CN106537772B - 声波器件 - Google Patents

Abstract

一种可小型化的声波器件。所述声波器件的某些示例包括：衬底；IDT电极，设置在所述衬底上方；布线电极，设置在所述衬底上方且连接到所述IDT电极；密封体，密封激励空间，所述IDT电极在所述激励空间中激发声波；以及密封墙，设置在所述布线电极上方并且形成所述密封体的一部分。所述布线电极的外周包括突起。在一示例中，所述布线电极包括设置在所述衬底的上表面上的第一布线电极和设置在所述第一布线电极的上表面上的第二布线电极，所述第二布线电极的外周具有突起。

Description

声波器件

技术领域

多个方面和实施例涉及用于各种电子设备的声波器件。

相关申请的交叉引用

本申请依据美国法典第35卷第119节和PCT第8条主张2014年7月31日提交的题为“声波器件”的共同未决日本专利申请No.2014-155795的优先权，其通过引用整体合并于此以用于所有目的。

背景技术

通常，声波器件是众所周知的，其可作为用作无线通信设备的分路滤波器(branching filter)或高频滤波器的电子部件。日本专利申请公开No.2012-109925描述了常规声波器件的例子。

引文列表

专利文献

专利文献1：日本专利申请公开No.2012-109925

发明内容

常规的声波器件难以小型化，因为小型化会使叉指换能器电极(IDT电极)的激励区域更靠近声波器件的密封构件，这会影响激励特性。

多个方面和实施例涉及提供一种声波器件，其相对于具有可比拟的特征和/或性能的常规声波器件的尺寸而言可被小型化。

根据某些实施例，一种声波器件包括：衬底；设置在所述衬底上方的IDT电极；连接到所述IDT电极的布线电极，所述布线电极的外周具有突起；密封激励空间的密封体，所述IDT电极在所述激励空间中激发声波；以及设置在所述布线电极上方并且形成所述密封体的一部分的密封墙。

在外周给所述布线电极提供突起使得所述声波器件能被小型化而不削弱激励特性，因为所述突起防止了形成所述密封体和所述密封墙的构件进入所述IDT电极的激励区域。

所述声波器件的各种实施例可包括下列特征中的任何一个或多个。

根据一实施例，一种声波器件包括：衬底；设置在所述衬底上方的IDT电极；密封激励空间的密封体，所述IDT电极在所述激励空间中激发声波；设置在所述衬底上方并且连接到所述IDT电极的布线电极，所述布线电极包括形成在所述布线电极的外周上并且配置为突出到所述激励空间中的突起；以及设置在所述布线电极上方并且形成所述密封体的一部分的密封墙，所述密封墙通过所述突起与所述IDT电极间隔开。

在一示例中，所述布线电极包括设置在所述衬底的上表面上的第一布线电极、以及设置在所述第一布线电极的上表面上的第二布线电极，所述突起形成在所述第二布线电极的外周上。

在一示例中，所述声波器件还包括覆盖所述IDT电极的第一电介质膜，所述第二布线电极的至少一部分设置在所述第一电介质膜上方。在另一示例中，所述声波器件还包括覆盖所述IDT电极的第一电介质膜，所述第二布线电极覆盖所述第一电介质膜的外周。在另一示例中，所述声波器件还包括覆盖所述IDT电极并且覆盖所述第一布线电极的外周的第一电介质膜。所述声波器件还可包括覆盖所述布线电极和所述第一电介质膜的第二电介质膜，所述密封墙设置在所述第二电介质膜上方。在另一示例中，所述声波器件还包括覆盖所述IDT电极的第一电介质膜，所述突起设置在所述第一电介质膜的外周上方。

在一示例中，所述声波器件还包括设置在所述密封体的上表面上的端电极、以及将所述布线电极连接到所述端电极的连接电极。

根据另一实施例，一种声波器件包括：压电衬底；设置在所述压电衬底的上表面上的IDT电极；设置在所述压电衬底的上表面上并且连接到所述IDT电极的第一布线电极；第二布线电极，所述第二布线电极的至少一部分设置在所述第一布线电极的上表面上，所述第二布线电极包括形成在所述第二布线电极的外周上并且配置为突出到激励空间中的突起；以及密封所述激励空间的密封体，所述IDT电极在所述激励空间中激发声波，所述密封体包括设置在所述第二布线电极上方的密封墙，所述密封墙通过所述突起与所述IDT电极间隔开。

在一示例中，所述声波器件还包括覆盖所述IDT电极的第一电介质膜。在另一示例中，所述第一电介质膜设置在所述第一布线电极的外周之上，所述第二布线电极的一部分设置在所述第一电介质膜的外周之上。所述声波器件还可包括覆盖所述第二布线电极和所述第一电介质膜的第二电介质膜，所述密封墙设置在所述第二电介质膜上方。

另一些方面和实施例涉及提供使用这种声波器件的声波滤波器和天线双工器、以及使用其的模块和通信设备。

在一实施例中，天线双工器包括发射滤波器和接收滤波器，所述发射滤波器和所述接收滤波器中的至少一个包括根据上述实施例、示例或配置中的任一项的声波器件。

另一实施例涉及包括该天线双工器的模块。

根据另一实施例，一种模块包括声波滤波器，所述声波滤波器包括上述实施例、示例或配置中的任一项的声波器件。

另一实施例涉及包括上述实施例、示例或配置的声波器件的通信装置。

根据另一实施例，一种声波器件的制造方法包括如下步骤：提供衬底；在所述衬底的上表面上形成IDT电极；在所述衬底上方形成连接到所述IDT电极的布线电极，所述布线电极包括形成在所述布线电极的外周上并且配置为突出到激励空间中的突起，所述IDT电极在所述激励空间中激发声波；以及形成密封所述激励空间的密封体，所述密封体包括设置在所述布线电极上方并且通过所述突起与所述IDT电极间隔开的密封墙。

在一示例中，形成所述布线电极包括在所述衬底的上表面上形成第一布线电极，以及在所述第一布线电极的上表面上形成第二布线电极，包括在所述第二布线电极的外周上形成所述突起。

在另一示例中，所述方法还包括形成覆盖所述IDT电极的第一电介质膜。在这个示例中，形成所述第二布线电极可包括在所述第一电介质膜的外周之上形成所述第二布线电极的一部分。在一示例中，形成所述第一电介质膜包括形成覆盖所述第一布线电极的外周的所述第一电介质膜。

所述方法还可包括形成覆盖所述第二布线电极和所述第一电介质膜的第二电介质膜。在一示例中，形成所述密封体包括在所述第二电介质膜之上形成所述密封墙。

在另一示例中，所述方法还包括如下步骤：形成穿过所述密封墙延伸到所述布线电极的连接电极；在所述密封墙之上形成端电极；以及通过所述连接电极将所述端电极连接到所述布线电极。

下面将详细论述这些示例性方面和实施例的又另一些方面、实施例和优点。这里公开的实施例可以根据这里公开的原理中的至少一种以任何方式与其它实施例相组合，对“一实施例”、“一些实施例”、“一替代实施例”、“各种实施例”、“一个实施例”等的提及不一定是互斥的，旨在表明所描述的特定的特征、结构、或特性可被包括在至少一个实施例中。文中这些术语的出现不一定全部都涉及同一实施例。

附图说明

下面将参照附图论述至少一实施例的各个方面，附图无意是按比例绘制的。包括附图以提供对各个方面和实施例的示范和进一步理解，并且其被包括在本说明书中构成本说明书的一部分，但是无意定义对本发明的限制。在附图中，各图中示出的每个相同或近乎相同的部件由类似的数字表示。为了清楚起见，可能并非每个部件在每幅附图中都被标注。附图中：

图1是示出根据本发明一些方面的声波器件的一实施例的横截面视图和所述声波器件的一部分的对应俯视图的图；

图2是根据本发明一些方面的声波器件的另一实施例的横截面视图；

图3是根据本发明一些方面的声波器件的另一实施例的横截面视图；

图4A是根据本发明一些方面的声波器件制造方法的一示例的流程图；

图4B是根据本发明一些方面的声波器件制造方法的另一示例的流程图；

图5是根据本发明一些方面的声波器件制造方法的一部分的流程图，其可以是图4A或4B的方法的一部分；

图6是根据本发明一些方面的包括声波器件的天线双工器的一示例的框图；

图7是根据本发明一些方面的包括声波器件的模块的一示例的框图；以及

图8是根据本发明一些方面的包括图6的天线双工器的通信设备的一示例的框图。

具体实施方式

如上所述，一些方面和实施例涉及一种声波器件，其通过在布线电极的外周上包括突起而具有改善的小型化能力，所述突起防止了密封体和/或密封墙侵入IDT电极的激励区域上，由此防止了较小(小型化)的声波器件的激励特性劣化。

将理解，这里论述的方法和装置的实施例在应用时不限于下面描述或附图所示的部件构造和布置的细节。方法和装置能实施在其他实施例中并且以各种方式实践或执行。这里仅出于示范的目的提供了具体实施方式的示例，而无意成为限制。此外，这里使用的短语和术语是用于描述，而不应视为限制。这里使用的“包括”、“包含”、“具有”、“含有”、“涉及”及其变型意味着涵盖其后所列项和其等价物、以及附加项。对“或”的提及可解释为包括性的，从而用“或”描述的任何术语可表明描述项中的单个、超过一个、以及全部中的任何一种。任何涉及前和后、左和右、顶和底、上和下等是为了描述的方便，无意将本申请的系统和方法或它们的组合限制在任一位置或空间取向。特别地，诸如“上方”、“下方”、“上表面”、“下表面”等的指示方向的术语用于指定相对方向，其仅取决于包括在声波器件中的诸如衬底、IDT电极等之类的部件之间的相对位置关系，因此无意指定诸如垂直方向等之类的绝对方向。

参考图1，示出根据一实施例的声波器件的示例。图1示出了声波器件11的横截面视图，以及声波器件的一部分的对应俯视图。沿线A-AA截取的横截面视图对应于由虚线包围的区域。如图1所示，声波器件11包括衬底12、设置在衬底12的上表面上的叉指换能器电极(IDT电极)13、设置在衬底12的上表面上的布线电极14、覆盖IDT电极13的第一电介质膜15、密封激励空间16的密封体17、以及设置在密封体17的上表面上的端电极18，IDT电极13在激励空间16中激发声波。

在一示例中，衬底12优选地形成为压电衬底，其可由诸如例如钽酸锂、铌酸锂、石英晶体等之类的压电单晶体制成。

IDT电极13由设置在衬底12的上表面上的对置的梳形电极形成，以形成用于响应于电信号输入而在衬底12的上表面上激发特定声波的谐振器。IDT电极13可由诸如铝、铜、银、金、钛、钨、钼、铂或铬之类的单种金属元素，或例如主要由这些元素中的一种或多种组成的合金，或其层状结构制成。例如，IDT电极13的厚度(当IDT电极13具有层状结构时，厚度为该结构的总厚度)范围为0.2至0.6μm。

布线电极14是设置在衬底12的上表面上的金属布线，且连接到IDT电极13以形成声波器件11的电路。

在一些示例中，布线电极14包括设置在衬底12的上表面上的第一布线电极19和设置在第一布线电极19上方的第二布线电极20。就材料和/或层结构而言，第一布线电极19可具有与IDT电极13相同的配置。

第一电介质膜15覆盖第一布线电极19的外周。覆盖第一布线电极19外周的第一电介质膜15保护IDT电极13和第一布线电极19免受腐蚀和机械应力。

第二布线电极20形成在第一布线电极19上方并且其一部分形成在第一电介质膜15上方。第二布线电极20的一部分可形成在第一布线电极19的覆盖有第一电介质膜15的区域上方，从而使得第二布线电极20的这部分可形成在不同层级(在衬底12的表面上方的不同高度)与第一布线电极19交叉的布线。这可改善布线设计的灵活性。

第二布线电极20的外周形成在第一电介质膜15上方，突起22形成在第二布线电极20的外周上。突起22可以在在第一电介质膜15的外周上方形成第二布线电极20以允许第二布线电极20与第一电介质膜15交叠的工艺中形成，而不需要任何其他工艺。

将布线电极14配置为第一布线电极19和第二布线电极20的分层结构可增大布线电极14的厚度。结果，布线电极14的电阻可降低从而减少声波器件11的损耗。增大的厚度也可有效地耗散IDT电极13产生的热量。

在一示例中，第一电介质膜15是用于覆盖衬底12的上表面的绝缘膜，并且是主要由例如氧化硅(SiO₂)组成的无机绝缘膜，以保护IDT电极13不受化学降解和机械应力。第一电介质膜15可由具有与衬底12的频率温度系数符号相反的频率温度系数的成分形成，从而使得由于温度改变引起的声波器件11的频率特性的波动可得到抑制。用第二布线电极20覆盖第一电介质膜15的外周防止了湿气进入第一电介质膜15和衬底12之间，并且还保护了第一电介质膜15的外周免受外加应力。

继续参考图1，密封体17密封激励空间16，激励空间16用于IDT电极13在衬底12的表面中激发表面声波。密封体17可由例如光固化聚酰亚胺树脂或光固化环氧树脂形成，并且可在其内包括(金属等的)加强构件。密封体17包括密封墙23，其从侧表面支持激励空间16并且密封激励空间16。密封墙23可设置在第二布线电极20上方，并且通过突起22与IDT电极13的激励区域分隔开。在一些示例中，密封墙23由与密封体17相同的材料形成。

如上所述，包括突起22的布线电极14可防止形成密封体17的密封构件进入IDT电极13的激励空间，从而可以防止声波器件11的激励特性的劣化。特别地，密封墙23通过突起22与IDT电极13间隔开，从而防止密封体17进入IDT电极13的激励区域，并且声波器件11的可靠性得到改善。

在一示例中，端电极18是由金属制成的电极，并且设置在密封体17的上表面上。端电极18通过柱状连接电极21连接到衬底12上的布线电极14，并且可用作声波器件11的输入/输出端子或接地端子以用于与外部电路(未示出)相接合。将端电极18设置在密封体17的上表面上并且通过连接电极21将布线电极14连接到端电极18可进一步有助于允许减小声波器件11的尺寸。

因此，总言之且如上所述，声波器件11包括：衬底12；设置在衬底12上方的IDT电极13；设置在衬底12上方并且连接到IDT电极13的布线电极14，布线电极14包括在外周上的突起22；密封激励空间16的密封体17，IDT电极13在激励空间16中激发声波；以及设置在布线电极14上方并且形成密封体17的一部分的密封墙23。因此，可防止形成密封体17的密封构件进入IDT电极13的激励区域，从而使得声波器件11可被小型化而不削弱激励特性。

此外，在声波器件11的一些示例中，布线电极14配置为包括设置在衬底12的上表面上的第一布线电极19和设置在第一布线电极19的上表面上的第二布线电极20，第二布线电极20具有在外周上的突起22。因此，连接到IDT电极13的布线电极14的厚度可增大以减小布线电极14的电阻从而减少声波器件11的损耗，并且还有效地耗散IDT电极13产生的热量，从而使得声波器件11的可靠性可得到改善。此外，可独立于第二布线电极20的布线图案来设计第一布线电极19的布线图案，因此可根据密封墙23的定位来设置突起22。

另外，声波器件11包括覆盖IDT电极13且还覆盖第一布线电极19的外周的第一电介质膜15。因此，可以更有效地保护IDT电极13和布线电极14免受腐蚀和机械应力，从而使得声波器件11的可靠性可得到改善。

此外，在声波器件11中，第二布线电极20的一部分可设置在第一电介质膜15上方，使得这些布线可布置为第二布线电极20的该部分和经过第一电介质膜15下面的第一布线电极19之间在不同层级处彼此交叉，从而容易地改善设计灵活性。另外，第一电介质膜15的外周可覆盖有第二布线电极20，从而更有效地保护第一电介质膜15免受湿气和应力，由此改善声波器件11的可靠性。

如上所述，在声波器件11的某些示例中，突起22设置在第一电介质膜15的外周上方，从而不需要任何附加工艺即可形成突起22。特别地，在第一电介质膜15的外周上方形成第二布线电极20可实现第一电介质膜15和第二布线电极20之间在厚度上的交叠结构。

参考图2，以横截面示出了根据本发明一些方面的声波器件31的另一实施例。图2所示的声波器件31的与图1所示的实施例的声波器件11相同的部件由相同的附图标记指示且不再进一步描述。图2所示的声波器件31与图1所示的声波器件11的不同之处在于，有第二电介质膜32覆盖第一电介质膜15和第二布线电极20。

类似于声波器件11，声波器件31可通过包括形成在布线电极14的外周上的突起33而防止形成密封体17的密封构件进入IDT电极13的激励区域。如上所述，这防止了声波器件31的激励特性的劣化，因此可以使声波器件小型化。

声波器件31还包括覆盖第一电介质膜15和第二布线电极20的第二电介质膜32。密封墙23设置在第二电介质膜32上，如图2所示。提供如此定位的第二电介质膜23可有助于更有效地防止对IDT电极13的腐蚀。此外，对第二布线电极20的腐蚀可通过用第二电介质膜32覆盖第二布线电极20的暴露到激励空间16的部分而得到防止。结果，声波器件31的可靠性可得到进一步改善。

图3示出了根据另一实施例的声波器件41的横截面视图。图4所示的声波器件41的与图1所示的实施例的声波器件11和/或图2所示的实施例的声波器件31的部件相同的部件由类似的附图标记指示并且不再进一步描述。图3所示的声波器件41与图1所示的声波器件11和图2所示的声波器件31的不同之处在于，第一电介质膜15和第二电介质膜32被去除。

即便第一电介质膜15和第二电介质膜32没有出现在声波器件41中，布线电极14具有突起42以防止形成密封体17的密封构件进入IDT电极13的激励区域，使得声波器件41可被小型化而不会使激励特性劣化，如上面论述的那样。

这里公开的声波器件的实施例和示例可用作例如使用在诸如无线通信设备之类的各种电子设备中的电子部件。

参考图4A，示出了根据某些方面和实施例的声波器件的制造方法400的一示例的流程图。第一步骤402包括提供压电衬底12。如上所述，例如，压电衬底可由诸如钽酸锂、铌酸锂、石英晶体等之类的压电单晶体制成。步骤403包括在压电衬底12上形成IDT电极13。如上所述，例如，IDT电极13可由诸如铝、铜、银、金、钛、钨、钼、铂或铬之类的单金属元素，或主要由前述元素中的一种或多种组成的合金，或其分层结构制成。因此，形成IDT电极13的步骤403可包括使用各种已知的金属沉积技术中的任意技术，例如，诸如溅射、电镀等，任选地借助于光刻技术来将IDT电极形成为期望的形状。

步骤410包括在压电衬底12的上表面上形成布线电极14并且将布线电极连接到IDT电极。如上所述，在某些示例中，布线电极14可具有与IDT电极13相同或相似的配置，因此可类似地使用例如已知的金属沉积和光刻技术形成。当布线电极14包括第一布线电极19和形成在第一布线电极上方的第二布线电极20时，第一布线电极19和IDT电极13可在相同步骤中形成。步骤410包括在布线电极14的外周上形成突起22，如上所述，突起22延伸到IDT电极13上方的激励空间16中。

步骤404包括形成密封结构以密封激励空间16。形成密封结构包括形成密封体17和密封墙23以维持和密封激励空间16。如上所述，突起22防止密封结构侵入激励空间16中。在某些示例中，例如，步骤404包括形成光固化或光敏树脂的密封体17和密封墙23，诸如光固化聚酰亚胺树脂或光固化环氧树脂。因此，步骤404可包括借助于已知的光刻技术执行图案化方法。更具体地，步骤404可包括在衬底12和/或布线电极14的上表面上施加光敏树脂成分，然后利用曝光、显影和固化步骤来图案化该成分。

如上所述且参考图4B，在某些示例中，方法400'还包括在密封体17的上表面上形成端电极18的步骤405。在一示例中，端电极18由金属制成，因此，步骤405可包括使用各种已知的金属沉积技术中的任何技术来形成端电极，包括但不限于溅射、电镀等。

在某些示例中，端电极18通过柱状连接电极21连接到布线电极14。因此，方法400'可包括将端电极18连接到布线电极14的步骤406。步骤406可包括在步骤405之前在密封体17中通过例如刻蚀来形成开口以暴露布线电极14的一部分。在一示例中，步骤405和406包括在开口中形成柱状连接电极21并且将端电极18连接到柱状连接电极21。可选地，在开口中形成柱状连接电极21可作为形成端电极18的工艺的一部分来执行。或者，可在形成端电极18之前形成柱状连接电极21。

同样如上所述，在某些实施例中，布线电极14包括第一布线电极19和第二布线电极20。因此，在该方法的某些示例中，形成布线电极的步骤410可由图5所示的工艺替代或补充。图5为示出声波器件的制造方法的一部分410'的一示例的流程图，其可在图4A和/或4B的方法中被包括在步骤410处。

参照图5，步骤412包括在衬底12的上表面上形成第一布线电极19。如上所述，第一布线电极19可与IDT电极13在相同步骤中形成。步骤416包括在第一布线电极19上方形成第二布线电极20。如上所述，在某些实施例中，例如，如图3所示，步骤416包括在第一布线电极19上形成第二布线电极20。然而，在另一些示例中，第二布线电极20的至少一部分通过电介质膜与第一布线电极19分隔开。因此，方法410'可任选地包括形成覆盖第一布线电极19的外周的第一电介质膜15的步骤414，例如，如图1和2所示的那样。在某些示例中，例如，电介质膜15为诸如SiO₂膜之类的绝缘膜，步骤414可包括使用各种已知的沉积技术和任选地图案化技术中的任何技术。形成第二布线电极的步骤416可包括在第一电介质膜的外周上方形成部分第二布线电极20，使得第一电介质膜位于部分第一和第二布线电极之间，例如，如图1和2所示的那样。

方法400、400'和/或410还可任选地包括形成覆盖第一电介质膜15和第二布线电极20的第二电介质膜32的步骤418，例如，如图2所示的那样。在该示例中，形成密封结构的步骤404可包括在第二电介质膜32上形成密封墙23。

如上所述，多个方面和实施例可实现具有改善的可靠性和/或性能的声波器件，并且其可被小型化而不削弱激励特性。受益于本公开，本领域技术人员将理解，将诸如声波滤波器、天线双工器、模块或通信设备之类的部件或设备配置为例如使用根据本公开的声波器件实施例可实现通过由声波器件提供的益处而具有增强或改善的特征的这种部件或设备。

根据一实施例，声波器件可用于提供具有改善的特性的天线双工器。图6示出了可包括这里公开的声波器件实施例的天线双工器的一示例的框图。天线双工器600包括连接到共用的天线端子606的发射滤波器602和接收滤波器604。发射滤波器602包括用于将发射滤波器连接到发射机电路(未示出)的发射侧端子603，接收滤波器包括用于将接收滤波器连接到接收机电路(未示出)的接收侧端子605。发射滤波器602和接收滤波器604中的任一个或二者可包括声波器件11、31和/或41中的一个或多个。通过将天线双工器600配置为使用声波器件11、31和/或41，可以实现具有改善的特性和增强的性能(起因于上述声波器件的改善的特性)的天线双工器。

此外，声波器件11、31、41的实施例可任选地作为天线双工器600的部件被包括到例如最终用在诸如无线通信设备之类的设备中的模块内，以提供具有增强的性能的模块。图7为示出包括声波器件11、31和/或41的模块700的一示例的框图。模块700还包括用于提供信号互连的连接702、用于电路封装的诸如例如封装基板之类的封装704、以及诸如例如放大器、前置滤波器、调制器、解调器、下变频器等之类的其他电路晶片706，如半导体制造领域的技术人员鉴于本公开而将知晓的那样。。在某些实施例中，模块700中的声波器件11、31或41可由天线双工器600替代以提供例如RF模块。

此外，将声波滤波器和/或天线双工器配置为使用声波器件11、31和/或41的实施例可获得使用其实现具有增强的性能的通信设备的效果。图8是通信设备800(例如，无线或移动设备)的一示例的示意性框图，通信设备800可包括天线双工器600，如上所述，天线双工器600可包含一个或多个声波器件11、31和/或41。通信设备800可代表例如多频带和/或多模式设备，诸如多频带/多模式移动电话。在某些实施例中，通信设备800可包括天线双工器600、通过发射侧端子603连接到天线双工器的发射电路802、通过接收侧端子605连接到天线双工器600的接收电路804、以及通过天线端子606连接到天线双工器的天线806。发射电路802和接收电路804可为收发机的一部分，收发机可生成用于通过天线806发射的RF信号并且可从天线806接收传入的RF信号。通信设备800还可包括控制器808、计算机可读介质810、处理器812和电池814。

将理解，与RF信号的发射和接收相关联的各种功能可通过在图8中表示为发射电路802和接收电路804的一个或多个部件实现。例如，单个部件可配置为提供发射和接收两个功能。在另一示例中，发射和接收功能可通过单独的部件提供。

类似地，将理解，与RF信号的发射和接收相关联的各种天线功能可通过在图8中共同表示为天线806的一个或多个部件实现。例如，单个天线可配置为提供发射和接收两个功能。在另一示例中，发射和接收功能可通过单独的天线提供。在通信设备为多频带设备的又一示例中，与通信设备800相关联的不同频带可具有不同的天线。

为便于接收和发射路径之间的切换，天线双工器600可配置为将天线806电连接到选定的发射或接收路径。因此，天线双工器600可提供与通信设备800的操作相关联的多个开关功能。另外，如上所述，天线双工器600包括配置为提供RF信号的滤波的发射滤波器602和接收滤波器604。如上所述，发射滤波器602和接收滤波器604中的任一个或二者可包括声波器件11、31和/或41的实施例，并因此通过受益于使用声波器件11、31和/或41而实现的小型化能力和改善的连接可靠性而提供增强的特征和/或性能。

如图8所示，在某些实施例中，可提供控制器808以用于控制与天线双工器600和/或其他操作部件的操作相关联的各种功能。在某些实施例中，处理器812可配置为便于用于通信设备800的操作的各种过程的实施。通过处理器812执行的过程可由计算机程序指令实施。这些计算机程序指令可被提供给通用计算机、专用计算机或用于生产机器的其它可编程数据处理装置的处理器，使得经由计算机或其他可编程数据处理装置的处理器运行的指令创建用于操作通信设备800的机制。在某些实施例中，这些计算机程序指令也可存储在计算机可读介质810中。电池814可为任何适于用在通信设备800中的电池，包括例如锂离子电池。

上面已描述了至少一实施例的若干方面，将理解，对本领域技术人员而言，将容易想到各种替代、修改和改进。这些替代、修改和改进旨在是本公开的一部分并且旨在落在本发明的范围内。因此，前面的描述和附图仅是示例性的，本发明的范围应根据对所附权利要求的适当理解及其等价物来确定。

Claims (20)

1.一种声波器件，包括：

压电衬底；

叉指换能器IDT电极，设置在所述压电衬底上方；

电介质密封体，密封激励空间，所述IDT电极在所述激励空间中激发声波；

布线电极，连接到所述IDT电极，所述布线电极包括直接设置在所述压电衬底的上表面上并且与之接触的第一布线电极、以及直接设置在所述第一布线电极的上表面上并且与之接触的第二布线电极，所述第二布线电极包括形成在所述第二布线电极的外周上并且配置为突出得超过所述第一布线电极的外周进入到所述激励空间中的突起；以及

密封墙，设置在所述第二布线电极上方，与所述电介质密封体连续并且形成所述电介质密封体的一部分，所述密封墙通过所述突起与所述IDT电极间隔开，并且具有定义所述激励空间的侧边缘的侧表面。

2.根据权利要求1所述的声波器件，还包括覆盖所述IDT电极的第一电介质膜，所述第二布线电极的至少一部分设置在所述第一电介质膜上。

3.根据权利要求2所述的声波器件，其中，所述第二布线电极的设置在所述第一电介质膜上方的部分包括所述突起。

4.根据权利要求1所述的声波器件，还包括覆盖所述IDT电极的第一电介质膜，所述第二布线电极覆盖所述第一电介质膜的外周。

5.根据权利要求1所述的声波器件，还包括覆盖所述IDT电极且覆盖所述第一布线电极的外周的第一电介质膜。

6.根据权利要求5所述的声波器件，还包括覆盖所述第二布线电极和所述第一电介质膜的第二电介质膜，所述密封墙设置在所述第二电介质膜上。

7.根据权利要求1所述的声波器件，还包括覆盖所述IDT电极的第一电介质膜，所述突起设置在所述第一电介质膜的外周上方。

8.根据权利要求1所述的声波器件，还包括：

端电极，设置在所述电介质密封体的上表面上；以及

连接电极，将所述布线电极连接到所述端电极。

9.一种天线双工器，包括：

发射滤波器；以及

接收滤波器，所述接收滤波器和所述发射滤波器中的至少一个包括权利要求1所述的声波器件。

10.一种模块，包括权利要求9所述的天线双工器。

11.一种模块，包括声波滤波器，所述声波滤波器包括权利要求1所述的声波器件。

12.一种通信设备，包括权利要求1所述的声波器件。

13.一种声波器件的制造方法，所述方法包括：

提供压电衬底；

在所述压电衬底的第一表面上形成叉指换能器IDT电极；

在所述压电衬底上形成连接到所述IDT电极的布线电极，包括在形成所述IDT电极的步骤期间在所述压电衬底的第一表面上形成第一布线电极，以及在所述第一布线电极的表面上形成第二布线电极，所述第二布线电极包括形成在所述第二布线电极的外周上并且配置为突出得超过所述第一布线电极进入到激励空间中的突起，所述IDT电极在所述激励空间中激发声波；以及

形成密封所述激励空间的电介质密封体，所述电介质密封体包括设置在所述第二布线电极上且通过所述突起与所述IDT电极间隔开的密封墙，所述密封墙具有定义所述激励空间的边缘的侧表面。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：

形成穿过所述密封墙延伸到所述第二布线电极的连接电极；

在所述密封墙之上形成端电极；以及

通过所述连接电极将所述端电极连接到所述第二布线电极。

15.根据权利要求13所述的方法，还包括形成覆盖所述IDT电极的第一电介质膜。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述第二布线电极包括在所述第一电介质膜的外周之上形成所述第二布线电极的包括所述突起的部分。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，形成所述第一电介质膜包括形成覆盖所述第一布线电极的外周的所述第一电介质膜。

18.根据权利要求17所述的方法，还包括形成覆盖所述第二布线电极和所述第一电介质膜的第二电介质膜。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，形成所述电介质密封体包括在所述第二电介质膜之上形成所述密封墙。

20.一种声波器件，包括：

压电衬底；

叉指换能器IDT电极，设置在所述压电衬底的第一表面上；

第一布线电极，与所述IDT电极相邻地设置在所述压电衬底的第一表面上；

第一电介质膜，覆盖所述IDT电极和所述第一布线电极的外周；

第二布线电极，设置在所述第一布线电极的表面上且包括突起，所述突起在所述第一电介质膜的外周之上延伸到所述IDT电极上方的激励空间中，所述IDT电极在所述激励空间中激发声波，所述第一和第二布线电极中的至少一个电连接到所述IDT电极；

电介质密封结构，延伸于所述IDT电极在其中激发声波的所述激励空间之上且密封所述激励空间，所述电介质密封结构包括设置在所述第二布线电极上并且与之接触的密封墙，所述密封墙通过所述突起与所述IDT电极间隔开，并且具有定义所述激励空间的侧边缘的侧表面；

端电极，设置在所述密封结构的上表面上；以及

连接电极，延伸穿过所述密封结构并且将所述端电极电连接到所述第二布线电极。