CN103278357A - 定点平面tem样品制备方法 - Google Patents
定点平面tem样品制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103278357A CN103278357A CN2013101568883A CN201310156888A CN103278357A CN 103278357 A CN103278357 A CN 103278357A CN 2013101568883 A CN2013101568883 A CN 2013101568883A CN 201310156888 A CN201310156888 A CN 201310156888A CN 103278357 A CN103278357 A CN 103278357A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tem sample
- sample
- tem
- preparation
- plane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
本发明公开了一种定点平面TEM样品制备方法，包括：步骤1：对TEM样品的目标进行定位；步骤2：研磨所述TEM样品，使所述TEM样品的边缘距离目标5～15um；步骤3：切割上述TEM样品的截面；步骤4：将上述TEM样品放入聚焦离子束中进行平面制样。本发明通过结合研磨、截面切割、FIB平面制样的方法，大大提高了TEM定点平面制备的成功率，同时也极大地提高了平面TEM样品的质量，对失效分析、结构分析等提供了极大的帮助。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种定点平面TEM样品制备方法。
背景技术
使用TEM（透射电镜）对样品的结构或材质进行分析时，不但需要进行截面分析，还需要进行平面的分析，但是与常做的截面TEM相比，平面TEM的制样过程要复杂得多，特别是对于需要定点分析的样品。常规的制样方法是在需要定点平面分析的目标附近用激光或FIB（聚焦离子束）标记后，使用手动机械研磨的方式将样品的边缘截面研磨到距离目标10微米左右的地方，然后放入FIB进行平面TEM的制样。但是，由于手动机械研磨的方法难以精确控制，制备出的样品边缘距离实际的目标可能处在5～15微米的不确定的位置，给后续的平面TEM制样带来极大的困难，甚至无法进行。
例如，目标距离样品边缘约10微米，大大超出1微米的最佳距离，使得该样品在后续的TEM制样过程中失败。
发明内容
本发明提供一种定点平面TEM样品制备方法，以克服现有技术中TEM制样时边缘与目标之间的距离难以控制的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种定点平面TEM样品制备方法，包括：
步骤1：对TEM样品的目标进行定位；
步骤2：研磨所述TEM样品，使所述TEM样品的边缘距离目标5～15um；
步骤3：切割上述TEM样品的截面；
步骤4：将上述TEM样品放入聚焦离子束中进行平面制样。
作为优选，步骤1中，采用激光或聚焦离子束对所述TEM样品的目标进行定位。
作为优选，步骤2中，采用手工或机械研磨的方式研磨所述TEM样品。
作为优选，步骤3中，采用FIB截面制样或离子束切割的方式切割TEM样品的截面。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：本发明通过合理地结合研磨、截面切割、FIB平面制样的方法，大大提高了TEM定点平面制备的成功率，同时也极大地提高了平面TEM样品的质量，对失效分析、结构分析等提供了极大的帮助。
附图说明
图1为本发明一具体实施方式中定位后的TEM样品俯视图；
图2为本发明一具体实施方式中边缘研磨后的TEM样品俯视图；
图3为本发明一具体实施方式中截面切割后的TEM样品截面示意图；
图4为本发明一具体实施方式中平面制样完成后的TEM样品截面示意图；
图5为本发明一具体实施方式中定点平面TEM样品制备流程图。
图中：100-TEM样品、110-标记、120-目标。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。需说明的是，本发明附图均采用简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
请参照图5，并结合图1～4，本发明提供的一种定点平面TEM样品100制备方法，包括：
步骤1：对TEM样品100的目标120进行定位。较佳的，采用激光或聚焦离子束（FIB）对所述TEM样品100的目标120进行定位。具体地，通过激光器或者FIB在目标120的周围留下定位用标记110，便于后续制样过程中对TEM样品100进行定位，完成后的TEM样品100如图1所示。
步骤2：研磨所述TEM样品100，使所述TEM样品100的边缘与目标120的距离为5～15um，较佳的，可以采用手工研磨或者机械研磨的方式研磨所述TEM样品100的边缘，完成后的TEM样品100如图2所示。
步骤3：切割上述TEM样品100的截面。较佳的，请参照图3，采用FIB截面制样或离子束切割的方式切割TEM样品100的截面，使得平面制样所需的TEM样品100边缘距离目标120在一个最佳的固定的值a，其中a的大小由实际生产情况决定。若本实施例中取a等于1um，切割多余部分的TEM样品100截面，切割完成后的TEM样品100如图3所示，图中箭头表示离子束的移动方向。
步骤4：将上述TEM样品100放入聚焦离子束中进行平面制样，平面制样完成后的TEM样品100截面如图4所示，图中箭头表示离子束的移动方向。
综上所述，本发明的定点平面TEM样品100制备方法，首先采用激光或FIB的方法对需要定点分析的目标120进行标记；然后，使用研磨的方式将TEM样品100边缘磨到距离目标5～15微米处；对研磨好的TEM样品100进行截面切割，使得平面制样所需的TEM样品100边缘距离目标120在一个最佳的固定的值a；将样品重新放置在FIB中，进行平面TEM样品100的制备。本发明通过合理地结合样品机械研磨或手工研磨、FIB截面制样、FIB平面制样的方法，达到提高TEM定点平面制样的成功率的目的，同时也极大地提高了平面TEM样品100的质量。此外，对于某个失效的SRAM样品，其截面的TEM样品100不足以提供足够的信息来帮助失效分析工程师做出足够的判断，本发明通过采用平面TEM的分析方式对失效的字节进行制样观测，大大提高了制样的成功率和样品的质量，对后续失效分析和结构分析提供了极大的帮助。
显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变型在内。
Claims (4)
1.一种定点平面TEM样品制备方法，其特征在于，包括：
步骤1：对TEM样品的目标进行定位；
步骤2：研磨所述TEM样品，使所述TEM样品的边缘距离目标5～15um；
步骤3：切割上述TEM样品的截面；
步骤4：将上述TEM样品放入聚焦离子束中进行平面制样。
2.如权利要求1所述的定点平面TEM样品制备方法，其特征在于，步骤1中，采用激光或聚焦离子束对所述TEM样品的目标进行定位。
3.如权利要求1所述的定点平面TEM样品制备方法，其特征在于，步骤2中，采用手工或机械研磨的方式研磨所述TEM样品。
4.如权利要求1所述的定点平面TEM样品制备方法，其特征在于，步骤3中，采用FIB截面制样或离子束切割的方式切割TEM样品的截面。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2013101568883A CN103278357A (zh) | 2013-04-28 | 2013-04-28 | 定点平面tem样品制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2013101568883A CN103278357A (zh) | 2013-04-28 | 2013-04-28 | 定点平面tem样品制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103278357A true CN103278357A (zh) | 2013-09-04 |
Family
ID=49060941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2013101568883A Pending CN103278357A (zh) | 2013-04-28 | 2013-04-28 | 定点平面tem样品制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103278357A (zh) |
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103645075A (zh) * | 2013-11-28 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | Tem样品的制作方法及其tem样品 |
| CN103700603A (zh) * | 2013-12-17 | 2014-04-02 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种钨接触栓塞高阻的检测方法 |
| CN103868769A (zh) * | 2014-02-21 | 2014-06-18 | 上海华力微电子有限公司 | 一种平面透射电镜样品及其制备方法 |
| CN103900868A (zh) * | 2014-02-21 | 2014-07-02 | 上海华力微电子有限公司 | 一种平面透射电镜样品的制备方法 |
| CN103900876A (zh) * | 2014-03-20 | 2014-07-02 | 上海华力微电子有限公司 | 一种平面tem样品制备的方法 |
| CN103913358A (zh) * | 2014-04-10 | 2014-07-09 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | Tem样品的制备方法和失效分析方法 |
| CN104237567A (zh) * | 2014-09-10 | 2014-12-24 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种超薄平面透射电镜样品的制备方法 |
| CN104677709A (zh) * | 2015-02-12 | 2015-06-03 | 江苏省沙钢钢铁研究院有限公司 | 一种制备特定晶体取向关系界面hrtem样品的方法 |
| CN104697836A (zh) * | 2015-03-30 | 2015-06-10 | 上海华力微电子有限公司 | 一种tem样品制备方法 |
| CN104865107A (zh) * | 2014-02-20 | 2015-08-26 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种平面tem样品的制备方法 |
| CN105092330A (zh) * | 2015-08-12 | 2015-11-25 | 上海华力微电子有限公司 | 一种tem样品制备方法 |
| CN105118797A (zh) * | 2015-08-20 | 2015-12-02 | 上海华力微电子有限公司 | 一种栅氧化层缺陷的分析方法 |
| CN105136543A (zh) * | 2015-09-27 | 2015-12-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种tem样品的制备方法 |
| CN105136545A (zh) * | 2015-10-19 | 2015-12-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种tem芯片样品的标记方法 |
| CN105510097A (zh) * | 2015-12-18 | 2016-04-20 | 山东省分析测试中心 | 一种基于透射电子显微镜的陶瓷材料失效分析方法 |
| CN106018018A (zh) * | 2016-05-13 | 2016-10-12 | 苏州博飞克分析技术服务有限公司 | 一种失效分析中分析晶格缺陷的tem样品制备新方法 |
| CN106018022A (zh) * | 2016-05-17 | 2016-10-12 | 上海华力微电子有限公司 | 一种平面tem样品的制备方法 |
| CN106289909A (zh) * | 2016-08-19 | 2017-01-04 | 上海华力微电子有限公司 | 制备透射电子显微镜样品的方法 |
| CN106353353A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-01-25 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 超级结沟槽底部定点分析方法 |
| CN106596226A (zh) * | 2016-12-21 | 2017-04-26 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 三维mos存储芯片的样品制备方法及样品观测方法 |
| CN111650019A (zh) * | 2020-07-02 | 2020-09-11 | 胜科纳米（苏州）有限公司 | 用于基底嵌入异物表面分析的样品制备方法以及检测基底嵌入的异物的方法 |
| CN113075522A (zh) * | 2021-03-22 | 2021-07-06 | 苏试宜特(上海)检测技术有限公司 | GaAs芯片失效分析样品及制备方法 |
| CN115931423A (zh) * | 2023-03-14 | 2023-04-07 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 一种半导体芯片的失效点位置的切片方法及切片装置 |
| CN116297598A (zh) * | 2023-03-23 | 2023-06-23 | 胜科纳米(苏州)股份有限公司 | 一种待xps能谱分析的样品和分析定位方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW523823B (en) * | 2000-12-06 | 2003-03-11 | Seiko Instr Inc | TEM sample slicing process |
| JP2005114578A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-28 | Jeol Ltd | 試料作製方法および試料作製装置ならびに試料観察装置 |
| US20080054179A1 (en) * | 2006-09-06 | 2008-03-06 | Inotera Memories, Inc. | Method of fabricating sample membranes for transmission electron microscopy analysis |
| CN101644639A (zh) * | 2003-11-11 | 2010-02-10 | 全域探测器公司 | 在聚焦离子束显微镜中进行快速样品制备的方法和装置 |
| CN102455259A (zh) * | 2010-10-18 | 2012-05-16 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 平面tem样品制取方法 |
-
2013
- 2013-04-28 CN CN2013101568883A patent/CN103278357A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW523823B (en) * | 2000-12-06 | 2003-03-11 | Seiko Instr Inc | TEM sample slicing process |
| JP2005114578A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-28 | Jeol Ltd | 試料作製方法および試料作製装置ならびに試料観察装置 |
| CN101644639A (zh) * | 2003-11-11 | 2010-02-10 | 全域探测器公司 | 在聚焦离子束显微镜中进行快速样品制备的方法和装置 |
| US20080054179A1 (en) * | 2006-09-06 | 2008-03-06 | Inotera Memories, Inc. | Method of fabricating sample membranes for transmission electron microscopy analysis |
| CN102455259A (zh) * | 2010-10-18 | 2012-05-16 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 平面tem样品制取方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 周伟敏等: "聚焦离子束（FIB）快速制备透射电镜样品", 《电子显微学报》, vol. 23, no. 4, 31 December 2004 (2004-12-31) * |
| 王燕飞等: "脆性材料截面透射电镜样品的制备", 《理化检验-物理分册》, vol. 47, 31 December 2011 (2011-12-31) * |
Cited By (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103645075A (zh) * | 2013-11-28 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | Tem样品的制作方法及其tem样品 |
| CN103700603A (zh) * | 2013-12-17 | 2014-04-02 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种钨接触栓塞高阻的检测方法 |
| CN103700603B (zh) * | 2013-12-17 | 2016-08-17 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种钨接触栓塞高阻的检测方法 |
| CN104865107A (zh) * | 2014-02-20 | 2015-08-26 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种平面tem样品的制备方法 |
| CN103868769A (zh) * | 2014-02-21 | 2014-06-18 | 上海华力微电子有限公司 | 一种平面透射电镜样品及其制备方法 |
| CN103900868A (zh) * | 2014-02-21 | 2014-07-02 | 上海华力微电子有限公司 | 一种平面透射电镜样品的制备方法 |
| CN103900876A (zh) * | 2014-03-20 | 2014-07-02 | 上海华力微电子有限公司 | 一种平面tem样品制备的方法 |
| CN103913358A (zh) * | 2014-04-10 | 2014-07-09 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | Tem样品的制备方法和失效分析方法 |
| CN104237567B (zh) * | 2014-09-10 | 2016-05-11 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种超薄平面透射电镜样品的制备方法 |
| CN104237567A (zh) * | 2014-09-10 | 2014-12-24 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种超薄平面透射电镜样品的制备方法 |
| CN104677709A (zh) * | 2015-02-12 | 2015-06-03 | 江苏省沙钢钢铁研究院有限公司 | 一种制备特定晶体取向关系界面hrtem样品的方法 |
| CN104697836A (zh) * | 2015-03-30 | 2015-06-10 | 上海华力微电子有限公司 | 一种tem样品制备方法 |
| CN105092330B (zh) * | 2015-08-12 | 2017-12-22 | 上海华力微电子有限公司 | 一种tem样品制备方法 |
| CN105092330A (zh) * | 2015-08-12 | 2015-11-25 | 上海华力微电子有限公司 | 一种tem样品制备方法 |
| CN105118797A (zh) * | 2015-08-20 | 2015-12-02 | 上海华力微电子有限公司 | 一种栅氧化层缺陷的分析方法 |
| CN105118797B (zh) * | 2015-08-20 | 2018-06-22 | 上海华力微电子有限公司 | 一种栅氧化层缺陷的分析方法 |
| CN105136543A (zh) * | 2015-09-27 | 2015-12-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种tem样品的制备方法 |
| CN105136545A (zh) * | 2015-10-19 | 2015-12-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种tem芯片样品的标记方法 |
| CN105136545B (zh) * | 2015-10-19 | 2019-01-04 | 上海华力微电子有限公司 | 一种tem芯片样品的标记方法 |
| CN105510097A (zh) * | 2015-12-18 | 2016-04-20 | 山东省分析测试中心 | 一种基于透射电子显微镜的陶瓷材料失效分析方法 |
| CN106018018A (zh) * | 2016-05-13 | 2016-10-12 | 苏州博飞克分析技术服务有限公司 | 一种失效分析中分析晶格缺陷的tem样品制备新方法 |
| CN106018022B (zh) * | 2016-05-17 | 2018-09-18 | 上海华力微电子有限公司 | 一种平面tem样品的制备方法 |
| CN106018022A (zh) * | 2016-05-17 | 2016-10-12 | 上海华力微电子有限公司 | 一种平面tem样品的制备方法 |
| CN106289909A (zh) * | 2016-08-19 | 2017-01-04 | 上海华力微电子有限公司 | 制备透射电子显微镜样品的方法 |
| CN106289909B (zh) * | 2016-08-19 | 2019-01-22 | 上海华力微电子有限公司 | 制备透射电子显微镜样品的方法 |
| CN106353353A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-01-25 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 超级结沟槽底部定点分析方法 |
| CN106596226A (zh) * | 2016-12-21 | 2017-04-26 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 三维mos存储芯片的样品制备方法及样品观测方法 |
| CN106596226B (zh) * | 2016-12-21 | 2019-08-23 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 三维mos存储芯片的样品制备方法及样品观测方法 |
| CN111650019A (zh) * | 2020-07-02 | 2020-09-11 | 胜科纳米（苏州）有限公司 | 用于基底嵌入异物表面分析的样品制备方法以及检测基底嵌入的异物的方法 |
| CN113075522A (zh) * | 2021-03-22 | 2021-07-06 | 苏试宜特(上海)检测技术有限公司 | GaAs芯片失效分析样品及制备方法 |
| CN115931423A (zh) * | 2023-03-14 | 2023-04-07 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 一种半导体芯片的失效点位置的切片方法及切片装置 |
| CN116297598A (zh) * | 2023-03-23 | 2023-06-23 | 胜科纳米(苏州)股份有限公司 | 一种待xps能谱分析的样品和分析定位方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103278357A (zh) | 定点平面tem样品制备方法 | |
| CN104777024B (zh) | 一种透射电镜样品的制备方法及定位方法 | |
| CN105865862B (zh) | 一种三维原子探针样品的制备方法 | |
| CN103760177B (zh) | 一种基于三维tem样品进行缺陷分析的方法 | |
| WO2013039891A4 (en) | Glancing angle mill | |
| JP2016503890A5 (zh) | ||
| CN106289909B (zh) | 制备透射电子显微镜样品的方法 | |
| CN104713767A (zh) | 一种tem 的样品制备方法 | |
| JP2016105077A (ja) | 自動化されたｔｅｍ試料調製 | |
| CN103743608A (zh) | 用于原位透射电子显微镜的深亚微米器件样品及制备方法 | |
| CN104792583B (zh) | 一种tem样品的制备方法 | |
| CN103871918A (zh) | 晶圆中缺陷定位的方法 | |
| CN104865107A (zh) | 一种平面tem样品的制备方法 | |
| CN103698179B (zh) | 一种制备特定失效点透射电子显微镜平面样品的方法 | |
| JP5942873B2 (ja) | 薄片試料の作製方法、並びに試料の観察方法 | |
| CN103267661B (zh) | Sem/tem样品的定位方法 | |
| CN105241718A (zh) | 一种tem样品制备方法 | |
| CN103675923A (zh) | 基于静态杂波图的异物检测方法及异物检测设备 | |
| CN103900876A (zh) | 一种平面tem样品制备的方法 | |
| CN104729971A (zh) | 一种岩石纳米ct的孔隙标定方法 | |
| CN104198241B (zh) | 一种制备tem样品的方法 | |
| CN103792114A (zh) | Tem样品的制备方法 | |
| CN102944226A (zh) | 基于明暗区域配对的陨石坑检测方法 | |
| CN103196404A (zh) | 电子探针岩石薄片样品定位装置 | |
| CN102749347A (zh) | 提高提取聚焦离子束制备的透射电镜样品成功率的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20130904 |