CN106663621A - 硅晶圆的精抛光方法以及使用该抛光方法抛光的硅晶圆 - Google Patents

硅晶圆的精抛光方法以及使用该抛光方法抛光的硅晶圆 Download PDF

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Abstract

一种精抛光方法，包括使用抛光剂与抛光布而进行精抛光，抛光剂含有硅酸胶、氨以及羟乙基纤维素，硅酸胶借由BET法所量测出的一次粒径为20nm以上且未满30nm，羟乙基纤维素的重量平均分子量在40万以上且70万以下，在将存在于抛光剂中的粒子的累积体积比例在95％的粒径予以设为D1，并且将硅酸胶分散在水中而使得与抛光剂中的硅酸胶的浓度相同时的硅酸胶的累积体积比例在95％的粒径予以设为D2之时，D1/D2在1.5以上且2.5以下，以及抛光布的使用，为将抛光布风干后进行干燥，且该滴下后经过100秒后的接触角在60°以上。因此，提供了一种硅晶圆的精抛光方法，由此得到的硅晶圆具有整体上优秀的雾度等级，在外围部分有很小的雾度不均和很少的微小缺陷。

Description

硅晶圆的精抛光方法以及使用该抛光方法抛光的硅晶圆
技术领域
本发明涉及一种硅晶圆的精抛光方法以及使用该抛光方法抛光的硅晶圆。
背景技术
以硅晶圆为代表的半导体晶圆，如图6所示，使用由贴附有抛光布602的平板603、抛光剂供给机构604以及抛光头606等所构成的抛光装置601，并以抛光头606支承半导体晶圆W，自抛光剂供给机构604供给抛光剂605至抛光布602的同时，借由分别旋转该平板603与抛光头606而使半导体晶圆W的表面滑动接触于抛光布602而进行抛光。
另外，半导体晶圆的抛光大多采取变更抛光布的种类或是抛光剂的种类来进行分段抛光，最初进行的双面抛光称之为一次抛光，一次抛光之后进行的抛光称之为二次抛光，最终阶段进行的抛光工程称之为精抛光或最终抛光。
精抛光工程多采用单面抛光，其表面缺陷较少，为了使晶圆表面称之为雾度的粗度变小，在抛光剂或抛光布的选择上，一般使用含有碱基的硅酸胶的抛光剂与绒面型的抛光布。由于抛光后晶圆表面是疏水性，会在表面附着异物，且由于抛光剂中的强碱令表面的蚀刻不均致使雾度不均发生。因此，为了使抛光后的晶圆表面亲水化，抑制异物的附着或是表面的刻蚀不均，众所周知的是将羟乙基纤维素之类的水溶性纤维素添加于抛光剂中。
另外，关于晶圆的雾度，添加羟乙基纤维素(HEC)于抛光剂的状况下，与添加其他的纤维素的状况相较，能大幅降低雾度等级为众所周知(例如参照专利文献1)。然而，虽然羟乙基纤维素适用于提升晶圆的亲水性，由于过滤困难加上容易凝结，因而有增加晶圆的微小表面缺陷的问题。为了解决此问题，因而提案有借由低分子量的羟乙基纤维素来改善过滤性，以原液过滤后再次过滤稀释液的方法(例如参照专利文献2)，或是控制稀释前后的磨粒的平均二次粒径的比率的方法(例如参照专利文献3)。
[先前技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本特开2008-053414号公报。
[专利文献2]日本国际公开第2013/108777号
[专利文献3]日本国际公开第2013/108770号
发明内容
顺便一提，近年来对于改善晶圆表面的平滑性的要求逐渐提高，为了改善晶圆表面的雾度(Haze)，导入有对于抛光后的硅晶圆的洗净蚀刻力小的毛刷洗净等。毛刷洗净相较于以SC1(氨与过氧化氢溶液的混合液)洗净为代表的批量(batch)式药液洗净而言，由于能以较少的蚀刻量进行洗净，因而能抑制由蚀刻所导致的晶圆表面的雾度恶化。
硅晶圆的雾度以激光散射方式的晶圆表面检查装置(例如KLA Tencor公司制造的Surfscan SP3等)进行量测，一般使用的是晶圆全面的平均值来作为其晶圆的代表值。另外，面内的雾度等级能输出为地图，雾度图用于目视判断不会表现在平均值中的局部雾度异常。
由于通常雾度图多以自动标尺输出的缘故，伴随着雾度等级的改善，更能容易确认雾度不均，特别是发生在外周部处的雾度不均已经被视为问题。图7是显示雾度图的例子。另外，图8是显示发生在外周部的雾度不均的例子。
发生在此外周部的雾度不均，特别是例如在抛光布寿命初期等，由于抛光布的抛光剂保持力为低的状态时变得特别明显之故，因此大多采用抛光布的准备时间(风干时间)的延长，或是进行假晶圆(dummy wafer)的抛光等的因应对策。然而，由于长时间停止抛光装置所引起的生产性降低或是因风干或以假晶圆的运行所引起的准备成本的增加，以及抛光布寿命的降低变成是问题。
另外，在为了提升晶圆表面的亲水性，以及抑制因抛光剂所导致的表面蚀刻不均，而添加分子量大的羟乙基纤维素的状况下，会有由于过滤性的问题而致使表面缺陷增加的问题。作为改善表面缺陷的方法，虽然提案有以原液过滤后，再次过滤稀释液的方法(参照专利文献2)，或是控制稀释前后的平均二次粒径的比率的方法(例如参照专利文献3)，但皆不足以双方面满足晶圆的润湿性与微小缺陷两者相互矛盾的质量。
鉴于上述的问题，本发明的目的为提供一种硅晶圆的精抛光方法，以此方法抛光所得到的硅晶圆其整体的雾度等级优良，外周部的雾度不均也少，其微小缺陷也少。
为达成上述的目的，根据本发明，提供一种硅晶圆的精抛光方法，对贴附于平板的抛光布供给抛光剂的同时，借由使硅晶圆滑动接触于该抛光布而进行精抛光，其特征在于：所使用的该抛光剂含有硅酸胶、氨以及羟乙基纤维素，该硅酸胶借由BET法所量测出的一次粒径为20nm以上且未满30nm，该羟乙基纤维素的重量平均分子量在40万以上且70万以下，在将存在于该抛光剂中的粒子借由动态光散射法或激光绕射散射法所量测出的累积体积比例在95％的粒径予以设为D1，并且将该硅酸胶分散在水中而使得与该抛光剂中的硅酸胶的浓度相同时的硅酸胶在借由动态光散射法或激光绕射散射法所量测出的累积体积比例在95％的粒径予以设为D2之时，D1/D2在1.5以上且2.5以下，以及所使用的该抛光布，为将该抛光布风干后干燥，在该抛光布上滴下纯水，该滴下后经过100秒后的该纯水与该抛光布之间的接触角在60°以上。
经此精抛光所得到的硅晶圆，其整体的雾度等级优良，外周部的雾度不均也少，并且其微小缺陷也少。
此时，能将该风干的实施时间设为30分钟。
借由将风干时间设在30分钟，例如即使在使用抛光装置本体来进行风干的状况下，减少因抛光装置暂时停止抛光所造成的生产性的降低。另外，使用抛光剂进行风干的状况下，将实施时间定在30分钟即能减少抛光剂成本，并且能抑制由于抛光布阻塞所导致抛光布寿命的下降。
另外，为了达成上述目的，借由本发明提供以上述本发明的抛光方法所精抛光出的硅晶圆。
如此一来，借由使用本发明的精抛光方法，成为整体的雾度等级优良，外周部的雾度不均也少，也满足近年对于晶圆表面的平滑性的要求，并且微小缺陷少的半导体晶圆。
借由本发明的硅晶圆的精抛光方法，能得到的硅晶圆其整体的雾度等级优良，外周部的雾度不均也少，微小缺陷也少。
附图说明
图1是显示本发明的精抛光方法中能使用的单面抛光装置的一例的概略图。
图2是显示抛光布与纯水之间的接触角的随时间变化的示意图。
图3是显示因干燥时间的差异所导致的接触角的随时间变化的示意图。
图4显示因干燥时间的差异所导致的接触角的随时间变化的图像。
图5是显示抛光布的纯水滴下后经过100秒后的接触角的示意图。
图6是显示一般的单面抛光装置的一例的概略图。
图7是显示精抛光后的晶圆的雾度图的一例的图像。
图8是显示精抛光后的晶圆的外周部中的雾度不均的一例的图像。
具体实施方式
以下，说明关于本发明的实施例，但本发明并非被限定于此些实施例。首先，参考图1说明能使用本发明精抛光方法的抛光装置。
如图1所显示的抛光装置1，其主要结构包含：贴附有抛光布2的平板3、抛光剂供给机构4以及抛光头6。在此抛光装置1中，以抛光头6支承硅晶圆W，自抛光剂供给机构4供给抛光剂5至抛光布2的同时，分别借由旋转平板3与抛光头6而使硅晶圆W的表面滑动接触于抛光布2而进行抛光。
以下说明使用此抛光装置1抛光硅晶圆的状况下的本发明的精抛光方法。
本发明的精抛光方法中，作为抛光剂5虽然所使用的是含有硅酸胶、氨以及羟乙基纤维素之物，但抛光剂满足下列条件，此抛光剂借由BET法所量测出的硅酸胶的一次粒径为20nm以上且未满30nm，羟乙基纤维素的重量平均分子量在40万以上且70万以下，且在将存在于抛光剂中的粒子借由动态光散射法或激光绕射散射法所量测出的累积体积比例在95％的粒径予以设为D1，并且将硅酸胶分散在水中而使得与抛光剂中的硅酸胶的浓度相同时的硅酸胶在借由动态光散射法或激光绕射散射法所量测出的累积体积比例在95％的粒径予以设为D2之时，D1/D2在1.5以上2.5以下。
一般来说，含有羟乙基纤维素之类水溶性高分子的抛光剂，由于水溶性高分子会成为媒介使磨粒(硅酸胶)凝结，与不含水溶性高分子的抛光剂相比，表现出磨粒径变大的倾向。对于此水溶性高分子的凝结的影响，发明人想到使用借由动态光散射法或激光绕射散射法所量测出的D95(体积基准的粒度分布中累积体积比例在95％的粒径)，而能对存在于抛光剂中的粒子进行评价。
具体来说，将存在于含有水溶性高分子的抛光剂中的粒子的D95予以设为D1，并将经分散在水中而成为与抛光剂中的硅酸胶相同的浓度的硅酸胶的D95予以设为D2之时，借由计算出D1/D2的值，而能将由于抛光剂中所含有的水溶性高分子等的添加剂所导致的磨粒的凝结状况予以数值化。作为存在于抛光剂中的粒子，虽然硅酸胶的比例多，也包含其他例如羟乙基纤维素的凝结物以及其他添加剂引起的凝结物等。能判断出D1/D2的值如果在1.0附近则无磨粒的凝结，D1/D2的值较1.0越大，则因为抛光剂中所含有的水溶性高分子等的添加剂，而越会进行凝结。因此，D1/D2的值越小，就越能抑制由于抛光剂中的磨粒凝结所导致的微小缺陷。再者，D95的量测，举例来说能使用岛津制作所制的粒度分布测定装置SALD-7100等的测定装置来进行。
另外，晶圆表面的雾度也会影响到基于借由BET法所量测出的硅酸胶(磨粒)的磨粒的比表面积(Specific surface)所计算出的一次粒径(也称为平均一次粒径)。如果是同样抛光负重，虽然磨粒的一次粒径小的一方对于磨粒会有压力分散的效果，但由于磨粒的一次粒径如果小于20nm会容易凝结，故使表面缺陷等级恶化。另外由于抛光速率也会下降，故使得生产性下降成本上升。另外，如磨粒的一次粒径在30nm以上则会使压力分散效果不足，而导致雾度恶化。因此，从晶圆的雾度等级、表面缺陷等级、抛光速率的平衡判断，磨粒的平均一次粒径必须要有20nm以上且未满30nm。
晶圆表面的亲水性(润湿性)受到羟乙基纤维素的重量平均分子量的影响很大，重量平均分子量大的一方虽能降低雾度不均，但会使D1/D2的值变大，而使磨粒的凝结所导致的微小缺陷增加。另外，为了缩小D1/D2，而降低羟乙基纤维素的添加浓度，或是添加分散剂的状况下，虽能缩小D1/D2，但无法得到足够的亲水效果。因此，为了确保晶圆表面的亲水性与抑制微小缺陷，必须使羟乙基纤维素的重量平均分子量在40万以上且70万以下，且此时D1/D2的值必须要在1.5以上且2.5以下。特别是D1/D2的值在2.3以下为更佳。
借由使用此抛光剂能抑制发生在硅晶圆的精抛光中的雾度不均以及减少微小缺陷。
并且，在本发明中，作为所使用的抛光布2，风干之后使抛光布2完全干燥并滴下纯水，且该滴下后经过100秒后的该纯水与该抛光布之间的接触角在60°以上。再者，所谓风干一般所指的是使用陶瓷或假晶圆，在交换当下的新抛光布的表面使用纯水或抛光剂进行平滑化的抛光布的准备作业。风干大多需要长时间来进行，在这期间由于有暂时停止抛光的必要，因而会降低半导体晶圆的生产性。另外，使用抛光剂来进行风干的状况下，由于会使抛光剂成本上升，以及影响抛光布的寿命，因此希望在短时间之内结束。
在雾度图所确认到的晶圆外周部的雾度不均，由于特别是在抛光布寿命初期等的抛光布的抛光剂保持力为低的状态下变得明显，因此认为也是有受到抛光布的抛光剂保持性的影响。抛光布的寿命初期的抛光剂保持性，能以在抛光布上滴下纯水，经过固定时间后的接触角来进行评价。抛光布上低下的纯水，由于随着时间的经过会渗入抛光布，因而改变接触角。所谓抛光剂的保持性良好的抛光布，能以抛光布的接触角大，且此接触角的随时间变化少来定义。因此，本发明中，纯水滴下后经过100秒后的接触角在60°以上。借由使用抛光剂的保持性良好的抛光布，即使在抛光布的寿命初期亦能使硅晶圆的抛光的雾度不均较少发生。
图2显示将绒面型的抛光布A-1、B、C、D、E进行30分钟的风干，并量测接触角的随时间变化的结果。借由进行风干，由于各抛光布的表面状态于每个抛光布几乎没有差异而几乎是相同的，因此滴下纯水当下的接触角几乎相同。另一方面也能看出每个抛光布的接触角的随时间变化的差异。
图3是显示使用相同的抛光布，将风干时间变更为30分钟(抛光布A-1)、120分钟(抛光布A-2)、240分钟(抛光布A-3)状况下的接触角的随时间变化。看到即使是相同的抛光布，虽然滴下纯水当下的接触角几乎相同，但不同的风干时间其接触角的随时间变化有所差异。将此时液滴的状态的例子显示于图4。另外，将抛光布A-1、A-2、A-3、B、C、D、E中滴下纯水后经过100秒后的接触角显示于图5。
在抛光布的制造工程中，作为泡沫稳定剂是使用界面活性剂等的添加剂。根据制造商与抛光布的种类，进行添加的添加剂种类与添加量会不同。由于这些添加剂在抛光布制造工程中无法完全地去除，而会残留一部分在抛光布中，因此不同的抛光布其接触角的随时间变化也不同。另外，由于此残留添加剂在风干中会慢慢地降低，因此即使抛光布相同，风干前后的残留添加剂浓度不同，接触角的随时间变化也会不同。
特别如果是一般所使用在精抛光中的绒面型的精抛光布，只要进行30分钟的风干，由于能使抛光布表面的微小凹凸足够平滑化，因此能评价安定的接触角。另外，对于接触角影响大的亲水系的添加剂，由于比较快降低残留浓度，在30分钟的风干下，能一定程度排除残留添加剂的影响来量测接触角。
从以上得知，作为抛光布的抛光剂保持性的评价方法，在抛光布表面低下纯水后，借由经过固定时间后的接触角来评价抛光布的润湿性，此种方法是有效的。
具体的来说，经过30分钟的风干后，在完全干燥的抛光布表面滴下纯水，如果经过100秒后的接触角在60°以上，能判断是即使在抛光布寿命初期亦具有足够抛光剂保持性的抛光布。再者，使用一般的接触角计即可量测接触角。作为接触角计，例如能使用Matsubo股份有限公司制的移动式接触角计PG-X。
虽然借由风干能够得到接触角在60°以上的表面状态，但由于根据所选出的抛光布风干时间会变长，而会降低生产性以及增加准备成本，因此希望选出在5～120分钟左右的短时间的风干，特别是在30分钟内的风干，且经过100秒后其接触角在60°以上的抛光布。
借由对于此些抛光剂以及抛光布来实施精抛光，能从抛光布寿命的初期起有效地抑制晶圆雾度不均的发生，特别是晶圆外周的雾度不均的发生以及微小缺陷的发生。
另外，如果是以此精抛光方法所精抛光出的半导体晶圆，其会成为整体的雾度等级优良，外周部的雾度不均也少，也满足近年对于晶圆表面的平滑性的要求，并且微小缺陷少的半导体晶圆。
实施例
以下，显示本发明的实施例及比较例而更为具体的说明本发明，但本发明并未被限定于此些实施例及比较例。
＜实施例1＞
借由本发明的精抛光方法完成硅晶圆的精抛光。
首先混合磨粒(借由BET法所量测出的平均一次粒径为25nm的硅酸胶)、氨、羟乙基纤维素以及纯水来调配出抛光剂。在实施例1中，羟乙基纤维素的重量平均分子量为50万。再者，羟乙基纤维素的重量平均分子量使用循环凝胶渗透层析法而作为聚氧化乙烯换算值所计算出。另外，此时的D1/D2的值为1.86。
抛光布则是使用显示于图5的抛光布E。此抛光布E如上所述，纯水滴下后经过100秒后的接触角为114.5°。再者，虽然在本发明中并无特别限定抛光布的风干条件，此次使用的是陶瓷平板，以与晶圆抛光时相同的抛光负重、旋转数来进行。另外，在精抛光中所使用的抛光剂以与精抛光时的相同流量来进行使用。
另外，纯水滴下后经过100秒后的接触角的量测于风干结束后，使用毛刷以纯水洗净抛光部表面后，将接触角量测用的样本，自不会影响晶圆抛光结果的位置所切取后，以该样本来进行抛光布的评价。再者，接触角量测用样本，在风干后放置24小时以上，使其完全干燥，使用Matsubo股份有限公司制的移动式接触角计PG-X来进行接触角的量测。
抛光装置则是使用冈本制作所制的PNX332B，作为被抛光物则是将直径300mm的硅晶圆，以抛光负重：150g/cm2、平板旋转数：30rpm、抛光头旋转数：30rpm、抛光剂流量：1L/min的条件来完成抛光。另外，将精抛光前所进行的二次抛光条件设为相同，并且对抛光时间进行调整，使精抛光的加工量相同。精抛光后的晶圆，使用枚叶式的洗净机，且将蚀刻条件调整为使洗净后的雾度等级不超过0.08ppm。
精抛光后的晶圆的雾度的评价，使用KLA Tencor公司制造的晶圆表面检查装置Surfscan SP3来进行。虽雾度不均的判定通常是使用以自动标尺输出的雾度图来进行目视判定，此次只使用雾度等级在0.08ppm以下的晶圆，并将其临界值设定为得到与能以地图确认到雾度不均相似的图像，而计算出超过临界值的比例(以下称此比例为Defect％)。再者，图7与图8的雾度图虽然是将自晶圆外周2mm排除在外所量测出的地图，为了与目视判定之间的整合性，本实施例1中雾度不均的数值化将自晶圆外周3mm排除在外来进行计算。
以上述方法完成数值化的Defect％，在图7的雾度图的状况下为1.1％，在图8的雾度图的状况下为5.2％。Defect％的判定基准为，因图8的雾度不均定为NG判定，定5％以下为合格，定超过5％的状况下为不合格。
质量评价中，微小缺陷以后述的比较例1为基准来进行判定。由于微小缺陷的变动大，借由比较例1的等级，将未满1.5倍以○为标记，1.5倍以上未满2倍以△为标记，2倍以上以×为标记。
表1显示后述的实施例2-6以及后述的比较例1-8的抛光剂、抛光布的条件及抛光后的晶圆质量。自表1得知，有良好雾度等级的同时，雾度不均(Defect％)为大幅低于合格基准5.0％的1.1％的良好的值。另外关于微小缺陷也得到满足的结果。
＜实施例2＞
除了将抛光剂中的羟乙基纤维素的重量平均分子量变更为40万，以及将D1/D2变更为1.51以外，以与实施例1相同的条件进行硅晶圆的抛光，并评价抛光后的晶圆的质量。
其结果，从表1可以得知，雾度等级良好的同时，雾度不均(Defect％)为低于合格基准5.0％的3.3％的良好的值。另外关于微小缺陷也得到满足的结果。
＜实施例3＞
除了将抛光剂中的羟乙基纤维素的重量平均分子量变更为70万，以及将D1/D2变更为2.28以外，以与实施例1相同的条件进行硅晶圆的抛光，并评价抛光后的晶圆的质量。
其结果，从表1可以得知，雾度等级良好的同时，雾度不均(Defect％)为低于合格基准5.0％的2.9％的良好的值。另外关于微小缺陷也得到满足的结果。
＜实施例4＞
除了将抛光布变更为显示于图5的抛光布A-3以外，即除了使用纯水滴下后经过100秒后的接触角在62.8°的抛光布以外，以与实施例1相同的条件进行硅晶圆的抛光，并评价抛光后的晶圆的质量。
其结果，从表1可以得知，雾度等级良好的同时，雾度不均(Defect％)为低于合格基准5.0％的2.9％的良好的值。另外关于微小缺陷也得到满足的结果。
＜实施例5＞
除了将抛光布变更为显示于图5的抛光布C以外，即除了使用纯水滴下后经过100秒后的接触角在63.9°的抛光布以外，以与实施例1相同的条件进行硅晶圆的抛光，并评价抛光后的晶圆的质量。
其结果，从表1可以得知，雾度等级良好的同时，雾度不均(Defect％)为低于合格基准5.0％的4.6％的良好的值。另外关于微小缺陷也得到满足的结果。
＜实施例6＞
除了将抛光布变更为显示于图5的抛光布D以外，即除了使用纯水滴下后经过100秒后的接触角在81.9°的抛光布以外，以与实施例1相同的条件抛光硅晶圆，并评价抛光后的晶圆的质量。
其结果，从表1可以得知，雾度等级良好的同时，雾度不均(Defect％)为低于合格基准5.0％的3.9％的良好的值。另外关于微小缺陷也得到满足的结果。
＜比较例1＞
除了将抛光剂中的硅酸胶的平均一次粒径变更为35nm，以及将D1/D2变更为2.28以外，以与实施例4相同的条件进行硅晶圆的抛光，并评价抛光后的晶圆的质量。
其结果，从表1可以得知，比较例1的平均一次粒径为35nm，由于在30nm以上，因此雾度的平均值恶化为0.0750ppm，与实施例相比提高了约15％左右的结果。因而得知必须要使平均一次粒径在30nm以下。然而如果粒径过小会降低抛光速率，因此必须要使平均一次粒径在20nm以上。
＜比较例2＞
除了将抛光剂中的羟乙基纤维素的重量平均分子量变更为30万，以及将D1/D2变更为1.51以外，以与实施例4相同的条件进行硅晶圆的抛光，并评价抛光后的晶圆的质量。
其结果，从表1可以得知，由于羟乙基纤维素的重量平均分子量未满40万，因此得不到足够的亲水性，致使雾度不均(Defect％)为大幅高于合格基准5.0％的8.4％。
＜比较例3＞
除了将抛光剂中的羟乙基纤维素的重量平均分子量变更为100万，以及将D1/D2变更为2.28以外，以与实施例4相同的条件进行硅晶圆的抛光，并评价抛光后的晶圆的质量。
其结果，从表1可以得知，虽然得到足够的亲水性以及使雾度不均(Defect％)成为良好的值，但由于羟乙基纤维素的重量平均分子量大于70万，因而较实施例更为促进抛光剂中的硅酸胶的凝结，导致微小缺陷增加，因此判定的结果为×。
＜比较例4＞
除了将抛光剂中的羟乙基纤维素的重量平均分子量变更为70万，以及将D1/D2变更为2.80以外，以与实施例4相同的条件进行硅晶圆的抛光，并评价抛光后的晶圆的质量。比较例4中以改变羟乙基纤维素的添加浓度来使D1/D2变化。
其结果，从表1可以得知，由于D1/D2大于2.5，因此雾度不均(Defect％)为高于合格基准5.0％的5.5％。
＜比较例5＞
除了将抛光剂中的羟乙基纤维素的重量平均分子量变更为50万，以及将D1/D2变更为1.23以外，以与实施例4相同的条件进行硅晶圆的抛光，并评价抛光后的晶圆的质量。再者，由于只有比较例5的D1/D2较小的缘故，因此予以添加分散剂。作为分散剂能使用非离子型表面活性剂或是阴离子型表面活性剂。
其结果，从表1可以得知，由于D1/D2小于1.5，因此得不到足够的亲水性，雾度不均(Defect％)为高于合格基准5.0％的5.9％。
＜比较例6＞
除了将抛光布变更为显示于图5的抛光布A-1，即除了使用纯水滴下后经过100秒后的接触角在0.0°的抛光布以外，以与实施例1相同的条件进行硅晶圆的抛光，并评价抛光后的晶圆的质量。
其结果，从表1可以得知，由于抛光布的抛光剂保持性能不足，因此雾度不均(Defect％)恶化为大幅高于合格基准5.0％的11.3％。
＜比较例7＞
除了将抛光布变更为显示于图5的抛光布A-2，即除了使用纯水滴下后经过100秒后的接触角在53.5°的抛光布以外，以与实施例1相同的条件进行硅晶圆的抛光，并评价抛光后的晶圆的质量。
其结果，从表1可以得知，由于抛光布的抛光剂保持性能不足，因此雾度不均(Defect％)恶化为高于合格基准5.0％的5.2％。
＜比较例8＞
除了将抛光布变更为显示于图5的抛光布B，即除了使用纯水滴下后经过100秒后的接触角在40.8°的抛光布以外，以与实施例1相同的条件进行硅晶圆的抛光，并评价抛光后的晶圆的质量。
其结果，从表1可以得知，由于抛光布的抛光剂保持性能不足，因此雾度不均(Defect％)恶化为高于合格基准5.0％的6.3％。
表1
此外，本发明并未被限定于上述实施例，上述实施例为例示，凡具有与本发明的申请专利范围所记载的技术思想实质上相同的构成，能得到同样的作用效果者，皆被包含在本发明的技术范围内。

Claims (3)

1.一种硅晶圆的精抛光方法，对贴附于平板的抛光布供给抛光剂的同时，借由使硅晶圆滑动接触于该抛光布而进行精抛光，其特征在于：
该抛光剂，含有硅酸胶、氨以及羟乙基纤维素，
该硅酸胶借由BET法所量测出的一次粒径为20nm以上且未满30nm，
该羟乙基纤维素的重量平均分子量在40万以上且70万以下，
在将存在于该抛光剂中的粒子借由动态光散射法或激光绕射散射法所量测出的累积体积比例在95％的粒径予以设为D1，并且将该硅酸胶分散在水中而使得与该抛光剂中的硅酸胶的浓度相同时的硅酸胶在借由动态光散射法或激光绕射散射法所量测出的累积体积比例在95％的粒径予以设为D2之时，D1/D2在1.5以上且2.5以下；以及
该抛光布的使用，为将该抛光布风干后进行干燥，在该抛光布上滴下纯水，该滴下后经过100秒后的该纯水与该抛光布之间的接触角在60°以上。
2.如权利要求1所述的精抛光方法，其中该风干的实施时间设在30分钟。
3.一种硅晶圆，是以如权利要求1或2所述的精抛光方法进行抛光过的硅晶圆。
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