CN106488603B - 显示装置和其制造方法 - Google Patents
显示装置和其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106488603B CN106488603B CN201610757709.5A CN201610757709A CN106488603B CN 106488603 B CN106488603 B CN 106488603B CN 201610757709 A CN201610757709 A CN 201610757709A CN 106488603 B CN106488603 B CN 106488603B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- display device
- resin layer
- area
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 101
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 393
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 199
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 199
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 55
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 134
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 104
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 100
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 59
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 20
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 17
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 16
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 8
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 21
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 21
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 6
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 5
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 150000002632 lipids Chemical class 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- LLLVZDVNHNWSDS-UHFFFAOYSA-N 4-methylidene-3,5-dioxabicyclo[5.2.2]undeca-1(9),7,10-triene-2,6-dione Chemical compound C1(C2=CC=C(C(=O)OC(=C)O1)C=C2)=O LLLVZDVNHNWSDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- HIVGXUNKSAJJDN-UHFFFAOYSA-N [Si].[P] Chemical compound [Si].[P] HIVGXUNKSAJJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MXSJNBRAMXILSE-UHFFFAOYSA-N [Si].[P].[B] Chemical compound [Si].[P].[B] MXSJNBRAMXILSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PLXMOAALOJOTIY-FPTXNFDTSA-N Aesculin Natural products OC[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H]1Oc2cc3C=CC(=O)Oc3cc2O PLXMOAALOJOTIY-FPTXNFDTSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/851—Division of substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Geometry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种通过提高水分阻隔性而提高可靠性的显示装置的制造方法。准备具有多个第一区域和包围各个上述第一区域的形状的第二区域的基体。避开第二区域而在多个第一区域形成树脂层。在第二区域形成防湿性比树脂层高的埋入层。在树脂层和埋入层之上，形成包括对构成图像的多个单位像素分别控制亮度而进行发光的自发光元件层的功能层。以通过第二区域的线将埋入层和功能层切断，使得将树脂层与多个第一区域分别对应地分离为多个部分。
Description
技术领域
本发明涉及显示装置和其制造方法。
背景技术
作为电脑或便携电话等信息通信终端等的显示装置，广泛应用具有一对基板的显示装置。作为这样的显示装置，近年来具有挠性的显示装置得以开发。这样的显示装置使用在具有挠性的树脂基板上形成有薄膜晶体管的TFT(thin film transistor)基板，或者使用在树脂基板上形成有彩色滤光片的彩色滤光片基板。
作为具有挠性的显示装置的制造方法，专利文献1公开了在将TFT母基板与相对母基板粘贴后，按每个显示区域切断TFT基板和相对基板的方法。
进而，专利文献2公开了在聚酰亚胺的相对基板与黑矩阵一体化的部件覆盖相对基板的周围的构造。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006－185679号公报
专利文献2：日本特开2014－149517号公报
发明内容
发明所要解决的课题
作为制造中小型的显示装置的方法，已知有将大幅的拼板分割而得到所需尺寸的显示装置的方法。关于拼板，在由玻璃基板等形成的基体上形成多个中小型的显示装置之后，对该基体进行划线(例如，使用金属等针划出刻痕，或者用激光线划出刻痕)，再将其切断(沿着划线形成的刻痕进行切断)，由此能够得到多个显示装置。
在由上述方法制造挠性的显示装置时，将在基体形成有挠性的树脂膜的部件切断，在所制造的显示装置的侧面，该树脂膜的侧面的截面暴露于外部。
此处，由于树脂膜是缺乏水分阻隔性的，所以外部的水分可能通过树脂膜进入显示装置内部。假如水分进入了显示装置内部，则会引起显示不良等问题，使显示装置的可靠性降低。
本发明的目的是提供通过提高水分阻隔性而可靠性得到提高的显示装置和该显示装置的制造方法。
此外，本发明的上述目的和其它目的以及新的特征，根据本说明书的记载和附图能够明确。
用于解决课题的技术方案
本发明的显示装置的制造方法的特征在于，包括：准备具有多个第一区域和包围各个上述第一区域的形状的第二区域的基体，避开上述第二区域地在上述多个第一区域形成树脂层的工序；在上述第二区域形成防湿性比上述树脂层高的埋入层的工序；在上述树脂层和上述埋入层之上，形成包含对构成图像的多个单位像素分别控制亮度而进行发光的自发光元件层的功能层的工序；和以通过上述第二区域的线切断上述埋入层和上述功能层，将上述树脂层与上述多个第一区域分别对应地分离成多个部分的工序。
此外，本发明的显示装置的特征在于，包括：第一树脂层；在上述第一树脂层的周围，以具有载置在上述第一树脂层的上表面的部分的方式设置的第一框体；层叠在上述第一树脂层的上表面和上述第一框体的上表面，包含对构成图像的多个单位像素分别控制亮度而进行发光的自发光元件层的功能层。
附图说明
图1是示意性地表示本发明的第一实施方式的显示装置的平面图。
图2是表示图1的切断线Ⅱ-Ⅱ的截面的图，是表示第一实施方式的显示装置的结构的图。
图3是将图2的由虚线Ⅲ包围的区域放大表示的图。
图4是表示第二实施方式的显示装置的结构的截面图。
图5是说明第一实施方式的显示装置的制造方法的流程图。
图6A是说明第一实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示在第一基体层叠有第一树脂层的状态的图。
图6B是说明第一实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示除去了第一树脂层的一部分的状态的图。
图6C是说明第一实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示形成有第一埋入层的状态的图。
图6D是说明第一实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示形成有包含自发光元件层的第一功能层的状态的图。
图6E是说明第一实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示在第二基体层叠有第二树脂层的状态的图。
图6F是说明第一实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示除去第二树脂层的一部分后形成有第二埋入层的状态的图。
图6G是说明第一实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示形成有包含彩色滤光片层的第二功能层的状态的图。
图6H是说明第一实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示将图6D所示的第一基板和图6G所示的第二基板粘贴后的状态的图。
图6I是说明第一实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示将拼板按与显示装置相当的各个单元切断的状态的图。
图6J是说明第一实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示将第一、第二基体剥离后的状态的图。
图6K是说明第一实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示安装保护膜，第一实施方式的显示装置完成后的状态的图。
图7是表示第三实施方式的显示装置的结构的截面图。
图8是表示第四实施方式的显示装置的结构的截面图。
图9A是说明第三实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示在第一基体层叠有第一树脂层的状态的图。
图9B是说明第三实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示除去了第一树脂层的一部分的状态的图。
图9C是说明第三实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示形成有第一埋入层的状态的图。
图9D是说明第三实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示形成有包含自发光元件层的第一功能层的状态的图。
图9E是说明第三实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示在第二基体形成有第二树脂层的状态的图。
图9F是说明第三实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示将第二树脂层的一部分除去后形成有第二埋入层的状态的图。
图9G是说明第三实施方式的显示装置的制造方法的图，是形成有包含彩色滤光片层的第二功能层的状态的图。
图9H是说明第三实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示将图9D所示的第一基板与图9G所示的第二基板粘贴后的状态的图。
图9I是说明第三实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示将拼板按与显示装置相当的各个单元切断的状态的图。
图9J是说明第三实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示将第一、第二基体剥离后的状态的图。
图9K是说明第三实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示安装保护膜，第三实施方式的显示装置完成后的状态的图。
附图标记说明
10、20 显示装置；100 第一基板；110 第一树脂层；120 第一埋入层；130 第一功能层；131 TFT层；132 自发光元件层；132A 像素电极；132B 共用电极；132C 发光层；133第一阻挡层；134 第二阻挡层；140 第一保护膜；200 第二基板；210 第二树脂层；220 第二埋入层；230 第二功能层；231 彩色滤光片层；231R、231G、231B 着色层；232 第三阻挡层；300 密封件；400 填充件；500 第一基体；600 第二基体。
具体实施方式
[第一实施方式的显示装置]
首先，参照图1～3说明本发明第一实施方式的显示装置的概要。
图1是示意性地表示本发明第一实施方式的显示装置的平面图。此外，图2是表示图1的切断线Ⅱ‐Ⅱ的截面的图，是表示第一实施方式的显示装置的结构的图。图3是将图2的由虚线Ⅲ包围的区域放大而表示的图。
本发明第一实施方式的显示装置10包括第一基板100和作为相对基板的第二基板200，第一基板100具有包含自发光元件层132等的功能层。
首先说明第一基板100的结构。第一基板100包括由挠性树脂形成的第一树脂层110和在第一树脂层110上形成的第一功能层130。
第一树脂层110由柔软性优良且具有挠性的材料形成，例如可以由聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)形成。
此外，也可以在第一树脂层110的下表面侧(与后述的薄膜晶体管(TFT)层131相对的一侧的相反侧)，安装有将来自外部的水分阻隔的第一保护膜140。第一保护膜140例如可以由聚乙烯膜、铝膜等形成。
此外，如图2所示，在第一树脂层110的侧面部具有第一框体120，第一框体120设置成具有能够载置在第一树脂层110的上表面(与后述的TFT层131相对的一侧的面)的部分。此外，如图1所示，第一框体120设置在第一树脂层110的周围。
此外，为了将第一框体120以载置在第一树脂层110的上表面的方式设置，可以使第一框体120的厚度比第一树脂层110的厚度大。
另外，显示装置10所具有的第一框体120，在其制造方法中以埋入第一树脂层110的周围的方式形成，在后面详细说明。因此，在后面对第一框体120的说明中，将其称为第一埋入层120。
如图3所示，第一埋入层120以埋入第一树脂层110的周围的方式形成，由此设置成具有载置于第一树脂层110的上表面的部分。
此外，形成第一埋入层120的材料的防湿性比形成第一树脂层110的材料的防湿性高。即，第一埋入层120的防湿性比第一树脂层110的防湿性高。
此外，第一埋入层120也可以由无机材料形成。第一树脂层110如上所述由聚酰亚胺等有机树脂形成。有机树脂与无机材料相比与水的亲和性更高，因此容易吸入由外部的水蒸气等引起的水分，因此防湿性低。
在假设外部的水分经由第一树脂层110侵入了显示装置10的内部时，可能对自发光元件层132等产生不良影响，而引起显示不良等。
显示装置10所具有的第一埋入层120，为了抑制来自外部的水分侵入显示装置10内部，形成为覆盖第一树脂层110的外表面。而且，第一埋入层120以覆盖至第一树脂层110的上表面的一部分的方式设置，因此进一步抑制水分向显示装置10内部的侵入。
第一功能层130如图2所示可以包括：TFT层131；在TFT层131的与第一树脂层110相对的一侧的相反侧形成的自发光元件层132；在TFT层131与第一树脂层110之间设置的第一阻挡层133；和在自发光元件层132的与TFT层131相对的一侧的相反侧形成的第二阻挡层134。
而且，如图2所示，第二阻挡层134可以配置成包围TFT层131的侧面和自发光元件层132的端面。构成第一功能层130的一部分的第一阻挡层133和第二阻挡层134保护第一功能层130的内部不受来自外部的腐蚀性气体、水分、金属离子等的污染。
第一阻挡层133和第二阻挡层134例如也可以由Al2O3、SiO2等金属氧化物、SiN等金属氮化物等形成。此外，第一阻挡层133和第二阻挡层134例如也可以使用CVD(chemicalvapor deposition，化学气相沉积)法、PVD法(physical vapor deposition，物理气相沉积)、ALD(atomic layer deposition，原子层沉积)法形成。
此外，构成第一功能层130的一部分的TFT层131中，在第一树脂层110上矩阵状地配置着具有薄膜晶体管(TFT)的像素。
构成TFT层131的一部分的TFT可以包括：多晶硅等半导体膜；覆盖半导体膜的栅极绝缘膜；隔着栅极绝缘膜配置在半导体膜的上方的栅极；和贯通栅极绝缘膜与半导体膜电连接的源极和漏极。此外，用于控制构成TFT层131的多个TFT的控制电路(未图示)，例如也可以配置在上述的第一树脂层110上。
此外，构成第一功能层130的一部分的自发光元件层132，设置成对各个构成图像的多个单位像素控制亮度而进行发光。自发光元件层132包括共用电极132B、位于共用电极132B与TFT层131之间的多个像素电极132A、设置在共用电极132B与多个像素电极132A之间的发光层132C。
共用电极132B也可以由ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)、IZO(Indium ZincOxide，铟锌氧化物)等透明金属的导电膜形成。
此外，本说明书中的发光层132C可以是有机发光层，也可以是以QLED(Quantum-dot Light Emitting Diode，量子点发光二极管)等为代表的无机发光层。此外，有机发光层可以包括电子输送层、空穴输送层、电子注入层、空穴注入层等。
第一实施方式中的显示装置10的发光层132C由发出单色(白色)的光的材料对多个像素电极132A连续地设置。作为其它方式，发光层132C也可以对各个像素电极132A分成多色(例如R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)三色)的发光部而设置。
接着，说明第二基板200的结构。第二基板200包括由挠性的树脂形成的第二树脂层210和在第二树脂层210上形成的第二功能层230。
第二树脂层210由柔软性优良且具有挠性的材料形成，例如可以由聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)形成。
此外，也可以在第二树脂层210的上表面侧(与后述的彩色滤光片层231相对的一侧的相反侧)安装抑制来自外部的物理性损伤等的第二保护膜(未图示)。第二保护膜例如也可以由聚乙烯膜等形成。
此外，在第二树脂层210的侧面部也可以具有以包围第二树脂层210的周围的方式设置的第二框体220。此外，第二框体220也可以以在俯视时与第一框体120和后述的密封件300至少部分重叠的方式配置。
另外，以包围第二树脂层210的周围的方式设置的第二框体220，在其制造方法中以埋入第二树脂层210的周围的方式形成，对此在后面详细说明。因此，在后面的对第二框体220的说明中，将其称为第二埋入层220。
此外，形成第二埋入层220的材料的防湿性比形成第二树脂层210的材料高。
此外，第二埋入层220可以由无机材料形成。第二树脂层210如上所述由聚酰亚胺等有机树脂形成。在假设外部的水分经由第二树脂层210侵入第二基板200的内部时，由于在第二基板200内部产生雾气等理由可能会引起显示不良等。
显示装置10所具有的第二埋入层220，为了抑制来自外部的水分侵入显示装置10内部，以覆盖第二树脂层210的侧端面的方式形成。
第二功能层230如图2所示可以包括彩色滤光片层231、在彩色滤光片层231的与第二树脂层210相对的一侧的相反侧形成的第三阻挡层232。
构成第二功能层230的一部分的彩色滤光片层231，也可以如图2所示构成为包括R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)的着色层231R、231G、231B。从上述自发光元件层132发出的光为单色(白色)时，从自发光元件层132发出的光(白色)，由于通过各色的着色层231R、231G、231B而从外部看见R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)的各个颜色。
彩色滤光片层231中包含的各个着色层231R、231G、231B可以通过在树脂内将R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)各个颜色的颜料分布在内部而形成。
此外，彩色滤光片层231，为了防止通过了各个颜色的区域的光进入邻接的其它颜色的区域，也可以在各色的着色层231R、231G、231B之间具有黑矩阵231K。此外，黑矩阵231K可以通过在树脂内将黑色顔料分布在内部而形成。
另外，构成第一功能层130的一部分的发光层132C分为多个颜色(例如R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)三色)的发光部而设置，为所谓的分开涂敷方式的发光层132C时，第二功能层230也可以不包括彩色滤光片层231。
构成第二功能层230的一部分的第三阻挡层232保护第二功能层230的内部不受来自外部的腐蚀性气体、水分、金属离子等的污染。第三阻挡层232例如可以由Al2O3、SiO2等金属氧化物、SiN等金属氮化物等形成。此外，第三阻挡层232例如可以使用CVD法、PVD法、ALD法形成。
第一实施方式的显示装置10可以通过上述说明的第一基板100与作为相对基板的第二基板200隔着密封件300(也称为隔阻件)和/或填充件400(也称为填充物)彼此粘贴而形成。
如图2所示，第一实施方式的显示装置10中，构成第一基板100的一部分的第二阻挡层134和第二基板200隔着填充件400和在俯视时以包围填充件400的周围的方式配置的密封件300彼此粘贴。
此外，如图2所示，如上所述将第一基板100与第二基板200粘贴，由此第一阻挡层133和第二阻挡层134被密封件300和第一埋入层120夹着。
填充件400例如可以是光固化树脂等。在填充件400由光固化树脂形成时，可以在配置填充件400的区域的周缘设置密封件300，使固化前的光固化树脂流入由密封件300包围的区域，之后进行光固化，由此进行第一基板100和第二基板200的粘贴。
此外，为了在第一基板100与作为相对基板的第二基板200之间使两基板的间隔均匀，可以设置有间隔件350。间隔件350可以仅设置在密封件300的外侧区域。此外，间隔件350以埋入第一基板100的端部与第二基板200的端部之间的方式设置。
如图2所示，在第一实施方式的显示装置10设置有，在密封件300的与填充件400相对的一侧的相反侧、且在第二阻挡层134与第二基板200之间配置的间隔件350。
[第二实施方式的显示装置]
以下，参照图4说明本发明第二实施方式的显示装置20。图4是表示第二实施方式的显示装置的结构的截面图。
第二实施方式的显示装置20的第一埋入层120的形状与第一实施方式的显示装置10所具有的第一埋入层120的形状不同。第二实施方式的显示装置20的其它结构与第一实施方式的显示装置10相同。
构成第二实施方式的显示装置20的一部分的第一埋入层120在俯视时设置在第一树脂层110的周围，并且设置成覆盖第一树脂层110的上表面(与TFT层131相对的一侧的面)的整体。
第二实施方式的显示装置20的第一埋入层120设置成覆盖第一树脂层110的周围和上表面的整个面，由此与第一实施方式的显示装置10比较，能够进一步抑制水分向显示装置20内部的侵入。
[第一实施方式的显示装置的制造方法]
接着说明第一实施方式的显示装置的制造方法。图5是说明第一实施方式的显示装置的制造方法的流程图。
如图5所示，第一实施方式的显示装置10的制造方法可以包括第一基板形成工序S1和第二基板形成工序S2。
第一基板形成工序S1包括：准备具有多个第一区域和包围各个第一区域的形状的第二区域的第一基体500，避开第二区域地在多个第一区域形成第一树脂层110的工序(第一树脂层形成工序S11和第一树脂层局部除去工序S12)；在第二区域形成防湿性比第一树脂层110高的第一埋入层120的工序(第一埋入层形成工序S13)；在第一树脂层110和第一埋入层120之上形成第一功能层130的工序(第一功能层形成工序S14)，第一功能层130包括对构成图像的多个单位像素的各个控制亮度而进行发光的自发光元件层132。
而且，第一实施方式的显示装置10的制造方法包括以使第一树脂层110与多个第一区域分别对应地被分割成多个部分的方式，以通过第二区域的线将第一埋入层120和第一功能层130切断的工序(切断工序S4)。
另外，在后面详细说明的切断工序S4中，在图6A～6K中用附图标记SL表示以通过第二区域的线将第一埋入层120和第一功能层130切断的切割线。
此外，第二基板形成工序S2包括：准备第二基体600，在第二基体600上形成第二树脂层210的工序(第二树脂层形成工序S21)；形成防湿性比第二树脂层210高的第二埋入层220的工序(第二埋入层形成工序S22)；和在第二树脂层210和第二埋入层220之上形成包括彩色滤光片层231的第二功能层230的工序(第二功能层形成工序S23)。
以下参照图6A～6K说明第一实施方式的显示装置10的制造方法中的各个工序。
图6A是说明第一实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示在第一基体层叠有第一树脂层的状态的图。
在制造第一实施方式的显示装置时，在最初准备的第一基体500形成挠性的第一树脂层110(第一树脂层形成工序S11)。第一树脂层形成工序S11是如下工序：准备具有多个第一区域和包围各个第一区域的形状的第二区域的第一基体500，在多个第一区域和第二区域形成第一树脂层110的工序。
第一基体500所具有的第一区域A1包括用于在后面的工序中形成构成第一功能层130的一部分的自发光元件层132的区域。此外，第二区域A2包围用于形成自发光元件层132的区域的周围，在该区域内包含在后面的切断工序S4中进行切断的切割线SL。
所准备的第一基体500可以由无机材料形成。具体而言，第一基体500可以由玻璃等形成。
此外，第一树脂层110例如可以通过在第一基体500上涂敷将规定的树脂溶解在溶剂等中而得的树脂漆，再使溶剂挥发而形成。
在后面的工序中，第一基体500与所形成的第一树脂层110剥离。因此，第一基体500优选由考虑了与第一树脂层110的剥离的容易性等的材料形成，例如可以由玻璃等无机材料形成。
由玻璃等无机材料形成的第一基体500与由有机材料形成的第一树脂层110的亲和性弱，因此在后面的工序中能够容易地剥离。
图6B是说明第一实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示除去了第一树脂层的一部分的状态的图。
在第一树脂层局部除去工序S12中，将在第一树脂层形成工序S11形成的第一树脂层110中的、形成于第二区域A2的第一树脂层110的一部分除去。即，在第一基体500上仅留有在多个第一区域A1形成的第一树脂层110。
第一树脂层局部除去工序S12中的第一树脂层110的局部除去，例如可以通过使用规定的掩模进行图案化来实现。
此外，第一树脂层局部除去工序S12中的第一树脂层110的局部除去，例如可以采用作为使用激光线的加工技术的激光熔蚀来实现。利用激光熔蚀进行的第一树脂层110的局部除去，可以不使用掩模地进行，因此能够带来削减运营费、无需导入专用设备、降低制造成本的效果。
图6C是说明第一实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示形成有第一埋入层的状态的图。
由第一树脂层局部除去工序S12将第一树脂层110的一部分除去，由此在第一基体500上形成凹部110CP。在第一埋入层形成工序S13中，以将该凹部110CP填埋的方式形成第一埋入层120。
形成第一埋入层120的材料的防湿性比形成第一树脂层110的材料的防湿性高。例如第一埋入层120由防湿性优良的无机材料形成时，第一埋入层120可以使用CVD法、PVD法、ALD法形成。
这样，以填埋预先形成于第一树脂层110的凹部的方式形成第一埋入层120，由此能够容易地以具有载置在第一树脂层110的上表面的部分的方式形成第一埋入层120。
图6D是说明第一实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示形成有包括自发光元件层的第一功能层的状态的图。
在第一功能层形成工序S14中，形成用于发挥显示装置10的显示功能的第一功能层130。具体而言，本实施方式的显示装置10的第一功能层130包括TFT层131、自发光元件层132。
TFT层131、自发光元件层132可以使用作为已知的半导体制造工艺方法的光蚀刻技术(PEP技术、光刻技术等)形成。
以上，经过参照图6A～6D说明的工序，完成第一基板形成工序S1。
接着，参照图6E～6G说明第二基板形成工序S2。第二基板形成工序S2由与之前说明的第一基板形成工序S1不同的工序进行。
图6E是说明第一实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示在第二基体层叠有第二树脂层的状态的图。
在第二基板形成工序S2中，在最初准备的第二基体600形成挠性的第二树脂层210(第二树脂层形成工序S21)。在第二树脂层形成工序S21中，以覆盖第二基体600的一侧的整个面的方式形成第二树脂层210。
此外，所准备的第二基体600可以由无机材料形成。具体而言，第二基体600可以由玻璃等形成。
此外，第二树脂层210例如可以通过将在溶剂等中溶解有规定的树脂而得的树脂漆涂敷在第二基体600上，再使溶剂挥发而形成。
在之后的工序中，第二基体600与所形成的第二树脂层210剥离。因此，第二基体600优选由考虑了与第二树脂层210的剥离的容易性的材料形成，例如可以由玻璃等无机材料形成。
由玻璃等的无机材料形成的第二基板200，与由有机材料形成的第二树脂层210的亲和性弱，因此在之后的工序中能够容易地剥离。
图6F是说明第一实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示将第二树脂层的一部分除去后形成有第二埋入层的状态的图。
第二埋入层220是通过在将所形成的第二树脂层210的一部分除去而形成的凹部210CP中填埋规定的材料而形成的。该凹部210CP例如可以采用使用规定的掩模进行图案化的方法、或者采用作为使用激光线的加工技术的激光熔蚀的方法来形成。
此外，形成第二埋入层220的材料的防湿性可以比形成第二树脂层210的材料的防湿性高。在第二埋入层220由无机材料形成时，例如可以使用CVD法、PVD法、ALD法来形成。
图6G是说明第一实施方式的显示装置的制造方法的图，是形成了包括彩色滤光片层的第二功能层的状态的图。
彩色滤光片层231可以使用作为已知方法的光蚀刻技术(PEP技术、光刻技术等)来形成。
经过以上参照图6E～6G说明的工序，第二基板形成工序S2结束。
接着，使图6D所示的第一基板100和图6G所示的第二基板200粘贴(第一、第二基板粘贴工序S3)。图6H是说明第一实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示将图6D所示的第一基板和图6G所示的第二基板粘贴后的状态的图。
两基板(第一、第二基板100、200)的粘贴，可以隔着在形成于两基板的第一埋入层120、第二埋入层220的周边设置的密封件300进行。可以在第一基板100与第二基板200之间以填埋间隙的方式填充填充件400。
此外，在本工序中，可以在之后进行的切断工序S4中被切断的位置、即在将第一埋入层120和第一功能层130切断的切割线SL上设置间隔件350，以使得第一基板100与第二基板200的间隔保持一定。
此外，参照图6D，可以以作为相对基板的第二基板200所具有的第二埋入层220位于与第二区域A2对应的位置的方式，将第二基板200与第一基板100粘贴。
通过这样粘贴，在切断工序S4中被切断的线上分别配置有第一埋入层120、第二埋入层220。此处，在第一埋入层120和/或第二埋入层220由无机材料形成的情况下，因为一般来说无机材料具有比有机材料脆而易破裂的性质，所以具有在之后的切断工序S4中容易进行切断的优点。
接着，将在第一、第二基板粘贴工序S3中粘贴而得的结构切断为与显示装置10相当的各个单元(切断工序S4)。图6I是说明第一实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示将拼板切断为与显示装置相当的各个单元的状态的图。
切断工序S4例如通过对第一、第二基体500、600进行划线(例如使用金属等针划出刻痕，或者用激光线划出刻痕)后将其断开(沿着划线出的刻痕切断)而进行的。即，在切断工序S4中，可以将第一基体500与第一埋入层120、第一功能层130一起切断。此外，在切断工序S4中，可以将第二基板200与第一埋入层120、第一功能层130一起切断。
接着，从切断为与显示装置10相当的各个单元的状态的结构，将各个被切断的第一、第二基体500、600剥离(基体(玻璃基板)除去工序S5)。
图6J是说明第一实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示将第一、第二基体剥离后的状态的图。
如之前所说明的，由玻璃等无机材料形成的第一、第二基体500、600与由有机材料形成的第一、第二树脂层110、210的亲和性弱，因此在本工序中能够容易地进行剥离。
最后，在剥离了第一基体500而露出的第一树脂层110的面，安装用于防止来自外部的水分侵入或者来自外部的物理损伤的第一保护膜140(保护膜形成工序S6)。
另外，在保护膜形成工序S6中，在剥离了第二基体600而露出的第二树脂层210的面，安装用于防止物理损伤的第二保护膜(未图示)。
图6K是说明第一实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示安装保护膜，第一实施方式的显示装置完成后的状态的图。如图6K所示，第一保护膜140配置在第一树脂层110的配置第一功能层130的一侧的相反侧。
经过以上的工序，能够得到第一实施方式的显示装置10。
经过上述制造工序得到的显示装置10的特征在于，包括：树脂层；以具有能够载置于上述树脂层的上表面的部分的方式设置在上述树脂层的周围的框体；和层叠在上述树脂层的上表面和上述框体的上表面的、对构成图像的多个单位像素分别控制亮度而发光的自发光元件层132。
而且，经过上述制造工序得到的显示装置10是提高了水分阻隔性从而提高了可靠性的显示装置10。
[第三实施方式的显示装置]
以下参照图7说明本发明第三实施方式的显示装置30。图7是表示第三实施方式的显示装置的结构的截面图。
第三实施方式的显示装置30的第一埋入层120的形状与第一实施方式的显示装置10所具有的第一埋入层120的形状不同。第三实施方式的显示装置30的其它结构与第一实施方式的显示装置10相同。
构成第三实施方式的显示装置30的一部分的第一埋入层120由两部分构成。更具体而言，第一埋入层120中载置在第一树脂层的上表面的部分，由通过CVD、PVD、ALD等形成的第一无机绝缘膜120A形成。
第一无机绝缘膜120A可以是由AlO、SiO、SiN、SiC、SiCN、SiON、SiOCN等材料形成的膜。由于该材料通过CVD、PVD、ALD等形成，因此第一无机绝缘膜120A形成为更致密的膜。
高密度的第一无机绝缘膜120A阻隔水分、气体的性能高，结果显示装置30的可靠性进一步得以提高。另一方面，第一无机绝缘膜120A在工艺上难以形成膜厚大的覆膜。
因此，第三实施方式的显示装置30除了第一无机绝缘膜120A之外，还包括由SOG(Spin on Glass，旋涂玻璃)、PSG(Phosphorus Silicon Glass，磷硅玻璃)、BPSG(BoronPhosphorus Silicon Glass，硼磷硅玻璃)等形成的第二无机绝缘膜120B。
由SOG、PSG、BPSG等形成的第二无机绝缘膜120B与第一无机绝缘膜120A相比密度较低，反过来说，材料特性上能够形成膜厚大的覆膜，埋入特性优良。
这样，第一埋入层120由密度不同的两个无机绝缘膜构成，由此第一埋入层120的厚度比第一树脂层110的厚度大。由此，能够抑制由密封件300进入凹部110CP引起的密封性的降低，或者能够抑制因间隔件350进入凹部110CP而两基板的间隔不均匀的情况。
此外，在切割线SL上设置有由无机材料形成的第三实施方式的显示装置30的第一埋入层120，由此还具有在制造工艺中容易进行切断的优点。
[第四实施方式的显示装置]
以下参照图8说明本发明第四实施方式的显示装置40。图8是表示第四实施方式的显示装置的结构的截面图。
第四实施方式的显示装置40的第一埋入层120的形状与第一实施方式的显示装置10所具有的第一埋入层120的形状不同。第四实施方式的显示装置40的其它结构与第一实施方式的显示装置10相同。
构成第四实施方式的显示装置40的一部分的第一埋入层120在俯视时设置在第一树脂层110的周围，并且覆盖第一树脂层110的上表面(与TFT层131相对的一侧的面)的整体。
此外。构成第四实施方式的显示装置40的一部分的第一埋入层120与构成第三实施方式的显示装置30的一部分的第一埋入层120相同，由两部分构成。
覆盖第一树脂层110的上表面的整体的部分由通过CVD、PVD、ALD等形成的第一无机绝缘膜120A形成。此外，第四实施方式的显示装置40除了第一无机绝缘膜120A还包括由SOG、PSG、BPSG等形成的第二无机绝缘膜120B。
这样，第一无机绝缘膜120A覆盖第一树脂层110的上表面的整体，由此能够进一步提高显示装置40的可靠性。
另外，在图8所示的第四实施方式的显示装置40中，设置有构成第一功能层130的一部分的第一阻挡层133，但是由于具有第一无机绝缘膜120A，也可以省略第一阻挡层133。
[第三实施方式的显示装置的制造方法]
接着，说明第三实施方式的显示装置的制造方法。第三实施方式的显示装置30的制造与第一实施方式的显示装置10的制造相同，按照图5所示的流程进行。
以下，参照图9A～9K说明第三实施方式的显示装置30的制造方法中的各个工序。
图9A是说明第三实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示在第一基体层叠有第一树脂层的状态的图。
在制造第三实施方式的显示装置时，在最初准备的第一基体500形成挠性的第一树脂层110(第一树脂层形成工序S11)。第一树脂层形成工序S11是下述工序：准备具有多个第一区域和包围各个第一区域的形状的第二区域的第一基体500，在多个第一区域和第二区域形成第一树脂层110。
在第三实施方式的显示装置30的制造中，在第一基体500上的形成第一树脂层110的面，预先形成有牺牲剥离层700。牺牲剥离层700可以由α－碳、α－Si、金属薄膜等形成。
此处，与之前说明的第一实施方式的显示装置10的制造同样，在第三实施方式的显示装置30的制造中，之后进行除去第一基体500的工序(基体(玻璃基板)除去工序S5)。
例如由上述例示的材料形成的牺牲剥离层700与第一树脂层110的剥离，比第一基体500与第一树脂层110的剥离容易。由此，能够更容易地实施除去第一基体500的工序(基体(玻璃基板)除去工序S5)。
另外，牺牲剥离层700也能够在之前说明的第一实施方式的显示装置10的制造中使用。
第三实施方式的显示装置30的制造中准备的第一基体500和第一树脂层110，能够使用与第一实施方式的显示装置10的制造中使用的部件相同的部件。此外，第一树脂层110能够采用与第一实施方式的显示装置10的制造中说明的方法相同的方法形成。
图9B是说明第三实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示除去了第一树脂层的一部分的状态的图。
在第一树脂层局部除去工序S12中，除去在第一树脂层形成工序S11形成的第一树脂层110中的形成于第二区域A2的第一树脂层110的一部分。即，在第一基体500上仅留有形成于多个第一区域A1的第一树脂层110。
第三实施方式的显示装置的制造中的第一树脂层110的局部除去，可以采用与第一实施方式的显示装置10的制造中说明的方法相同的方法来进行。
图9C是说明第三实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示形成有第一埋入层的状态的图。第三实施方式的显示装置30的第一埋入层120的形状与第一实施方式的显示装置10所具有的第一埋入层120的形状不同，由两部分构成。
通过在第一树脂层局部除去工序S12除去第一树脂层110的一部分，在第一基体500上形成凹部110CP。在第一埋入层形成工序S13中，以填埋该凹部110CP的方式形成第一埋入层120。
第一埋入层120的形成通过以下方式进行：首先，使用AlO、SiO、SiN、SiC、SiCN、SiON、SiOCN等材料，通过CVD、PVD、ALD等形成成为载置在第一树脂层110的上表面的部分的第一无机绝缘膜120A。
第一无机绝缘膜120A，可以通过在暂时形成于第一树脂层110的整个面之后，仅留下与凹部110CP相当的部位，除去其它部分而形成，也可以使用掩模等仅在与凹部110CP相当的部位形成。
由于第一无机绝缘膜120A难以形成膜厚大的覆膜，因此难以将通过除去第一树脂层110的一部分而形成的凹部110CP完全填埋。
因此，在第一无机绝缘膜120A上，由SOG(Spin on Glass)、PSG(PhosphorusSilicon Glass)、BPSG(Boron Phosphorus Silicon Glass)等，以完全将凹部110CP填埋的方式形成第二无机绝缘膜120B。
另外，通过暂时在第一树脂层110的整个面形成第一无机绝缘膜120A之后，仅在相当于凹部110CP的部位形成第二无机绝缘膜120B，能够制造第四实施方式的显示装置40。
图9D是说明第三实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示形成有包含自发光元件层的第一功能层的状态的图。
第三实施方式的显示装置的制造中的第一功能层形成工序S14，可以采用与第一实施方式的显示装置10的制造中说明的方法相同的方法进行。
以上，经过参照图9A～9D说明的工序，第一基板形成工序S1完成。
接着，参照图9E～9G说明第二基板形成工序S2。第二基板形成工序S2以与之前说明的第一基板形成工序S1不同的工序进行。
图9E是说明第三实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示在第二基体层叠有第二树脂层的状态的图。
在第二基板形成工序S2中，在最初准备的第二基体600形成挠性的第二树脂层210(第二树脂层形成工序S21)。在第二树脂层形成工序S21中，可以以覆盖第二基体600的一侧的整个面的方式形成第二树脂层210。
此处，可以在所准备的第二基体600形成与牺牲剥离层700同样的牺牲剥离层800。而且，牺牲剥离层800也能够在之前说明的第一实施方式的显示装置10的制造中使用。
第三实施方式的显示装置30的制造中准备的第二基体600、第二树脂层210能够使用与第一实施方式的显示装置10的制造中使用的部件相同的部件。此外，第二树脂层210能够采用与第一实施方式的显示装置10的制造中说明的方法相同的方法形成。
图9F是说明第三实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示将第二树脂层的一部分除去后形成有第二埋入层的状态的图。图9G是说明第三实施方式的显示装置的制造方法的图，是形成有包含彩色滤光片层的第二功能层的状态的图。
第二埋入层220的形成和彩色滤光片层231的形成能够以与第一实施方式的显示装置10的制造中说明的方法相同的方法形成。
以上，经过参照图9E～9G说明的工序，第二基板形成工序S2完成。
接着，使图9D所示的第一基板100与图9G所示的第二基板200粘贴(第一、第二基板粘贴工序S3)。图9H是说明第三实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示将图9D所示的第一基板与图9G所示的第二基板粘贴后的状态的图。
两基板(第一、第二基板100、200)的粘贴能够以与第一实施方式的显示装置10的制造中说明的方法相同的方法形成。
接着，将在第一、第二基板粘贴工序S3粘贴而得的结构切断为与显示装置10相当的单个单元(切断工序S4)。图9I是说明第三实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示将拼板切断为与显示装置相当的单个单元的状态的图。
切断工序S4可以以与第一实施方式的显示装置10的制造中说明的方法相同的方法进行。
接着，从切断为与显示装置10相当的各个单元的状态的结构剥离被切断了的各个第一、第二基体500、600(基体(玻璃基板)除去工序S5)。
图9J是说明第三实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示将第一、第二基体剥离后的状态的图。
如之前所说明的那样，在第三实施方式的显示装置的制造中，形成有牺牲剥离层700、800，因此第一、第二基体500、600在本工序中容易剥离。
另外，在第一、第二基体500、600的剥离的同时，牺牲剥离层700、800也从第一、第二树脂层110、210剥离，但是，牺牲剥离层700、800的一部分或者全部也可以不从第一、第二树脂层110、210剥离。
最后，在剥离了第一基体500而露出的第一树脂层110的面，安装用于防止来自外部的水分的侵入或者来自外部的物理损伤的第一保护膜140(保护膜形成工序S6)。
另外，在保护膜形成工序S6中，也可以在剥离了第二基体600而露出的第二树脂层210的面安装用于防止物理损伤的第二保护膜(未图示)。
图9K是说明第三实施方式的显示装置的制造方法的图，是表示安装保护膜，第三实施方式的显示装置完成了的状态的图。如图9K所示，第一保护膜140配置在第一树脂层110的配置第一功能层130的一侧的相反侧。
经过以上的工序，能够得到第三实施方式的显示装置30。
经过上述制造工序得到的显示装置30的特征在于，包括：树脂层；在上述树脂层的周围，以具有载置在上述树脂层的上表面的部分的方式设置的框体；和层叠在上述树脂层的上表面和上述框体的上表面的、对构成图像的多个单位像素分别控制亮度而进行发光的自发光元件层132。
经过上述制造工序得到的显示装置30是提高了水分阻隔性而提高了可靠性的显示装置30。
Claims (18)
1.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：
准备具有多个第一区域和包围各个所述第一区域的形状的第二区域的基体，避开所述第二区域而在所述多个第一区域形成树脂层的工序；
在所述第二区域形成防湿性比所述树脂层高的由无机材料构成的埋入层的工序；
在所述树脂层和所述埋入层之上，以包含金属氧化物或金属氮化物的方式形成覆盖层的工序；
在所述覆盖层之上，形成包括多个像素且所述多个像素各自包括有机发光元件的功能层的工序；和
以通过所述第二区域的线将所述埋入层和所述功能层切断，将所述树脂层与所述多个第一区域分别对应地分离为多个部分的工序，
所述埋入层在剖视时其厚度随着从所述埋入层的外端向所述树脂层去而逐渐减小。
2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
在将所述埋入层和所述功能层切断的工序中，将所述基体与所述埋入层和所述功能层一起切断。
3.如权利要求2所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
在将所述埋入层和所述功能层切断的工序之后，还包括从所述树脂层剥离切断后的所述基体的工序。
4.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
在所述第一区域形成树脂层的工序包括：
在所准备的所述基体的所述多个第一区域和所述第二区域形成所述树脂层的工序；和
从所述基体将在所述多个第一区域和所述第二区域形成的所述树脂层中形成于所述第二区域的所述树脂层除去的工序。
5.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
在将所述埋入层和功能层切断的工序之前，还包括在所述功能层的与所述基体相对的一侧的相反侧粘贴相对基板的工序，
将所述埋入层和所述功能层切断的工序中，将所述相对基板与所述埋入层和所述功能层一起切断。
6.如权利要求5所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
粘贴所述相对基板的工序包括：
在所述相对基板和所述功能层的至少一者，以分别包围与所述多个第一区域对应的区域的方式，设置密封件的工序；
在被所述密封件包围的多个区域分别设置填充件的工序；和
隔着所述密封件和所述填充件将所述相对基板与所述功能层粘贴的工序。
7.如权利要求6所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
粘贴所述相对基板的工序还包括在将所述埋入层和所述功能层切断的线上设置间隔件的工序。
8.如权利要求5～7中任一项所述的显示装置的制造方法，其特征在于：
所述相对基板具有防湿性比所述树脂层高的第二埋入层，
在粘贴所述相对基板的工序中，以所述第二埋入层位于与所述第二区域对应的位置的方式粘贴所述相对基板。
9.一种显示装置，其特征在于，包括：
第一树脂层；
在所述第一树脂层的周围，以具有能够载置在所述第一树脂层的上表面的部分的方式设置的由无机材料构成的第一框体；
以包含金属氧化物或金属氮化物的方式形成在所述第一框体和所述第一树脂层之上的覆盖层；和
层叠在所述覆盖层的上表面，包括多个像素且所述多个像素各自具包括有机发光元件的功能层，
所述第一框体在剖视时其厚度随着从所述第一框体的外端向所述第一树脂层去而逐渐减小。
10.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于：
还包括配置在所述第一树脂层之下的保护膜。
11.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于：
所述功能层包括：薄膜晶体管层；包含所述有机发光元件且在所述薄膜晶体管层之上形成的自发光元件层；和在所述自发光元件层侧形成的阻挡层，
所述阻挡层配置成包围所述薄膜晶体管层的侧面和所述自发光元件层的端面。
12.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于：
还包括配置在所述功能层之上的相对基板。
13.如权利要求12所述的显示装置，其特征在于：
所述阻挡层和所述相对基板隔着填充件和在俯视时以包围所述填充件的周围的方式配置的密封件而彼此粘贴。
14.如权利要求13所述的显示装置，其特征在于：
所述覆盖层和所述阻挡层被所述密封件和所述第一框体夹着。
15.如权利要求14所述的显示装置，其特征在于：
还包括间隔件，所述间隔件配置在所述阻挡层与所述相对基板之间。
16.如权利要求13所述的显示装置，其特征在于：
所述相对基板具有第二树脂层和以包围所述第二树脂层的周围的方式设置在所述第二树脂层的侧面部的第二框体，
所述第二框体以在俯视时与所述第一框体和所述密封件至少部分重叠的方式配置。
17.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于：
所述第一框体的厚度比所述第一树脂层的厚度大。
18.如权利要求9～17中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述第一框体设置成在俯视时位于所述第一树脂层的周围，并且覆盖所述第一树脂层的上表面的整体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015168186A JP6474337B2 (ja) | 2015-08-27 | 2015-08-27 | 表示装置及びその製造方法 |
| JP2015-168186 | 2015-08-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106488603A CN106488603A (zh) | 2017-03-08 |
| CN106488603B true CN106488603B (zh) | 2018-07-10 |
Family
ID=58104369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610757709.5A Active CN106488603B (zh) | 2015-08-27 | 2016-08-29 | 显示装置和其制造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10115774B2 (zh) |
| JP (1) | JP6474337B2 (zh) |
| KR (1) | KR101871047B1 (zh) |
| CN (1) | CN106488603B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6947536B2 (ja) * | 2017-05-26 | 2021-10-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN110943066A (zh) * | 2018-09-21 | 2020-03-31 | 联华电子股份有限公司 | 具有高电阻晶片的半导体结构及高电阻晶片的接合方法 |
| JP2020071966A (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | フレキシブル有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
| JP2020071967A (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | フレキシブル有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
| JP2020071969A (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | フレキシブル有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
| JP2020071970A (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | フレキシブル有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
| KR20210151304A (ko) | 2020-06-04 | 2021-12-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102223760A (zh) * | 2011-06-03 | 2011-10-19 | 深圳丹邦投资集团有限公司 | 一种柔性基板、柔性amoled以及柔性pmoled |
| CN104409662A (zh) * | 2014-11-10 | 2015-03-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled面板及制作方法、丝网印刷版、显示装置 |
Family Cites Families (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5686360A (en) * | 1995-11-30 | 1997-11-11 | Motorola | Passivation of organic devices |
| US6605826B2 (en) * | 2000-08-18 | 2003-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and display device |
| JP2006185679A (ja) | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Asahi Glass Co Ltd | 有機ｅｌパネル及び有機ｅｌ発光装置、並びに有機ｅｌパネルの製造方法 |
| JP5296343B2 (ja) * | 2007-07-31 | 2013-09-25 | 住友化学株式会社 | バリア層つき基板、表示素子および表示素子の製造方法 |
| CN104141112B (zh) * | 2008-05-07 | 2017-09-19 | 普林斯顿大学理事会 | 用于电子器件或其他物品上的涂层中的混合层 |
| CN102100126B (zh) * | 2008-09-01 | 2014-04-16 | 夏普株式会社 | 有机电致发光面板、有机电致发光显示器、有机电致发光照明装置和它们的制造方法 |
| TWI587734B (zh) * | 2009-03-26 | 2017-06-11 | 精工愛普生股份有限公司 | 有機ｅｌ裝置、有機ｅｌ裝置之製造方法、及電子機器 |
| KR101108161B1 (ko) * | 2009-12-24 | 2012-01-31 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
| JP2011227205A (ja) * | 2010-04-16 | 2011-11-10 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| JP2011227369A (ja) * | 2010-04-22 | 2011-11-10 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置及びその製造方法 |
| JP5990745B2 (ja) * | 2011-05-31 | 2016-09-14 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 接合体の製造方法及び接合体 |
| KR101931174B1 (ko) * | 2012-03-22 | 2019-03-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
| KR101967905B1 (ko) * | 2012-07-24 | 2019-04-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20140075467A (ko) * | 2012-12-11 | 2014-06-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법 |
| JP6194233B2 (ja) | 2013-01-08 | 2017-09-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法 |
| US10355242B2 (en) * | 2013-04-25 | 2019-07-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electroluminescent device including a plurality of sealing films |
| JP6263337B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2018-01-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
| WO2015008642A1 (ja) * | 2013-07-16 | 2015-01-22 | シャープ株式会社 | フレキシブル表示装置の製造方法、及び、フレキシブル表示装置 |
| KR102153394B1 (ko) * | 2013-07-29 | 2020-09-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| KR101907593B1 (ko) * | 2013-08-13 | 2018-10-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치 |
| US9937698B2 (en) * | 2013-11-06 | 2018-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method and light-emitting device |
| US9397149B2 (en) * | 2013-12-27 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN103839973B (zh) * | 2014-02-24 | 2016-05-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有源矩阵有机发光二极管阵列基板及制作方法和显示装置 |
| US9425418B2 (en) * | 2014-09-30 | 2016-08-23 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display device with bend stress reduction member and manufacturing method for the same |
| CN107111970B (zh) * | 2014-10-28 | 2021-08-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置、显示装置的制造方法及电子设备 |
| KR102456654B1 (ko) * | 2014-11-26 | 2022-10-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 전자 기기 |
| US9766763B2 (en) * | 2014-12-26 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Functional panel, light-emitting panel, display panel, and sensor panel |
| US9773853B2 (en) * | 2015-01-09 | 2017-09-26 | Apple Inc. | Organic light-emitting diode display with bent substrate |
| US9614168B2 (en) * | 2015-01-12 | 2017-04-04 | Apple Inc. | Flexible display panel with bent substrate |
| KR102146271B1 (ko) * | 2015-06-03 | 2020-08-21 | 동우 화인켐 주식회사 | 플렉서블 컬러필터와 그를 포함하는 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
| TWI615952B (zh) * | 2015-08-07 | 2018-02-21 | Japan Display Inc | 顯示裝置及其製造方法 |
| KR102550857B1 (ko) * | 2015-08-13 | 2023-07-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 |
| KR20170021431A (ko) * | 2015-08-17 | 2017-02-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치 |
| US9780307B2 (en) * | 2015-12-21 | 2017-10-03 | Japan Display Inc. | Method of manufacturing a display device |
-
2015
- 2015-08-27 JP JP2015168186A patent/JP6474337B2/ja active Active
-
2016
- 2016-08-09 KR KR1020160101033A patent/KR101871047B1/ko active IP Right Grant
- 2016-08-22 US US15/242,799 patent/US10115774B2/en active Active
- 2016-08-29 CN CN201610757709.5A patent/CN106488603B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102223760A (zh) * | 2011-06-03 | 2011-10-19 | 深圳丹邦投资集团有限公司 | 一种柔性基板、柔性amoled以及柔性pmoled |
| CN104409662A (zh) * | 2014-11-10 | 2015-03-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled面板及制作方法、丝网印刷版、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20170062761A1 (en) | 2017-03-02 |
| JP2017044921A (ja) | 2017-03-02 |
| JP6474337B2 (ja) | 2019-02-27 |
| CN106488603A (zh) | 2017-03-08 |
| US10115774B2 (en) | 2018-10-30 |
| KR101871047B1 (ko) | 2018-06-25 |
| KR20170026131A (ko) | 2017-03-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106488603B (zh) | 显示装置和其制造方法 | |
| KR102315094B1 (ko) | 고 개구율 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법 | |
| CN110120463A (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| KR101920766B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| CN105552101B (zh) | 有机发光显示设备 | |
| KR102000932B1 (ko) | 표시 장치 및 그의 제조 방법 | |
| US10263053B2 (en) | Organic light-emitting diode display and method for manufacturing the same | |
| CN107017354A (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
| KR101908514B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| WO2016163367A1 (ja) | Ｅｌ表示装置およびｅｌ表示装置の製造方法 | |
| CN105590953A (zh) | 具有高孔径比的有机发光二极管显示器及其制造方法 | |
| KR102649202B1 (ko) | 비표시 영역 상으로 연장하는 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 표시 장치 | |
| KR20140096982A (ko) | 표시 패널의 제조 방법, 표시 패널 및 표시 장치 | |
| CN109346506A (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 | |
| JP2015065025A (ja) | Ｏｌｅｄ表示パネル | |
| CN108417600A (zh) | 有机el显示面板以及有机el显示面板的制造方法 | |
| JP2006202722A (ja) | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| KR20060016088A (ko) | 유기 전계발광 디스플레이 패널 | |
| KR101859479B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| WO2014162395A1 (ja) | 発光装置 | |
| KR102247825B1 (ko) | 칼라 필터를 구비한 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2005019401A (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
| KR20150034462A (ko) | 고 개구율 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR101546944B1 (ko) | 마이크로 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20160070943A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |