CN106610549A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

提供了一种显示装置。根据示例性实施例的显示装置包括：基底；薄膜晶体管，设置在基底上；像素电极，连接到薄膜晶体管；第一共电极，通过绝缘层与像素电极叠置；第二共电极，与第一共电极分隔开以使其间具有多个微腔；顶层，设置在第二共电极上；液晶层，包括设置在微腔中的液晶分子；以及包封层，设置在顶层上并密封微腔。

Description

显示装置

本申请要求于2015年10月23日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0147881号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

本公开总体上涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种能够在黑色状态下防止漏光的显示装置。

背景技术

液晶显示器被广泛用作平板显示器的一种类型。液晶显示器具有两个显示面板和置于两个显示面板之间的液晶层，其中，诸如像素电极和共电极的场产生电极形成在显示面板上。电压被施加到场产生电极以在液晶层的上方产生电场，并且液晶层的液晶分子的排列由电场确定。因此，入射光的偏振被控制，从而执行图像显示。

形成液晶显示器的两个显示面板可为薄膜晶体管阵列面板和对向显示面板。在薄膜晶体管阵列面板中，传输栅极信号的栅极线和传输数据信号的数据线形成为交叉，并可形成连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管和连接到薄膜晶体管的像素电极。遮光构件、滤色器、共电极等可形成在对向显示面板上或形成在薄膜晶体管阵列面板上。

然而，在传统的液晶显示器中，需要两个基底，组成元件分别形成在两个基底上。结果，这种显示装置是重的和贵的，并且制造工艺花费时间长。

在此背景技术部分中公开的上述信息仅为了增强对本公开的背景的理解，因此其可包含不形成对于本领域的普通技术人员而言已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开通过利用一个基底制造显示装置来提供一种具有减少的重量、厚度、成本和工艺时间的显示装置。此外，提供了一种能够在黑色状态下防止漏光的显示装置。

根据示例性实施例的显示装置包括：基底；薄膜晶体管，设置在基底上；像素电极，连接至薄膜晶体管；第一共电极，通过绝缘层与像素电极叠置；第二共电极，与第一共电极分隔开以使其间具有多个微腔；顶层，设置在第二共电极上；液晶层，包括设置在微腔中的液晶分子；以及包封层，设置在顶层上并密封微腔。

第一共电极可被施加第一共电压，像素电极被施加表示包括最低灰度级和最高灰度级的多个灰度级的数据电压。

在像素电极被施加表示最低灰度级的数据电压时，第二共电极可被施加第二共电压。

在像素电极被施加表示最低灰度级的数据电压时，竖直电场可形成在第一共电极和第二共电极之间。

在像素电极被施加表示最低灰度级的数据电压时，竖直电场可形成在液晶层中。

在像素电极被施加表示最低灰度级的数据电压时，液晶层的液晶分子可沿与基底垂直的方向排列。

在像素电极被施加表示除最低灰度级之外的灰度级的数据电压时，没有电压被施加到第二共电极。

在像素电极被施加表示除最低灰度级之外的灰度级的数据电压时，水平电场可形成在像素电极和第一共电极之间。

在像素电极被施加表示除最低灰度级之外的灰度级的数据电压时，水平电场可形成在液晶层中。

在像素电极被施加表示除最低灰度级之外的灰度级的数据电压时，液晶层的液晶分子可沿与基底平行的方向排列。

在像素电极被施加表示除最低灰度级之外的灰度级的数据电压之前，第二共电极可被施加第二共电压。

在像素电极被施加表示除最低灰度级之外的灰度级的数据电压之前，竖直电场可形成在第一共电极和第二共电极之间。

在像素电极被施加表示除最低灰度级之外的灰度级的数据电压之前，竖直电场可形成在液晶层中。

在像素电极被施加表示除最低灰度级之外的灰度级的数据电压之前，液晶层的液晶分子可沿与基底垂直的方向排列。

根据示例性实施例的显示装置还可包括设置在像素电极上的第一取向层和设置在第二共电极下面的第二取向层。

第一取向层和第二取向层可由水平取向层制成。

第一取向层和第二取向层可在微腔的侧壁内彼此连接。

绝缘层可设置在第一共电极上，像素电极可设置在绝缘层上。

像素电极可包括多个分支电极和设置在所述多个分支电极之间的缝隙。

基底可由可弯曲的材料制成。

根据示例性实施例的显示装置具有下面的效果。

根据示例性实施例，利用一个基底制造显示装置，从而降低了显示装置的重量、厚度、成本和工艺时间。

此外，通过在黑色状态下形成竖直电场，可防止漏光。

附图说明

图1是根据示例性实施例的显示装置的俯视平面图。

图2是示出根据示例性实施例的显示装置的一部分的布局视图。

图3是图2的根据示例性实施例的显示装置沿III-III线截取的剖视图。

图4是图2的根据示例性实施例的显示装置沿IV-IV线截取的剖视图。

图5是示出初始状态下的液晶分子的排列方向的图。

图6是示出在初始状态下弯曲基底时液晶分子的排列方向的图。

图7是示出在被驱动以表示最低灰度级时液晶分子的排列方向的图。

图8是示出在被驱动以表示除最低灰度级之外的灰度级时液晶分子的排列方向的图。

图9是示出在根据参照示例的显示装置表示最低灰度级时排列状态的模拟结果。

图10是示出在根据参照示例的显示装置表示最低灰度级时依赖于位置的亮度的曲线图。

图11是在根据示例性实施例的显示装置表示最低灰度级时排列状态的模拟结果。

图12是示出在根据示例性实施例的显示装置表示最低灰度级时依赖于位置的亮度的曲线图。

具体实施方式

将参照示出了本公开的示例性实施例的附图更充分地描述本公开。如本领域的技术人员将认识到的，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以以各种不同方式修改所描述的实施例。

在附图中，为了清楚起见，可夸大层、膜、面板、区域等的厚度。同样的附图标记在说明书中始终表示同样的元件。将理解的是，在诸如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可直接在所述另一元件上，或者也可以存在一个或更多个中间元件。相反，在元件被称作“直接在”另一元件“上”时，可不存在中间元件。

首先，将参照图1描述根据示例性实施例的显示装置。图1是根据示例性实施例的显示装置的俯视平面图。

如图1所示，根据示例性实施例的显示装置包括由诸如玻璃或塑料的材料制成的基底110。微腔305设置在基底110上并由顶层360覆盖。顶层360在行方向上延伸，多个微腔305设置在顶层360的下面。然而，本公开不限于此，顶层360可在列方向上延伸。

微腔305可以按矩阵形式布置，第一区域V1设置在竖直相邻的微腔305之间，同时第二区域V2设置在水平相邻的微腔305之间。第一区域V1设置在多个顶层360之间。微腔305可不被顶层360覆盖，而是可在接触第一区域V1的部分处暴露至外部。这些部分被称作注入孔307a和307b。

注入孔307a和307b设置在每个微腔305的两个边缘处。注入孔307a和307b包括第一注入孔307a和第二注入孔307b，第一注入孔307a形成为暴露微腔305的第一边缘的侧表面，同时第二注入孔307b形成为暴露微腔305的第二边缘的侧表面。相邻微腔305的第一边缘的侧表面与第二边缘的侧表面彼此面对。

每个顶层360设置为在相邻的第二区域V2之间与基底110分开，从而形成微腔305。即，顶层360形成为覆盖除了由注入孔307a和307b形成的第一边缘和第二边缘的侧表面之外的侧表面。

根据示例性实施例的显示装置的前述结构仅是示例，并且各种修改是可行的。例如，微腔305、第一区域V1和第二区域V2可有区别地布置，多个顶层360可在第一区域V1中彼此连接，每个顶层360的一部分可形成为在第二区域V2中与基底110分隔开以使相邻微腔305彼此连接。

在下文中，将参照图2至图4描述根据示例性实施例的显示装置的一个像素。图2是示出根据示例性实施例的显示装置的一部分的布局视图；图3是图2的根据示例性实施例的显示装置沿III-III线截取的剖视图，图4是图2的根据示例性实施例的显示装置沿IV-IV线截取的剖视图。

参照图2至图4，栅极线121和从栅极线121突出的栅电极124形成在绝缘基底110上。基底110由诸如玻璃、塑料等被弯曲的透明材料制成。通过在基底110上形成所有组成元件之后将基底110弯曲，可形成弯曲的显示装置。

栅极线121可主要沿水平方向延伸并传输栅极信号。栅极线121可形成在沿着列方向相邻的微腔305之间。即，栅极线121可形成在第一区域V1中。

栅极绝缘层140设置在栅极线121和栅电极124上。栅极绝缘层140可由诸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料制成。此外，栅极绝缘层140可由单层或多层形成。

半导体154设置在栅极绝缘层140上。半导体154可形成在栅电极124上。在一些实施例中，半导体154还可以形成在数据线171下面。半导体154可由非晶硅、多晶硅或金属氧化物形成。

欧姆接触件(未示出)还可形成在半导体154上。欧姆接触件可由硅化物或由以高浓度掺杂有n型杂质的n+氢化非晶硅制成。

数据线171和与数据线171分开的漏电极175形成在半导体154和栅极绝缘层140上。数据线171包括源电极173，源电极173和漏电极175形成为彼此面对。

数据线171传输数据信号并主要沿竖直方向延伸，从而与栅极线121交叉。数据线171形成在沿着行方向相邻的微腔305之间。即，数据线171形成在第二区域V2中。数据线171可周期性地弯曲。例如，如图2中示出的，每条数据线171可在与一个像素PX的水平中心线CL对应的部分处至少弯曲一次。

如图2所示，源电极173不从数据线171突出，并可与数据线171形成在同一条线上。漏电极175可包括与源电极173基本平行地延伸的杆状部和与杆状部相对的延伸部177。

栅电极124、源电极173和漏电极175连同半导体154形成薄膜晶体管(TFT)。薄膜晶体管可用作传输数据线171的数据电压的开关元件SW。在这种情况下，开关元件SW的沟道形成在源电极173和漏电极175之间的半导体154中。

钝化层180形成在数据线171、源电极173、漏电极175和半导体154的暴露的部分上。钝化层180可由有机绝缘材料或无机绝缘材料制成，并可由单层或多层形成。

滤色器230在钝化层180上形成在每个像素PX中。

每个滤色器230可显示红、绿和蓝三原色中的一个颜色。滤色器230不限于这些红、绿、蓝三原色，还可显示青色、品红、黄色和白基色中的一个颜色。滤色器230可不形成在第一区域V1和/或第二区域V2。

遮光构件220形成在相邻滤色器230之间的区域。遮光构件220形成在像素PX的边界和开关元件上以防止漏光。即，遮光构件220可形成在第一区域V1和第二区域V2中。然而，本示例性实施例不限于此，遮光构件220可只形成在第一区域V1中而不形成在第二区域V2中。在这种情况下，在第二区域V2中，滤色器230可在相邻像素PX内彼此叠置。滤色器230和遮光构件220可在部分区域中彼此叠置。

第一绝缘层240还可形成在滤色器230和遮光构件220上。第一绝缘层240可由有机绝缘材料形成，并可用来使滤色器230和遮光构件220中的每个的上表面平坦化。第一绝缘层240可由双层制成，所述双层包括由有机绝缘材料制成的第一层和由无机绝缘材料制成的第二层。在一些实施例中，第一绝缘层240可省略。

第一共电极270设置在第一绝缘层240上。形成在多个像素PX中的相邻的第一共电极270通过连接桥276等彼此连接以传递基本相同的电压。形成在每个像素PX中的第一共电极270可由平面形状制成。第一共电极270可由诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明金属氧化物制成。第一共电极270可被施加第一共电压。第一共电压可为预定电压。

第二绝缘层250设置在第一共电极270上。第二绝缘层250可由诸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料制成。

钝化层180、第一绝缘层240和第二绝缘层250具有暴露漏电极175的一部分(例如，延伸部177)的接触孔185a。

像素电极191设置在第二绝缘层250上。像素电极191可包括多个分支电极193和形成在多个分支电极193之间的缝隙93。像素电极191的多个分支电极193与第一共电极270叠置。像素电极191和第一共电极270通过第二绝缘层250分开。第二绝缘层250用来使像素电极191和第一共电极270绝缘。

像素电极191可包括用于连接其它层的突出部195。像素电极191的突出部195通过接触孔185a物理地连接并电连接到漏电极175，从而接收来自漏电极175的电压。像素电极191可由诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明金属氧化物制成。

像素电极191可包括沿数据线171的弯曲形状弯曲的边缘。例如，像素电极191可形成为包括在与像素PX的横向中心线CL对应的部分处至少弯曲一次的边缘的多边形。

向像素电极191施加数据电压。在开关元件SW导通时，数据电压通过数据线171传输至像素电极191。数据电压可表示从最低灰度级变化至最高灰度级的多个灰度级中的一个。例如，最低灰度级可为0，最高灰度级可为61，在最低灰度级和最高灰度级之间可存在总计62个灰度级。

上述像素的布置及薄膜晶体管的形状可以改变。此外，像素电极191和第一共电极270的位置可以交换。即，第二绝缘层250设置在第一共电极270上，像素电极191设置在第二绝缘层250上，然而，绝缘层可设置在像素电极上，共电极可设置在绝缘层上。此外，像素电极191可制成平面形状，第一共电极270可包括分支电极193和缝隙93。

与像素电极191分开预定距离的第二共电极280形成在像素电极191上。微腔305设置在像素电极191和第二共电极280之间。即，微腔305被像素电极191和第二共电极280封闭。第二共电极280沿行方向延伸，形成在微腔305上并形成在第二区域V2中。第二共电极280设置为覆盖微腔305的上表面和侧表面。微腔305的尺寸可根据显示装置的尺寸和分辨率变化。

第二共电极280可由诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明金属氧化物制成。可向第二共电极280施加第二共电压。第二共电压可为预定电压。可在第一共电极270和第二共电极280之间产生电场。

取向层设置在像素电极191上并位于第二共电极280的下方。取向层包括第一取向层11和第二取向层21。第一取向层11和第二取向层21可为水平取向层并可由诸如聚酰胺酸、聚硅氧烷和聚酰亚胺的取向材料形成。第一取向层11和第二取向层21可在微腔305的边缘的侧壁处连接。

第一取向层11设置在像素电极191上。第一取向层11可直接设置在未被像素电极191覆盖的第二绝缘层250上。此外，第一取向层11还可设置在第一区域V1中。第二取向层21设置在第二共电极280的下面以与第一取向层11面对。

由液晶分子310制成的液晶层形成在微腔305中，微腔305形成在像素电极191和第二共电极280之间。液晶分子310可具有正介电各向异性或负介电各向异性。液晶分子310可布置成使得在缺少电场时液晶分子310的长轴方向与基底110平行。即，可实现水平排列。

通过开关元件SW被施加数据电压的像素电极191与被施加第一共电压的第一共电极270一起产生相应的电场以确定液晶层的液晶分子310的排列方向。具体地，像素电极191的分支电极193与第一共电极270一起对液晶层形成边缘电场，从而确定液晶分子310的排列方向。如此，透过液晶层的光的亮度根据液晶分子310的被确定的排列方向而改变，从而显示图像。

在像素电极191被施加表示最低灰度级(即，黑色)的数据电压时，第二共电极280被施加第二共电压。在这种情况下，在被施加第一共电压的第一共电极270和被施加第二共电压的第二共电极280之间产生竖直电场。因此，竖直电场形成在液晶层上，液晶层形成在第一共电极270和第二共电极280之间，并且液晶层中的液晶分子310沿与基底110垂直的方向排列。如果液晶分子310沿与基底110垂直的方向排列，则可以无漏光地表现最低灰度级。

在表示除最低灰度级之外的灰度级的数据电压被施加到像素电极191时，可不向第二共电极280施加电压。在这种情况下，在像素电极191和第一共电极270之间形成水平电场。因此，水平电场形成在液晶层上，从而液晶层中的液晶分子310沿与基底110平行的方向排列。液晶分子310沿与基底110平行的方向排列，从而沿液晶分子310的方向表现预定的灰度级。

在前面的描述中，第二共电极280仅在表示最低灰度级时被施加预定电压以在液晶层上形成竖直电场，在表示除最低灰度级之外的灰度级时，没有电压施加到第二共电极280。然而，本公开不限于此。

在表示除最低灰度级之外的灰度级时，也可在像素的初始化驱动期间向第二共电极280施加预定电压。例如，可在将表示除最低灰度级之外的灰度级的数据电压施加到像素电极191之前直接向第二共电极280施加第二共电压。在这种情况下，竖直电场形成在第一共电极270和第二共电极280之间。因此，竖直电场形成在液晶层上，液晶层中的液晶分子310沿与基底110垂直的方向排列。在表示除最低灰度级之外的灰度级时，液晶分子最初沿与基底110垂直的方向排列，之后沿与基底110平行的方向排列以表现预定的灰度级，因此提高了响应速度。在液晶分子处于竖直排列而不是水平排列的状态下，液晶分子沿与基底110平行的方向排列的响应速度，更有利于在液晶分子水平排列的状态下表现预定灰度级。

第三绝缘层350还可形成在第二共电极280上。第三绝缘层350可由诸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiNx)的无机绝缘材料制成，并可在一些实施例中省略。

顶层360形成在第三绝缘层350上。顶层360可由有机材料形成。顶层360沿行方向形成并设置在微腔305上和第二区域V2处。顶层360形成为覆盖微腔305的上表面和部分侧表面。可通过硬化工艺使顶层360硬化以保持微腔305的形状。即，顶层360形成为与像素电极191分隔开以使微腔305置于其间。

第二共电极280和顶层360形成为不覆盖位于微腔305的边缘处的一部分侧表面，微腔305的没有被共电极280和顶层360覆盖的部分被称为注入孔。注入孔包括暴露微腔305的第一边缘处的侧表面的第一注入孔307a和暴露微腔305的第二边缘处的侧表面的第二注入孔307b。第一边缘与第二边缘面对，例如在平面图中第一边缘可为微腔305的上边缘，第二边缘可为微腔305的下边缘。在显示装置的制造工艺中，微腔305可被注入孔307a和307b暴露使得取向剂或液晶材料可通过注入孔307a和307b注入到微腔305中。

第四绝缘层370还可形成在顶层360上。第四绝缘层370可由诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料制成。第四绝缘层370可形成为覆盖顶层360的上表面和/或侧表面。第四绝缘层370保护由有机材料制成的顶层360，在一些实施例中可省略第四绝缘层370。

包封层390形成在第四绝缘层370上。包封层390形成为覆盖将微腔305的一部分暴露至外部的注入孔307a和307b。即，包封层390可密封微腔305以防止形成在微腔305内部的液晶分子310泄漏到外部。包封层390接触液晶分子310，包封层390由不与液晶分子310起反应的材料制成。例如，包封层390可由聚对二甲苯或类似物制成。

包封层390可包括诸如双层和三层的多层。包括两层的双层可由不同材料制成。三层包括三个层，相邻层的材料彼此不同。例如，包封层390可包括由有机绝缘材料制成的第一层和由无机绝缘材料制成的第二层。

虽然未示出，但是偏振片还可形成在显示装置的上表面和下表面上。偏振片可包括第一偏振片和第二偏振片。第一偏振片可附着在基底110的下表面上，第二偏振片可附着在包封层390上。

其次，将参照图5至图8描述根据示例性实施例的显示装置的初始状态和被驱动时的液晶分子的排列方向。

图5是示出在初始状态下液晶分子的排列方向的图，图6是示出在初始状态下弯曲基底时液晶分子的排列方向的图。图7是示出在被驱动以表示最低灰度级时液晶分子的排列方向的图，图8是示出在被驱动以表示除最低灰度级之外的灰度级时液晶分子的排列方向的图。图5至图8是示意性的示出显示装置的部分组成元件的剖视图。图5至图8仅示出像素电极、第二绝缘层、第一共电极、液晶分子和第二共电极，说明中省略了其他组成元件。

如图5所示，在初始状态下，液晶分子310沿水平方向排列。取向层由水平取向层制成，在初始状态下没有电压施加到像素电极191、第一共电极270和第二共电极280。

如图6所示，在将处于初始状态下的显示装置弯曲以形成弯曲的显示装置时，液晶层中的液晶分子310的排列状态被打乱。具体地，排列状态的张力大部分产生于微腔的边缘部分上。由于液晶分子310的排列状态的变形会产生漏光。此外，在微腔中的边缘部分上会发生取向层的聚集现象，因此产生漏光。

如图7所示，在驱动显示装置以表示最低灰度级时，在第一共电极270和第二共电极280之间形成竖直电场以使液晶层中的液晶分子310沿竖直方向排列。通过施加到第一共电极270的第一共电压和施加到第二共电极280的第二共电压在竖直方向上形成电场。第一共电压和第二共电压之间的差必须大于将排列在水平方向的液晶分子310移动至竖直方向的最小电压。通过在表达最低灰度级时使液晶分子310沿竖直方向排列，可防止在微腔的边缘部分漏光。

如图8所示，在驱动显示装置以表达除最低灰度级之外的灰度级时，没有电压施加到第二共电极280。在像素电极191和第一共电极270之间形成水平电场。液晶分子310沿水平方向排列，从而沿液晶分子310的方向表现预定的灰度级。

在下文中，将参照图9至图12描述在根据示例性实施例的显示装置的最低灰度级下的亮度。较之于在根据参照示例的显示装置的最低灰度级下的亮度来描述示例性实施例。

图9是示出了在根据参照示例的显示装置表示最低灰度级时排列状态的模拟结果，图10是示出了在根据参照示例的显示装置表示最低灰度级时依赖于位置的亮度的曲线图。图11是根据示例性实施例的显示装置表示最低灰度时排列状态的模拟结果，图12是示出了在根据示例性实施例的显示装置表示最低灰度级时依赖于位置的亮度的曲线图。图10和图12是示出了依赖于距微腔的中心的相对距离的相对亮度的曲线图。

在根据参照示例的显示装置的情况下，与根据示例性实施例的显示装置不同，不存在第二共电极。因此，仅由像素电极和第一共电极形成水平电场，不形成竖直电场。

如图9所示，在根据参照示例的显示装置的情况下，在显示最低灰度级时，液晶分子沿水平方向排列。在这种情况下，如果将显示装置弯曲以形成弯曲的显示装置，则排列状态会在微腔的边缘处的区域A中改变。这种形变会产生漏光。

如图10所示，大约0.025的亮度出现在微腔的中心上，亮度随着靠近微腔的边缘而增加。在区域A中，亮度增至大约0.045。

如图11所示，在根据本示例性实施例的显示装置中，在显示最低灰度级时，液晶分子沿竖直方向排列。在这种情况下，虽然显示装置被弯曲以形成弯曲的显示装置，但是由于液晶分子在微腔的边缘处的区域A中沿竖直方向排列，所以几乎没有出现漏光。

如图12所示，与位置无关地出现小于大约0.005的亮度。因此，A区域中没有出现漏光。此外，在区域A中乃至整个区域中，出现比参照示例更低的亮度。即，通过在第一共电极和第二共电极之间形成竖直电场来表现最低灰度级以防止漏光，能显示亮度极低的黑色。

虽然已结合目前被视为实际示例性实施例的内容描述了本公开，但是应理解的是，本公开不限于公开的实施例，而是相反，意在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种变形和等同布置。

<附图标记的说明>

110：基底 121：栅极线

171：数据线 191：像素电极

191：分支电极 270：第一共电极

280：第二共电极 305：微腔

307a，307b：注入孔 310：液晶分子

360：顶层 390：包封层

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

基底；

薄膜晶体管，设置在所述基底上；

像素电极，连接到所述薄膜晶体管；

第一共电极，通过绝缘层与所述像素电极叠置；

第二共电极，与所述第一共电极分隔开以使其间具有多个微腔；

顶层，设置在所述第二共电极上；

液晶层，包括设置在所述多个微腔中的液晶分子；以及

包封层，设置在所述顶层上以密封所述微腔。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第一共电极被施加第一共电压，以及

所述像素电极被施加表示多个灰度级的数据电压，所述多个灰度级包括最低灰度级和最高灰度级。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

在所述像素电极被施加表示所述最低灰度级的数据电压时，所述第二共电极被施加第二共电压。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，

在所述像素电极被施加表示所述最低灰度级的数据电压时，竖直电场形成在所述第一共电极和所述第二共电极之间。

5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，

在所述像素电极被施加表示除了所述最低灰度级之外的灰度级的数据电压时，没有电压施加到所述第二共电极。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，

在所述像素电极被施加表示除了所述最低灰度级之外的灰度级的数据电压时，水平电场形成在所述像素电极和所述第一共电极之间。

7.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

在所述像素电极被施加表示除了所述最低灰度级之外的灰度级的数据电压之前，所述第二共电极被施加第二共电压。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，

在所述像素电极被施加表示除了所述最低灰度级之外的灰度级的数据电压之前，竖直电场形成在所述第一共电极和所述第二共电极之间。

9.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

第一取向层，设置在所述像素电极上，以及

第二取向层，设置在所述第二共电极下面。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，

所述第一取向层和所述第二取向层由水平取向层制成。