CN106452385A - 一种耐高温柱晶 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title abstract description 13
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 22
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 15
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 241000500881 Lepisma Species 0.000 claims description 7
- GHZFPSVXDWJLSD-UHFFFAOYSA-N chromium silver Chemical compound [Cr].[Ag] GHZFPSVXDWJLSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 6
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 6
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract 4
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 abstract 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012946 outsourcing Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/21—Crystal tuning forks
- H03H9/215—Crystal tuning forks consisting of quartz
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种耐高温柱晶,其中耐高温柱晶包括晶片、玻璃珠和引线,所述晶片设置于玻璃珠上,与引线连接固定,所述晶片外端设置有金属电极层,所述晶片和金属电极层之间还设置有镀膜合金层,所述引线与晶片连接位置设置有导电性粘合剂,所述晶片与玻璃珠之间设置有UV固化胶,所述引线与玻璃珠外端设置有高铅锡层。本发明产品通过构造上的改进,使得晶体电性能更好,稳定度也更高,耐温性明显提高,又能适用于自动化程度很高的回流焊生产线,产品的适用性更广。
Description
技术领域
本发明涉及晶振领域,具体涉及一种耐高温柱晶。
背景技术
柱晶是一种常用的电子元器件,广泛应用于计算机、遥控器、移动通讯设备等振荡电路中。随着工业自动化的提高,表面贴原件的推广,传统的电烙铁加焊锡丝的工艺已被淘汰,取而代之的是自动插件加点锡膏,然后再通过流水式的回流焊炉来进行焊接固化的工艺。厂家为了确保锡膏完全熔化后固化,回流炉的温度必须设置到245度左右,而实测温度甚至可以达到260度。而传统的柱晶,因为基座和外壳采用冷挤压的方式进行封装,为了确保封装后的气密性,用锡作为了填充物,所以整个支架是采用镀锡的工艺,包括可伐圈和引线的焊接处都是外包的锡层,但是纯锡的熔点只有220多度,当这样的产品经过回流焊炉后,往往器件本身的锡已经被熔化过一次,气密性和可靠性都会受到不同程度的影响,并且直接影响到了晶体的电性能,使得晶体使用性能得到大幅影响。
发明内容
本发明要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足,提供一种晶体电性能好、耐温性高的耐高温柱晶。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种耐高温柱晶,包括晶片、玻璃珠和引线,所述晶片设置于玻璃珠上,与引线连接固定,所述晶片外端设置有金属电极层,其特征在于:所述晶片和金属电极层之间还设置有镀膜合金层,所述引线与晶片连接位置设置有导电性粘合剂,所述晶片与玻璃珠之间设置有UV固化胶,所述引线与玻璃珠外端设置有高铅锡层。
作为本发明进一步的方案:所述晶片下端设置有电极胶点区域,所述引线与晶片连接在电极胶点处。
作为本发明进一步的方案:所述金属电极层为银层电极层。
作为本发明进一步的方案:所述高铅锡层由铅、银及锡所组成,所述铅的含量为90%~93%,所述银的含量为0.5%~1.5%,所述锡的含量为5.5%~8.5%。
作为本发明进一步的方案:所述基底合金层由铬、铬银合金及银所组成,所述铬的含量为10%,所述铬银合金的含量为15%,所述银的含量为75%。
作为本发明进一步的方案:所述金属电极层厚度为柱晶频率的平方与0.8~0.9系数的乘积。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明产品通过给金属电极层与晶片之间设置一层镀膜合金层,并使用银导电胶对引线与晶片进行连接、UV固化胶对晶片与基座玻璃珠进行粘合,还采用高铅含量配方的锡层的外部包裹,在通过265度的回流焊时,电性能不改变,实现晶体电性能更好,稳定度也更高,耐温性明显提高,又能适用于自动化程度很高的回流焊生产线,产品的适用性更广。
附图说明
图1为本发明实施例的结构示意图。
在图1中:晶片 1、玻璃珠 2、引线 3、外壳 4、银导电胶 5、UV固化胶 6、基底合金层 101、高铅镀层 301。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1,本发明的实施例中,一种耐高温柱晶,包括晶片1、玻璃珠2和引线3,所述晶片1设置于玻璃珠2上,与引线3连接固定,所述晶片1外端设置有金属电极层,所述晶片1和金属电极层之间还设置有镀膜基底合金层101,所述引线3与晶片1连接位置设置有导电性粘合剂,所述导电性粘合剂为TB3301F银导电胶5,所述晶片1与玻璃珠2之间设置有UV固化胶6,所述UV固化胶6采用DS-3216耐高温UV胶,所述引线3与玻璃珠1外端设置有高铅锡层301,所述晶片1下端设置有电极胶点,所述引线3与晶片1连接在电极胶点上,采用银导电胶进行粘结,所述金属电极层为银层电极层,适用于高温环境。其中镀膜基底合金层101由铬、铬银合金及银所组成,所述铬的含量为10%,所述铬银合金的含量为15%,所述银的含量为75%;高铅锡层301由铅、银及锡所组成,所述铅的含量为90%~93%,所述银的含量为0.5%~1.5%,所述锡的含量为5.5%~8.5%;金属电极层厚度为柱晶频率的平方与0.8~0.9系数的乘积。
本发明的工作方式原理为:本发明产品通过对柱晶做了四个方面的改进:第一是在银层电极层与晶片之间,采用了一个基底合金层101,在其中加入了一定量的铬银合金和铬金属,使得银层的牢固度更大,晶体的电性能和稳定性得到提高;第二是采用了TB3301F银导电胶5对引线3与晶片1进行连接,该胶的熔点为300多度,稳定性更好;第三通过在晶片1与基座玻璃珠2之间添加DS-3216耐高温UV胶,使得晶体在过高温时牢固度更高,晶体稳定性更好;第四是由自制配方的高铅锡层对引线3与玻璃珠2外端面进行覆盖,熔点达到280度以上,实现在通过265度的回流焊时,电性能不改变,实现晶体电性能更好,稳定度也更高,耐温性明显提高,又能适用于自动化程度很高的回流焊生产线,产品的适用性更广。
对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
Claims (6)
1.一种耐高温柱晶,包括晶片、玻璃珠和引线,所述晶片设置于玻璃珠上,与引线连接固定,所述晶片外端设置有金属电极层,其特征在于:所述晶片和金属电极层之间还设置有镀膜基底合金层,所述引线与晶片连接位置设置有导电性粘合剂,所述晶片与玻璃珠之间设置有UV固化胶,所述引线与玻璃珠外端设置有高铅锡层。
2.根据权利要求1所述的耐高温柱晶,其特征在于:所述晶片下端设置有电极胶点区域,所述引线与晶片连接在电极胶点处。
3.根据权利要求1所述的耐高温柱晶,其特征在于:所述晶片的金属电极层为银层电极层。
4.根据权利要求1所述的耐高温柱晶,其特征在于:所述高铅锡层由铅、银及锡所组成,所述铅的含量为90%~93%,所述银的含量为0.5%~1.5%,所述锡的含量为5.5%~8.5%。
5.根据权利要求1所述的耐高温柱晶,其特征在于:所述基底合金层由铬、铬银合金及银所组成,所述铬的含量为10%,所述铬银合金的含量为15%,所述银的含量为75%。
6.根据权利要求1所述的耐高温柱晶,其特征在于:所述金属电极层厚度为柱晶频率的平方与0.8~0.9系数的乘积。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610754252.2A CN106452385A (zh) | 2016-08-29 | 2016-08-29 | 一种耐高温柱晶 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610754252.2A CN106452385A (zh) | 2016-08-29 | 2016-08-29 | 一种耐高温柱晶 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106452385A true CN106452385A (zh) | 2017-02-22 |
Family
ID=58090014
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610754252.2A Pending CN106452385A (zh) | 2016-08-29 | 2016-08-29 | 一种耐高温柱晶 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106452385A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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