CN106558646B - 一种可挠的发光二极管显示屏 - Google Patents

一种可挠的发光二极管显示屏 Download PDF

Info

Publication number
CN106558646B
CN106558646B CN201610616639.1A CN201610616639A CN106558646B CN 106558646 B CN106558646 B CN 106558646B CN 201610616639 A CN201610616639 A CN 201610616639A CN 106558646 B CN106558646 B CN 106558646B
Authority
CN
China
Prior art keywords
conducting wire
flexible
light emitting
emitting diode
flexible conducting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610616639.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106558646A (zh
Inventor
曹惠兰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fan Wenchang
Original Assignee
Cheng Chang Transflexdisplay Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from TW104132015A external-priority patent/TWI585943B/zh
Priority claimed from TW104215650U external-priority patent/TWM516776U/zh
Application filed by Cheng Chang Transflexdisplay Corp filed Critical Cheng Chang Transflexdisplay Corp
Publication of CN106558646A publication Critical patent/CN106558646A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106558646B publication Critical patent/CN106558646B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/5221—Crossover interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/5226—Via connections in a multilevel interconnection structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/53204—Conductive materials
    • H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
    • H01L23/53228—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being copper
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/53204—Conductive materials
    • H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
    • H01L23/53242—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being a noble metal, e.g. gold
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/53204—Conductive materials
    • H01L23/53276—Conductive materials containing carbon, e.g. fullerenes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/53204—Conductive materials
    • H01L23/5328—Conductive materials containing conductive organic materials or pastes, e.g. conductive adhesives, inks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明乃藉由在透明可挠基板上利用可挠线路设计，搭配单色LED或全彩LED背面导电端子位置的变化，使得单色LED或全彩LED可应用于透明可挠基板，且本发明乃利用桥接技术使交错之线路可藉由绝缘层加以隔离，故仅需单层基板，不仅可解决LED显示屏之复杂线路问题，提供一高密度排列的全彩LED显示屏，且可大幅节省制程及材料成本。

Description

一种可挠的发光二极管显示屏
技术领域
本发明是有关于一种发光二极管显示屏，且特别是有关于一种可挠的发光二极管显示屏。
背景技术
近年来，已发展出重量轻且抗震动的可挠显示屏，其制成材料系如塑料。由于此种可挠显示屏可折迭或卷起，其可携带性系最大化。同时，此种可挠显示屏可应用于多种领域，例如电子广告牌、橱窗广告、展览会场的布告栏等。
习知的一种可挠显示屏包含一显示组件，其系形成于一可挠基板之上。其中，可挠显示屏中可使用各种不同种类的显示组件，包含一有机发光二极管显示设备、一液晶显示设备，与一电泳显示(EPD)装置等等。这些种类的显示设备通常包含薄膜晶体管。因此，为了形成一可挠显示屏，该可挠基板经历数个薄膜制程以形成薄膜晶体管。然由于该可挠基板一般厚度系相当薄，大约数十个微米，很难在该可挠基板上分开实行数个薄膜制程。目前有一种方法，其中一可挠基板系首先形成于一玻璃基板之上，一显示组件系形成于该可挠基板上，其系黏着于该玻璃基板，并接着将该可挠基板与该玻璃基板彼此分开，该方法系用以实行薄膜制程。由塑料材料制成的一可挠基板通常具有与该玻璃基板不相同的热膨胀系数(CTE)。若该可挠基板与该玻璃基板之间的黏着力很微弱，则该可挠性基板可自该玻璃基板剥离并且分开，或是在高温制程期间会有部分移除且弯曲，这对可挠显示屏的制程中将造成一致命的缺陷。此外，目前单层或双层透明可挠发光二极管显示屏，因受限于线路设计，目前仍仅限于使用单色(双导电端子)LED，无法使用全彩LED以提供全彩显示，故LED显示屏的应用仍无法普及化。
发明内容
有鉴于此，一种制程方便且可克服上述缺点的全彩可挠显示屏乃业界殷切期盼的。故本发明乃藉由在透明可挠基板上利用可挠线路设计，搭配单色LED或全彩LED背面导电端子位置的变化，使得单色LED或全彩LED可应用于透明可挠基板，不仅可解决LED显示屏之复杂线路问题，提供一高密度排列的全彩LED显示屏。此外，本发明乃利用桥接技术使交错之线路可藉由绝缘层加以隔离，故仅需单层基板，可大幅节省制程及材料成本。
本发明之一目的是揭露一种可挠的发光二极管显示屏，包括:一透明可挠基板，其具有一相对的上、下表面；3M行第一可挠导线、N列第二可挠导线，形成于该可挠基板的该上表面，该等第一可挠导线与该等第二可挠导线彼此交错排列并界定出M×N个画素，每一该等画素是由第(i)行、第(i+1)行、第(i+2)行该等第一可挠导线与第(j)列该等第二可挠导线寻址形成，且M、N、i、j均为自然数，1≤i≤3M-2，1≤j≤N；一绝缘层，形成于每一该等第一可挠导线与每一该等第二可挠导线交会处并且夹于每一该等第一可挠导线与每一该等第二可挠导线之间，或者覆盖于每一该等第二可挠导线上；复数个发光二极管封装体，分别固定于每一该等画素内；一第一扇形电路，连接该等第一可挠导线；一第二扇形电路，连接该等第二可挠导线；以及一驱动电路，分别电性连接该第一扇形电路及该第二扇形电路。
本发明的另一特征是揭露一种如上所述的可挠的发光二极管显示屏，，其中该透明可挠基板之材料包括聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、玻璃其中之一或其组合。
本发明的另一特征是揭露一种如上所述的可挠的发光二极管显示屏，其中该等第一、第二可挠导线之材料包括金线、银线、银浆、铜线、奈米碳管、聚二氧乙基噻吩聚苯乙烯磺酸(PEDOT)、奈米银其中之一或其组合。
本发明的另一特征是揭露一种如上所述的可挠的发光二极管显示屏，其中每一该等发光二极管封装体均可发出红光、绿光、蓝光及其混合而成的光线。
本发明的另一特征是揭露一种如上所述的可挠的发光二极管显示屏，，其中每一该等发光二极管封装体均包括复数可各自发出红光、绿光或蓝光的发光二极管单元。
本发明的另一特征是揭露一种如上所述的可挠的发光二极管显示屏，其中每一该等发光二极管封装体均包括三个发光二极管单元，且可各自发出红光、绿光或蓝光的发光二极管单元。
本发明的另一特征是揭露一种如上所述的可挠的发光二极管显示屏，其中每一该等发光二极管封装体是藉由一可在温度低于摄氏250度被固化的导电胶及/或一种异方向性胶(ACF)被固定在每一该等画素内。
本发明的另一特征是揭露一种如上所述的可挠的发光二极管显示屏，该绝缘层是由一单层绝缘材料或多层的绝缘材料所构成。
本发明的另一特征是揭露一种如上所述的可挠的发光二极管显示屏，每一该等发光二极管封装体均包括四个各自独立的第一、第二、第三、第四导电端子，且该第(j)列的第二可挠导线具有一连接一第一导电垫的第一延伸部，该第(i)行的第一可挠导线具有一连接一第二导电垫的第二延伸部，该第(i+1)行的第一可挠导线具有一连接一第四导电垫的第四延伸部，该第(i+2)行的第一可挠导线具有一连接第三导电垫的第三延伸部，其中该第一导电端子藉由连接至该第一导电垫而与该第(j)列的第二可挠导线电性连接，该第二导电端子藉由连接至该第二导电垫与该第(i)行的第一可挠导线电性连接，该第四导电端子藉由连接至该第四导电垫与该第(i+1)行的第一可挠导线电性连接，该第三导电端子藉由连接至该第三导电垫与该第(i+2)行的第一可挠导线电性连接。
本发明的另一特征是揭露一种如上所述的可挠的发光二极管显示屏，其中该驱动电路包括至少一驱动IC。
本发明的另一特征是揭露一种如上所述的可挠的发光二极管显示屏，其中该第(i)行的第一可挠导线及该第(i+2)行的第一可挠导线是位在该发光二极管的左、右两侧，而该第(i+1)行的第一可挠导线则是位在该发光二极管封装体下方。
本发明的另一特征是揭露一种如上所述的可挠的发光二极管显示屏，其中该第(i)行的第一可挠导线是位在该发光二极管封装体的左侧，而该第(i+1)行的第一可挠导线和该第(i+2)行的第一可挠导线则是位在该发光二极管封装体的右侧。
本发明的另一特征是揭露一种如上所述的可挠的发光二极管显示屏，更包括一介电层夹于该第(i+2)行的第一可挠导线的该第三延伸部与该第(i+1)行的第一可挠导线交会处。
本发明的另一特征是揭露一种如上所述的可挠的发光二极管显示屏，该介电层是由一单层绝缘材料或多层的绝缘材料所构成。
本发明的另一特征是揭露另一种可挠的发光二极管显示屏，包括:一透明可挠基板，其具有一相对的上、下表面；3P行第一可挠导线、Q列第二可挠导线，形成于该可挠基板的该上表面，该等第一可挠导线与该等第二可挠导线彼此交错排列并界定出P×Q个画素，每一该等画素包括：一第一子画素，由第(r)行该等第一可挠导线与第(s)列该等第二可挠导线寻址而成；一第二子画素，由第(r+1)行该等第一可挠导线与第(s)列该等第二可挠导线寻址而成；一第三子画素，由第(r+2)行行该等第一可挠导线与第(s)列该等第二可挠导线寻址而成，其中P、Q、r、s均为自然数，1≤r≤3P-2，1≤s≤Q；一绝缘层，形成于每一该等第一可挠导线与每一该等第二可挠导线交会处并且夹于每一该等第一可挠导线与每一该等第二可挠导线之间，或者覆盖于每一该等第二可挠导线上；复数个第一发光二极管，分别固定于每一该等第一子画素内；复数个第二发光二极管，分别固定于每一该等第二子画素内；复数个第三发光二极管，分别固定于每一该等第三子画素内；一第一扇形电路，连接该等第一可挠导线；一第二扇形电路，连接该等第二可挠导线；以及一驱动电路，分别电性连接该第一扇形电路及该第二扇形电路。
本发明的另一特征是揭露如上所述的另一种可挠的发光二极管显示屏，其中该透明可挠基板之材料包括聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、玻璃其中之一或其组合。
本发明的另一特征是揭露如上所述的另一种可挠的发光二极管显示屏，其中该等第一、第二可挠导线之材料包括金线、银线、银浆、铜线、奈米碳管、聚二氧乙基噻吩聚苯乙烯磺酸(PEDOT)、奈米银其中之一或其组合。
本发明的另一特征是揭露如上所述的另一种可挠的发光二极管显示屏，其中该等第一发光二极管是红光发光二极管封装体或覆晶式红光发光二极管芯片。
本发明的另一特征是揭露如上所述的另一种可挠的发光二极管显示屏，其中该等第二发光二极管是绿光发光二极管封装体或覆晶式绿光发光二极管芯片。
本发明的另一特征是揭露如上所述的另一种可挠的发光二极管显示屏，其中该等第三发光二极管是蓝光发光二极管封装体或覆晶式蓝光发光二极管芯片。
本发明的另一特征是揭露如上所述的另一种可挠的发光二极管显示屏，其中每一该等第一、第二或第三发光二极管是藉由一可在温度低于摄氏250度被固化的导电胶及/或一种异方向性胶(ACF)分别被固定在每一该等第一、第二或第三子画素内。
本发明的另一特征是揭露如上所述的另一种可挠的发光二极管显示屏，该绝缘层是由一单层绝缘材料或多层的绝缘材料所构成。
本发明的另一特征是揭露如上所述的另一种可挠的发光二极管显示屏，其中:每一该等第一发光二极管均包括二个各自独立的第五、第六导电端子，且该第(s)列的第二可挠导线具有一连接一第五导电垫的第五延伸部，该第(r)行的第一可挠导线具有一连接一第六导电垫的第六延伸部，且每一该等第一发光二极管的该第五导电端子藉由与该第五导电垫接触而与该第(s)列的第二可挠导线电性连接，每一该等第一发光二极管的该第六导电端子则藉由与该第六导电垫接触而与该第(r)行的第一可挠导线电性连接；每一该等第二发光二极管均包括二个各自独立的第七、第八导电端子，且该第(s)列的第二可挠导线具有一连接一第七导电垫的第七延伸部，该第(r+1)行的第一可挠导线具有一连接一第八导电垫的第八延伸部，且每一该等第二发光二极管的该第七导电端子藉由与该第七导电垫接触而与该第(s)列的第二可挠导线电性连接，每一该等第二发光二极管的该第八导电端子则藉由与该第八导电垫接触而与该第(r+1)行的第一可挠导线电性连接；以及每一该等第三发光二极管均包括二个各自独立的第九、第十导电端子，且该第(s)列的第二可挠导线具有一连接一第九导电垫的第九延伸部，该第(r+2)行的第一可挠导线具有一连接一第十导电垫的第十延伸部，且每一该等第三发光二极管的该第九导电端子藉由与该第九导电垫接触而与该第(s)列的第二可挠导线电性连接，每一该等第三发光二极管的该第十导电端子则藉由与该第十导电垫接触而与该第(r+2)行的第一可挠导线电性连接。
本发明的另一特征是揭露如上所述的另一种可挠的发光二极管显示屏，其中该驱动电路包括至少一驱动IC。
本发明的另一特征是揭露又一种可挠的发光二极管显示屏，包括:一透明可挠基板，其具有一相对的上、下表面；2A行第一可挠导线、2B列第二可挠导线，形成于该可挠基板的该上表面上，该等第一可挠导线与该等第二可挠导线彼此交错排列并界定出A×B个画素，每一该等画素包括：一第一子画素，由第(d)行该等第一可挠导线与第(e)列该等第二可挠导线寻址而成；一第二子画素，由第(d+1)行该等第一可挠导线与第(e)列该等第二可挠导线寻址而成；一第三子画素，由第(d)行该等第一可挠导线与第(e+1)列该等第二可挠导线寻址而成；一第四子画素，由第(d+1)行该等第一可挠导线与第(e+1)列该等第二可挠导线寻址而成，其中A、B、d、e均为自然数，1≤d≤2A-1，1≤e≤2B-1；一绝缘层，形成于每一该等第一可挠导线与每一该等第二可挠导线交会处并且夹于每一该等第一可挠导线与每一该等第二可挠导线之间，或者覆盖于每一该等第二可挠导线上；复数个第一发光二极管，分别固定于每一该等第一子画素内；复数个第二发光二极管，分别固定于每一该等第二子画素内；复数个第三发光二极管，分别固定于每一该等第三子画素内；复数个第四发光二极管，分别固定于每一该等第四子画素内；一第一扇形电路，连接该等第一可挠导线；一第二扇形电路，连接该等第二可挠导线；以及一驱动电路，分别电性连接该第一扇形电路及该第二扇形电路。
本发明的另一特征是揭露如上所述的又一种可挠的发光二极管显示屏，其中该透明可挠基板之材料包括聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、玻璃其中之一或其组合。
本发明的另一特征是揭露如上所述的又一种可挠的发光二极管显示屏，其中该等第一、第二可挠导线之材料包括金线、银线、银浆、铜线、奈米碳管、聚二氧乙基噻吩聚苯乙烯磺酸(PEDOT)、奈米银其中之一或其组合。
本发明的另一特征是揭露如上所述的又一种可挠的发光二极管显示屏，其中该等第一发光二极管是红光发光二极管封装体或覆晶式红光发光二极管芯片。
本发明的另一特征是揭露如上所述的又一种可挠的发光二极管显示屏，其中该等第二发光二极管是绿光发光二极管封装体或覆晶式绿光发光二极管芯片。
本发明的另一特征是揭露如上所述的又一种可挠的发光二极管显示屏，其中该等第三发光二极管是蓝光发光二极管封装体或覆晶式蓝光发光二极管芯片。
本发明的另一特征是揭露如上所述的又一种可挠的发光二极管显示屏，其中该等第四发光二极管是黄光发光二极管封装体或覆晶式黄光发光二极管芯片。
本发明的另一特征是揭露如上所述的又一种可挠的发光二极管显示屏，其中该等第四发光二极管是白光发光二极管封装体或覆晶式白光发光二极管芯片。
本发明的另一特征是揭露如上所述的又一种可挠的发光二极管显示屏，其中每一该等第一、第二、第三或第四发光二极管是藉由一可在温度低于摄氏250度被固化的导电胶及/或一种异方向性胶(ACF)分别被固定在每一该等第一、第二、第三、第四子画素内。
本发明的另一特征是揭露如上所述的又一种可挠的发光二极管显示屏，该绝缘层是由一单层绝缘材料或多层的绝缘材料所构成。
本发明的另一特征是揭露如上所述的又一种可挠的发光二极管显示屏，其中:每一该等第一发光二极管均包括二个各自独立的第五、第六导电端子，且该第(e)列的第二可挠导线具有一连接一第五导电垫的第五延伸部，该第(d)行的第一可挠导线具有一连接一第六导电垫的第六延伸部，且每一该等第一发光二极管的该第五导电端子藉由与该第五导电垫接触而与该第(e)列的第二可挠导线电性连接，每一该等第一发光二极管的该第六导电端子则藉由与该第六导电垫接触而与该第(d)行的第一可挠导线电性连接；每一该等第二发光二极管均包括二个各自独立的第七、第八导电端子，且该第(e)列的第二可挠导线具有一连接一第七导电垫的第七延伸部，该第(d+1)行的第一可挠导线具有一连接一第八导电垫的第八延伸部，且每一该等第二发光二极管的该第七导电端子藉由与该第七导电垫接触而与该第(e)列的第二可挠导线电性连接，每一该等第二发光二极管的该第八导电端子则藉由与该第八导电垫接触而与该第(d+1)行的第一可挠导线电性连接；每一该等第三发光二极管均包括二个各自独立的第九、第十导电端子，且该第(e+1)列的第二可挠导线具有一连接一第九导电垫的第九延伸部，该第(d)行的第一可挠导线具有一连接一第十导电垫的第十延伸部，且每一该等第三发光二极管的该第九导电端子藉由与该第九导电垫接触而与该第(e+1)列的第二可挠导线电性连接，每一该等第三发光二极管的该第十导电端子则藉由与该第十导电垫接触而与该第(d)行的第一可挠导线电性连接；每一该等第四发光二极管均包括二个各自独立的第十一、第十二导电端子，且该第(e+1)列的第二可挠导线具有一连接一第十一导电垫的第十一延伸部，该第(d+1)行的第一可挠导线具有一连接一第十二导电垫的第十二延伸部，且每一该等第四发光二极管的该第十一导电端子藉由与该第十一导电垫接触而与该第(e+1)列的第二可挠导线电性连接，每一该等第四发光二极管的该第十二导电端子则藉由与该第十二导电垫接触而与该第(d+1)行的第一可挠导线电性连接。
本发明的另一特征是揭露如上所述的又一种可挠的发光二极管显示屏，其中该驱动电路包括至少一驱动IC。
附图说明
图1A至图1C显示根据本发明实施例一的可挠的发光二极管显示屏俯视图及部分放大图。
图1A’至图1C’显示根据本发明实施例二的可挠的发光二极管显示屏俯视图及部分放大图。
图2A至图2C显示根据本发明实施例三的可挠的发光二极管显示屏俯视图及部分放大图。
图3A至图3C显示根据本发明实施例四的可挠的发光二极管显示屏俯视图及部分放大图。
其中，附图中符号的简单说明如下：
100、100’、200、300 可挠的发光二极管显示屏
110、210、310 透明可挠基板
110A、210A、310A 上表面
120A、120B、120C；
220A、220B、220C；
320A、320B 第一可挠导线
120A1 第二延伸部
120B1 第三延伸部
120C1 第四延伸部
125、125’、225、325 绝缘层
125A、225A、325A 第一绝缘层
125B、225B、325B 第二绝缘层
126 介电层
126A 第一介电层
126B 第二介电层
130、230、330A、330B 第二可挠导线
131 第一延伸部
140A、240A、340A 第一扇形电路
140B、240B、340B 第二扇形电路
145A 第一导电垫
145B 第二导电垫
145C 第三导电垫
145D 第四导电垫
150、250、350 画素
150A、250A、350A 第一子画素
150B、250B、350B 第二子画素
150C、250C、350C 第三子画素
350D 第四子画素
155、255、355 导电胶
160 发光二极管封装体
160A 第一导电端子
160B 第二导电端子
160C 第三导电端子
160D 第四导电端子
180、280、380 可挠印刷电路板
190、290、390 驱动IC单元及控制电路单元模块
220A1、320A1 第六延伸部
220B2、320B2 第八延伸部
220C1、320A2 第十延伸部
230A1、330A1 第五延伸部
230A2、330A2 第七延伸部
230A3、330B1 第九延伸部
245R1、345R1 第五导电垫
245R2、345R2 第六导电垫
245G1、345G1 第七导电垫
245G2、345G2 第八导电垫
245B1、345B1 第九导电垫
245B2、345B2 第十导电垫
260A、360A 第一发光二极管
260A1 第五导电端子
260A2 第六导电端子
260B、360B 第二发光二极管
260B1 第七导电端子
260B2 第八导电端子
260C、360C 第三发光二极管
260C1 第九导电端子
260C2 第十导电端子
320B2 第十一延伸部
330B2 第十二延伸部
345Y1 第十一导电垫
345Y2 第十二导电垫
360D 第四发光二极管
360D1 第十一导电端子
360D2 第十二导电端子
具体实施方式
以下将详细说明本发明实施例的制作与使用方式。然应注意的是，本发明提供许多可供应用的发明概念，其可以多种特定型式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为制造与使用本发明的特定方式，非用以限制本发明的范围。
<实施例一>
以下将配合图式图1A至图1C及图3，说明根据本发明的实施例一的可挠的发光二极管显示屏100。
首先，请参照图1A，其显示根据本发明实施例一的可挠的发光二极管显示屏100的俯视图。如第1A图所示，此发光二极管显示屏100包括一透明可挠基板110，其材质可选自聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、玻璃其中之一或其组合，本实施例的第一透明可挠基板110系由可挠的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)所构成。
然透明可挠基板110的上表面110A上形成有M行第一可挠导线120A、M行第一可挠导线120B及M行第一可挠导线120C，彼此平行地依序穿插排列，以及N列第二可挠导线130，其中该等第一可挠导线120A、120B、120C及该等第二可挠导线130彼此交错排列，并界定出M×N个画素150，且M、N均为自然数。
此外，第一可挠导线120A、120B、120C透过第一扇形电路140A连接可挠印刷电路板(Flexible Print Circuit Board；FPC)180，进而与位在驱动IC单元及控制电路单元模块190上的驱动电路(未绘示)连接；第二可挠导线130则透过第二扇形电路140B连接到可挠印刷电路板(Flexible Print Circuit Board；FPC)180，并与位在驱动IC单元及控制电路单元模块190上的驱动电路(未绘示)连接，在此不再赘述。
上述的第一可挠导线120A、120B、120C及第二可挠导线130，其材料可选自金线、银线、银浆线、铜线、奈米碳管、奈米银、聚二氧乙基噻吩聚苯乙烯磺酸(PEDOT)其中之一或其组合。在本实施例中，第一可挠导线120A、120B、120C及第二可挠导线130的材料是由奈米碳管所构成。
接着，请参照图1B及图1C，其显示的是其中一个画素150的部分放大图。如第1B图所示，画素150是由第(i)行、第(i+1)行、第(i+2)行的第一可挠导线120A、120B、120C与第(j)列的第二可挠导线130A所寻址，且画素150内设置有一可分别发出红光、蓝光、绿光或其混合光线的发光二极管封装体160。此外，每一该等第一可挠导线120A、120B、120C与每一该等第二可挠导线130交会处均包括一绝缘层125夹于其间，且i、j均为自然数，1≤i≤3M-2，1≤j≤N。其中，为了避免第一可挠导线120A、120B、120C在跨线时因绝缘层125的高度差造成断线，绝缘层125可由双层绝缘层(未绘示)构成，在此不再赘述。此外，在根据本发明的其他实施例中，绝缘层125可全面覆盖(未绘示)于第二可挠导线130上。
每一个发光二极管封装体160，其内包括有可分别发出红光、绿光以及蓝光的发光二极管单元(未绘示)，本实施例的上述这些发光二极管单元，为可分别发出红光、绿光以及蓝光的发光二极管芯片。此外，每一个发光二极管封装体160非出光的背面更有第一导电端子160A、第二导电端子160B、第三导电端子160C、第四导电端子160D。此外，发光二极管封装体160内所选用的发光二极管单元，除红光、绿光、蓝光发光二极管单元外，本领域熟悉此技艺者，当可视需要选择其他可见光发光二极管单元，且其排列顺序及排列方式可视需要任意调整。
如图1B至图1C所示，发光二极管封装体160的第一导电端子160A可藉由固化温度低于摄氏250度的导电胶155与自第(j)列的第二可挠导线130的第一延伸部131延伸出来的第一导电垫145A电性接触而与第(j)列的第二可挠导线130电性连接；发光二极管封装体160的第二导电端子160B藉由固化温度低于摄氏250度的导电胶155与自第(i)行的第一可挠导线120A的第二延伸部120A1延伸出来的第二导电垫145B电性接触而与第(i)行的第一可挠导线120A电性连接；发光二极管封装体160的第三导电端子160C藉由固化温度低于摄氏250度的导电胶155与自第(i+1)行的第一可挠导线120B的第三延伸部120B1延伸出来的第三导电垫145C电性接触而与第(i+1)行的第一可挠导线120B电性连接；发光二极管封装体160的第四导电端子160D藉由固化温度低于摄氏250度的导电胶155与自第(i+2)行的第一可挠导线120C的第四延伸部120C1延伸出来的第四导电垫145D电性接触而与第(i+2)行的第一可挠导线120C电性连接。在根据本发明的其他实施例中，导电胶155可与异方向性导电胶(ACF)搭配使用，或者以异方向性导电胶(ACF)取代，在此不再赘述。
据此，根据本发明实施例一，便可在可挠透明基板上利用可挠线路的设计，将全彩LED封装体固定于可挠透明基板的每一个画素内，便利地提供一高密度的可挠的发光二极管显示屏。
<实施例二>
以下将配合图式图1A’至图1C’，说明根据本发明的实施例二的可挠的发光二极管显示屏。
首先，请先参照图1A’，其显示根据本发明实施例二的可挠的发光二极管显示屏100’的俯视图。如图1A’所示，此发光二极管显示屏100’包括一透明可挠基板110，其材质可选自聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、玻璃其中之一或其组合，本实施例的第一透明可挠基板110系由可挠的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)所构成。
透明可挠基板110的上表面110A上形成有M行第一可挠导线120A、M行第一可挠导线120B及M行第一可挠导线120C，彼此平行地依序穿插排列，以及N列第二可挠导线130，其中该等第一可挠导线120A、120C、120B及该等第二可挠导线130彼此交错排列，并界定出M×N个画素150，且M、N均为自然数。
此外，第一可挠导线120A、120C、120B透过第一扇形电路140A连接可挠印刷电路板(Flexible Print Circuit Board；FPC)180，进而与位在驱动IC单元及控制电路单元模块190上的驱动电路(未绘示)连接；第二可挠导线130则透过第二扇形电路140B连接到可挠印刷电路板(Flexible Print Circuit Board；FPC)180，并与位在驱动IC单元及控制电路单元模块190上的驱动电路(未绘示)连接，在此不再赘述。
上述的第一可挠导线120A、120C、120B及第二可挠导线130，其材料可选自金线、银线、银浆线、铜线、奈米碳管、奈米银、聚二氧乙基噻吩聚苯乙烯磺酸(PEDOT)其中之一或其组合。在本实施例中，第一可挠导线120A、120C、120B及第二可挠导线130的材料是由奈米碳管所构成。
接着，请参照图1B’及图1C’，其显示的是其中一个画素150的部分放大图。如图1B’图所示，画素150是由第(i)行、第(i+1)行、第(i+2)行的第一可挠导线120A、120C、120B与第(j)列的第二可挠导线130所寻址，且画素150内设置有一可分别发出红光、蓝光、绿光或其混合光线的发光二极管封装体160。此外，每一该等第二可挠导线130均被一绝缘层125’覆盖，使得第一可挠导线120A、120C、120B可跨接于每一该等第二可挠导线130上，且i、j均为自然数，1≤i≤3M-2，1≤j≤N。
特别说明的是，实施例二与实施例一之最大差异，在于实施例二的第一可挠导线120B并非位在发光二极管封装体160下方，而是位在第一可挠导线120C右侧。此外，在本实施例中，绝缘层125’是一双层结构，包括一第一绝缘层125A及一位在第一绝缘层125A上的第二绝缘层125B，且第二绝缘层125B的垂直投影面积小于第一绝缘层125A。在根据本发明的其他实施例中，绝缘层125’也可为一单层结构(未绘示)。此外，在根据本发明的其他实施例中，绝缘层125’也可如实施例一仅形成于第一可挠导线120A、120C、120B与第二可挠导线130交会处(未绘示)，在此不再赘述。
每一个发光二极管封装体160，其内包括有可分别发出红光、绿光以及蓝光的发光二极管单元(未绘示)，本实施例的上述这些发光二极管单元，为可分别发出红光、绿光以及蓝光的发光二极管芯片。此外，每一个发光二极管封装体160非出光的背面更有第一导电端子160A、第二导电端子160B、第三导电端子160C、第四导电端子160D。此外，发光二极管封装体160内所选用的发光二极管单元，除红光、绿光、蓝光发光二极管单元外，本领域熟悉此技艺者，当可视需要选择其他可见光发光二极管单元，且其排列顺序及排列方式可视需要任意调整。
如图1B’至图1C’所示，发光二极管封装体160的第一导电端子160A可藉由固化温度低于摄氏250度的导电胶155与自第(j)列的第二可挠导线130的第一延伸部131延伸出来的第一导电垫145A电性接触而与第(j)列的第二可挠导线130电性连接；发光二极管封装体160的第二导电端子160B藉由固化温度低于摄氏250度的导电胶155与自第(i)行的第一可挠导线120A的第二延伸部120A1延伸出来的第二导电垫145B电性接触而与第(i)行的第一可挠导线120A电性连接；发光二极管封装体160的第四导电端子160D藉由固化温度低于摄氏250度的导电胶155与自第(i+1)行的第一可挠导线120C的第四延伸部120C1延伸出来的第四导电垫145D电性接触而与第(i+1)行的第一可挠导线120C电性连接；发光二极管封装体160的第三导电端子160C藉由固化温度低于摄氏250度的导电胶155与自第(i+2)行的第一可挠导线120B的第三延伸部120B1延伸出来的第三导电垫145C电性接触而与第(i+2)行的第一可挠导线120B电性连接。第一可挠导线120B的延伸部120B1与第一可挠导线120C交会处更包括一夹于其间的介电126，此介电层126在本实施例为一包括第一介电层126A及第二介电层126B的双层结构，且第二介电层126B的垂直投影面积小于第一介电层126A的垂直投影面积。根据本发明的其他实施例中，此介电层126也可为一单层结构。此外，在根据本发明的其他实施例中，导电胶155可与异方向性导电胶(ACF)搭配使用，或者以异方向性导电胶(ACF)取代，在此不再赘述。
据此，根据本发明实施例二，便可在可挠透明基板上利用可挠线路的设计，将全彩LED封装体固定于可挠透明基板的每一个画素内，便利地提供一高密度的可挠的发光二极管显示屏。
<实施例三>
以下将配合图式图2A至图2C，说明根据本发明的实施例三的可挠的发光二极管显示屏。
首先，请参照图2A，其显示根据本发明的实施例三的可挠的发光二极管显示屏200的俯视图。如图2A所示，此发光二极管显示屏200包括一透明可挠基板210，其材质可选自聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、玻璃其中之一或其组合，本实施例的第一透明可挠基板210系由可挠的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)所构成。
透明可挠基板210的上表面210A上形成有P行第一可挠导线220A、P行第一可挠导线220B、P行第一可挠导线220C，彼此平行地依序穿插排列，以及Q列第二可挠导线230，分别平行地依序穿插排列。此外，该等第一可挠导线220A、220B、220C及该等第二可挠导线230彼此交错排列，并界定出P×Q个画素250，且P、Q均为自然数。
此外，第一可挠导线220A、220B、220C透过第一扇形电路240A连接至可挠印刷电路板(Flexible Print Circuit Board；FPC)280，并与位在驱动IC单元及控制电路单元模块290上的驱动电路(未绘示)连接，而第二可挠导线230则透过第二扇形电路240连接到可挠印刷电路板(Flexible Print Circuit Board；FPC)280，并与位在驱动IC单元及控制电路单元模块290上的驱动电路(未绘示)连接，在此不再赘述。
上述的第一可挠导线220A、220B、220C及第二可挠导线230，其材料可选自金线、银线、银浆线、铜线、奈米碳管、奈米银、聚二氧乙基噻吩聚苯乙烯磺酸(PEDOT)其中之一或其组合。在本实施例中，第一可挠导线220A、220B、220C及第二可挠导线230的材料是由奈米碳管所构成。
接着，请参照图2B及图2C，其显示的是其中一个画素250的部分放大图。如图2B所示，每一个画素250均包括：一个第一子画素250A，由第(r)行的第一可挠导线220A与第(s)列的第二可挠导线230寻址形成；一个第二子画素250B，由第(r+1)行的第一可挠导线220B与第(s)列的第二可挠导线230寻址形成；及一个第三子画素250C，由第(r+2)行行的第一可挠导线220C与第(s)列的第二可挠导线230寻址形成。
每一该等第二可挠导线230均被一绝缘层225覆盖，使得第一可挠导线220A、220B、220C可跨接于每一该等第二可挠导线230上，且r、s均为自然数，1≤r≤3P-2，1≤s≤Q。每一该等第二可绝缘层225是一双层结构，包括一第一绝缘层225A及一位在第一绝缘层225A上的第二绝缘层225B，且第二绝缘层225B的垂直投影面积小于第一绝缘层225A。在根据本发明的其他实施例中，绝缘层225也可为一单层结构(未绘示)。此外，在根据本发明的其他实施例中，绝缘层225也可如实施例一仅形成于第一可挠导线220A、220B、220C与第二可挠导线230交会处(未绘示)，在此不再赘述。
此外，复数个第一发光二极管260A，分别固定于每一该等第一子画素250A内，且每一个第一发光二极管260A非出光面的背面，均包括一第五导电端子260A1及一第六导电端子260A2；复数个第二发光二极管260B，且每一个第二发光二极管260B非出光面的背面，均包括一第七导电端子260B1及一第八导电端子260B2；复数个第三发光二极管260C，分别固定于每一该等第三子画素250C内，且每一个第三发光二极管260C非出光面的背面，均包括一第九导电端子260C1及一第十导电端子260C2。
在本实施例中，上述的第一发光二极管260A为红光发光二极管封装体，上述的第二发光二极管260B为绿光发光二极管封装体，上述的第三发光二极管260C为蓝光发光二极管封装体。惟，在根据本发明的其他实施例，第一发光二极管260A、第二发光二极管260B、第三发光二极管260C，可视需要选择其他可见光发光二极管封装体，且其排列的顺序可视需要加以调整。此外，在根据本发明的其他实施例，第一发光二极管260A、第二发光二极管260B以及第三发光二极管260C也可使用覆晶式发光二极管芯片例如覆晶式红光芯片、覆晶式绿光芯片及覆晶式蓝光芯片加以取代，且其排列顺序可视需要加以调整，在此不再赘述。
此外，如图2C所示，第一发光二极管260A的第五导电端子260A1可藉由固化温度低于摄氏250度的导电胶255与自第(s)列的第二可挠导线230A的第五延伸部230A1延伸出来的第五导电垫245R1电性接触而与第(s)列的第二可挠导线230A电性连接，其第六导电端子260A2同样可藉由固化温度低于摄氏250度的导电胶255与自第(r)行的第一可挠导线220A的第六延伸部220A1延伸出来的第六导电垫245R2电性接触而与第(r)行的第一可挠导线220A电性连接；第二发光二极管260B的第七导电端子260B1可藉由固化温度低于摄氏250度的导电胶255与自第(s)列的第二可挠导线230A的第七延伸部230A2延伸出来的第七导电垫245G1电性接触而与第(s)列的第二可挠导线230A电性连接，其第八导电端子260B2同样可藉由固化温度低于摄氏250度的导电胶255与自第(r+1)行的第一可挠导线220B的第八延伸部220B1延伸出来的第八导电垫245G2电性接触而与第(r+1)行的第一可挠导线220B电性连接；第三发光二极管260C的第九导电端子260C1可藉由固化温度低于摄氏250度的导电胶255与自第(s)列的第二可挠导线230A的第九延伸部230A3延伸出来的第九导电垫245B1电性接触而与第(s)列的第二可挠导线230A电性连接，其第十导电端子260C2同样可藉由固化温度低于摄氏250度的导电胶255与自第(r+2)行的第一可挠导线220C的第十延伸部220C1延伸出来的245B2导电垫245B2电性接触而与第(r+2)行的第一可挠导线220C电性连接。在根据本发明的其他实施例中，导电胶255可与异方向性导电胶(ACF)搭配使用，或者以异方向性导电胶(ACF)取代。
据此，根据本发明实施例三，便可在可挠透明基板上利用可挠线路的设计，将分别代表三原色(R、G、B)的发光二极管封装体或发光二极管芯片固定于可挠透明基板的每一个子画素内，便利地提供一高密度的可挠的发光二极管显示屏。
<实施例四>
以下将配合图式图3A至图3C，说明根据本发明的实施例四的可挠的发光二极管显示屏。
首先，请参照图3A，其显示根据本发明的实施例四的可挠的发光二极管显示屏300的俯视图。如图3A所示，此发光二极管显示屏300包括一透明可挠基板310，其材质可选自聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、玻璃其中之一或其组合，本实施例的第一透明可挠基板310系由可挠的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)所构成。
透明可挠基板310的上表面310A上形成有A行第一可挠导线320A、A行第一可挠导线320B，彼此平行地依序穿插排列，以及B列第二可挠导线330A、B列第二可挠导线330B，分别平行地依序穿插排列。此外，该等第一可挠导线320A、320B及该等第二可挠导线330A、330B彼此交错排列，并界定出A B个画素350，且A、B均为自然数。
此外，第一可挠导线320A、320B透过第一扇形电路340A连接可挠印刷电路板(Flexible Print Circuit Board；FPC)380，进而与位在驱动IC单元及控制电路单元模块390上的驱动电路(未绘示)连接；第二可挠导线330A、330B则透过第二扇形电路340B连接到可挠印刷电路板(Flexible Print Circuit Board；FPC)380，并与位在驱动IC单元及控制电路单元模块390上的驱动电路(未绘示)连接，在此不再赘述。
上述的第一可挠导线320A、320B及第二可挠导线330A、330B，其材料可选自金线、银线、银浆线、铜线、奈米碳管、奈米银、聚二氧乙基噻吩聚苯乙烯磺酸(PEDOT)其中之一或其组合。在本实施例中，第一可挠导线320A、320B及第二可挠导线330A、330B的材料是由奈米碳管所构成。
接着，请参照图3B及图3C，其显示的是其中一个画素350的部分放大图。如图3B所示，每一个画素350均包括：一个第一子画素350A，由第(d)行的第一可挠导线320A与第(e)列的第二可挠导线330A寻址形成；一个第二子画素350B，由第(d+1)行的第一可挠导线320B与第(e)列的第二可挠导线330A寻址形成；一个第三子画素350C，由第(d)行的第一可挠导线320A与第(e+1)列的第二可挠导线330B寻址形成；及一个第四子画素350D，由第(d+1)行的第一可挠导线320B与第(e+1)列的第二可挠导线330B寻址形成。
每一该等第二可挠导线330A、330B均被一绝缘层325覆盖，使得第一可挠导线320A、320B可跨接于每一该等第二可挠导线330A、330B上，其中d、e均为自然数，且1≤d≤2A-1，1≤e≤2A-1。每一该等第二可绝缘层325是一双层结构，包括一第一绝缘层325A及一位在第一绝缘层325A上的第二绝缘层325B，且第二绝缘层325B的垂直投影面积小于第一绝缘层325A。在根据本发明的其他实施例中，绝缘层325也可为一单层结构(未绘示)。此外，在根据本发明的其他实施例中，绝缘层325也可如实施例一仅形成于第一可挠导线320A、320B与第二可挠导线330A、330B交会处(未绘示)，在此不再赘述。
此外，复数个第一发光二极管360A，分别固定于每一该等第一子画素350A内，且每一个第一发光二极管360A非出光面的背面，均包括一第五导电端子360A1及一第六导电端子360A2；复数个第二发光二极管360B，且每一个第二发光二极管360B非出光面的背面，均包括一第七导电端子360B1及一第八导电端子360B2；复数个第三发光二极管360C，分别固定于每一该等第三子画素350C内，且每一个第三发光二极管360C非出光面的背面，均包括一第九导电端子360C1及一第十导电端子360C2；复数个第四发光二极管360D，分别固定于每一该等第四子画素350D内，且每一个第四发光二极管360D非出光面的背面，均包括一第十一导电端子360D1及一第十二导电端子360D2。
在本实施例中，上述的第一发光二极管360A为红光发光二极管封装体，上述的第二发光二极管360B为绿光发光二极管封装体，上述的第三发光二极管360C为蓝光发光二极管封装体，上述的第四发光二极管360D为黄光或白光发光二极管封装体。惟，在根据本发明的其他实施例，第一发光二极管360A、第二发光二极管360B、第三发光二极管360C、第四发光二极管360D，可视需要选择其他可见光发光二极管封装体，且其排列的顺序可视需要加以调整。此外，在根据本发明的其他实施例，第一发光二极管360A、第二发光二极管360B、第三发光二极管360C以及第三发光二极管360D也可使用覆晶式发光二极管芯片例如覆晶式红光芯片、覆晶式绿光芯片、覆晶式蓝光芯片及覆晶式黄光芯片加以取代，且其排列顺序可视需要加以调整，在此不再赘述。
此外，如图3C所示，第一发光二极管360A的第五导电端子360A1可藉由固化温度低于摄氏250度的导电胶355与自第(e)列的第二可挠导线330A的第五延伸部330A1延伸出来的第五导电垫345R1电性接触而与第(e)列的第二可挠导线330A电性连接，其第六导电端子360A2同样可藉由固化温度低于摄氏250度的导电胶355与自第(d)行的第一可挠导线320A的第六延伸部320A1延伸出来的第六导电垫345R2电性接触而与第(d)行的第一可挠导线320A电性连接；第二发光二极管360B的第七导电端子360B1可藉由固化温度低于摄氏250度的导电胶355与自第(e)列的第二可挠导线330A的第七延伸部330A2延伸出来的第七导电垫345G1电性接触而与第(e)列的第二可挠导线330A电性连接，其第八导电端子360B2同样可藉由固化温度低于摄氏250度的导电胶355与自第(d+1)行的第一可挠导线320B的第八延伸部320B1延伸出来的第八导电垫345G2电性接触而与第(d+1)行的第一可挠导线320B电性连接；第三发光二极管360C的第九导电端子360C1可藉由固化温度低于摄氏250度的导电胶355与自第(e+1)列的第二可挠导线330B的第九延伸部330B1延伸出来的第九导电垫345B1电性接触而与第(e+1)列的第二可挠导线330B电性连接，其第十导电端子360C2同样可藉由固化温度低于摄氏250度的导电胶355与自第(d)行的第一可挠导线320A的第十延伸部320A2延伸出来的第十导电垫345B2电性接触而与第(d)行的第一可挠导线320A电性连接；第四发光二极管360D的第十一导电端子360D1可藉由固化温度低于摄氏250度的导电胶355与自第(e+1)列的第二可挠导线330B的第十一延伸部330B2延伸出来的第十一导电垫345Y1电性接触而与第(e+1)列的第二可挠导线330B电性连接，其第十二导电端子360D2同样可藉由固化温度低于摄氏250度的导电胶355与自第(d+1)行的第一可挠导线320B的第十二延伸部320B2延伸出来的第十二导电垫345Y2电性接触而与第(d+1)行的第一可挠导线320B电性连接。在根据本发明的其他实施例中，导电胶355可与异方向性导电胶(ACF)搭配使用，或者以异方向性导电胶(ACF)取代。
据此，根据本发明实施例四，便可在可挠透明基板上利用可挠线路的设计，将分别代表四原色(R、G、B、Y或R、G、B、W)的发光二极管封装体或发光二极管芯片固定于可挠透明基板的每一个子画素内，便利地提供一高密度的可挠的发光二极管显示屏。
综上所述，本发明所提出之各种可挠的发光二极管显示屏，藉由在透明可挠基板上利用可挠线路设计，搭配全彩发光二极管或单色发光二极管背面导电端子位置的变化，使得全彩发光二极管或单色发光二极管均可应用于透明可挠基板，不仅解决全彩发光二极管显示屏之复杂线路问题，且藉由单层透明可挠基板，提供一制程简便且高密度排列的全彩发光二极管显示屏。
以上所述仅为本发明较佳实施例，并非用以限定本发明的范围，任何熟悉本项技术的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可在此基础上做进一步的改进和变化，因此本发明的保护范围当权利要求书所界定的范围为准。

Claims (36)

1.一种可挠的发光二极管显示屏，包括:
一透明可挠基板，其具有一相对的上、下表面；
3M行第一可挠导线、N列第二可挠导线，形成于该可挠基板的该上表面，该等第一可挠导线与该等第二可挠导线彼此交错排列并界定出M×N个画素，每一该等画素是由第(i)行、第(i+1)行、第(i+2)行该等第一可挠导线与第(j)列该等第二可挠导线寻址形成，且M、N、i、j均为自然数，1≤i≤3M-2，1≤j≤N；
一绝缘层，形成于每一该等第一可挠导线与每一该等第二可挠导线交会处并且夹于每一该等第一可挠导线与每一该等第二可挠导线之间，或者覆盖于每一该等第二可挠导线上；
复数个发光二极管封装体，分别固定于每一该等画素内；
一第一扇形电路，连接该等第一可挠导线；
一第二扇形电路，连接该等第二可挠导线；以及
一驱动电路，分别电性连接该第一扇形电路及该第二扇形电路。
2.如权利要求1所述的可挠的发光二极管显示屏，其中该透明可挠基板之材料包括聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、玻璃其中之一或其组合。
3.如权利要求1所述的可挠的发光二极管显示屏，其中该等第一、第二可挠导线之材料包括金线、银线、银浆、铜线、奈米碳管、聚二氧乙基噻吩聚苯乙烯磺酸(PEDOT)、奈米银其中之一或其组合。
4.如权利要求1所述的可挠的发光二极管显示屏，其中每一该等发光二极管封装体均可发出红光、绿光、蓝光及其混合而成的光线。
5.如权利要求4所述的可挠的发光二极管显示屏，其中每一该等发光二极管封装体均包括复数可各自发出红光、绿光或蓝光的发光二极管单元。
6.如权利要求5所述的可挠的发光二极管显示屏，其中每一该等发光二极管封装体均包括三个发光二极管单元，且可各自发出红光、绿光或蓝光的发光二极管单元。
7.如权利要求1所述的可挠的发光二极管显示屏，其中每一该等发光二极管封装体是藉由一可在温度低于摄氏250度被固化的导电胶及/或一种异方向性胶(ACF)被固定在每一该等画素内。
8.如权利要求1所述的可挠的发光二极管显示屏，该绝缘层是由一单层绝缘材料或多层的绝缘材料所构成。
9.如权利要求1至8中任一项所述的可挠的发光二极管显示屏，每一该等发光二极管封装体均包括四个各自独立的第一、第二、第三、第四导电端子，且该第(j)列的第二可挠导线具有一连接一第一导电垫的第一延伸部，该第(i)行的第一可挠导线具有一连接一第二导电垫的第二延伸部，该第(i+1)行的第一可挠导线具有一连接一第四导电垫的第四延伸部，该第(i+2)行的第一可挠导线具有一连接第三导电垫的第三延伸部，其中该第一导电端子藉由连接至该第一导电垫而与该第(j)列的第二可挠导线电性连接，该第二导电端子藉由连接至该第二导电垫与该第(i)行的第一可挠导线电性连接，该第四导电端子藉由连接至该第四导电垫与该第(i+1)行的第一可挠导线电性连接，该第三导电端子藉由连接至该第三导电垫与该第(i+2)行的第一可挠导线电性连接。
10.如权利要求9所述的可挠的发光二极管显示屏，其中该驱动电路包括至少一驱动IC。
11.如权利要求10所述的可挠的发光二极管显示屏，其中该第(i)行的第一可挠导线及该第(i+2)行的第一可挠导线是分别位在该发光二极管的左、右两侧，而该第(i+1)行的第一可挠导线则是位在该发光二极管封装体下方。
12.如权利要求10所述的可挠的发光二极管显示屏，其中该第(i)行的第一可挠导线是位在该发光二极管封装体的左侧，而该第(i+1)行的第一可挠导线和该第(i+2)行的第一可挠导线则是位在该发光二极管封装体的右侧。
13.如权利要求12所述的可挠的发光二极管显示屏，更包括一介电层夹于该第(i+2)行的第一可挠导线的该第三延伸部与该第(i+1)行的第一可挠导线交会处。
14.如权利要求13所述的可挠的发光二极管显示屏，该介电层是由一单层绝缘材料或多层的绝缘材料所构成。
15.一种可挠的发光二极管显示屏，包括:
一透明可挠基板，其具有一相对的上、下表面；
3P行第一可挠导线、Q列第二可挠导线，形成于该可挠基板的该上表面，该等第一可挠导线与该等第二可挠导线彼此交错排列并界定出P×Q个画素，每一该等画素包括：
一第一子画素，由第(r)行该等第一可挠导线与第(s)列该等第二可挠导线寻址而成；
一第二子画素，由第(r+1)行该等第一可挠导线与第(s)列该等第二可挠导线寻址而成；及
一第三子画素，由第(r+2)行行该等第一可挠导线与第(s)列该等第二可挠导线寻址而成；
其中，P、Q、r、s均为自然数，1≤r≤3P-2，1≤s≤Q；
一绝缘层，形成于每一该等第一可挠导线与每一该等第二可挠导线交会处并且夹于每一该等第一可挠导线与每一该等第二可挠导线之间，或者覆盖于每一该等第二可挠导线上；
复数个第一发光二极管，分别固定于每一该等第一子画素内；
复数个第二发光二极管，分别固定于每一该等第二子画素内；
复数个第三发光二极管，分别固定于每一该等第三子画素内；
一第一扇形电路，连接该等第一可挠导线；
一第二扇形电路，连接该等第二可挠导线；以及
一驱动电路，分别电性连接该第一扇形电路及该第二扇形电路。
16.如权利要求15所述的可挠的发光二极管显示屏，其中该透明可挠基板之材料包括聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、玻璃其中之一或其组合。
17.如权利要求15所述的可挠的发光二极管显示屏，其中该等第一、第二可挠导线之材料包括金线、银线、银浆、铜线、奈米碳管、聚二氧乙基噻吩聚苯乙烯磺酸(PEDOT)、奈米银其中之一或其组合。
18.如权利要求15所述的可挠的发光二极管显示屏，其中该等第一发光二极管是红光发光二极管封装体或覆晶式红光发光二极管芯片。
19.如权利要求15所述的可挠的发光二极管显示屏，其中该等第二发光二极管是绿光发光二极管封装体或覆晶式绿光发光二极管芯片。
20.如权利要求15所述的可挠的发光二极管显示屏，其中该等第三发光二极管是蓝光发光二极管封装体或覆晶式蓝光发光二极管芯片。
21.如权利要求15所述的可挠的发光二极管显示屏，其中每一该等第一、第二或第三发光二极管是藉由一可在温度低于摄氏250度被固化的导电胶及/或一种异方向性胶(ACF)分别被固定在每一该等第一、第二或第三子画素内。
22.如权利要求15所述的可挠的发光二极管显示屏，该绝缘层是由一单层或多层的绝缘材料所构成。
23.如权利要求15至22中任一项所述的可挠的发光二极管显示屏，其中:
每一该等第一发光二极管均包括一各自独立的第五、第六导电端子，且该第(s)列的第二可挠导线具有一连接一第五导电垫的第五延伸部，该第(r)行的第一可挠导线具有一连接一第六导电垫的第六延伸部，且每一该等第一发光二极管的该第五导电端子藉由与该第五导电垫接触而与该第(s)列的第二可挠导线电性连接，每一该等第一发光二极管的该第六导电端子则藉由与该第六导电垫接触而与该第(r)行的第一可挠导线电性连接；
每一该等第二发光二极管均包括一各自独立的第七、第八导电端子，且该第(s)列的第二可挠导线具有一连接一第七导电垫的第七延伸部，该第(r+1)行的第一可挠导线具有一连接一第八导电垫的第八延伸部，且每一该等第二发光二极管的该第七导电端子藉由与该第七导电垫接触而与该第(s)列的第二可挠导线电性连接，每一该等第二发光二极管的该第八导电端子则藉由与该第八导电垫接触而与该第(r+1)行的第一可挠导线电性连接；以及
每一该等第三发光二极管均包括一各自独立的第九、第十导电端子，且该第(s)列的第二可挠导线具有一连接一第九导电垫的第九延伸部，该第(r+2)行的第一可挠导线具有一连接一第十导电垫的第十延伸部，且每一该等第三发光二极管的该第九导电端子藉由与该第九导电垫接触而与该第(s)列的第二可挠导线电性连接，每一该等第三发光二极管的该第十导电端子则藉由与该第十导电垫接触而与该第(r+2)行的第一可挠导线电性连接。
24.如权利要求23所述的可挠的发光二极管显示屏，其中该驱动电路包括至少一驱动IC。
25.一种可挠的发光二极管显示屏，包括:
一透明可挠基板，其具有一相对的上、下表面；
2A行第一可挠导线、2B列第二可挠导线，形成于该可挠基板的该上表面上，该等第一可挠导线与该等第二可挠导线彼此交错排列并界定出A×B个画素，每一该等画素包括：
一第一子画素，由第(d)行该等第一可挠导线与第(e)列该等第二可挠导线寻址而成；
一第二子画素，由第(d+1)行该等第一可挠导线与第(e)列该等第二可挠导线寻址而成；
一第三子画素，由第(d)行该等第一可挠导线与第(e+1)列该等第二可挠导线寻址而成；
一第四子画素，由第(d+1)行该等第一可挠导线与第(e+1)列该等第二可挠导线寻址而成；
其中，A、B、d、e均为自然数，1≤d≤2A-1，1≤e≤2B-1；
一绝缘层，形成于每一该等第一可挠导线与每一该等第二可挠导线交会处并且夹于每一该等第一可挠导线与每一该等第二可挠导线之间，或者覆盖于每一该等第二可挠导线上；
复数个第一发光二极管，分别固定于每一该等第一子画素内；
复数个第二发光二极管，分别固定于每一该等第二子画素内；
复数个第三发光二极管，分别固定于每一该等第三子画素内；
复数个第四发光二极管，分别固定于每一该等第四子画素内；
一第一扇形电路，连接该等第一可挠导线；
一第二扇形电路，连接该等第二可挠导线；以及
一驱动电路，分别电性连接该第一扇形电路及该第二扇形电路。
26.如权利要求25所述的可挠的发光二极管显示屏，其中该透明可挠基板之材料包括聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、玻璃其中之一或其组合。
27.如权利要求25所述的可挠的发光二极管显示屏，其中该等第一、第二可挠导线之材料包括金线、银线、银浆、铜线、奈米碳管、聚二氧乙基噻吩聚苯乙烯磺酸(PEDOT)、奈米银其中之一或其组合。
28.如权利要求25所述的可挠的发光二极管显示屏，其中该等第一发光二极管是红光发光二极管封装体或覆晶式红光发光二极管芯片。
29.如权利要求25所述的可挠的发光二极管显示屏，其中该等第二发光二极管是绿光发光二极管封装体或覆晶式绿光发光二极管芯片。
30.如权利要求25所述的可挠的发光二极管显示屏，其中该等第三发光二极管是蓝光发光二极管封装体或覆晶式蓝光发光二极管芯片。
31.如权利要求25所述的可挠的发光二极管显示屏，其中该等第四发光二极管是黄光发光二极管封装体或覆晶式黄光发光二极管芯片。
32.如权利要求25所述的可挠的发光二极管显示屏，其中该等第四发光二极管是白光发光二极管封装体或覆晶式白光发光二极管芯片。
33.如权利要求25所述的可挠的发光二极管显示屏，其中每一该等第一、第二、第三或第四发光二极管是藉由一可在温度低于摄氏250度被固化的导电胶及/或一种异方向性胶(ACF)分别被固定在每一该等第一、第二、第三、第四子画素内。
34.如权利要求25所述的可挠的发光二极管显示屏，该绝缘层是由一单层或多层的绝缘材料所构成。
35.如权利要求25至34中任一项所述的可挠的发光二极管显示屏，其中:
每一该等第一发光二极管均包括一各自独立的第五、第六导电端子，且该第(e)列的第二可挠导线具有一连接一第五导电垫的第五延伸部，该第(d)行的第一可挠导线具有一连接一第六导电垫的第六延伸部，且每一该等第一发光二极管的该第五导电端子藉由与该第五导电垫接触而与该第(e)列的第二可挠导线电性连接，每一该等第一发光二极管的该第六导电端子则藉由与该第六导电垫接触而与该第(d)行的第一可挠导线电性连接；
每一该等第二发光二极管均包括一各自独立的第七、第八导电端子，且该第(e)列的第二可挠导线具有一连接一第七导电垫的第七延伸部，该第(d+1)行的第一可挠导线具有一连接一第八导电垫的第八延伸部，且每一该等第二发光二极管的该第七导电端子藉由与该第七导电垫接触而与该第(e)列的第二可挠导线电性连接，每一该等第二发光二极管的该第八导电端子则藉由与该第八导电垫接触而与该第(d+1)行的第一可挠导线电性连接；
每一该等第三发光二极管均包括一各自独立的第九、第十导电端子，且该第(e+1)列的第二可挠导线具有一连接一第九导电垫的第九延伸部，该第(d)行的第一可挠导线具有一连接一第十导电垫的第十延伸部，且每一该等第三发光二极管的该第九导电端子藉由与该第九导电垫接触而与该第(e+1)列的第二可挠导线电性连接，每一该等第三发光二极管的该第十导电端子则藉由与该第十导电垫接触而与该第(d)行的第一可挠导线电性连接；
每一该等第四发光二极管均包括一各自独立的第十一、第十二导电端子，且该第(e+1)列的第二可挠导线具有一连接一第十一导电垫的第十一延伸部，该第(d+1)行的第一可挠导线具有一连接一第十二导电垫的第十二延伸部，且每一该等第四发光二极管的该第十一导电端子藉由与该第十一导电垫接触而与该第(e+1)列的第二可挠导线电性连接，每一该等第四发光二极管的该第十二导电端子则藉由与该第十二导电垫接触而与该第(d+1)行的第一可挠导线电性连接。
36.如权利要求35所述的可挠的发光二极管显示屏，其中该驱动电路包括至少一驱动IC。
CN201610616639.1A 2015-09-30 2016-07-29 一种可挠的发光二极管显示屏 Active CN106558646B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW104132015 2015-09-30
TW104215650 2015-09-30
TW104132015A TWI585943B (zh) 2015-09-30 2015-09-30 一種可撓的發光二極體顯示器
TW104215650U TWM516776U (zh) 2015-09-30 2015-09-30 一種可撓的發光二極體顯示器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106558646A CN106558646A (zh) 2017-04-05
CN106558646B true CN106558646B (zh) 2019-02-19

Family

ID=56800836

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610616639.1A Active CN106558646B (zh) 2015-09-30 2016-07-29 一种可挠的发光二极管显示屏
CN201620818908.8U Withdrawn - After Issue CN206076285U (zh) 2015-09-30 2016-07-29 一种可挠的发光二极管显示屏

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201620818908.8U Withdrawn - After Issue CN206076285U (zh) 2015-09-30 2016-07-29 一种可挠的发光二极管显示屏

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9865646B2 (zh)
CN (2) CN106558646B (zh)
DE (2) DE202016104122U1 (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9865646B2 (en) * 2015-09-30 2018-01-09 Cheng-Chang TransFlex Display Corp. Flexible LED display
KR102617968B1 (ko) * 2016-10-31 2023-12-27 삼성전자주식회사 디스플레이장치 및 그 제조방법
FR3068516B1 (fr) * 2017-06-30 2019-08-09 Aledia Dispositif optoelectronique comprenant des diodes electroluminescentes
CN108511431A (zh) * 2018-05-21 2018-09-07 佛山市国星光电股份有限公司 一种led显示单元组及显示面板
CN109103176A (zh) * 2018-08-10 2018-12-28 深圳市晶泓科技有限公司 一种led发光组件、led发光面板以及led显示屏
KR102591777B1 (ko) * 2018-09-21 2023-10-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI682531B (zh) * 2019-06-04 2020-01-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
CN111341218A (zh) * 2020-03-11 2020-06-26 深圳市思坦科技有限公司 一种汽车前挡玻璃led显示屏及制备方法
CN111261659A (zh) * 2020-03-11 2020-06-09 深圳市思坦科技有限公司 一种发动机顶盖led显示屏及制备方法
CN112992879B (zh) * 2021-02-10 2023-10-17 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板、背光模组及显示面板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7592970B2 (en) * 1998-02-17 2009-09-22 Dennis Lee Matthies Tiled electronic display structure
CN101556419A (zh) * 2004-02-04 2009-10-14 夏普株式会社 显示装置
CN102592516A (zh) * 2012-02-29 2012-07-18 信利半导体有限公司 一种大尺寸显示屏
CN206076285U (zh) * 2015-09-30 2017-04-05 正昌新视界有限公司 一种可挠的发光二极管显示屏

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101480356B1 (ko) * 2008-06-09 2015-01-09 삼성디스플레이 주식회사 연성 인쇄 회로 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR101048974B1 (ko) * 2010-04-01 2011-07-12 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 스크린 패널

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7592970B2 (en) * 1998-02-17 2009-09-22 Dennis Lee Matthies Tiled electronic display structure
CN101556419A (zh) * 2004-02-04 2009-10-14 夏普株式会社 显示装置
CN102592516A (zh) * 2012-02-29 2012-07-18 信利半导体有限公司 一种大尺寸显示屏
CN206076285U (zh) * 2015-09-30 2017-04-05 正昌新视界有限公司 一种可挠的发光二极管显示屏

Also Published As

Publication number Publication date
DE102016113908A1 (de) 2017-04-13
US20170092691A1 (en) 2017-03-30
US9865646B2 (en) 2018-01-09
CN106558646A (zh) 2017-04-05
CN206076285U (zh) 2017-04-05
DE202016104122U1 (de) 2016-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106558646B (zh) 一种可挠的发光二极管显示屏
US11500496B2 (en) Display device
KR102638304B1 (ko) 표시장치
CN107665907A (zh) 显示装置
CN109857272A (zh) 显示装置
JP2021051315A (ja) 電子機器
KR102035005B1 (ko) 터치 표시장치
CN107680984A (zh) 有机发光显示模块
KR102456493B1 (ko) 표시장치
CN108023028A (zh) 背板基板和使用背板基板的柔性显示器
CN107017273A (zh) 使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法
CN105051804A (zh) 使用半导体发光器件的显示装置
US10262563B2 (en) LED display
WO2021160090A1 (zh) 显示面板以及显示装置
CN109212803A (zh) 显示装置及其制造方法
JP7448708B2 (ja) 入出力装置
CN110147179A (zh) 一种触控显示基板及其制作方法、触控显示装置
CN107621901A (zh) 显示装置以及包括其的便携式终端
CN109448617A (zh) 显示面板和显示装置
CN103872081A (zh) 包括触摸板的有机发光二极管显示设备
KR20170047057A (ko) 디스플레이 장치
CN109979907A (zh) 电子产品
CN111354867A (zh) 用于显示器的封装结构
TWM520726U (zh) 一種可撓的發光二極體顯示器
TWM546017U (zh) 一種可撓的發光二極體顯示器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: Hsinchu County, Taiwan, China

Applicant after: Zhengchang new horizon Limited by Share Ltd

Address before: Hsinchu County, Taiwan, China

Applicant before: Zhengchang new vision Co Ltd

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20191030

Address after: 11 / F, No.71, Dazhong South Street, West District, Taichung, Taiwan, China

Patentee after: Xinchen Technology Co., Ltd

Address before: Hsinchu County, Taiwan, China

Patentee before: Zhengchang New Horizon Co., Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220302

Address after: No. 19 Lane 17 lane, Guangming Road, Hsinchu, Taiwan, China 19

Patentee after: Fan Wenchang

Address before: 11 / F, No.71, Dazhong South Street, West District, Taichung, Taiwan, China

Patentee before: Xinchen Technology Co.,Ltd.