED的状态为超越小型显示器、目前已进行大型电视的商用化。
另一方面，氧化锡铟(Indium Tin Oxide、ITO)和氧化锌铟(Indium Zinc Oxide、IZO)这样的导电性金属对于光的透射率比较优异，具有导电性，因此在用于平板显示装置的滤色器的电极中已广泛地使用。但是，这些金属也具有高电阻，对于应答速度的改善引起的平板显示装置的大型化和高分辨率的实现成为了障碍。
另外，反射板的情况下，以往主要将铝(Al)反射板用于制品。但是，为了实现亮度的提高引起的低电力消耗，其状态是在摸索向反射率更高的金属的材料变更。因此，将与在平板显示装置中应用的金属相比具有低的比电阻和高的亮度的银(Ag：比电阻约1.59μΩcm)膜、银合金、或者包含其的多层膜应用于滤色器的电极、LCD或OLED配线和反射板，为了实现平板显示装置的大型化和高分辨率和低电力消耗等，要求开发用于适用该材料的蚀刻液。
但是，银(Ag)对于玻璃等的绝缘基板、或者由真正无定形硅、经掺杂的无定形硅等构成的半导体基板等的下部基板，粘接性(adhesion)极其不良，蒸镀不容易，容易诱发配线的浮起(lifting)或剥离(Peeling)。另外，即使将银(Ag)导电层蒸镀于基板的情况下，为了将其图案化，使用蚀刻液。作为这样的蚀刻液，使用以往的蚀刻液的情况下，将银(Ag)过度地蚀刻，不均匀地被蚀刻，发生配线的浮起或剥离现象，配线的侧面轮廓变得不良。特别地，银(Ag)是容易被还原的金属，蚀刻速度快，在没有诱发残渣的情况下被蚀刻，但此时，蚀刻速度快，没有产生上下部间的蚀刻速度之差，蚀刻后的锥角(taper angle)的形成难，灵活应用于配线具有众多的限制。金属膜没有锥角而垂直地直立的情况下，后续工序中的绝缘膜或后续配线的形成时有时在银(Ag)与绝缘膜或配线之间产生空隙，这样的空隙的产生成为电短路等不良发生的原因。
另一方面，韩国注册专利第10-0579421号中提出的银蚀刻液在磷酸、硝酸、醋酸中作为添加剂使用了辅助氧化物溶解剂和含氟型碳系表面活性剂。但是，作为辅助氧化物溶解剂使用的SO4 2-化合物存在与银(Ag)进行反应而以硫化银(Ag2S)的形态在基板内作为残渣残留的缺点，ClO4 -化合物现在被规定为环境管制物质，在使用中存在困难。另外，使用所述组合物蚀刻包含银的金属膜的情况下，依然存在蚀刻后的锥角的形成难的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：韩国注册专利第10-0579421号
发明内容
发明要解决的课题
本发明的目的在于提供在包含银的金属膜的蚀刻后可以形成锥角(taper angle)的银蚀刻液组合物。
另外，本发明的目的在于提供使用了所述银蚀刻液组合物的显示基板和配线。
用于解决课题的手段
为了实现上述目的，本发明提供银蚀刻液组合物，相对于组合物的总重量，其包含磷酸30～60重量％、硝酸0.5～10重量％、醋酸33～50重量％、唑系化合物0.01～10重量％、和余量的脱离子水以使组合物的总重量成为100重量％。
另外，本发明提供包含用所述银蚀刻液组合物蚀刻的金属膜的显示基板。
进而，本发明提供用所述银蚀刻液组合物蚀刻的配线。
发明的效果
本发明的银蚀刻液组合物在包含银的金属膜的蚀刻后可以形成锥角。由此，随着后续工序的进行在形成后续的绝缘膜或配线时，具有沿四面缓和地形成锥角的效果。
附图说明
图1为对于实施例1采用本申请的实施例的方法测定残渣并评价的结果。
图2为对于比较例1采用本申请的实施例的方法测定残渣并评价的结果。
图3为对于实施例1采用本申请的实施例的方法测定再吸附的有无并评价的结果。
图4为对于比较例1采用本申请的实施例的方法测定再吸附的有无并评价的结果。
图5为对于实施例1采用本申请的实施例的方法测定锥角并评价的结果。
图6为对于比较例2采用本申请的实施例的方法测定锥角并评价的结果。
图7为蚀刻速度的测定时为了对于纵向蚀刻的理解所示的图。
具体实施方式
以下对本发明更详细地说明。
本发明涉及银蚀刻液组合物，相对于银蚀刻液组合物的总重量，其包含磷酸30～60重量％、硝酸0.5～10重量％、醋酸33～50重量％、唑系化合物0.01～10重量％、和余量的脱离子水以使组合物的总重量成为100重量％。本发明人在实验上确认了使用上述的蚀刻液组合物蚀刻包含银的金属膜的情况下可以形成蚀刻后的锥角(taper angle)。
本发明的银蚀刻液组合物的特征在于，能够蚀刻由银(Ag)或银合金构成的单一膜、或者由所述单一膜和透明导电膜构成的多层膜，所述多层膜可以同时蚀刻。
所述银合金可以为以银作为主成分、包含In、P、Nd、Cu、Pd、Nb、Ni、Mo、Ni、Cr、Mg、W、和Ti等其他金属的合金的形态、以及银的氮化物、硅化物、碳化物、和氧化物的形态等多种形态，但并不限定于这些。
另外，所述透明导电膜一般如IZO和a-ITO那样，具有在可见光区域中透射率为约90％以上、电阻率为1×10-4Ωcm以下的特性。由于透明导电膜为透明，一般传导电子必须少，为了电导率变大，传导电子必须多。在透明导电膜的情况下，必须满足这样相反的2个条件。在蒸镀IZO和a-ITO的方法中，一般使用溅射(Sputtering)，其与CVD(Chemical VaporDeposition)方法相比具有如下优点：容易调节蒸镀条件，在使用大型的基板制造的情况下，容易实现薄膜的厚度和薄膜特性的均一化。在采用溅射方法制造的情况下，存在使用氧化物靶或合金靶(alloy target)的2种方法，在使用合金靶的情况下，具有如下优点：蒸镀速度快，靶寿命也相当长，可以实现靶制造的容易性和再利用，但具有对工序变数显示敏感的特性变化的缺点。如果使用氧化物靶，能够具有再现性地控制薄膜的化学计量比，但与合金靶相比，蒸镀速度慢，有时在蒸镀中途在靶中产生物理的龟裂，存在在靶中产生电弧的缺点。在采用溅射蒸镀铟-主成分系氧化物的情况下，与O2反应，具有In2O3的形态，但为了提高电导率，作为掺杂剂，使用Ga、Ge、Si、Ti、Sb、Zr、Sn、和Zn等。本发明中，ITO意味着将In2O3和SnO2分别以适当比率混合而成的透明导电膜，但并不限定于此。例如，只使用作为掺杂剂使用的Ga和Zn制作的GZO的膜质等也可适用。进而，所述多层膜可以是由透明导电膜/银、透明导电膜/银合金、透明导电膜/银/透明导电膜、或透明导电膜/银合金/透明导电膜形成的多层膜，在使用本发明的银蚀刻液组合物的情况下，能够在不损伤下部膜的情况下显示蚀刻均一性，可以在湿式蚀刻中有用地使用。
本发明的银蚀刻液组合物中所含的磷酸(H3PO4)为主蚀刻剂，在蚀刻单一膜或多层膜时，与银(Ag)或银合金引起氧化还原反应，发挥使透明导电膜解离、进行湿式蚀刻的作用。
所述磷酸，相对于银蚀刻液组合物的总重量，含有30～60重量％，优选含有40～50重量％。
如果以不到30重量％含有所述磷酸，有时蚀刻能力不足，无法进行充分的蚀刻。另外，在工序的进行中如果一定量以上的银(Ag)溶解到银蚀刻液组合物中，则出现银(Ag)再吸附或银(Ag)析出物，在后续工序中可发生电短路，可成为不良发生的原因。
在所述磷酸超过60重量％的情况下，有时透明导电膜的蚀刻速度降低，银或银合金的蚀刻速度过度地加速而产生过蚀刻，由此有时产生无法发挥配线作用的蚀刻量。另外，在将透明导电膜层叠于银或银合金而成的多层膜的情况下，有时产生银或银合金与透明导电膜的蚀刻速度之差引起的尖端(Tip)，在后续工序中产生问题。
本发明的银蚀刻液组合物中所含的硝酸(HNO3)是发挥辅助蚀刻剂的作用的成分，单一膜或多层膜的蚀刻时发挥使银(Ag)或银合金与透明导电膜氧化而进行湿式蚀刻的作用。
所述硝酸相对于银蚀刻液组合物的总重量，含有0.5～10重量％，优选含有2～10重量％。
在所述硝酸的含量不到0.5重量％的情况下，有时出现银或银合金与透明导电膜的蚀刻速度的下降，由于银残渣，伴随后续工序的进行而产生电短路和残渣残留的区域看起来暗的现象，即暗点不良。另外，在硝酸的含量超过10重量％的情况下，由于过度的蚀刻速度，工序上对蚀刻的调节困难，产生过蚀刻，无法发挥作为配线的作用。
本发明的银蚀刻液组合物中所含的醋酸(CH3COOH)为了调节反应速度等作为缓冲剂发挥作用，不仅如此，对于Ag单一或合金形成锥角起到非常重要的作用。
所述醋酸相对于银蚀刻液组合物的总重量，含有33～50重量％。
如果所述醋酸的含量不到33重量％，则有时显示基板，更详细地说，TFT阵列基板的配线的蚀刻均一性降低，配线的直进性下降，配线电阻变大，或者在后续工序中诱发不良，产生基板内的蚀刻速度变得不均一、在基板上产生斑点的问题。另外，发生银表面的润湿性的下降引起的光致抗蚀剂下端的浸透力降低所导致的锥角没有形成的问题。
另外，如果所述醋酸的含量超过50重量％，成为挥发性非常强的组合物，工序适用时，由于组合物的挥发，在3小时以内发生组合物的含量变化，发生蚀刻速度随着时间的经过而改变的问题。
本发明的银蚀刻液组合物中所含的唑系化合物是发挥起到减缓银(Ag)或银合金的蚀刻速度的作用的防腐蚀剂的作用的成分，在多层膜的蚀刻时能够在相对地透明导电膜的速度不变慢的情况下控制透明导电膜的尖端(Tip)的产生，在工序上调节蚀刻时间。另外，能够防止银(Ag)的过蚀刻，形成窄的像素电极(Pixel)的配线，能够作为添加剂在形成图案微细的配线的蚀刻液组合物等中使用。
另外，以往，如果用蚀刻液组合物蚀刻不具有透明导电膜等阻隔膜的银或银合金的单一膜，则产生了过蚀刻。为了防止这情况，在单一膜的上下部应用了阻隔膜，这成为了工序上费用増加的原因。
但是，本发明的银蚀刻液组合物通过使用唑系化合物，可以预防过蚀刻，可不使用阻隔膜，由此，具有能够实现减少工序时间和节省原材料、能够减少生产费用的优点。
本发明的唑系化合物优选为四唑化合物，具体地，可以是选自四唑(Tetrazole、TZ)、甲基四唑(Methyltetrazole、MTZ)、和氨基四唑(Aminotetrazole、ATZ)中的1种以上。最优选地，可以为甲基四唑(Methyltetrazole、MTZ)。
所述唑系化合物相对于银蚀刻液组合物的总重量，含有0.01～10重量％。如果所述唑系化合物的含量不到0.01重量％，则无法正经地发挥减缓蚀刻速度的作用，用于形成具有微细的图案的配线时，有时产生过蚀刻引起的配线消失的不良。另外，如果超过10重量％，银或银合金的蚀刻速度显著减小，没有将不需要的部分完全地蚀刻，可发生电短路，成为不良发生的原因。进而，由于蚀刻速度的降低，残留物残留，有时在进行后续工序后、制品生产时诱发一部分区域看起来黑的暗点这样的不良现象。
本发明的银蚀刻液组合物中所含的脱离子水使用半导体工序用脱离子水，优选使用18MΩ/cm以上的水。
本发明的银蚀刻液组合物除了以上提及的成分以外，可以进一步包含在该领域中通常使用的蚀刻调节剂和pH调节剂中的1种以上。
作为所述附加地含有的蚀刻调节剂，其为包含醋酸钾或醋酸钠中的1种醋酸盐的化合物；作为附加地含有的pH调节剂，其为包含乙醇酸、谷氨酸、或甘氨酸中的1种有机酸的化合物。
本发明的银蚀刻液组合物能够作为在显示器(OLED、LCD等)的TFT阵列基板、TSPTrace配线、和Flexible用纳米线配线形成用中大量使用的透明导电膜、使用了银、银合金的单一膜、或者使用了2种以上的多层结构的蚀刻液使用。不仅如此，在所述明示的显示器、TSP以外，也能够在半导体等使用了所述金属膜质的电子部件原料中使用。
另外，本发明能够提供包含用本发明的银蚀刻液组合物蚀刻的金属膜的显示基板。
更详细地说，所述显示装置可以为液晶显示装置(LCD)或有机发光元件(OLED)的薄膜晶体管(TFT)基板。
另外，所述OLED能够将金属膜层叠于上部和下部，能够用本发明的蚀刻液组合物蚀刻金属膜。通过调节金属膜的厚度、层叠于上部和下部，在OLED中，所述金属膜能够发挥反射膜和半透膜的作用。
所述反射膜必须为几乎不透光的厚度，所述半透膜必须为光几乎全透过的厚度。因此，所述金属膜的厚度优选为
所述金属膜为由银(Ag)或银合金构成的单一膜、或者由所述单一膜和透明导电膜构成的多层膜。
所述银合金可为以银作为主成分、包含In、P、Nd、Cu、Pd、Nb、Ni、Mo、Ni、Cr、Mg、W、和Ti等其他金属的合金的形态以及银的氮化物、硅化物、碳化物、和氧化物的形态等多样的形态，但并不限定于这些。
另外，所述透明导电膜一般如IZO和a-ITO那样，具有在可见光区域中透射率为约90％以上、电阻率为1×10-4Ωcm以下的特性。由于透明导电膜为透明，一般传导电子必须少，为了电导率变大，传导电子必须多。在透明导电膜的情况下，必须满足这样相反的2个条件。在蒸镀IZO和a-ITO的方法中，一般使用溅射(Sputtering)，其与CVD(Chemical VaporDeposition)方法相比具有如下优点：容易调节蒸镀条件，在使用大型的基板制造的情况下，容易实现薄膜的厚度和薄膜特性的均一化。在采用溅射方法制造的情况下，存在使用氧化物靶或合金靶(alloy target)的2种方法，在使用合金靶的情况下，具有如下优点：蒸镀速度快，靶寿命也相当长，可以实现靶制造的容易性和再利用，但具有对工序变数显示敏感的特性变化的缺点。如果使用氧化物靶，能够具有再现性地控制薄膜的化学计量比，但与合金靶相比，蒸镀速度慢，有时在蒸镀中途在靶中产生物理的龟裂，存在在靶中产生电弧的缺点。在采用溅射蒸镀铟-主成分系氧化物的情况下，与O2反应，具有In2O3的形态，但为了提高电导率，作为掺杂剂，使用Ga、Ge、Si、Ti、Sb、Zr、Sn、和Zn等。本发明中，ITO意味着将In2O3和SnO2分别以适当比率混合而成的透明导电膜，但并不限定于此。例如，只使用作为掺杂剂使用的Ga和Zn制作的GZO的膜质等也可适用。
进而，所述多层膜可以是由透明导电膜/银、透明导电膜/银合金、透明导电膜/银/透明导电膜、或透明导电膜/银合金/透明导电膜形成的多层膜。
另外，本发明能够提供用本发明的银蚀刻液组合物蚀刻的配线。
更详细地，该配线可以是触摸屏面板(Touch screen panel、TSP)中主要读取在X、Y坐标感测的信号的示踪(Trace)配线或柔性银纳米线配线。
另外，所述配线为由银(Ag)或银合金构成的单一膜、或者由所述单一膜和透明导电膜构成的多层膜。
所述银合金可为以银作为主成分、包含In、P、Nd、Cu、Pd、Nb、Ni、Mo、Ni、Cr、Mg、W和Ti等其他金属的合金的形态以及银的氮化物、硅化物、碳化物和氧化物的形态等多样的形态，但并不限定于这些。
另外，所述透明导电膜一般如IZO和a-ITO那样，具有在可见光区域中透射率为约90％以上、电阻率为1×10-4Ωcm以下的特性。由于透明导电膜为透明，一般传导电子必须少，为了电导率变大，传导电子必须多。在透明导电膜的情况下，必须满足这样相反的2个条件。在蒸镀IZO和a-ITO的方法中，一般使用溅射，其与CVD(Chemical Vapor Deposition)方法相比具有如下优点：容易调节蒸镀条件，在使用大型的基板制造的情况下，容易实现薄膜的厚度和薄膜特性的均一化。在采用溅射方法制造的情况下，存在使用氧化物靶或合金靶(alloy target)的2种方法，在使用合金靶的情况下，具有如下优点：蒸镀速度快，靶寿命也相当长，可以实现靶制造的容易性和再利用，但具有对工序变数显示敏感的特性变化的缺点。如果使用氧化物靶，能够具有再现性地控制薄膜的化学计量比，但与合金靶相比，蒸镀速度慢，有时在蒸镀中途在靶中产生物理的龟裂，存在在靶中产生电弧的缺点。在采用溅射蒸镀铟-主成分系氧化物的情况下，与O2反应，具有In2O3的形态，但为了提高电导率，作为掺杂剂，使用Ga、Ge、Si、Ti、Sb、Zr、Sn、和Zn等。本发明中，ITO意味着将In2O3和SnO2分别以适当比率混合而成的透明导电膜，但并不限定于此。例如，只使用作为掺杂剂使用的Ga和Zn制作的GZO的膜质等也可适用。
进而，所述多层膜可以是由透明导电膜/银、透明导电膜/银合金、透明导电膜/银/透明导电膜、或透明导电膜/银合金/透明导电膜形成的多层膜。
以下通过实施例更详细地说明本发明。但是，下述的实施例用于对本发明更具体地说明，本发明的范围并不由下述的实施例限定。下述的实施例在本发明的范围内对于本领域技术人员而言可适当地修正、改变。
＜银蚀刻液组合物的制造＞
实施例1～11和比较例1～8
将下述表1中记载的成分以该含量混合，制造银蚀刻液组合物。(单位：重量％)
【表1】
MTZ：甲基四唑
ATZ：氨基四唑
实验例1.银蚀刻液组合物的性能试验
在基板上蒸镀有机绝缘膜，在其上蒸镀Ag单一膜，使用金刚石刀具切断为300×300mm，准备试验片。
使用上述实施例1～11和比较例1～8的银蚀刻液组合物，进行了下述的性能试验。
1.配线(或反射膜)的单侧蚀刻距离(S/E、Side Etch)的测定
在喷射式蚀刻方式的实验装备(型号名：ETCHER(TFT)、K.C.Tech社)内分别装入上述实施例1～11和比较例1～8的银蚀刻液组合物，将温度设定为40℃、升温后，在温度到达了40±0.1℃时，进行了上述试验片的蚀刻工序。将总蚀刻时间设为60秒而实施。
放入基板开始喷射，成为60秒的蚀刻时间时取出，用脱离子水清洗后，使用热风干燥装置干燥。清洗和干燥后，将基板切断，对断面使用电子扫描显微镜(SEM；型号名：SU-8010、HITACHI社制造)测定。作为单侧蚀刻距离的测定标准，测定从光致抗蚀剂的端部分将金属蚀刻而进入到内侧的宽度，用下述的标准评价，将结果示于下述表2中。
＜单侧蚀刻距离测定的评价标准＞
优秀：0.5μm以下
良好：超过0.5μm～1.0μm以下
不良：超过1.0μm
2.残渣的测定
在喷射式蚀刻方式的实验装备(型号名：ETCHER(TFT)、K.C.Tech社)内分别装入上述实施例1～11和比较例1～8的银蚀刻液组合物，将温度设定为40℃、加热后，在温度到达了40±0.1℃时，进行了上述试验片的蚀刻工序。将总蚀刻时间设为60秒而实施。
放入基板开始喷射，成为60秒的蚀刻时间时取出，用脱离子水清洗后，使用热风干燥装置干燥，使用光致抗蚀剂剥离机(PR stripper)将光致抗蚀剂除去。清洗和干燥后，使用电子扫描显微镜(SEM；型号名：SU-8010、HITACHI社制造)测定在没有覆盖光致抗蚀剂的部分没有将银(Ag)蚀刻而残留的现象即残渣，用下述的标准评价，将结果示于下述表2中。
＜残渣测定的评价标准＞
优秀：无残渣(图1)
不良：产生残渣(残渣为蚀刻变得不完全的现象，在基板的全面以无定形存在。图2)
3.蚀刻速度的测定
在喷射式蚀刻方式的实验装备(型号名：ETCHER(TFT)、K.C.Tech社)内分别装入上述实施例1～11和比较例1～8的银蚀刻液组合物，将温度设定为40℃、加热后，在温度到达了40±0.1℃时，进行了上述试验片的蚀刻工序。将总蚀刻时间设为60秒而实施。
用肉眼进行终点检测(End Point Detection、EPD)，得到了对应于时间的纵向蚀刻速度(E/R、Etch Rate)。将进行了蚀刻的金属膜的厚度除以EPD，能够求出每秒(时间)的(厚度)的蚀刻速度，按照下述的标准评价，将结果示于下述表2中。
＜蚀刻速度的评价标准＞
优秀：以下
良好：超过以下
不良：超过
4.经时稳定性的测定
使用上述实施例1～11和比较例1～8的银蚀刻液组合物，进行参比蚀刻(reference etch)试验，将剩余的银蚀刻液组合物在25℃下保管计划的日期(1个月标准)。然后，使用经保管的银蚀刻液组合物，在与上述蚀刻速度试验相同的条件下再次进行蚀刻，与参比蚀刻试验中的结果比较。评价标准如下所述，将结果示于下述表2中。
＜经时稳定性的评价标准＞
优秀：进过1个月后的蚀刻轮廓优秀
良好：经过1个月后的蚀刻轮廓良好
不良：未达到经过1个月后的蚀刻轮廓良好的水平
5.再吸附的测定
在喷射式蚀刻方式的实验装备(型号名：ETCHER(TFT)、K.C.Tech社)内分别装入上述实施例1～11和比较例1～8的银蚀刻液组合物，将温度设定为40℃、加热后，在温度到达了40±0.1℃时，进行了上述试验片的蚀刻工序。将总蚀刻时间设为60秒而实施。
放入基板开始喷射，成为60秒的蚀刻时间时取出，用脱离子水清洗后，使用热风干燥装置干燥，使用光致抗蚀剂剥离机(PR stripper)将光致抗蚀剂除去。清洗和干燥后，使用电子扫描显微镜(SEM；型号名：SU-8010、HITACHI社制造)，在进行了蚀刻后对于主要在数据配线等的异种金属露出的部分、由于弯曲现象可产生摩擦的特定部位被蚀刻的(Ag)吸附的现象，进行基于全面观察的分析，按下述的标准评价，将结果示于下述表2。
＜再吸附测定的评价标准＞
优秀：无再吸附(图3)
不良：再吸附发生(银再吸附为还原导致的吸附，在上述特定部位观察到球形。图4)
6.锥角(Taper angle)的测定
在喷射式蚀刻方式的实验装备(型号名：ETCHER(TFT)、K.C.Tech社)内分别装入上述实施例1～5和比较例1～5的银蚀刻液组合物，将温度设定为40℃、加热后，在温度到达了40±0.1℃时，进行了上述试验片的蚀刻工序。将总蚀刻时间设为60秒而实施。
放入基板开始喷射，成为60秒的蚀刻时间时取出，用脱离子水清洗后，使用热风干燥装置干燥，使用光致抗蚀剂剥离机(PR stripper)将光致抗蚀剂除去。清洗和干燥后，使用电子扫描显微镜(SEM；型号名：SU-8010、HITACHI社制造)，将进行了蚀刻的基板的要分析的配线垂直地切断后，测定配线与下部绝缘膜所成的内侧角度，进行分析，按照下述的标准评价，将结果示于下述表2中。
＜锥角测定的评价标准＞
优秀：锥角20゜以上～60゜以下(图5)
良好：锥角超过60゜～80゜以下
不良：锥角不到20゜或超过80゜
【表2】
通过上述实验结果确认，本发明的蚀刻液组合物不仅在单侧蚀刻距离、残渣、蚀刻速度、经时稳定性和再吸附的有无的所有方面优异，而且在包含银的金属膜的蚀刻时具有形成蚀刻后的锥角的效果。

Claims (19)

1.银蚀刻液组合物，相对于组合物的总重量，其包含磷酸30～60重量％、硝酸0.5～10重量％、醋酸33～50重量％、唑系化合物0.01～10重量％、和余量的脱离子水以使组合物的总重量成为100重量％。
2.根据权利要求1所述的银蚀刻液组合物，其特征在于，所述唑系化合物为选自四唑、甲基四唑、和氨基四唑中的1种以上。
3.根据权利要求1所述的银蚀刻液组合物，其特征在于，所述唑系化合物为甲基四唑。
4.根据权利要求1所述的银蚀刻液组合物，其特征在于，银蚀刻液组合物能够同时蚀刻由银或银合金构成的单一膜、或者由所述单一膜和透明导电膜构成的多层膜。
5.根据权利要求4所述的银蚀刻液组合物，其特征在于，所述透明导电膜为选自氧化锡铟、氧化锌铟、氧化锡锌铟、氧化镓锌、和氧化镓锌铟中的1种以上。
6.根据权利要求4所述的银蚀刻液组合物，其特征在于，由所述单一膜和透明导电膜构成的多层膜为透明导电膜/银、透明导电膜/银合金、透明导电膜/银/透明导电膜、或者透明导电膜/银合金/透明导电膜。
7.根据权利要求1所述的银蚀刻液组合物，其特征在于，所述银蚀刻液组合物追加地包含蚀刻调节剂或pH调节剂。
8.显示基板，其包含用根据权利要求1～7的任一项所述的银蚀刻液组合物蚀刻的金属膜。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板为液晶显示装置或有机发光元件的薄膜晶体管基板。
10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，对于所述有机发光元件，将所述金属膜层叠于有机发光元件的上部和下部。
11.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述金属膜为由银或银合金构成的单一膜、或者由所述单一膜和透明导电膜构成的多层膜。
12.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述透明导电膜为选自氧化锡铟、氧化锌铟、氧化镓锌、和氧化镓锌铟中的1种以上。
13.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，由所述单一膜和透明导电膜构成的多层膜为透明导电膜/银、透明导电膜/银合金、透明导电膜/银/透明导电膜、或者透明导电膜/银合金/透明导电膜。
14.用根据权利要求1～7的任一项所述的银蚀刻液组合物蚀刻的配线。
15.根据权利要求14所述的配线，其特征在于，所述配线为触摸屏面板用示踪配线。
16.根据权利要求14所述的配线，其特征在于，所述配线为柔性银纳米线。
17.根据权利要求14所述的配线，其特征在于，所述配线为由银或银合金构成的单一膜、或者由所述单一膜和透明导电膜构成的多层膜。
18.根据权利要求17所述的配线，其特征在于，所述透明导电膜为选自氧化锡铟、氧化锌铟、氧化镓锌、和氧化镓锌铟中的1种以上。
19.根据权利要求17所述的配线，其特征在于，由所述单一膜和透明导电膜构成的多层膜为透明导电膜/银、透明导电膜/银合金、透明导电膜/银/透明导电膜、或者透明导电膜/银合金/透明导电膜。
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