CN106469716B - 一种垂直型电容器结构 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种垂直型电容器结构，包括：半导体衬底，具有相对的上表面和下表面；形成于所述上表面上的多个功能器件；形成于所述半导体衬底中并位于所述功能器件之间的隔离沟槽；MIM电容器形成于所述隔离沟槽中。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种垂直型电容器结构。
背景技术
电容、电阻等被动元件（Passive Circuit Element）被广泛应用于集成电路制 作技术中，这些器件通常采用标准的集成电路工艺，利用掺杂单晶硅、掺杂多晶硅以及氧化膜或氮氧化膜等制成，比如多晶硅-介质膜-多晶硅（PIP， Poly-Insulator-Poly）电容。由于这些器件比较接近硅衬底，器件与衬底间的寄生 电容使得器件的性能受到影响，尤其在射频（RF）CMOS电路中，随着频率的上升，器件的性能下降很快。
金属-绝缘体-金属（MIM，Metal-Insulator-Metal）电容技术的开发为解决这 一问题提供了有效的途径，该技术将电容制作在互连层，即后道工艺（BEOL，Back End OfLine）中，既与集成电路工艺相兼容，又通过拉远被动元件与导电衬底间的距离，克服了寄生电容大、器件性能随频率增大而明显下降的弊端，使得该技术逐渐成为了集成电路中制作被动元件电容的主流。
但是，在带有MIM电容器的垂直型电容器结构中，也存在一些问题，主要是如果MIM电容器下面直接放功能器件（例如晶体管），则MIM电容器会与下面的功能器件产生相互干扰。如图1所示，多个功能器件11形成于衬底10上，设置在绝缘层15中的电容器的上极板13和下极板12分别通过导电通路14电连接至多个功能器件的部分。然而，由于半导体集成电路的体积尺寸都较小，电容器的信号与功能器件11的信号会相互干扰，并且，当电容器有多个时，其分布在介质层中会相邻较近，导致电容器间的相互干扰；此外，电容器的极板12和13会产生相对于应力层的应力，对其下的的功能器件和通路产生影响。进一步的，在衬底上表面形成电容器会增加整个器件的厚度。
现有技术中针对带有MIM电容器的垂直型电容器结构主要有两种实现方式：
1、MIM电容器下面不放功能器件，从而可彻底避免MIM电容器与功能器件产生相互干扰，但是此种实现方式将极大的浪费晶圆面积；
2、MIM电容器下面放一些不太敏感的功能器件，从而能够节省一部分晶圆面积，但是此种实现方式还是会使得MIM电容器与其下的功能器件产生相互干扰（只是这种干扰对于其下的功能器件尚且能够被容忍），并且也限制了可放置 于MIM电容器下的功能器件的种类（即只能是一些不太敏感的功能器件）。
因此，如何提供一种带有MIM电容器的垂直型电容器结构，其能够避免上述缺陷，成了本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
基于解决上述封装中的问题，本发明提供了一种垂直型电容器结构，其特征在于，包括：半导体衬底，具有相对的上表面和下表面；形成于所述上表面上的多个功能器件；形成于所述半导体衬底中并位于所述功能器件之间的隔离沟槽；MIM电容器形成于所述隔离沟槽中。
根据本发明的实施例，所述MIM电容器垂直于所述上表面。
根据本发明的实施例，在所述隔离沟槽的侧壁和底壁上具有一层屏蔽层。
根据本发明的实施例，所述屏蔽层为接地的铜金属层、铝金属层、镍金属层或钛金属层等。
根据本发明的实施例，所述MIM电容器可部分的伸出所述隔离沟槽。
根据本发明的实施例，所述MIM电容器平行于所述上表面。
根据本发明的实施例，还包括覆盖在所述上表面的绝缘层。
根据本发明的实施例，所述绝缘层的材质与所述隔离沟槽所填充的绝缘材料相同。
根据本发明的实施例，所述MIM电容器通过导电通路电连接至所述功能器件的至少一个。
根据本发明的实施例，所述MIM电容器包括垂直于所述上表面的第一金属极板和第二金属极板以及位于所述第一和第二金属极板之间的绝缘层。
本发明的技术方案，采用垂直式电容器，可在横向方向上同时布置多个电容器而避免其相互之间的干扰；采用在隔离沟槽中形成电容器，可以减少电容器对功能器件的影响，并减少器件整体的厚度，隔离沟槽还具有一层屏蔽层，可以更好的防止电容器与功能器件间的电磁干扰。
附图说明
图1为现有技术的垂直型电容器结构的结构示意图；
图2为本发明实施例的垂直型电容器结构的结构示意图。
具体实施方式
参见图2，本发明提供了一种垂直型电容器结构，包括：半导体衬底10，具有相对的上表面和下表面；形成于所述上表面上的多个功能器件11；形成于所述半导体衬底10中并位于所述功能器件11之间的隔离沟槽；MIM电容器形成于所述隔离沟槽中。
所述MIM电容器可以垂直于所述上表面，也可以平行于所述上表面，但是平行的时候会增加器件的宽度。在所述隔离沟槽的侧壁和底壁上具有一层屏蔽层16，所述屏蔽层为接地的铜金属层、铝金属层、镍金属层或钛金属层等。所述MIM电容器可部分的伸出所述隔离沟槽。
进一步的，还包括覆盖在所述上表面的绝缘层15。所述绝缘层15的材质与所述隔离沟槽所填充的绝缘材料相同。所述MIM电容器通过导电通路14a电连接至所述功能器件11的至少一个。
所述MIM电容器包括垂直于所述上表面的第一金属极板12a和第二金属极板13a以及位于所述第一和第二金属极板之间的绝缘层。
最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。
Claims (6)
1.一种垂直型电容器结构，其特征在于，包括：半导体衬底，具有相对的上表面和下表面；形成于所述上表面上的多个功能器件；形成于所述半导体衬底中并位于所述功能器件之间的隔离沟槽；MIM电容器形成于所述隔离沟槽中；所述MIM电容器包括垂直于所述上表面的第一金属极板和第二金属极板以及位于所述第一和第二金属极板之间的绝缘层，所述第一和第二电极板的一部分嵌入于所述隔离沟槽的绝缘材料中，另一部分伸出所述隔离沟槽，并从所述上表面突出。
2.根据权利要求1所述的垂直型电容器结构，其特征在于，在所述隔离沟槽的侧壁和底壁上具有一层屏蔽层。
3.根据权利要求2所述的垂直型电容器结构，其特征在于，所述屏蔽层为接地的铜金属层、铝金属层、镍金属层或钛金属层。
4.根据权利要求1所述的垂直型电容器结构，其特征在于，还包括覆盖在所述上表面的绝缘层。
5.根据权利要求4所述的垂直型电容器结构，其特征在于，所述绝缘层的材质与所述隔离沟槽所填充的绝缘材料相同。
6.根据权利要求1所述的垂直型电容器结构，其特征在于，所述MIM电容器通过导电通路电连接至所述功能器件的至少一个。
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