CN106601652B - 一种真空室 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种真空室，其包括设置有开口的腔室本体，用于开关所述开口的腔室门，以及具有弹性的、设置在所述腔室本体与所述腔室门之间且环绕所述开口的密封圈，其中，所述密封圈内设置有沿周向环绕的环形流体腔，所述环形流体腔内容纳有流体。密封圈能自适应腔室门和腔室本体之间的间隙变化而可靠地封堵住这两者之间的宽间隙，以实现腔室门和腔室本体之间的可靠密封。

Description

一种真空室
技术领域
本发明涉及一种密封技术，特别涉及一种真空室。
背景技术
真空室为在工作时需要被抽真空的腔室，真空室内的气压低于大气压。在液晶显示面板的阵列基板的制作过程中，需要使用各种真空机台完成相应制程。例如使用物理气相沉积机(PVD)对玻璃基板进行Al、Mo、Ti、Cu等金属膜沉积以及ITO、IGZO等非金属膜沉积，使用化学气相沉积机(CVD)对玻璃基板进行SIOx、SINx、A-si等非金属膜沉积，使用干法刻蚀机(Dry Etch)进行各种金属膜和非金属膜刻蚀，该类基板传送和制程均需要在高真空的真空室内完成，对真空室的洁净度和气密性有严格要求。然而真空室的门本身往往在使用过程中因加工精度或者受热等影响，会产生一定的形变，在腔室门和腔室本体之间的配合达不到足够的精度的情况下，进而对腔室本身的气密性产生一定的影响。
发明内容
本发明所要解决的技术问题为如何增加真空室在腔室门处的气密性。
为解决上述技术问题，本发明提出了一种真空室，其包括设置有开口的腔室本体，用于开关所述开口的腔室门，以及具有弹性的、设置在所述腔室本体与所述腔室门之间且环绕所述开口的密封圈，其中，所述密封圈内设置有沿周向环绕的环形流体腔，所述环形流体腔内容纳有流体。
在一个具体的实施例中，所述流体为惰性气体。
在一个具体的实施例中，所述惰性气体为氩气。
在一个具体的实施例中，所述流体为液体。
在一个具体的实施例中，密封圈的本体采用橡胶制造。
在一个具体的实施例中，所述密封圈为圆环形。
在一个具体的实施例中，密封圈的横截面为圆环形。
在一个具体的实施例中，所述环形流体腔的横截面为十字形，密封圈的本体为包裹所述环形流体腔的薄壁结构。
本发明的真空室，在腔室本体和腔室门之间设置密封圈，所述密封圈内设置有沿周向环绕的环形流体腔，所述环形流体腔内容纳有流体；在腔室门后腔室门和腔室本体之间的配合达不到足够的精度的情况下，腔室门和腔室本体之间形成的间隙宽度不均匀，密封圈会受到这两者不均匀的挤压，当其受到不均匀的挤压后，密封圈内的流体会沿着环形流体腔从窄间隙处流向宽间隙处，进而密封圈在窄间隙处的部分宽度变窄在宽间隙处的部分宽度变宽。因此，密封圈能自适应腔室门和腔室本体之间的间隙变化而可靠地封堵住这两者之间的宽间隙，由此实现腔室门和腔室本体之间的可靠密封。
附图说明
在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。其中：
图1为本发明的一种实施例中的真空室的结构示意图；
图2为本发明的一种实施例中的密封圈的结构示意图；
图3为本发明的一种实施例中的密封圈的局部示意图；
图4为本发明的一种实施例中的密封圈的局部示意图。
在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步说明。
如图1所示，真空室1包括腔室本体2，腔室门4和密封圈5。腔室门4安装在腔室本体2上，用于开关真空室1。腔室门4和腔室本体2之间设置有密封圈5。当腔室门4关闭时，密封圈5填充在腔室门4与腔室本体2之间的间隙中，以增加真空室1的气密性。
在本实施例中，腔室本体2构造成正六面体的盒状结构。腔室本体2连通抽真空装置。抽真空装置用于抽空腔室本体2内的空气以在腔室本体2内形成负压，抽真空装置可以是真空泵。在腔室本体2的一个侧壁上设置一个开口3。开口3为贯穿该侧壁的通孔。物料可以通过该开口3进入到腔室本体2内。
腔室门4为大致的板状结构。腔室门4设置在腔室本体2上，例如铰接在腔室本体2上。腔室门4能覆盖腔室本体2的开口3。腔室门4用于开、关腔室本体2上的开口3。
密封圈5构造为环状结构。密封圈5的本体由弹性材料制成。密封圈5可以是由橡胶制成。密封圈5内设置有环形流体腔7，环形流体腔7构造为与密封圈5的本体同心的环形结构。环形流体腔7内注满流体。密封圈5内充满流体后可以胀起密封圈5。在腔室门4关闭时，密封圈5设置在腔室门4和腔室本体2之间，并且密封圈5环绕腔室本体2的开口3。密封圈5受到腔室门4和腔室本体2的挤压而形变，形变后的密封圈5填充腔室门4和腔室本体2之间的间隙。这样在对真空室1抽真空后，外界的空气难以通过腔室门4和腔室本体2之间的间隙而进入到真空室1内。
在腔室门4后腔室门4和腔室本体2之间的配合达不到足够的精度的情况下，腔室门4和腔室本体2之间形成的间隙宽度不均匀。例如，在加工腔室门4时没达到相应的加工精度而不够平整或者在工作时真空室1受热不均匀而产生不均匀的形变，腔室门4与腔室本体2之间的间隙一侧比较宽、另一侧比较窄。这样，密封圈5会受到这两者不均匀的挤压，当其受到不均匀的挤压后，密封圈5内的流体会沿着环形流体腔7从窄间隙处流向宽间隙处，进而密封圈5在窄间隙处的部分宽度变窄在宽间隙处的部分宽度变宽。因此，密封圈5能自适应腔室门4和腔室本体2之间的间隙变化而可靠地封堵住这两者之间的宽间隙，由此实现腔室门4和腔室本体2之间的可靠密封。
在本实施例中，密封圈5内的流体为气体。气体具有一定的可压缩性，密封圈5可承受的压缩形变更大。该气体优选为惰性气体。该惰性气体可以是氦(He)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)中的一种气体或其中几种的混合气体。惰性气体优选为氩气。由于惰性气体的化学性质稳定，惰性气体在充入到密封圈5内后不会腐蚀密封圈5的本体，密封圈5不容易老化，因此密封圈5的使用寿命更长。
如图2所示，密封圈5构造为圆环形，密封圈5的结构相对较强。在真空室1内抽真空后圆环形的密封圈5受到来自径向的压力更均匀，其受力更合理。如图3所示，密封圈5的横截面为圆环形，密封圈5的结构简单，易于加工。
如图4所示，在一个优选的实施例中仅对密封圈的结构作出了改进。该密封圈8内设置有环形流体腔9。环形流体腔9的横截面为十字形，密封圈8的本体为包裹环形流体腔9的薄壁结构。密封圈8伸出四条棱边，其中两条棱边抵接于腔室本体2，另两条棱边抵接于腔室门4。这种密封圈8能进行更大的形变，适合间隙宽度差较大的真空室。
密封圈8内的流体为液体。液体在受到挤压时难以被压缩，液体能支撑起密封圈8并能在密封圈8内快速传递，更适合密封间隙宽度差别较大的真空室。
虽然已经参考优选实施例对本发明进行了描述，但在不脱离本发明的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本发明并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。

Claims (5)

1.一种真空室，其特征在于，包括设置有开口的腔室本体，用于开关所述开口的腔室门，以及具有弹性的、设置在所述腔室本体与所述腔室门之间且环绕所述开口的密封圈，其中，所述密封圈内设置有沿周向环绕的环形流体腔，所述环形流体腔内容纳有流体，所述密封圈为圆环形，所述环形流体腔的横截面为十字形，密封圈的本体为包裹所述环形流体腔的薄壁结构，所述密封圈的两条棱边抵接于所述腔室本体，所述密封圈的另外两条棱边抵接于所述腔室门。
2.根据权利要求1所述的真空室，其特征在于，所述流体为惰性气体。
3.根据权利要求2所述的真空室，其特征在于，所述惰性气体为氩气。
4.根据权利要求1所述的真空室，其特征在于，所述流体为液体。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的真空室，其特征在于，密封圈的本体采用橡胶制造。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102172585A (zh) * 2010-12-31 2011-09-07 上海集成电路研发中心有限公司 浸没式水槽、清洗装置和硅片清洗方法
CN105892116A (zh) * 2016-06-29 2016-08-24 武汉华星光电技术有限公司 真空腔室
CN106122655A (zh) * 2016-08-30 2016-11-16 洛阳双瑞特种装备有限公司 一种气囊密封套筒补偿器

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015216255A (ja) * 2014-05-12 2015-12-03 キヤノン株式会社 エッチングチャンバー、および基板の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102172585A (zh) * 2010-12-31 2011-09-07 上海集成电路研发中心有限公司 浸没式水槽、清洗装置和硅片清洗方法
CN105892116A (zh) * 2016-06-29 2016-08-24 武汉华星光电技术有限公司 真空腔室
CN106122655A (zh) * 2016-08-30 2016-11-16 洛阳双瑞特种装备有限公司 一种气囊密封套筒补偿器

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