CN104793358A - 液晶显示器以及液晶显示器的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明构思涉及液晶显示器以及液晶显示器的制造方法。更具体地，本发明构思涉及包括一个基板的液晶显示器以及液晶显示器的制造方法。根据本发明构思的示例性实施方式的液晶显示器包括：薄膜晶体管，设置在基板上；钝化层，设置在薄膜晶体管上；像素电极，设置在钝化层和透光区域上；相对电极，设置在像素电极上并通过介于其间的微腔与像素电极间隔开；顶层，设置在相对电极上并与像素电极重叠，其中，顶层和相对电极形成暴露微腔的注入孔的谷部；缓冲区，设置在透光区域与谷部之间；以及遮光构件，与谷部重叠。缓冲区中的微腔的高度高于透光区域中的微腔的高度。

Description

液晶显示器以及液晶显示器的制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年1月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2014-0006905号的优先权和权益，通过引用将其全部内容结合于此。
技术领域
本发明构思涉及液晶显示器以及液晶显示器的制造方法。更具体地，本发明构思涉及包括一个基板的液晶显示器以及液晶显示器的制造方法。
背景技术
目前，液晶显示器是最为广泛使用的平板显示器之一，并且包括在其上形成场生成电极(诸如像素电极和相对电极)的两个显示基板以及设置在两个显示面板之间的液晶层，并且通过向场生成电极施加电压以在液晶层上产生电场(其确定液晶层的液晶分子的取向并且控制入射光的偏振)来显示图像。
形成液晶显示器的两个显示基板可由薄膜晶体管阵列基板和相对基板构成。在薄膜晶体管阵列基板中，传输栅极信号的栅极线和传输数据信号的数据线形成为相交，可形成连接至栅极线和数据线的薄膜晶体管以及连接至薄膜晶体管的像素电极。相对基板可包括遮光构件、滤色器、相对电极等。如果需要的话，遮光构件、滤色器和相对电极可形成在薄膜晶体管阵列基板上。
然而，在常规液晶显示器中，不可避免地需要两个基板，并且组成元件分别形成在两个基板上，从而显示设备较重，成本较高，并且处理时间较长。
背景技术部分中所公开的上述信息仅用于增强对本发明构思的背景的理解，并且因此其可包括并不构成现有技术的信息。
发明内容
一种制造包括一个基板的液晶显示器的工艺包括注入液晶材料以形成液晶层，如果液晶材料残留在所限定的液晶层之外的区域中，则可能产生由所残留的液晶材料引起的看似针孔(pinhole)的显示缺陷。相反，当液晶材料未完全填充到显示区域的液晶层中时，在显示区域中产生黑暗部分或者纹理(texture)，从而产生显示缺陷。
因此，本发明构思在制造包括一个基板的液晶显示器的工艺中，通过防止液晶材料残留在预定液晶层之外的区域中或者通过防止在显示区域的液晶层中的液晶材料的移除来防止显示缺陷。
根据本发明构思的示例性实施方式的液晶显示器包括：薄膜晶体管，设置在基板上；钝化层，设置在薄膜晶体管上；像素电极，设置在钝化层上的透光区域处；相对电极，设置在像素电极上并且通过介于其间的微腔与像素电极间隔开；以及顶层，设置在相对电极上并且与像素电极重叠，其中，顶层和相对电极形成暴露微腔的注入孔的谷部；缓冲区，设置在透光区域与谷部之间，并且遮光构件与谷部重叠。在缓冲区中的微腔的高度高于在透光区域中的微腔的高度。
可进一步包括设置在钝化层与像素电极之间的第一绝缘层，并且第一绝缘层可包括其中移除缓冲区和谷部中的第一绝缘层的第一开口。
第一开口的边缘可设置在透光区域中的滤色器上。
像素电极可包括在谷部中形成的焊盘(pad)，并且遮光构件直接接触焊盘。
遮光构件可不与第一绝缘层重叠。
设置在缓冲区和谷部处的遮光构件的上表面可低于位于透光区域处的像素电极的上表面。
一种根据本发明构思的示例性实施方式的液晶显示器的制造方法包括：在基板上形成薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成钝化层；在钝化层上的透光区域处形成像素电极；在像素电极上形成牺牲层；形成与谷部重叠的遮光构件和设置在透光区域与谷部之间的缓冲区；在牺牲层上形成相对电极；在相对电极上形成与像素电极重叠的顶层；图案化相对电极以形成谷部并且通过谷部暴露牺牲层；通过谷部移除牺牲层，以在像素电极与相对电极之间形成微腔；通过微腔的注入孔将液晶材料注入到微腔中；并且移除设置在透光区域之外的区域处的液晶材料。其中，在缓冲区中的微腔的高度可高于在透光区域中的微腔的高度。
在移除设置在透光区域之外的区域处的液晶材料时，可不移除存在于透光区域的微腔中的液晶材料，并且可不移除或者部分移除存在于缓冲区的微腔中的液晶材料。
该方法可进一步包括形成设置在钝化层与像素电极之间的第一绝缘层，并且通过移除在缓冲区和谷部处的第一绝缘层来形成第一开口。
该方法可进一步包括在第一绝缘层与钝化层之间形成滤色器。第一开口的边缘可设置在透光区域中的滤色器上，像素电极可包括形成在谷部中的焊盘，并且遮光构件直接接触焊盘，并且遮光构件可不与第一绝缘层重叠。
该方法可进一步包括形成设置在钝化层与像素电极之间的第一绝缘层，并且第一绝缘层可包括设置在缓冲区和谷部的至少一个中的部分。
根据本发明构思的示例性实施方式，可改进显示设备的透射率和侧面可视性，并且可提高显示设备的显示质量。
附图说明
图1是根据本发明构思的示例性实施方式的液晶显示器的顶部平面图，
图2是根据本发明构思的示例性实施方式的液晶显示器的一个像素的等效电路图，
图3是根据本发明构思的示例性实施方式的液晶显示器的一个像素的布局图，
图4和图5分别是沿着线V-V截取的图3的液晶显示器的截面图，
图6至图20是在依据根据本发明构思的示例性实施方式的液晶显示器的制造方法的工艺的中间步骤中的结构的截面图，以及
图21是沿着线V-V截取图3的液晶显示器的另一实例的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参考其中示出本发明构思的示例性实施方式的附图更加全面地描述本发明构思。如本领域技术人员将认识到的，在完全不背离本发明构思的精神或范围的前提下，可以各种不同的方式修改所描述的实施方式。
在附图中，为清晰起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。遍及说明书，相似的参考标号指定相似的元件。将理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为“在”另一元件“上”时，其可直接形成在其他元件上或者形成有中间元件。相反，当一个元件被称为“直接在”另一元件“上”时，则不存在中间元件。
现在，将参考附图描述根据本发明构思的示例性实施方式的液晶显示器以及液晶显示器的制造方法。
首先，将参考图1描述根据本发明构思的示例性实施方式的液晶显示器。
图1是根据本发明构思的示例性实施方式的液晶显示器的顶部平面图。
根据本发明构思的示例性实施方式的液晶显示器包括由玻璃或塑料制成的基板110以及形成在基板110上的多个像素PX。
多个像素PX可布置成包括多个像素行和多个像素列的矩阵形状。
多个像素PX的每一个可显示基色的其中一种。例如，每个像素PX可唯一地显示基色的其中一种，这被称为空间划分(spatial division)，或者每个像素可在时间上交替地显示基色的其中一种，这被称为时间划分(temporal division)。可通过基色的空间或时间总和来识别所期望的颜色。基色的实例是包括红色、绿色和蓝色的三基色。然而，可使用四种或更多种基色来显示图像。对于彩色显示器，每个像素PX包括显示每种基色的滤色器或者被提供有表现要被发射的每种基色的光。
每个像素PX可包括连接至显示信号线的开关元件(诸如，薄膜晶体管)、连接至其的像素电极(未示出)以及面向像素电极的相对电极(未示出)。
一个像素PX包括第一子像素PXa和第二子像素PXb。第一子像素PXa和第二子像素PXb可根据彼此不同的伽马曲线来显示一个图像信号的亮度，从而改进液晶显示器的可视性。如图1所示，第一子像素PXa和第二子像素PXb可布置在列方向上，但并不局限于此。
顶层360形成在基板110上。
顶层360可形成为在像素行方向上延长。移除在第一谷部V1处的顶层360。第一谷部V1可形成为沿着第一子像素PXa与第二子像素PXb之间的间隔在像素行方向上延伸。
每个顶层360形成为在相邻的第二谷部V2之间与基板110分开以形成微腔305。此外，每个顶层360形成为附接至在第二谷部V2处的基板110，以覆盖微腔305的两侧。第二谷部V2可形成为沿着相邻像素列之间的间隔在像素列方向上延伸。
注入孔307形成在第一谷部V1的边缘处，以将设置在顶层360下方的微腔暴露到外部。
根据本示例性实施方式的液晶显示器的结构仅是一种实例，并且许多变形也是可以的。例如，可改变像素PX、第一谷部V1以及第二谷部V2的布置和形状，多个顶层360可在第一谷部V1处连接，并且顶层360的一部分可形成为在第二谷部V2中与基板110分开，从而相邻的微腔305可连接至彼此。
接着，将参考图2连同图1一起来描述根据本发明构思的示例性实施方式的液晶显示器的一个像素。
参考图2，根据本发明构思的示例性实施方式的液晶显示器包括多条信号线121、171h和171l以及连接至多条信号线121、171h和171l的多个像素PX。多个像素PX可布置成包括多个像素行和多个像素列的矩阵形式，但并不局限于此。
每个像素PX可包括第一子像素PXa和第二子像素PXb。第一子像素PXa和第二子像素PXb可设置在像素列方向或像素行方向上。在这种情况下，如之前在图1中所描述的，第一谷部V1可沿着像素行方向设置在第一子像素PXa与第二子像素PXb之间，并且第二谷部V2可沿着像素列方向设置在相邻的像素列之间。
信号线121、171h和171l可包括用于传输栅极信号的栅极线121以及用于传输不同数据电压的第一数据线171h和第二数据线171l。
第一子像素PXa可包括连接至栅极线121和第一数据线171h的第一开关元件Qh以及连接至第一开关元件Qh的第一液晶电容器Clch。第一开关元件Qh包括连接至栅极线121的第一端子、连接至第一数据线171h的第二端子以及连接至第一液晶电容器Clch的第三端子。
第二子像素PXb可包括连接至栅极线121和第二数据线171l的第二开关元件Ql以及连接至第二开关元件Ql的第二液晶电容器Clcl。第二开关元件Ql包括连接至栅极线121的第一端子、连接至第二数据线171l的第二端子以及连接至第二液晶电容器Clcl的第三端子。
如果首先将栅极导通电压Von施加至栅极线121，则连接至其的第一开关元件Qh和第二开关元件Ql被接通，并且第一液晶电容器Clch和第二液晶电容器Clcl被充电至通过第一数据线171h和第二数据线171l传输的每个数据电压。通过第二数据线171l传输的数据电压与通过第一数据线171h传输的数据电压可以是不同的。例如，相比第一液晶电器Clch，可利用更低的电压对第二液晶电容器Clcl进行充电，从而改进侧面可视性。
第一子像素PXa和第二子像素PXb的结构并不局限于图2中所示的结构，并且可使用各种不同的方法和结构以分别在第一子像素PXa和第二子像素PXb中充入不同的电压。
接着，将参考图3至图5连同之前所描述的附图一起来描述根据本发明构思的示例性实施方式的液晶显示器的结构。
图3是根据本发明构思的示例性实施方式的液晶显示器的一个像素的布局图，并且图4和图5分别是沿着线V-V截取的图3的液晶显示器的截面图。
参考图3至图5，在基板110上形成包括栅极线121和存储电极线131的栅极导体。
栅极线121可主要在行方向上延伸并且传输栅极信号。栅极线121可设置在沿列方向邻近的两个微腔305之间。
栅极线121可包括向上突出的第一栅电极124h和第二栅电极124l。第一栅电极124h和第二栅电极124l可连接至彼此，从而形成一个突出部。然而，第一栅电极124h和第二栅电极124l的形状可根据薄膜晶体管的设计而变化。
存储电极线131平行于栅极线121延伸并且与栅极线121分开。
存储电极线131可包括存储电极133和135。
连接至存储电极线131的存储电极133环绕作为第一子像素PXa的透射区的透光区域OPa。
存储电极135从在列方向上延伸的存储电极线131向下突出。图3示出了其中存储电极线131包括用于一个像素PX的一对存储电极的实例。该对存储电极135可分别形成为靠近第一栅电极124h和第二栅电极124l。
栅极绝缘层140形成在栅极导体上。栅极绝缘层140可由诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料制成。栅极绝缘层140可由单层或多层形成。
第一半导体154h和第二半导体154l形成在栅极绝缘层140上。第一半导体154h可设置在第一栅电极124h上，并且第二半导体154l可设置在第二栅电极124l上。
第一半导体154h和第二半导体154l可包括非晶硅、多晶硅或氧化物半导体。
欧姆触点(未示出)可进一步形成在第一半导体154h和第二半导体154l上。欧姆触点可形成在第一半导体154h上，并且欧姆触点可由诸如n+氢化非晶硅(其中掺杂了高浓度的n型杂质)的材料或者硅化物形成。
包括诸如第一数据线171h和第二数据线171l的多条数据线、多个第一漏电极175h以及多个第二漏电极175l的数据导体形成在第一半导体154h、第二半导体154l以及栅极绝缘层140上。
第一数据线171h和第二数据线171l传输数据信号并且主要在列方向上延伸，从而使栅极线121与存储电极线131交叉。第一数据线171h或第二数据线171l可设置在沿行方向邻近的两个微腔305之间。
第一数据线171h和第二数据线171l可传输不同的数据电压。例如，通过第二数据线171l传输的一个图像的数据电压可低于通过第一数据线171h传输的数据电压，但并不局限于此。
第一数据线171h可包括朝向第一栅电极124h突出的第一源电极173h，并且第二数据线171l可包括朝向第二栅电极124l突出的第二源电极173l。
第一漏电极175h和第二漏电极175l分别具有一个宽端(wide end)和一个棒状端(rod-shape end)。第一漏电极175h和第二漏电极175l的宽端可与在存储电极线131下方突出的存储电极135重叠。第一漏电极175h和第二漏电极175l的棒状端可被第一源电极173h和第二源电极173l部分地围绕(enclose)。
第一栅电极124h和第二栅电极124l、第一源电极173h和第二源电极173l以及第一漏电极175h和第二漏电极175l分别与第一半导体154h和第二半导体154l形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管(TFT)，并且薄膜晶体管的沟道形成在彼此面对的源电极173h和173l与漏电极175h和175l之间的半导体154h和154l中。第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管可用作所描述的第一开关元件Qh和第二开关元件Ql。
钝化层180设置在数据导体上。钝化层180可由有机绝缘材料或无机绝缘材料制成，并且可由单层或多层形成。
滤色器230设置在钝化层180上。每个滤色器230可显示多种基色(诸如红色、绿色和蓝色的三基色以及四种或更多种基色)中的其中一种颜色。滤色器230并不局限于红色、绿色和蓝色的三基色，并且还可以是蓝绿色、品红色、黄色以及基于白色的颜色。
每个滤色器230可在列方向上延长。至少可移除在第一子像素PXa的透光区域OPa与第二子像素PXb的透光区域OPb之间的区域中的滤色器230。例如，至少可移除在其中形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的区域中的滤色器，从而形成开口235。
第一绝缘层240可进一步形成在滤色器230上。第一绝缘层240可由有机绝缘材料形成，并且其上表面可以是扁平的。如果需要的话，可省去第一绝缘层240。
至少可移除在第一子像素PXa的透光区域OPa与第二子像素PXb的透光区域OPb之间的区域中的第一绝缘层240。例如，至少可移除在形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的区域中的第一绝缘层240，从而形成开口245。开口245的边缘可与第一子像素PXa的透光区域OPa或第二子像素PXb的透光区域OPb的边缘近似对齐。第一绝缘层240的开口245可比滤色器230的开口235宽。开口245的边缘可形成在滤色器230上并且可形成在第一子像素PXa的透光区域OPa和第二子像素PXb的透光区域OPb上。
第二绝缘层250可进一步形成在第一绝缘层240上。第二绝缘层250可由无机绝缘材料制成。第二绝缘层250用作保护滤色器230和第一绝缘层240。如果需要的话，可省去第二绝缘层250。
钝化层180和第二绝缘层250具有暴露第一漏电极175h的宽端的第一接触孔181h和暴露第二漏电极175l的宽端的第二接触孔181l。第一接触孔181h和第二接触孔181l可设置在滤色器230的开口235内。
包括第一子像素电极191h和第二子像素电极191l的多个像素电极形成在第二绝缘层250上。
第一子像素电极191h和第二子像素电极191l可分别设置在第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的上部和下部上。第一子像素电极191h可被设置成对应于第一子像素PXa的透光区域OPa，并且第二子像素电极191l可被设置成对应于第二子像素PXb的透光区域OPb。然而，第一子像素191h和第二子像素电极191l的布置和形状并不局限于此，并且可根据像素电极的设计而变化。
第一子像素电极191h和第二子像素电极191l的整体形状可以是四边形。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l可包括由横向主干193h和193l与纵向主干192h和192l形成的十字形主干、从十字形主干延伸至像素边缘的多个微小分支194h和194l、以及在第一接触孔181h和第二接触孔181l上延伸的焊盘195h和195l。
第一子像素电极191h和第二子像素电极191l可被横向主干193h和193l以及纵向主干192h和192l分割成四个子区域。微小分支194h和194l从横向主干193h和193l以及纵向主干192h和192l倾斜地延伸，并且其延伸方向可相对于栅极线121或者横向主干193h和193l形成近似45度或135度的角。相邻子区域的微小分支194h和194l的延伸方向可彼此垂直。
第一子像素电极191h和第二子像素电极191l可进一步包括外部主干(未示出)，该外部主干连接第一子像素PXa的透光区域OPa以及第二子像素PXb的透光区域OPb的近似外部。
第一子像素电极191h的焊盘195h通过第一接触孔181h连接至第一漏电极175h，并且第二子像素电极191l的焊盘195l通过第二接触孔181l连接至第二漏电极175l。因此，如果第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管被接通，则第一子像素电极191h和第二子像素电极191l可分别从第一漏电极175h和第二漏电极175l接收数据电压。
第一子像素电极191h和第二子像素电极191l可包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)以及金属薄膜的透明导电材料。
像素PX的布置和形状、薄膜晶体管的结构以及像素电极的形状在本示例性实施方式中仅是一种实例，并且许多变形也是可以的。
遮光构件220可设置在像素电极上。遮光构件220包括设置在相邻像素PX的透光区域之间或者设置在第一子像素PXa的透光区域OPa与第二子像素PXb的透光区域OPb之间的部分，从而防止像素PX之间的光泄露或者第一子像素PXa与第二子像素PXb之间的光泄露。
详细地，遮光构件220可包括在行方向上延伸的部分和在列方向上延伸的部分。在遮光构件220中沿行方向延伸的部分可覆盖栅极线121以及第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，并且在列方向上延伸的部分可沿着第一数据线171h和第二数据线171l延伸。
参考图4，设置在第一子像素PXa的透光区域OPa与第二子像素PXb的透光区域OPb之间的遮光构件220的上表面可低于设置在第一子像素PXa的透光区域OPa和第二子像素PXb的透光区域OPb处的第一子像素电极191h和第二子像素电极191l或者第二绝缘层250的上表面。遮光构件220可直接接触第一谷部V1中的焊盘195h和195l。
遮光构件220可与滤色器230的边缘重叠。遮光构件220可不与第一绝缘层240重叠。
遮光构件220和滤色器230的位置并不局限于附图中示出的位置并且可改变。例如，遮光构件220可设置在第二绝缘层250或第一绝缘层240下方，或者可设置在与滤色器230相同的平面内。
相对电极270在第一子像素电极191h和第二子像素电极191l上形成为与其分开预定距离。
相对电极270可包括诸如ITO、IZO或金属薄膜的透明导电材料。可对相对电极270施加预定的电压，诸如，公共电压。
第一子像素电极191h和第二子像素电极191l与相对电极270之间的间隔形成微腔305。在微腔305中，填充包括液晶分子31的液晶材料以形成液晶层3。
在不存在电场情况下，液晶分子31可具有负介电各向异性并且可沿垂直于基板110方向取向，但并不局限于此。
第一子像素电极191h和第二子像素电极191l接收数据电压以与被施加有公共电压的相对电极270一起形成电场，从而确定设置在微腔305内部的液晶分子31的方位。因此，通过液晶层3传输的光的亮度根据液晶分子31的方位而不同，液晶分子31的方位通过施加至液晶分子31的电场而改变。
可在相对电极270上进一步设置第三绝缘层350。第三绝缘层350可由诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氮氧化硅(SiOxNy)的无机绝缘材料制成，或需要时可省去。
顶层360形成在第三绝缘层350上。顶层360可由有机材料制成。微腔305的形状可通过利用固化处理硬化顶层360来保持。顶层360形成为利用其间的微腔305与第一子像素电极191h和第二子像素电极191l间隔开。
顶层360可主要设置在第一子像素PXa的透光区域OPa以及第二子像素PXb的透光区域OPb处。
可在顶层360上进一步形成第四绝缘层370。第四绝缘层370可由诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氮氧化硅(SiOxNy)的无机绝缘材料制成。第四绝缘层370可形成为覆盖顶层360的上表面和侧表面。第四绝缘层370具有保护顶层360的功能。可省去第四绝缘层370。
第一取向层11可形成在遮光构件220、第一像素电极191h与第二子像素电极191l以及第二绝缘层250上。面向第一取向层11的第二取向层21可形成在相对电极270下方。第一取向层11和第二取向层21可以是垂直取向层，并且可包括诸如聚酰胺酸、聚硅氧烷和聚酰亚胺的取向材料。第一取向层11和第二取向层21在像素PX的边缘处连接至彼此。
相对电极270、第三绝缘层350和第四绝缘层370被设置成与第一子像素电极191h和第二子像素电极191l间隔开。将位于第一子像素PXa的透光区域OPa与第二子像素PXb的透光区域OPb之间的区域处的顶层360以及设置在顶层360下方或上面的层一起移除，从而形成暴露微腔305的第一谷部V1。
参考图1和图4，顶层360沿着像素行延伸并且形成在每个像素PX与第二谷部V2处，但不形成在第一谷部V1处。即，顶层360不设置在第一子像素PXa的透光区域OPa与第二子像素PXb的透光区域OPb之间的区域上。
微腔305设置在顶层360下方，然而，可不在形成在第二谷部V2上的顶层360下方形成微腔305。
根据本发明构思的示例性实施方式，缓冲区BFZ设置在第一谷部V1与第一子像素PXa的透光区域OPa或者第二子像素PXb的透光区域OPb之间。即，缓冲区BFZ设置在第一谷部V1的边缘之中的设置注入孔307的边缘处。缓冲区BFZ可与遮光构件220重叠并且可主要与遮光构件220的边缘重叠。因此，根据本发明构思的示例性实施方式的遮光构件220可包括与第一谷部V1和缓冲区BFZ重叠的部分，并且第一子像素PXa的透光区域OPa和第二子像素PXb的透光区域OPb不与遮光构件220重叠。
遮光构件220可包括与图1中所示的第二谷部V2重叠的部分。
参考图4，设置在缓冲区BFZ处的第一取向层11的上表面低于设置在第一子像素PXa的透光区域OPa或者第二子像素PXb的透光区域OPb处的第一取向层11的上表面。
因此，如图5所示，在缓冲区BFZ中，微腔305的高度d2可高于在第一子像素PXa的透光区域OPa或者第二子像素PXb的透光区域OPb处的微腔305的高度d1。即，在缓冲区BFZ中，第一取向层11与第二取向层21之间的距离可以大于在透光区域OPa和OPb中第一取向层11与第二取向层21之间的距离。为此，在本示例性实施方式中，可移除在缓冲区BFZ和第一谷部V1中的第一绝缘层240。即，第一绝缘层240的开口245的边缘可近似和缓冲区BFZ与透光区域OPa和OPb之间的边界一致，或者可以设置在透光区域OPa和OPb中。
暴露微腔305的一部分的注入孔307形成在相对电极270、第三绝缘层350和第四绝缘层370的边缘的下方的空间中，相对电极270、第三绝缘层350和第四绝缘层370的边缘形成第一谷部V1的边缘。注入孔307可在邻近于第一子像素PXa的透光区域OPa的缓存区BFZ的边缘处和邻近于第二子像素PXb的透光区域OPb的缓存区BFZ的边缘处彼此面对。即，注入孔307可在第一子像素PXa的下边缘和第二子像素PXb的上边缘处暴露微腔305的侧表面。微腔305通过注入孔307暴露，从而，在制造液晶显示器的工艺中，取向材料或液晶材料可通过注入孔307被注入到微腔305中。
覆盖注入孔307的保护层390可设置在第四绝缘层370上。保护层390可密封微腔305，以使被注入到微腔305中的包括液晶分子31的液晶材料不会被泄漏到外部。保护层390接触液晶材料，从而，优选地保护层390可由不与液晶材料反应的材料制成。例如，保护层390可由聚对二甲苯形成。
保护层390可由诸如双层或三层的多层制成。双层包括由不同材料制成的两个层。三层包括三个层，并且两个相邻层的材料彼此不同。例如，保护层390可包括由有机绝缘材料制成的层和由无机绝缘材料制成的层。
尽管未示出，然而，可在液晶显示器的上表面和下表面上进一步设置偏光器(polarizer)。偏光器可包括第一偏光器和第二偏光器。第一偏光器可附接在基板110的下表面处，并且第二偏光器可附接在保护层390上。
接着，将参考图6至图20连同所描述的附图一起来描述根据本发明构思的示例性实施方式的液晶显示器的制造方法。
图6至图20是在依据根据本发明构思的示例性实施方式的液晶显示器的制造方法的工艺的中间步骤中的结构的截面图。
首先，参考图6，在由玻璃或塑料制成的基板110上沉积并图案化导电材料，以形成包括多条栅极线121(包括第一栅电极124h和第二栅电极124l)以及存储电极线131(包括存储电极133和135)的栅极导体。
接着，参考图7，诸如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料沉积在栅极导体和基板110上，以形成栅极绝缘层140。栅极绝缘层140可由单层或多层形成。
接着，在栅极绝缘层140上，沉积并图案化诸如非晶硅、多晶硅和氧化物半导体的半导体材料，以形成第一半导体154h和第二半导体154l。第一半导体154h形成为设置在第一栅电极124h上，并且第二半导体154l形成为设置在第二栅电极124l上。
接着，沉积并图案化导电材料以形成包括第一数据线171h(包括第一源电极173h)、第二数据线171l(包括第二源电极173l)以及第一漏电极175h和第二漏电极175l的数据导体。
可替代地，通过使用一种光掩模的光刻技术来顺序地沉积并图案化半导体材料和数据导体金属材料，以形成第一半导体154h和第二半导体154l以及数据导体。
接着，参考图8，在数据导体上沉积无机绝缘材料或有机绝缘材料以形成钝化层180。
接着，在钝化层180上形成多个滤色器230。至少可移除位于第一子像素PXa的透光区域OPa与第二子像素PXb的透光区域OPb之间的区域上的滤色器230。例如，至少可移除位于形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的区域上的滤色器，从而形成开口235。
接着，参考图9，有机绝缘材料沉积在滤色器230上以形成第一绝缘层240。至少可移除位于第一子像素PXa的透光区域OPa与第二子像素PXb的透光区域OPb之间的区域上的第一绝缘层240。例如，至少可移除位于形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的区域上的第一绝缘层，从而形成开口245。第一绝缘层240的开口245的边缘可设置在滤色器230上，即，开口245的宽度大于相邻滤色器之间的距离。开口245的边缘可对应于透光区域OPa和OPb与缓冲区BFZ之间的边界，或者可形成在透光区域OPa或OPb中。
接着，参考图10，诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氮氧化硅(SiOxNy)的无机绝缘材料沉积在第一绝缘层240上以形成第二绝缘层250。
接着，图案化钝化层180和第二绝缘层250以形成暴露第一漏电极175h的宽端的第一接触孔181h和暴露第二漏电极175l的宽端的第二接触孔181l。第一接触孔181h和第二接触孔181l可设置在滤色器230的开口235内。
接着，参考图11，在第二绝缘层250上沉积并图案化诸如ITO、IZO或金属薄膜的透明导电材料，以形成包括第一子像素电极191h和第二子像素电极191l的多个像素电极。第一子像素电极191h可包括通过第一接触孔181h连接至第一漏电极175h的突出部195h，并且第二子像素电极191l可包括通过第二接触孔181l连接至第二漏电极175l的突出部195l。
接着，参考图12，在像素电极上形成遮光构件220。遮光构件220可包括设置在相邻像素PX的透光区域之间或者设置在第一子像素PXa的透光区域OPa与第二子像素PXb的透光区域OPb之间的部分。在这种情况下，设置在第一子像素PXa的透光区域OPa与第二子像素PXb的透光区域OPb之间的遮光构件220的上表面可低于设置在第一子像素PXa的透光区域OPa和第二子像素PXb的透光区域OPb处的第一子像素电极191h和第二子像素电极191l或者第二绝缘层250的上表面。
接着，参考图13，将感光有机材料涂覆在第一子像素电极191h和第二子像素电极191l上，并且通过光学处理(photo-process)形成牺牲层300。牺牲层300沿着多个像素列连续地形成。牺牲层300可覆盖像素PX并且可通过光学处理移除在第二凹部V2处的牺牲层300。
接着，诸如ITO、IZO和金属薄膜的导电材料沉积在牺牲层300上以形成相对电极270。
随后，诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)合氮氧化硅(SiOxNy)的无机绝缘材料沉积在相对电极270上以形成第三绝缘层350。
接着，参考图14，在第三绝缘层350上涂覆并图案化有机材料以形成顶层360。顶层360可主要设置在第一子像素PXa的透光区域OPa和第二子像素PXb的透光区域OPb处。用于一个像素PX的分开的顶层360之间的区域可与稍后形成的第一谷部V1对应。顶层360可形成为具有沿着像素行延伸的形状。
接着，参考图15，诸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料沉积在顶层360和第三绝缘层350上以形成第四绝缘层370。第四绝缘层370形成在图案化的顶层360上，从而保护顶层360的侧表面。
接着，参考图16，图案化第四绝缘层370、第三绝缘层350和相对电极270以形成第一谷部V1。因此，在第一谷部V1处的牺牲层300被暴露。
接着，参考图17，在暴露牺牲层300的基板110上执行用于灰化的氧等离子处理或者执行显影处理以移除牺牲层300。如果移除牺牲层300，则在与通过氧等离子处理或者显影处理移除牺牲层300的区域对应的位置处产生微腔305。
第一子像素电极191h和第二子像素电极191l与相对电极270通过介于其间的微腔305而彼此分开，并且第一子像素电极191h和第二子像素电极191l与顶层360通过介于其间的微腔305而彼此分开。相对电极270和顶层360形成为覆盖微腔305的上表面和相对的侧表面。
微腔305通过第一谷部V1暴露，并且形成第一谷部V1的边缘的相对电极270、第三绝缘层350和第四绝缘层370的边缘被称为注入孔307。注入孔307可沿着第一谷部V1形成。可替代地，注入孔307可沿着第二谷部V2形成。
接着，向基板110施加热以硬化顶层360。因此，顶层360可保持微腔305的形状。
缓冲区BFZ设置在第一谷部V1与第一子像素PXa的透光区域OPa或者第二子像素PXb的透光区域OPb之间。
接着，参考图18，通过旋涂法或喷墨法将包括取向材料的取向剂滴落在基板110上。取向剂通过注入孔307被注入到微腔305中。当将取向剂注入到微腔305中并随后执行固化处理时，溶剂被蒸发，并且取向材料余留在微腔305的内壁上。
因此，第一取向层11可形成在第一子像素电极191h和第二子像素电极191l以及第二绝缘层250上，并且第二取向层21可形成在相对电极270下方。第一取向层11和第二取向层21可利用其间的微腔305而彼此面对，并且在微腔305的边缘处连接至彼此。
诸如紫外线的光可照射到第一取向层11和第二取向层21，以确定第一取向层11和第二取向层21的取向方向。
设置在缓冲区BFZ处的第一取向层11的上表面低于设置在第一子像素PXa的透光区域OPa或者第二子像素PXb的透光区域OPb处的第一取向层11的上表面。因此，如图5所示，在缓冲区BFZ中，微腔305的高度d2可高于在第一子像素PXa的透光区域OPa或者第二子像素PXb的透光区域OPb处的微腔305的高度d1。
接着，参考图19，通过喷墨法或分配方法将包括液晶分子31的液晶材料30滴在基板110上。因此，液晶材料30通过注入孔307被注入到微腔305中以形成液晶层3。在这种情况下，液晶材料30可在沿着奇数编号的第一谷部V1所形成的注入孔307处滴下，而不在沿着偶数编号的第一谷部V1所形成的注入孔307处滴下。相反，液晶材料30可在沿着偶数编号的第一谷部V1所形成的注入孔307处滴下，而不在沿着奇数编号的第一谷部V1所形成的注入孔307处滴下。
如果液晶材料30在沿着奇数编号的第一谷部V1所形成的注入孔307处滴下，则液晶材料30通过毛细力经由注入孔307被注入到微腔305内部。此时，微腔305内部的空气通过沿着偶数编号的第一谷部V1所形成的注入孔307排出，从而可将液晶材料30注入到微腔305内部。
可替代地，可将液晶材料30滴到所有注入孔307中。即，可将液晶材料30滴到沿着奇数编号的第一谷部V1所形成的注入孔307以及沿着偶数编号的第一谷部V1所形成的注入孔307中。
参考图19，在注入液晶材料30之后，液晶材料30可能残留在第一谷部V1和/或顶层360上。如上所述，残留在顶层360上的液晶材料30可被识别为显示缺陷(诸如，像素PX中的黑暗部分和纹理)。因此，必须将其移除。
参考图20，可通过DI清洗、使用气刀的清洗或擦拭清洗方法来移除残留在顶层360上的液晶材料30。此时，微腔305内部的液晶材料30可能被一起排出。然而，根据本发明构思的示例性实施方式，由于缓冲区BFZ设置在第一谷部V1与第一子像素PXa的透光区域OPa与第二子像素PXb的透光区域OPb之间，因此尽管微腔305中的液晶材料30可能被移除，但显示缺陷可不被识别。即使在某种程度上移除了微腔305之中的在缓冲区BFZ内的液晶材料30使得形成其中液晶被移除的空间35，但空间35被遮光构件220覆盖，从而由于不存在液晶材料30而引起的显示缺陷可不被识别。
具体地，根据本发明构思的示例性实施方式，在缓冲区BFZ中，微腔305的高度d2高于位于第一子像素PXa的透光区域OPa或第二子像素PXb的透光区域OPb处的微腔305的高度d1。因此，在移除残留的液晶材料30的过程中，在缓冲区BFZ中的毛细力低于在第一子像素PXa的透光区域OPa或第二子像素PXb的透光区域OPb中的毛细力。因此，在缓冲区BFZ与透光区域OPa和OPb边界附近的液晶材料30被施加朝向透光区域OPa和OPb的方向(如第一方向r1)的力。如上所述，在移除残留的液晶材料30的过程中，由于朝向透光区域OPa和OPb的方向(如第一方向r1)的力，可防止设置在透光区域OPa和OPb处的液晶材料30被移除到外部。
相反，如通过第二方向r2所示的，可容易地将设置在缓冲区BFZ和第一谷部V1处的液晶材料30排出到外部。尽管部分地排出了液晶材料30，使得在缓冲区BFZ中产生空间35，但缓冲区BFZ被遮光构件220覆盖，从而显示缺陷不被识别。
接着，参考图4，通过在第三绝缘层370上沉积不与液晶分子310反应的材料来形成保护层390。保护层390形成为覆盖注入孔307(微腔305通过其被暴露到外部)，从而密封微腔305。
接着，将参考图21连同图3和图4一起来描述根据本发明构思的示例性实施方式的液晶显示器的结构。相似的参考标号被分配给与之前示例性实施方式中相同的组成元件，并且省去相同的描述。
图21是沿着线V-V截取的图3的液晶显示器的另一实例的截面图。
参考图21，根据本示例性实施方式的液晶显示器与在图3和图4中所示的示例性实施方式的液晶显示器相同，然而，第一绝缘层240还可设置在缓冲区BFZ和第一谷部V1处。在这种情况下，第一绝缘层240的开口245的边界可邻近于第一接触孔181h或第二接触孔181l的边界，可围绕第一接触孔181h或第二接触孔181l，并且可近似与第一接触孔181h或第二接触孔181l的边界一致。
在本示例性实施方式中，在缓冲区BFZ中的微腔305的高度d2可高于在第一子像素PXa的透光区域OPa或第二子像素PXb的透光区域OPb中的微腔305的高度d1。为此，在本示例性实施方式中，设置在缓冲区BFZ和第一谷部V1处的遮光构件220的厚度可减少所需的程度，以控制第一取向层11与第二取向层21之间的间隔。在缓冲区BFZ和第一谷部V1处的遮光构件220的上表面的高度可低于透光区域OPa和OPb中的第一子像素电极191h和第二子像素电极191hl的高度。
示出了其中第一谷部V1和缓冲区BFZ设置在第一子像素PXa与第二子像素PXb之间的示例性实施方式，然而，并不局限于此。例如，可将根据如发明构思的示例性实施方式的结构和制备方法的第一谷部V1和缓冲区BFZ应用于设置在相邻像素PX之间的遮光构件220。
尽管已经结合目前被视为实际示例性实施方式的实施方式描述了本发明构思，然而，应理解，本发明构思并不局限于所公开的实施方式，而是相反，本发明构思旨在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种变形和等价布置。

Claims (20)

1.一种液晶显示器，包括：
薄膜晶体管，设置在基板上；
钝化层，设置在所述薄膜晶体管上；
像素电极，设置在所述钝化层上的透光区域处；
相对电极，设置在所述像素电极上并通过介于其间的微腔与所述像素电极间隔开；
顶层，设置在所述相对电极上并与所述像素电极重叠，其中，所述顶层和所述相对电极形成暴露所述微腔的注入孔的谷部；
缓冲区，设置在所述透光区域与所述谷部之间；以及
遮光构件，与所述谷部重叠；
其中，在所述缓冲区中的所述微腔的高度高于在所述透光区域中的所述微腔的高度。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器，进一步包括设置在所述钝化层与所述像素电极之间的第一绝缘层；
其中，所述第一绝缘层包括其中在所述缓冲区和所述谷部中的所述第一绝缘层被移除的第一开口。
3.根据权利要求2所述的液晶显示器，其中，所述第一开口的边缘设置在所述透光区域中的滤色器上。
4.根据权利要求3所述的液晶显示器，其中，所述像素电极包括形成在所述谷部中的焊盘，并且所述遮光构件直接接触所述焊盘。
5.根据权利要求4所述的液晶显示器，其中，所述遮光构件不与所述第一绝缘层重叠。
6.根据权利要求5所述的液晶显示器，其中，设置在所述缓冲区和所述谷部处的所述遮光构件的上表面低于在所述透光区域处的所述像素电极的上表面。
7.根据权利要求3所述的液晶显示器，其中，所述遮光构件不与所述第一绝缘层重叠。
8.根据权利要求7所述的液晶显示器，其中，设置在所述缓冲区和所述谷部处的所述遮光构件的上表面低于在所述透光区域处的所述像素电极的上表面。
9.根据权利要求2所述的液晶显示器，其中，所述像素电极包括形成在所述谷部中的焊盘，并且所述遮光构件直接接触所述焊盘。
10.根据权利要求9所述的液晶显示器，其中，所述遮光构件不与所述第一绝缘层重叠。
11.根据权利要求10所述的液晶显示器，其中，设置在所述缓冲区和所述谷部处的所述遮光构件的上表面低于在所述透光区域处的所述像素电极的上表面。
12.根据权利要求2所述的液晶显示器，其中，所述遮光构件不与所述第一绝缘层重叠。
13.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，
设置在所述缓冲区和所述谷部处的所述遮光构件的上表面低于在所述透光区域处的所述像素电极的上表面。
14.一种制造液晶显示器的方法，包括：
在基板上形成薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管上形成钝化层；
在所述钝化层上的透光区域处形成像素电极；
形成与所述谷部重叠的遮光构件以及设置在所述透光区域与所述谷部之间的缓冲区；
在所述像素电极上形成牺牲层；
在所述牺牲层上形成相对电极；
在所述相对电极上形成与所述像素电极重叠的顶层；
图案化所述相对电极以形成谷部并且通过所述谷部暴露所述牺牲层；
通过所述谷部移除所述牺牲层，以在所述像素电极与所述相对电极之间形成微腔；
通过所述微腔的注入孔将液晶材料注入到所述微腔中；以及
移除设置在所述透光区域之外的区域处的所述液晶材料，
其中，在所述缓冲区中的所述微腔的高度高于在所述透光区域中的所述微腔的高度。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，在移除设置在所述透光区域之外的区域处的所述液晶材料时，不移除存在于所述透光区域的所述微腔中的所述液晶材料，并且不移除或部分移除存在于所述缓冲区的所述微腔中的所述液晶材料。
16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括：
形成设置在所述钝化层与所述像素电极之间的第一绝缘层；并且
通过移除在所述缓冲区和所述谷部处的所述第一绝缘层来形成第一开口。
17.根据权利要求16所述的方法，进一步包括：
在所述第一绝缘层与所述钝化层之间形成滤色器；
其中，所述第一开口的边缘设置在所述透光区域中的滤色器上。
18.根据权利要求17所述的液晶显示器，其中，所述像素电极包括形成在所述谷部中的焊盘，并且所述遮光构件直接接触所述焊盘。
19.根据权利要求18所述的液晶显示器，其中，所述遮光构件不与所述第一绝缘层重叠。
20.根据权利要求15所述的方法，进一步包括：
形成设置在所述钝化层与所述像素电极之间的第一绝缘层，其中，
所述第一绝缘层包括设置所述缓冲区和所述谷部的至少一个中的部分。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106873268A (zh) * 2015-12-11 2017-06-20 三星显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN107154417A (zh) * 2016-03-04 2017-09-12 三星显示有限公司 有机发光显示设备
WO2022217639A1 (zh) * 2021-04-14 2022-10-20 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170096256A (ko) 2016-02-15 2017-08-24 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040109098A1 (en) * 2002-12-06 2004-06-10 LG.Philips LCD Ltd. Array substrate of liquid crystal display device having color filter on thin film transistor structure and method of fabricating the same
CN1288477C (zh) * 2002-12-09 2006-12-06 Lg.飞利浦Lcd有限公司 液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
US20120062448A1 (en) * 2010-09-10 2012-03-15 Kim Yeun Tae Display apparatus and manufacturing method thereof
US20130093985A1 (en) * 2011-10-18 2013-04-18 Su-Hyoung Kang Liquid crystal display and manufacturing method thereof

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050113933A (ko) 2004-05-31 2005-12-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101299646B1 (ko) * 2006-10-12 2013-08-26 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이의 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040109098A1 (en) * 2002-12-06 2004-06-10 LG.Philips LCD Ltd. Array substrate of liquid crystal display device having color filter on thin film transistor structure and method of fabricating the same
CN1288477C (zh) * 2002-12-09 2006-12-06 Lg.飞利浦Lcd有限公司 液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
US20120062448A1 (en) * 2010-09-10 2012-03-15 Kim Yeun Tae Display apparatus and manufacturing method thereof
US20130093985A1 (en) * 2011-10-18 2013-04-18 Su-Hyoung Kang Liquid crystal display and manufacturing method thereof

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106873268A (zh) * 2015-12-11 2017-06-20 三星显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN107154417A (zh) * 2016-03-04 2017-09-12 三星显示有限公司 有机发光显示设备
CN107154417B (zh) * 2016-03-04 2023-11-07 三星显示有限公司 有机发光显示设备
WO2022217639A1 (zh) * 2021-04-14 2022-10-20 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法

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