CN106565719A - 一种疏水性oled主体材料、制备方法和应用 - Google Patents
一种疏水性oled主体材料、制备方法和应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106565719A CN106565719A CN201610851429.0A CN201610851429A CN106565719A CN 106565719 A CN106565719 A CN 106565719A CN 201610851429 A CN201610851429 A CN 201610851429A CN 106565719 A CN106565719 A CN 106565719A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heated
- added
- hydrophobicity
- nitrogen protection
- main parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D487/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
- C07D487/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains two hetero rings
- C07D487/04—Ortho-condensed systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
- C09K2211/1007—Non-condensed systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1059—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing three nitrogen atoms as heteroatoms
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Indole Compounds (AREA)
Abstract
本发明公开一种疏水性OLED主体材料、制备方法和应用。疏水性OLED主体材料的分子结构式如下:其中,R1、R2和R3均为疏水性的吸电子基团,R1、R2和R3同时取代或不同时取代,R4和R5为氢、烷基、烷氧基、取代和未取代的芳族杂环基、取代和未取代的芳族烃基中的一种。本发明通过分子设计引入了疏水性的强吸电子基团,该基团的加入大大的提高了材料的疏水性,最终提高器件的寿命。
Description
技术领域
本发明涉及有机发光材料领域,尤其涉及一种疏水性OLED主体材料、制备方法和应用。
背景技术
OLED,即有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode),因为具备轻薄、省电等特性,从2003年开始,这种显示器件在MP3播放器上就得到了广泛应用。OLED具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特点,被赋予“梦幻显示器”的称号,再加上其生产设备投资远少于TFT-LCD,正在得到更多生产企业的青睐,成为显示技术领域中第三代显示器件的主力军。目前OLED两大主要应用市场为显示和照明,其中又以显示应用发展较为快速。
目前,OLED器件发光层大多采用主客体掺杂的结构,发光主客体材料能量转换效率直接影响着器件的发光效率,荧光材料的发光效率最高只有20%,磷光和热延迟材料的发光效率都可以达到100%,磷光和热延迟材料将会是未来材料发展的重点,除了器件的发光效率,OLED材料和器件的寿命也大大的制约着产业的发展,器件在工作过程中受到微量的水、氧的侵蚀会产生黑斑,最终影响器件的工作,但是目前还没有主体材料在疏水性方面做研究,如果材料本身具有超强疏水性,将大大降低湿度对器件稳定性的影响。
因此,现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种疏水性OLED主体材料、制备方法和应用,旨在解决现有的OLED主体材料疏水性能有待改进的问题。
本发明的技术方案如下:
一种疏水性OLED主体材料,其分子结构式如下:
其中,R1、R2和R3均为疏水性的吸电子基团,R1、R2和R3同时取代或不同时取代,R4和R5为氢、烷基、烷氧基、取代和未取代的芳族杂环基、取代和未取代的芳族烃基中的一种。
所述的疏水性OLED主体材料,其中,R1、R2和R3均为OCF3、SCF3或者F基团中的一种。
一种如上所述的疏水性OLED主体材料的制备方法,其中,包括步骤:
A、氮气保护下,在1,2-环己二酮和苯基肼盐酸盐中加入乙醇,之后加热搅拌一段时间;冷却至室温后,依次过滤、洗涤、减压干燥得到茶紫色粉末;
B、氮气保护下,将上述紫茶色粉末加入到醋酸和三氟醋酸中,之后加热搅拌一段时间;冷却至室温后,依次过滤、漂洗、分离得到化合物1;
C、氮气保护下,将上述化合物1、4-碘联苯、铜粉、18-冠-6醚、碳酸钾加入到邻二氯苯中,加热回流一段时间,待冷却后,依次稀释、过滤、减压干燥、分离得到化合物2;
D、氮气保护下,将NaH加入N’N-二甲基甲酰胺溶液中搅拌得混合液,然后将上述化合物2溶解在N’N-二甲基甲酰胺溶液中,并将溶解后的溶液滴加入混合液中,搅拌一段时间得混合液;将三聚氯氰固体溶解在N’N-二甲基甲酰胺溶液中,并滴加到上述混合液中,搅拌一段时间;将反应液倒入冰水中,依次过滤、清洗、减压干燥、分离得到化合物3;
E、氮气保护下,将上述化合物3、对甲氧基苯硼酸、K2CO3溶液、Aliquate336溶液加入到甲苯溶液中,最后加入催化剂,搅拌回流一段时间;待冷却后,依次萃取、过滤、洗涤、减压干燥和分离得到化合物4。
所述的制备方法,其中,所述步骤A中,加热到65℃,搅拌4h。
所述的制备方法,其中,所述步骤B中,加热到100℃,搅拌15h。
所述的制备方法,其中,所述步骤C中,加热回流12h。
所述的制备方法,其中,所述步骤E中,加热到110℃,搅拌回流24h。
一种如上所述的疏水性OLED主体材料的应用,其中,将所述疏水性OLED主体材料应用于有机电致发光器件中。
有益效果:本发明通过分子设计引入了疏水性的强吸电子基团,该基团的加入大大的提高了材料的疏水性,最终提高器件的寿命。
附图说明
图1为本发明实施例1所制得的疏水性OLED主体材料的核磁谱图。
图2为本发明实施例1所制得的疏水性OLED主体材料的质谱图。
图3为现有技术中发光主体材料的润湿性测试结果。
图4为本发明实施例1所制得的疏水性OLED主体材料的润湿性测试结果。
具体实施方式
本发明提供一种疏水性OLED主体材料、制备方法和应用,为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明还提供一种疏水性OLED主体材料,其分子结构式如下:
其中,R1,R2,R3均为疏水性的吸电子基团,R1、R2和R3同时取代或不同时取代,也就是说,可以是R1,R2,R3对应位置任何一个或几个发生取代,R1,R2,R3可取代单个位置或者多个位置同时取代。
进一步,本发明中,R1,R2,R3均为邻位、间位或对位的OCF3、SCF3或者F基团中的一种。R4,R5为氢、烷基、烷氧基、取代和未取代的芳族杂环基、取代和未取代的芳族烃基中的一种。
本发明通过分子设计引入了强疏水性、强吸电子基团(如三种特殊的吸电子基团SCF3、OCF3和F)。这三种基团的加入将大大的提高材料的疏水性,最终提高器件的寿命。同时,SCF3、OCF3两种特殊的官能团也是首次被用于电致发光材料的分子设计中,可以说是革命性的创新。
本发明是在化合物A的基础上,(化合物A的结构式如下:
)
连接特殊的吸电子基团(OCF3、SCF3或F),分子能带计算结果如表1所示,添加特殊基团后,分子LUMO升高,稳定性增加;能隙加大,更利于能量从主体材料传递到客体材料,提高了能量转化率。
表1.分子能带计算结果表
本发明的疏水性OLED主体材料的实例如下,但并不限于这些化合物:
本发明的疏水性OLED主体材料,其合成路线如下所示:
本发明还提供一种疏水性OLED主体材料的制备方法,其包括如下步骤:
A、氮气保护下,在1,2-环己二酮和苯基肼盐酸盐中加入乙醇,之后加热搅拌一段时间;冷却至室温后,依次过滤、洗涤、减压干燥得到茶紫色粉末;
B、氮气保护下,将上述紫茶色粉末加入到醋酸和三氟醋酸中,之后加热搅拌一段时间;冷却至室温后,依次过滤、漂洗、分离得到化合物1;
C、氮气保护下,将上述化合物1、4-碘联苯、铜粉、18-冠-6醚、碳酸钾加入到邻二氯苯中,加热回流一段时间,待冷却后,依次稀释、过滤、减压干燥、分离得到化合物2;
D、氮气保护下,将NaH加入N’N-二甲基甲酰胺溶液中搅拌得混合液,然后将上述化合物2溶解在N’N-二甲基甲酰胺溶液中,并将溶解后的溶液滴加入混合液中,搅拌一段时间得混合液;将三聚氯氰固体溶解在N’N-二甲基甲酰胺溶液中,并滴加到上述混合液中,搅拌一段时间;将反应液倒入冰水中,依次过滤、清洗、减压干燥、分离得到化合物3;
E、氮气保护下,将上述化合物3、对甲氧基苯硼酸、K2CO3溶液、Aliquate 336溶液加入到甲苯溶液中,最后加入催化剂,搅拌回流一段时间;待冷却后,依次萃取、过滤、洗涤、减压干燥和分离得到化合物4。
进一步,所述步骤A中,加热到65℃,搅拌4h。
进一步,所述步骤B中,加热到100℃,搅拌15h。
进一步,所述步骤C中,加热回流12h。
进一步,所述步骤E中,加热到110℃,搅拌回流24h。经试验证明,采用上述条件,可提高OLED主体材料的综合性能,尤其是疏水性能。
实施例1
对于Host-OCF3,结构式为采用如下制备方法制备,其包括步骤:
S1、氮气保护下,将3.33g(29.70mmol)的1,2-环己二酮、8.60g(59.47mmol)的苯基肼盐酸盐,向其加入100ml的乙醇并搅拌,之后,加热到65℃,搅拌4h。冷却至室温后,过滤得到紫茶色结晶后,将滤取的结晶用50ml的乙醇进行两次洗涤。减压干燥得到7.48g(26.23mmol、收率90%)的茶紫色粉末。
S2、氮气保护下,在100ml的三口烧瓶中加入7.20g的上述紫茶色粉末,向其中加入72.00g的醋酸、7.20g的三氟醋酸并进行搅拌。之后,加热到100℃,搅拌15h。冷却至室温后,过滤得到黄色固体,用20ml的醋酸进行漂洗,20ml己烷漂洗,将过滤得到的固体进行硅胶柱分离(展开剂为石油醚:乙酸乙酯=7:3)得到白色粉末1为吲哚并[2,3-a]咔唑;
S3、氮气保护下,在100ml单口瓶中将2g(7.80mmol)上述白色固体、4-碘联苯(1.86g,8.00mmol)、铜粉(0.40g,6.25mmol)、18-冠-6醚(1g)、碳酸钾(2.8g,20mmol)加入到邻二氯苯(20ml)中,加热回流12h,待冷却后用四氢呋喃稀释,用硅藻土过滤,将滤液减压干燥,硅胶柱层析分离得到化合物2,为白色粉末(1.20g,产率为46%);
S4、氮气保护下,在50ml单口瓶中将0.11g 60%NaH(2.48mmol)加入7ml N’N-二甲基甲酰胺溶液中搅拌。将0.82g上述白色粉末溶解在7mlN’N-二甲基甲酰胺溶液中,并将溶液滴加入单口瓶中,搅拌2h;将3.76g三聚氯氰固体溶解在7ml N’N-二甲基甲酰胺溶液中,并滴加入单口瓶中,搅拌3h。将反应液倒入35g冰水中,有淡黄色固体析出,过滤后用30g水清洗两次,用30g甲醇清洗2次。减压干燥后用硅胶柱层析分离得到化合物3,为淡黄色粉末(0.50g,产率为45%);
S5、氮气保护下,在48ml耐压瓶中将1g上述淡黄色粉末,3.64g对三氟甲氧基苯硼酸(4.5mmol),4.50ml 2mol/ml K2CO3溶液,0.40g Aliquate336溶液加入到22.5ml甲苯溶液中,最后加入2%的催化剂,110℃搅拌回流24h。待冷却后萃取得到上清液,加入水中,析出淡黄色固体,过滤后将固体用甲醇洗涤,减压干燥,柱层析分离得到化合物4(0.35g,产率为8%)。
图1和图2分别为实施例1所制得的疏水性OLED主体材料的核磁谱图和质谱谱图。
采用接触角测试仪测试现有技术中的发光主体材料与实施例1所制得的疏水性OLED主体材料,其润湿性测试结果分别如图3和图4所示,从图3可知,现有技术产品的接触角为97.947°,而实施例1的疏水性OLED 主体材料的接触角为118.160°,由此可见本发明增加强疏水性电子基团后材料的疏水性显著增加。
上述制备方法的合成路线如下:
实施例2
对于Host-OCF3,结构式为采用如下制备方法制备,其包括步骤:
S1、氮气保护下,将3.33g(29.70mmol)的1,2-环己二酮、8.60g(59.47mmol)的苯基肼盐酸盐,向其加入100ml的乙醇并搅拌,之后,加热到65℃,搅拌4h。冷却至室温后,过滤得到紫茶色结晶后,将滤取的结晶用50ml的乙醇进行两次洗涤。减压干燥得到7.48g(26.23mmol、收率90%)的茶紫色粉末。
S2、氮气保护下,在100ml的三口烧瓶中加入7.20g的上述紫茶色粉末,向其中加入72.00g的醋酸、7.20g的三氟醋酸并进行搅拌。之后,加热到100℃,搅拌15h。冷却至室温后,过滤得到黄色固体,用20ml的醋酸进行漂洗,20ml己烷漂洗,将过滤得到的固体进行硅胶柱分离(展开剂为石油醚:乙酸乙酯=7:3)得到白色粉末1为吲哚并[2,3-a]咔唑;
S3、氮气保护下,在100ml单口瓶中将2g(7.80mmol)上述白色固体、4-碘联苯(1.86g,8.00mmol)、铜粉(0.40g,6.25mmol)、18-冠-6醚(1g)、碳酸钾(2.8g,20mmol)加入到邻二氯苯(20ml)中,加热回流12h,待冷却后用四氢呋喃稀释,用硅藻土过滤,将滤液减压干燥,硅胶柱层析分离得到化合物2,为白色粉末(1.20g,产率为46%);
S4、氮气保护下,在50ml单口瓶中将0.11g 60%NaH(2.48mmol)加入7ml N’N-二甲基甲酰胺溶液中搅拌。将0.82g上述白色粉末溶解在7ml N’N-二甲基甲酰胺溶液中,并将溶液滴加入单口瓶中,搅拌2h;将3.76g三聚氯氰固体溶解在7ml N’N-二甲基甲酰胺溶液中,并滴加入单口瓶中,搅拌3h。将反应液倒入35g冰水中,有淡黄色固体析出,过滤后用30g水清洗两次,用30g甲醇清洗2次。减压干燥后用硅胶柱层析分离得到化合物3,为淡黄色粉末(0.50g,产率为45%);
S5、氮气保护下,在48ml耐压瓶中将1g上述淡黄色粉末,3.78g对三氟甲硫基苯硼酸(4.5mmol),4.50ml 2mol/ml K2CO3溶液,0.40g Aliquate336溶液加入到22.5ml甲苯溶液中,最后加入2%的催化剂,110℃搅拌回流24h。待冷却后萃取得到上清液,加入水中,析出淡黄色固体,过滤后将固体用甲醇洗涤,减压干燥,柱层析分离得到化合物5。
上述制备方法的合成路线如下:
实施例3
对于Host-F,结构式为采用如下制备方法制备,其包括步骤:
S1、氮气保护下,将3.33g(29.70mmol)的1,2-环己二酮、8.60g(59.47mmol)的苯基肼盐酸盐,向其加入100ml的乙醇并搅拌,之后,加热到65℃,搅拌4h。冷却至室温后,过滤得到紫茶色结晶后,将滤取的结晶用50ml的乙醇进行两次洗涤。减压干燥得到7.48g(26.23mmol、收率90%)的茶紫色粉末。
S2、氮气保护下,在100ml的三口烧瓶中加入7.20g的上述紫茶色粉末,向其中加入72.00g的醋酸、7.20g的三氟醋酸并进行搅拌。之后,加热到100℃,搅拌15h。冷却至室温后,过滤得到黄色固体,用20ml的醋酸进行漂洗,20ml己烷漂洗,将过滤得到的固体进行硅胶柱分离(展开剂为石油醚:乙酸乙酯=7:3)得到白色粉末1为吲哚并[2,3-a]咔唑;
S3、氮气保护下,在100ml单口瓶中将2g(7.80mmol)上述白色固体、4-碘联苯(1.86g,8.00mmol)、铜粉(0.40g,6.25mmol)、18-冠-6醚(1g)、碳酸钾(2.8g,20mmol)加入到邻二氯苯(20ml)中,加热回流12h,待冷却后用四氢呋喃稀释,用硅藻土过滤,将滤液减压干燥,硅胶柱层析分离得到化合物2,为白色粉末(1.20g,产率为46%);
S4、氮气保护下,在50ml单口瓶中将0.11g 60%NaH(2.48mmol)加入7ml N’N-二甲基甲酰胺溶液中搅拌。将0.82g上述白色粉末溶解在7ml N’N-二甲基甲酰胺溶液中,并将溶液滴加入单口瓶中,搅拌2h;将2.75g三聚氯氰固体溶解在7ml N’N-二甲基甲酰胺溶液中,并滴加入单口瓶中,搅拌3h。将反应液倒入35g冰水中,有淡黄色固体析出,过滤后用30g水清洗两次,用30g甲醇清洗2次。减压干燥后用硅胶柱层析分离得到化合物6。
上述制备方法的合成路线如下:
本发明还提供一种如上所述的疏水性OLED主体材料的应用,其中,将所述疏水性OLED主体材料应用于有机电致发光器件中。
本发明通过对取代基团的调节,使材料的性能更加达到产业化的需求,可以对材料效能、成膜性、发光寿命等方面的调节,可以广泛应用于有机电致发光领域。
应当理解的是,本发明的应用不限于上述的举例,对本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明加以改进或变换,所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (8)
1.一种疏水性OLED主体材料,其特征在于,其分子结构式如下:
其中,R1、R2和R3均为疏水性的吸电子基团,R1、R2和R3同时取代或不同时取代,可取代单个位置或者多个位置同时取代。R4和R5为氢、烷基、烷氧基、取代和未取代的芳族杂环基、取代和未取代的芳族烃基中的一种。
2.根据权利要求1所述的疏水性OLED主体材料,其特征在于,R1、R2和R3均为OCF3、SCF3或者F基团中的一种。
3.一种如权利要求1所述的疏水性OLED主体材料的制备方法,其特征在于,包括步骤:
A、氮气保护下,在1,2-环己二酮和苯基腈盐酸盐中加入乙醇,之后加热搅拌一段时间;冷却至室温后,依次过滤、洗涤、减压干燥得到茶紫色粉末;
B、氮气保护下,将上述紫茶色粉末加入到醋酸和三氟醋酸中,之后加热搅拌一段时间;冷却至室温后,依次过滤、漂洗、分离得到化合物1;
C、氮气保护下,将上述化合物1、4-碘联苯、铜粉、18-冠-6醚、碳酸钾加入到邻二氯苯中,加热回流一段时间,待冷却后,依次稀释、过滤、减压干燥、分离得到化合物2;
D、氮气保护下,将NaH加入N’N-二甲基甲酰胺溶液中搅拌得混合液,然后将上述化合物2溶解在N’N-二甲基甲酰胺溶液中,并将溶解后的溶液滴加入混合液中,搅拌一段时间得混合液;将三聚氯氰固体溶解在N’N-二甲基甲酰胺溶液中,并滴加到上述混合液中,搅拌一段时间;将反应液倒入冰水中,依次过滤、清洗、减压干燥、分离得到化合物3;
E、氮气保护下,将上述化合物3、对甲氧基苯硼酸、K2CO3溶液、Aliquate336溶液加入到甲苯溶液中,最后加入催化剂,搅拌回流一段时间;待冷却后,依次萃取、过滤、洗涤、减压干燥和分离得到化合物4。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述步骤A中,加热到65℃,搅拌4h。
5.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述步骤B中,加热到100℃,搅拌15h。
6.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述步骤C中,加热回流12h。
7.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述步骤E中,加热到110℃,搅拌回流24h。
8.一种如权利要求1或2所述的疏水性OLED主体材料的应用,其特征在于,将所述疏水性OLED主体材料应用于有机电致发光器件中。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610851429.0A CN106565719B (zh) | 2016-09-26 | 2016-09-26 | 一种疏水性oled主体材料、制备方法和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610851429.0A CN106565719B (zh) | 2016-09-26 | 2016-09-26 | 一种疏水性oled主体材料、制备方法和应用 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106565719A true CN106565719A (zh) | 2017-04-19 |
CN106565719B CN106565719B (zh) | 2019-04-23 |
Family
ID=58532454
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610851429.0A Active CN106565719B (zh) | 2016-09-26 | 2016-09-26 | 一种疏水性oled主体材料、制备方法和应用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106565719B (zh) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101326261A (zh) * | 2005-12-08 | 2008-12-17 | 默克专利有限公司 | 有机电致发光器件 |
CN101511834A (zh) * | 2006-11-09 | 2009-08-19 | 新日铁化学株式会社 | 有机场致发光元件用化合物及有机场致发光元件 |
US20120153272A1 (en) * | 2009-08-31 | 2012-06-21 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence device |
CN103811667A (zh) * | 2012-11-13 | 2014-05-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光装置、照明装置及电子设备 |
CN104011893A (zh) * | 2011-12-15 | 2014-08-27 | 新日铁住金化学株式会社 | 有机电致发光元件 |
CN104419415A (zh) * | 2013-08-20 | 2015-03-18 | 环球展览公司 | 有机电致发光组合物和其用途 |
US20150129849A1 (en) * | 2013-11-14 | 2015-05-14 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
CN105679946A (zh) * | 2014-12-09 | 2016-06-15 | 三星Sdi株式会社 | 有机光电装置和显示装置 |
-
2016
- 2016-09-26 CN CN201610851429.0A patent/CN106565719B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101326261A (zh) * | 2005-12-08 | 2008-12-17 | 默克专利有限公司 | 有机电致发光器件 |
CN101511834A (zh) * | 2006-11-09 | 2009-08-19 | 新日铁化学株式会社 | 有机场致发光元件用化合物及有机场致发光元件 |
US20120153272A1 (en) * | 2009-08-31 | 2012-06-21 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence device |
CN104011893A (zh) * | 2011-12-15 | 2014-08-27 | 新日铁住金化学株式会社 | 有机电致发光元件 |
CN103811667A (zh) * | 2012-11-13 | 2014-05-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光装置、照明装置及电子设备 |
CN104419415A (zh) * | 2013-08-20 | 2015-03-18 | 环球展览公司 | 有机电致发光组合物和其用途 |
US20150129849A1 (en) * | 2013-11-14 | 2015-05-14 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
CN105679946A (zh) * | 2014-12-09 | 2016-06-15 | 三星Sdi株式会社 | 有机光电装置和显示装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
CA: "CAS-RN: 1663489-52-8、1663489-49-3", 《STN-REGISTRY数据库》 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106565719B (zh) | 2019-04-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104498025B (zh) | 多苯基苯构筑含氰基发光分子及其制备方法和用途 | |
CN101880525B (zh) | 液态荧光剂组合物及发光组件 | |
CN109134457A (zh) | 苯并菲罗啉类衍生物及其应用 | |
CN1900092A (zh) | 一种有机电致发光材料及其应用 | |
CN107033190A (zh) | 一种含碟烯基磷光铱配合物及其制备方法和电致发光器件 | |
CN104629721A (zh) | 一种性能优良的有机发光材料及其制备方法 | |
CN1902295A (zh) | 基于过芳基化硼烷的发磷光的聚合有机半导体发射极材料,其制备的方法及其应用 | |
TWI752665B (zh) | 一種咪唑並吡啶的芳胺類化合物及其應用 | |
CN1795252A (zh) | 发光器件和荧光材料 | |
CN109134456B (zh) | 一种并喹啉类衍生物及其应用和有机电致发光器件 | |
CN102942920A (zh) | 以三氟乙酰苯基取代喹啉为配体的铱配合物磷光材料及其制备方法 | |
CN111574536B (zh) | 一种有机电致发光化合物及其制备方法和应用 | |
CN109293583A (zh) | 一种含喹唑啉杂环化合物及其在有机光电器件中的应用 | |
CN106565719A (zh) | 一种疏水性oled主体材料、制备方法和应用 | |
KR101335548B1 (ko) | 인광재료용 백금 착체 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 | |
CN102660254A (zh) | 一种含铱配合物磷光材料及制备和在汞离子检测中的应用 | |
CN108530490A (zh) | 一种金属配合物及其有机发光器件 | |
CN104725369B (zh) | 含二元吩噻嗪并咪唑类衍生物、制备方法及有机发光器件 | |
CN108863957A (zh) | 喹喔啉稠合二苯并环庚烷螺旋烯化合物以及有机发光二极体元件 | |
CN106588592A (zh) | 一种联蒽衍生物及其制备方法和应用 | |
CN106749076A (zh) | 邻羟基苯基唑类衍生物作为有机蓝光材料的应用 | |
CN109053815B (zh) | 一种铱(ⅲ)配合物及其制备方法和应用 | |
CN113149889A (zh) | 一种化合物与有机电致发光器件 | |
CN1903809A (zh) | 二亚甲基环己烷化合物、其制备方法和有机发光器件 | |
CN109467576A (zh) | 一类深红光磷光铱配合物及其有机电致发光器件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200827 Address after: Ke Feng Lu Science City of Guangzhou high tech Development Zone in Guangdong province 510000 No. 31 Southern China new material innovation park building G8 No. 602 Patentee after: GUANGZHOU CHINARAY OPTOELECTRONIC MATERIALS Ltd. Address before: 518055 Guangdong city in Shenzhen Province, Nanshan District City Xili, Shenzhen University North Park building H room 208 Patentee before: PEKING University SHENZHEN GRADUATE SCHOOL |