CN106596226B - 三维mos存储芯片的样品制备方法及样品观测方法 - Google Patents
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- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000005464 sample preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 13
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 9
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
本发明提供了一种三维MOS存储芯片的样品制备方法及样品观测方法，所述芯片上包含失效地址、第一参考点和第二参考点；在所述芯片标上覆盖所述第一参考点的第一记号和覆盖所述第二参考点的第二记号；先研磨第一边侧面至所述第一记号处，研磨第二边侧面至所述第二记号处；再对所述芯片进行平面样品制备，根据电子束装置拍出的图像将所述芯片切到所述失效地址所在层。在使用透射电镜对制备出的样品进行观测时，从第一参考点沿垂直所述第一参考点所在侧边方向数出第一距离，从第二参考点沿垂直所述第二参考点所在侧边数出第二距离，两者的交叉点即失效地址的单元结构。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路样品制备领域，特别涉及一种三维MOS存储芯片的样品制备方法及样品观测方法。
背景技术
存储芯片是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用，是通过在芯片中嵌入软件，实现多功能和高性能，以及对多种协议、多种硬件和不同应用的支持。如果存储芯片中的single bit(单一比特)失效，产品失效分析样品制备工程师往往需要将这个失效的比特的物理结构从存储芯片里切出来并放到透射电镜中去观察它是否结构异常。
对于常规的产品，传统的做法是使用SEM-FIB(电子束-离子束系统)中的电子束或者离子束数出存储芯片上位线和字线的目标值，它们的交叉点即为失效分析样品制备工程师所要观测的地址，通常先将其镀上保护层，并且制作成一定厚度的薄片再放入透射电镜进行观测以查找异常；但是目前的这种方法对于近些年新生产的三维MOS存储芯片结构已经不适用，因为3D-NAND重复单元区在位线和字线的交叉点区域的Z轴方向上还有几十个单元需要被区分开。
因此需要发明一种针对三维MOS存储芯片的定地址比特(specified addressbit)的新型样品制备手法及样品观测方法。该方法确保将失效地址精确定位到三维，能够用透射电镜方便地进行观测，填补该方面的技术空白，节省时间和机台成本，提高工作效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种三维MOS存储芯片的样品制备方法及样品观测方法，以解决现有的样品制备方法无法将存储芯片失效地址精确定位到三维，从而无法分析三维存储芯片失效的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种三维MOS存储芯片的样品制备方法，包括如下步骤：
提供电子束装置和包含失效地址的芯片，所述芯片上有第一参考点和第二参考点，所述第一参考点与所述失效地址在同一铅锤线上，所述第二参考点与所述失效地址在同一水平线上；
在所述芯片标上第一记号和第二记号，所述第一记号覆盖所述第一参考点，所述第二记号覆盖所述第二参考点；
研磨第一边侧面至所述第一记号处，研磨第二边侧面至所述第二记号处；
对所述芯片进行平面样品制备，根据所述电子束装置拍出的图像将所述芯片切到所述失效地址所在层。
可选的，在所述三维MOS存储芯片的样品制备方法中，所述第一边侧面是指：所述芯片上与水平线平行，且距所述第一参考点最近的边侧面；所述第二边侧面是指：所述芯片上与水平线垂直，且距所述第二参考点最近的边侧面。
可选的，在所述三维MOS存储芯片的样品制备方法中，在所述芯片标上第一记号和第二记号之前，所述三维MOS存储芯片的样品制备方法还包括：先将所述芯片的正面研磨到位线接触层。
可选的，在所述三维MOS存储芯片的样品制备方法中，步骤研磨第一边侧面至所述第一记号处，研磨第二边侧面至所述第二记号处包括：
在所述芯片标上第三记号、第四记号和第五记号，所述第三记号和所述第四记号在同一水平线，所述第四记号和所述第五记号在同一铅锤线；
将第一边侧面研磨至所述第三记号和所述第四记号处，将第二边侧面研磨至所述第四记号和所述第五记号处；
再将所述第一边侧面研磨至所述第一记号处、将所述第二边侧面研磨至所述第二记号处。
可选的，在所述三维MOS存储芯片的样品制备方法中，研磨第一边侧面至所述第一记号处，研磨第二边侧面至所述第二记号处后，所述三维MOS存储芯片的样品制备方法还包括：在所述第二边侧面上镀上保护层。
可选的，在所述三维MOS存储芯片的样品制备方法中，是通过聚焦离子束在所述第二边侧面上镀上保护层。
可选的，在所述三维MOS存储芯片的样品制备方法中，所述保护层是铂金。
可选的，在所述三维MOS存储芯片的样品制备方法中，在对所述芯片进行平面视图样品制备之前，所述三维MOS存储芯片的样品制备方法还包括：先将所述芯片的侧面朝上粘在支撑物上。
可选的，在所述三维MOS存储芯片的样品制备方法中，所述第一记号、所述第二记号、所述第三记号、所述第四记号和所述第五记号是通过聚焦离子束标记在所述芯片上。
本发明还提供了一种三维MOS存储芯片的样品观测方法，包括如下步骤：
从第一参考点沿垂直所述第一参考点所在侧边方向数出第一距离，从第二参考点沿垂直所述第二参考点所在侧边数出第二距离，两者的交叉点即失效地址的单元结构。
可选的，在所述三维MOS存储芯片的样品观测方法中，所述第一距离是所述第一参考点与所述失效地址的距离；所述第二距离是所述第二参考点与所述失效地址的距离。
在本发明提供的三维MOS存储芯片的样品制备方法及样品观测方法中，所述芯片上包含失效地址、与所述失效地址在同一铅锤线上的第一参考点、与所述失效地址在同一水平线上的第二参考点；在所述芯片标上覆盖所述第一参考点的第一记号和覆盖所述第二参考点的第二记号；先研磨第一边侧面至所述第一记号处，研磨第二边侧面至所述第二记号处；再对所述芯片进行平面样品制备，根据所述电子束装置拍出的图像将所述芯片切到所述失效地址所在层。在使用透射电镜对制备出的样品进行观测时，从第一参考点沿垂直所述第一参考点所在侧边方向数出第一距离，从第二参考点沿垂直所述第二参考点所在侧边数出第二距离，两者的交叉点即失效地址的单元结构。
附图说明
图1是本发明提供的三维MOS存储芯片的样品制备方法的流程示意图；
图2～图8是本发明提供的三维MOS存储芯片的样品制备方法中所形成的器件结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的三维MOS存储芯片的样品制备方法及样品观测方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明提供了一种三维MOS存储芯片的样品制备方法，具体流程示意图如图1所示，该方法能够将存储芯片上的失效地址精确定位到三维，适用于三维MOS存储芯片结构，所述三维MOS存储芯片的样品制备方法包括如下步骤：
步骤S11，提供电子束装置和包含失效地址的芯片，所述芯片上有第一参考点和第二参考点，所述第一参考点与所述失效地址在同一铅锤线上，所述第二参考点与所述失效地址在同一水平线上；
步骤S12，在所述芯片标上第一记号和第二记号，所述第一记号覆盖所述第一参考点，所述第二记号覆盖所述第二参考点；
步骤S13，研磨第一边侧面至所述第一记号处，研磨第二边侧面至所述第二记号处；
步骤S14，对所述芯片进行平面样品制备，根据所述电子束装置拍出的图像将所述芯片切到所述失效地址所在层。
具体的，首先提供电子束装置和包含失效地址S的芯片，在所述芯片上有第一参考点A和第二参考点B，如图2所示。并且，所述第一参考点A与所述失效地址S在同一铅锤线上，所述第二参考点B与所述失效地址S在同一水平线上，记下所述第一参考点A距离所述失效地址S的第一距离x，所述第二参考点B距离所述失效地址S的第二距离y。首先，先将所述芯片的正面研磨到位线钨柱接触层。
接着，在所述芯片标上第一记号1和第二记号2。具体的，所述第一记号1覆盖所述第一参考点A，所述第二记号2覆盖所述第二参考点B。另外，在所述芯片标上第三记号3、第四记号4和第五记号5，如图3所示。请继续参阅图3，所述第三记号3和所述第四记号4在同一水平线上，所述第四记号4和所述第五记号5在同一铅锤线上。具体的，所述第一记号1、所述第二记号2、所述第三记号3、所述第四记号4和所述第五记号5是利用聚焦离子束标记在所述芯片上。
先对第一边侧面进行手动研磨，具体请参考图4，对所述第一边侧面进行手动研磨至所述第三记号3和所述第四记号4处，具体的，所述第一边侧面是指：所述芯片上与水平线平行，且距所述第一参考点最近的边侧面；对第二边侧面进行手动研磨，具体请参考图4，对所述第二边侧面进行手动研磨至所述第四记号4和所述第五记号5处，具体的，所述第二边侧面是指：所述芯片上与水平线垂直，且距所述第二参考点最近的边侧面。在本实施例中，所述第一边侧面是指所述芯片上边的边侧面，所述第二边侧面是指所述芯片左边的边侧面。手动研磨完成后的芯片结构示意图如图4所示。
请参阅图5，再使用聚焦离子束研磨所述第一边侧面至所述第一记号1处、研磨所述第二边侧面至所述第二记号2处。进一步的，在对所述第一边侧面和所述第二边侧面进行研磨时，确保所述芯片的几十层厚度切到的位置相同，所述第一边侧面和所述第二边侧面被切成上下一致的截面。以保证在最终进行平面样品制备的过程中，无论打磨到哪一层，所述第一参考点A和所述第二参考点B分别与所述失效地址S的相对距离不会产生变化。
然后在所述第二边侧面镀上保护层6。优选的，所述保护层6是铂金保护层。如图6所示。具体的，所述铂金保护层是通过聚焦粒子束沉铂金在所述第二边侧面上形成。
最后将所述芯片粘在支撑物上，方便对其进行平面样品制备。具体的，在电子束下拍出所述保护层6附近的图，根据图进行确认是否已经达到或者还需要打磨多少层才能达到所述失效地址S所在层，在达到所述失效地址S所在层后即可停刀背剪。图7是所述芯片被打磨到所述目标层后的侧面结构示意图。
本发明还提供了一种三维MOS存储芯片的样品观测方法，包括如下步骤：
从第一参考点沿垂直所述第一参考点所在侧边方向数出第一距离，从第二参考点沿垂直所述第二参考点所在侧边数出第二距离，两者的交叉点即失效地址的单元结构。
具体的，最终制备得到的透射电镜样品正面示意图如图8所示，在使用透射电镜对其进行观测时，只需从所述第一参考点A沿垂直所述第一参考点所在侧边方向数出第一距离x，从所述第二参考点B沿垂直所述第二参考点所在侧边数出第二距离y，两者的交叉点即所述失效地址的单元结构。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
Claims (10)
1.一种三维MOS存储芯片的样品制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供电子束装置和包含失效地址的芯片，所述芯片上有第一参考点和第二参考点，所述第一参考点与所述失效地址在同一铅锤线上，所述第二参考点与所述失效地址在同一水平线上；
在所述芯片标上第一记号和第二记号，所述第一记号覆盖所述第一参考点，所述第二记号覆盖所述第二参考点；
研磨第一边侧面至所述第一记号处，研磨第二边侧面至所述第二记号处，包括：
在所述芯片标上第三记号、第四记号和第五记号，所述第三记号和所述第四记号在同一水平线，所述第四记号和所述第五记号在同一铅锤线；
将所述第一边侧面手动研磨至所述第三记号和所述第四记号处，将所述第二边侧面手动研磨至所述第四记号和所述第五记号处；
再使用聚焦离子束将所述第一边侧面研磨至所述第一记号处、使用聚焦离子束将所述第二边侧面研磨至所述第二记号处；
对所述芯片进行平面样品制备，根据所述电子束装置拍出的图像将所述芯片切到所述失效地址所在层。
2.如权利要求1所述的三维MOS存储芯片的样品制备方法，其特征在于，所述第一边侧面是指：所述芯片上与水平线平行，且距所述第一参考点最近的边侧面；所述第二边侧面是指：所述芯片上与水平线垂直，且距所述第二参考点最近的边侧面。
3.如权利要求1所述的三维MOS存储芯片的样品制备方法，其特征在于，在所述芯片标上第一记号和第二记号之前，所述三维MOS存储芯片的样品制备方法还包括：先将所述芯片的正面研磨到位线接触层。
4.如权利要求3所述的三维MOS存储芯片的样品制备方法，其特征在于，研磨第一边侧面至所述第一记号处，研磨第二边侧面至所述第二记号处后，所述三维MOS存储芯片的样品制备方法还包括：在所述第二边侧面上镀上保护层。
5.如权利要求4所述的三维MOS存储芯片的样品制备方法，其特征在于，是通过聚焦离子束在所述第二边侧面上镀上保护层。
6.如权利要求5所述的三维MOS存储芯片的样品制备方法，其特征在于，所述保护层是铂金。
7.如权利要求1所述的三维MOS存储芯片的样品制备方法，其特征在于，在对所述芯片进行平面视图样品制备之前，所述三维MOS存储芯片的样品制备方法还包括：先将所述芯片的侧面朝上粘在支撑物上。
8.如权利要求1所述的三维MOS存储芯片的样品制备方法，其特征在于，所述第一记号、所述第二记号、所述第三记号、所述第四记号和所述第五记号是通过聚焦离子束标记在所述芯片上。
9.一种基于权利要求1～8任一项所述的三维MOS存储芯片的样品制备方法制备的样品观测方法，其特征在于，包括如下步骤：
从第一参考点沿垂直所述第一参考点所在侧边方向数出第一距离，从第二参考点沿垂直所述第二参考点所在侧边数出第二距离，两者的交叉点即失效地址的单元结构。
10.如权利要求9所述的三维MOS存储芯片的样品观测方法，其特征在于，所述第一距离是所述第一参考点与所述失效地址的距离；所述第二距离是所述第二参考点与所述失效地址的距离。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611191662.7A CN106596226B (zh) | 2016-12-21 | 2016-12-21 | 三维mos存储芯片的样品制备方法及样品观测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611191662.7A CN106596226B (zh) | 2016-12-21 | 2016-12-21 | 三维mos存储芯片的样品制备方法及样品观测方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106596226A CN106596226A (zh) | 2017-04-26 |
| CN106596226B true CN106596226B (zh) | 2019-08-23 |
Family
ID=58600377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611191662.7A Active CN106596226B (zh) | 2016-12-21 | 2016-12-21 | 三维mos存储芯片的样品制备方法及样品观测方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106596226B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108398383A (zh) * | 2018-03-23 | 2018-08-14 | 苏州原位芯片科技有限责任公司 | 观测薄膜窗口 |
| CN113466277B (zh) * | 2021-06-25 | 2022-05-10 | 长江存储科技有限责任公司 | 测试样品的制备方法及测试样品 |
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| CN103278357A (zh) * | 2013-04-28 | 2013-09-04 | 上海华力微电子有限公司 | 定点平面tem样品制备方法 |
| CN103499476A (zh) * | 2013-09-30 | 2014-01-08 | 上海华力微电子有限公司 | 一种在芯片失效分析过程中去除层次的方法 |
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-
2016
- 2016-12-21 CN CN201611191662.7A patent/CN106596226B/zh active Active
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106596226A (zh) | 2017-04-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 430205 No.18, Gaoxin 4th Road, Donghu Development Zone, Wuhan City, Hubei Province Patentee after: Wuhan Xinxin Integrated Circuit Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 430205 No.18, Gaoxin 4th Road, Donghu Development Zone, Wuhan City, Hubei Province Patentee before: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd. Country or region before: China |
|
| CP03 | Change of name, title or address |