CN106470028B - 一种高频收发开关集成方法和装置 - Google Patents
一种高频收发开关集成方法和装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106470028B CN106470028B CN201510516258.1A CN201510516258A CN106470028B CN 106470028 B CN106470028 B CN 106470028B CN 201510516258 A CN201510516258 A CN 201510516258A CN 106470028 B CN106470028 B CN 106470028B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- capacitor
- inductance
- switch
- high frequency
- receive switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Abstract
本发明公开了一种高频收发开关集成装置，所述高频收发开关集成装置的片上包括电感、电容、低噪声放大器、功率放大器和收发开关，其中，第一电感和第一电容串联，第二电容通过第二收发开关并联到地，形成第一通道，所述第一通道的第一电容连接低噪声放大器进行接收通道输入阻抗匹配；第一电感和第二电容、第二电感与第三电容串联，第一电容通过第一收发开关并联到地，形成第二通道，该第二通道的第三电感连接功率放大器进行发射功率匹配。通过本发明，集成收发器射频收发开关，能够减少片外元件，从而降低芯片面积，减小成本，并实现高频收发匹配。
Description
技术领域
本发明涉及射频集成电路技术领域，尤指一种高频收发开关集成方法和装置。
背景技术
目前市场上有同时支持2.4G无线局域网802.11b和蓝牙Bluetooth系统，收发分时工作，常规采用单刀双掷开关控制收发，如图1所示，单刀双掷开关控制收发通道工作，一端连接天线端，另两端分别连接接收通道和发射通道，当接收通道工作时候，开关连接接收通道，当发射通道工作时候，开关连接发射通道。
目前第二种方案采用集成无源器件(IPD，integrated passive device)工艺实现无源电感电容进行匹配，如图2所示，集成电容和电感元器件进行输入输出匹配，具有小型化和提高系统性能的优势，但是采用非互补金属氧化物半导体(CMOS，ComplementaryMetal Oxide Semiconductor)工艺实现，集成度不高，成本也高。
同样有集成RF收发开关方案，收发开关集成在芯片中，只有一个，当低噪声放大器(LNA，Low Noise Amplifier)工作时候，功率放大器(PA，Power Amplifier)功放关闭，接收通道工作；当功放发射通道工作时候，接收通道LNA关闭。但是，实现单双转换的平衡－不平衡变换器(BALUN，Balance-unbalance)在片外，并没有集成在芯片内，使得集成度不高。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种高频收发开关集成方法和装置，能够减少片外元件，从而降低芯片面积，减小成本，并实现高频收发匹配。
为了达到本发明目的，本发明提供了一种高频收发开关集成装置，所述高频收发开关集成装置的片上包括第一电感、第二电感、第一电容、第二电容、第三电容、低噪声放大器、功率放大器、第一开关和第二开关，其中，
第一电感的第一端连接天线，所述第一电感的第二端连接第一电容的第一端，所述第一电容的第二端连接低噪声放大器的输入端，所述第一电容的第二端还连接第一开关的第一端，所述第一开关的第二端接地；
所述第一电感的第二端还连接第二电容的第一端，所述第二电容的第二端连接到第二开关的第一端，所述第二开关的第二端接地；
所述第二开关的第一端还连接第二电感的第一端，所述第二电感的第二端连接第三电容的第一端，所述第二电容的第二端连接功率放大器的输出端；
当所述第一开关断开，所述第二开关闭合时，所述第一电感、第一电容、第二电容和所述低噪声放大器进行接收通道输入阻抗匹配；
当所述第一开关闭合，所述第二开关断开时，所述第一电感、第二电容、第二电感、第三电容和所述功率放大器进行发射功率匹配。
进一步地，所述第一开关工作在高电压，所述第二开关工作在低电压。
进一步地，所述低噪声放大器工作时，所述功率放大器关闭，通过所述第一电感、第一电容和第二电容进行T型阻抗匹配。
进一步地，所述功率放大器工作时，所述低噪声放大器关闭，第一电感、第二电容、第二电感和第三电容进行发射阻抗匹配。
在本发明中，接收前端的输入匹配和接收前端的输入匹配均采用片上的电感和电容实现；此外，集成收发开关，无片外电感、电容、BALUN等元器件，成本大大减小，PCB面积同样减小；通过片上控制低噪声放大器和功率放大器，实现收发通路控制。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
图1是现有技术中一种高频收发开关的电路示意图。
图2是现有技术中另一种高频收发开关的电路示意图。
图3是本发明的一种实施例中高频收发开关集成装置的结构示意图。
图4是本发明的一种实施例中高频收发开关集成源级电感的电路示意图。
图5是本发明的一种实施例中高频收发开关集成中发射匹配的电路示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
图3是本发明的一种实施例中高频收发开关集成装置的结构示意图。如图3所示，该高频收发开关集成装置的片上(on chip)包括电感、电容、低噪声放大器、功率放大器和收发开关，其中，
第一电感L1和第一电容C1串联，第二电容C2通过第二收发开关M2并联到地，形成第一通道，该第一通道的第一电容C1连接低噪声放大器LNA进行接收通道输入匹配；
第一电感L1和第二电容C2、第二电感L2与第三电容C3串联，第一电容C1通过第一收发开关M1并联到地，形成第二通道，该第二通道的第三电感C3连接功率放大器PA进行发射功率匹配。
如此设置，收发开关M1和M2都集成在片上，其中M1工作在高电压，M2工作在低电压。
图4是本发明的一种实施例中高频收发开关集成源级电感的电路示意图。如图4所示，当LNA工作时，PA功放关闭，L1/C1串联，C2并联到地，M2开关导通电阻小，L1/C1/C2实现T型阻抗匹配。
图5是本发明的一种实施例中高频收发开关集成中发射匹配的电路示意图。如图5所示，当PA工作时，LNA关闭，L1/L2/C2/C3串联，C1并联到地，M1开关导通电阻小，L1/C2/L2/C3实现发射阻抗匹配。
在本发明中，接收前端的输入匹配和接收前端的输入匹配均采用片上的电感和电容实现；此外，集成收发开关，无片外电感、电容、BALUN等元器件，成本大大减小，PCB面积同样减小；通过片上控制低噪声放大器和功率放大器，实现收发通路控制。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (4)
1.一种高频收发开关集成装置，其特征在于，所述高频收发开关集成装置的片上包括第一电感、第二电感、第一电容、第二电容、第三电容、低噪声放大器、功率放大器、第一开关和第二开关，其中，
第一电感的第一端连接第一电容的第一端，所述第一电容的第二端连接低噪声放大器的输入端和第一开关的第一端，所述第一开关的第二端接地；
所述第一电感的第一端还连接第二电容的第一端，所述第二电容的第二端连接到第二开关的第一端和第二电感的第一端，所述第二开关的第二端接地；
所述第二电感的第二端连接第三电容的第一端，所述第三电容的第二端连接功率放大器的输出端；
当所述第一开关断开，所述第二开关闭合时，所述第一电感、第一电容、第二电容和所述低噪声放大器进行接收通道输入阻抗匹配；
当所述第一开关闭合，所述第二开关断开时，所述第一电感、第二电容、第二电感、第三电容和所述功率放大器进行发射功率匹配。
2.根据权利要求1所述的高频收发开关集成装置，其特征在于，所述第一开关工作在高电压，所述第二开关工作在低电压。
3.根据权利要求1所述的高频收发开关集成装置，其特征在于，所述低噪声放大器工作时，所述功率放大器关闭，通过所述第一电感、第一电容和第二电容进行T型阻抗匹配。
4.根据权利要求1所述的高频收发开关集成装置，其特征在于，所述功率放大器工作时，所述低噪声放大器关闭，第一电感、第二电容、第二电感和第三电容进行发射功率阻抗匹配。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510516258.1A CN106470028B (zh) | 2015-08-20 | 2015-08-20 | 一种高频收发开关集成方法和装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510516258.1A CN106470028B (zh) | 2015-08-20 | 2015-08-20 | 一种高频收发开关集成方法和装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106470028A CN106470028A (zh) | 2017-03-01 |
| CN106470028B true CN106470028B (zh) | 2019-04-12 |
Family
ID=58229298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510516258.1A Active CN106470028B (zh) | 2015-08-20 | 2015-08-20 | 一种高频收发开关集成方法和装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106470028B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110474657B (zh) * | 2019-09-25 | 2021-12-31 | 大唐半导体科技有限公司 | 一种高频收发开关集成电路及其方法 |
| CN110932747B (zh) * | 2019-12-02 | 2020-08-21 | 翱捷智能科技(上海)有限公司 | 集成高性能射频收发开关 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200830523A (en) * | 2006-11-28 | 2008-07-16 | Silicon Storage Tech Inc | A multi-chip electronic circuit module and a method of manufacturing |
| CN101359924A (zh) * | 2007-08-01 | 2009-02-04 | 联发科技（美国）股份有限公司 | 射频集成电路以及收发切换器 |
| CN203104433U (zh) * | 2012-10-22 | 2013-07-31 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种无线通信收发机 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100272180B1 (ko) * | 1997-12-12 | 2000-12-01 | 김춘호 | 위상보정회로를적용한rf스위치 |
-
2015
- 2015-08-20 CN CN201510516258.1A patent/CN106470028B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200830523A (en) * | 2006-11-28 | 2008-07-16 | Silicon Storage Tech Inc | A multi-chip electronic circuit module and a method of manufacturing |
| CN101359924A (zh) * | 2007-08-01 | 2009-02-04 | 联发科技（美国）股份有限公司 | 射频集成电路以及收发切换器 |
| CN203104433U (zh) * | 2012-10-22 | 2013-07-31 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种无线通信收发机 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106470028A (zh) | 2017-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104969479B (zh) | 使用单刀三掷开关减少lna旁路模式插入损耗的rf前端模块 | |
| CN105322933B (zh) | 用于射频开关的系统和方法 | |
| CN105227167B (zh) | 一种cmos开关电路 | |
| KR101161579B1 (ko) | 송수신용 다이플렉서를 이용한 ｒｆ 프런트 엔드 모듈 및 이를 적용한 무선통신장치 | |
| US9293797B2 (en) | RF switch with transformer and switching method thereof | |
| CN110474657B (zh) | 一种高频收发开关集成电路及其方法 | |
| US20180123621A1 (en) | Multi-mode multi-band transceiver, radio frequency front-end circuit and radio frequency system using the same | |
| CN109150227B (zh) | 一种多模式射频前端电路及其控制方法 | |
| CN103368601B (zh) | 无线通信收发机前端 | |
| CN105049015A (zh) | 单刀单掷射频开关及其构成的单刀双掷射频开关和单刀多掷射频开关 | |
| CN108063627A (zh) | 射频收发开关 | |
| CN105024677A (zh) | Rf开关电路 | |
| CN105049016B (zh) | 单刀单掷射频开关及其构成的单刀双掷射频开关和单刀多掷射频开关 | |
| WO2014020297A1 (en) | Radio frequency transceivers | |
| CN106470028B (zh) | 一种高频收发开关集成方法和装置 | |
| CN210640864U (zh) | 一种cmos毫米波串联非对称单刀双掷开关 | |
| CN104218939A (zh) | 一种可调的混合耦合器电路 | |
| KR101488773B1 (ko) | 무선랜 및 블루투스 송수신 겸용 프런트 앤드 모듈 | |
| CN104485917A (zh) | 一种阻抗自举频率转换带通滤波器 | |
| CN103716062A (zh) | 一种集成低噪放大器、功率放大器和天线开关的射频电路 | |
| TWI500278B (zh) | 訊號轉換電路與訊號轉換方法 | |
| CN204442340U (zh) | 一种简易的可调耦合器电路 | |
| CN209787140U (zh) | 一种射频开关及射频通信装置 | |
| CN209659305U (zh) | 一种高通道滤波的rfid系统 | |
| CN210640865U (zh) | 一种cmos毫米波超宽带并联非对称单刀双掷开关 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20190506 Address after: 266100 No. 1, Keyuan Wei Road, Laoshan District, Qingdao City, Shandong Province Patentee after: Datang Semiconductor Technology Co., Ltd. Address before: 100094 No. 6 Yongjia North Road, Beijing, Haidian District Patentee before: Datang Semiconductor Design Co., Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Application publication date: 20170301 Assignee: Meitang Zhilian Health Technology (Jiangsu) Co., Ltd Assignor: Datang Semiconductor Technology Co.,Ltd. Contract record no.: X2020990000419 Denomination of invention: A high frequency transceiver switch integration method and device Granted publication date: 20190412 License type: Common License Record date: 20200818 |
|
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |