CN106450036B - Oled器件封装结构、oled器件及显示屏 - Google Patents

Oled器件封装结构、oled器件及显示屏 Download PDF

Info

Publication number
CN106450036B
CN106450036B CN201611067501.7A CN201611067501A CN106450036B CN 106450036 B CN106450036 B CN 106450036B CN 201611067501 A CN201611067501 A CN 201611067501A CN 106450036 B CN106450036 B CN 106450036B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
oled
stressor layers
oled device
encapsulating structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201611067501.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106450036A (zh
Inventor
黄金昌
徐湘伦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201611067501.7A priority Critical patent/CN106450036B/zh
Publication of CN106450036A publication Critical patent/CN106450036A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106450036B publication Critical patent/CN106450036B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种OLED器件封装结构及其制造方法。通过具有阵列凸起的模板在OLED元件上形成具有规整的阵列结构的有机层,并通过进一步的沉积工艺依次形成保护层、阻隔层、应力层及平坦层,并在所述平坦层上形成具有规整的阵列结构的凸起。通过所述凸起及各膜层的折射效果可降低所述OLED器件内部的全反射作用及微腔共振效应,从而提高所述OLED器件的出光效率。且通过所述保护层保护所述有机层的阵列结构不受到破坏;通过所述阻隔层防止所述OLED器件受到水氧的侵蚀,进一步的提高所述OLED器件的品质;通过所述应力层使所述OLED器件在一定的卷曲弯折状态下也能够正常使用。

Description

OLED器件封装结构、OLED器件及显示屏
技术领域
本发明涉及OLED技术领域,尤其涉及一种OLED器件封装结构、OLED器件及显示屏。
背景技术
OLED器件内部产生的光在其内部进行传播时,由于各材料界面的光学系数(比如折射率)的不匹配,会有反射、折射及全反射等现象产生,从而极大的影响OLED器件的外部出光效率。
目前,提高出光率(光萃取)的方法主要有在OLED器件内部设置微结构,从而降低全反射并调整OLED器件的空腔共振效应来提高出光效率。但是,依靠OLED器件材料自身形成的微结构一般都具有不规整性,从而使OLED器件不同位置的出光效率不同,从而造成出光不均匀的现象发生。
发明内容
本发明目的在于提供一种OLED器件封装结构,得到出光均匀且有较高出光效率的OLED器件。
一种OLED器件封装结构,所述OLED器件包括OLED元件本体及封装层,所述封装层包括有机层、保护层、阻隔层、应力层及平坦层;所述有机层一面层叠于所述OLED元件本体上,另一面凹设有多个相同且呈阵列排布的第一凹部;所述保护层、所述阻隔层及所述应力层依次层叠于所述有机层上并覆盖所述有机层,且所述保护层、所述阻隔层及所述应力层上位于多个所述第一凹部的位置均形成多个第二凹部;所述平坦层层叠于所述应力层上,且所述平坦层一面设有多个相同且呈阵列排布的凸起,另一表面为平坦面。且所述平坦层的所述凸起填充并密封所述应力层的所述第二凹部所述平坦层。
其中,所述OLED元件与所述有机层之间还叠设有阻隔保护层。
其中,所述阻隔保护层及所述阻隔层均由透明无机材料制成,所述透明无机材料为Al2O3、SiNx、TiO2、SiOx中任一种。
其中,所述阻隔层为多层,各层之间材料组成相同或不同。
其中,所述阻隔层与所述应力层均为多层,且所述阻隔层与所述应力层交替设置。
其中,所述保护层由透明金属或金属氧化物材料制成。
其中,所述应力层由聚合物材料制成,所述聚合物材料为HMDSO(六甲基二甲基硅醚)聚合体材料、聚丙烯酸酯类材料、聚碳酸脂类材料、聚苯乙烯类材料、聚酰亚胺类材料中的任一种。
其中,所述平坦层为透明树脂材料,所述平坦层的折射率小于所述应力层的折射率。
本申请提供一种OLED器件,其包括所述的OLED器件封装结构。
本申请提供一种显示屏,其特征在于,其包括所述的OLED器件。
本发明所述的OLED器件中具有呈阵列排布的凸起,通过所述阵列排布的凸起减少全反射的发生并调整微腔共振效应以实现较高的出光率,且呈阵列排布的所述凸起均具有相同的结构形状,从而能够实现出光均匀。
附图说明
为更清楚地阐述本发明的构造特征和功效,下面结合附图与具体实施例来对其进行详细说明。
图1为本发明的OLED器件结构剖面示意图;
图2为本发明的阵列基板的制造方法的示意图;
图3至图7是本发明的OLED器件的各个制造流程中的剖面示意图;
图8为本发明的OLED器件封装结构的有机层的俯视图。
具体实施例
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的其它实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1,本发明提供的所述OLED器件封装结构用于OLED器件100上。所述OLED器件100既可以为刚性OLED器件也可以为柔性OLED器件。所述OLED器件100包括OLED元件本体10及封装层(图中未标出)。所述封装层包括有机层20、保护层30、阻隔层40、应力层50及平坦层60。
所述OLED元件本体10包括电致发光层11及层叠于所述电致发光层11上的阴极层12。
所述有机层20层叠于OLED元件本体10的所述阴极层12上。所述有机层20一面贴合于所述阴极层12,另一面有多个呈阵列排布的第一凹部21,阵列排布的所述第一凹部21均具有相同的结构及形状。本实施例中,所述第一凹部21的形状为圆锥状。可以理解的是,所述凹部21的的形状也可以是四面锥形、半圆球形、半椭圆形结构或者截面形状为三角形或弧形的沟槽状结构等。所述有机层20由透明有机树脂材料组成通过喷墨打印及刮板旋涂等工艺制程。进一步的,所述OLED元件本体10与所述有机层20之间还可以设置一阻隔保护层(图中未示出),以防止后续工艺对所述OLED元件本体10的产生破坏。所述阻隔保护层由透明无机材料制成,所述透明无机材料包括SiOx、SiNx、TiO2、Al2O3等。
所述第一凹部21由模具压印形成。通过在所述压印模具的表面设置多个相同且呈阵列排布的规则凸起,所述凸起为圆锥、四面锥等锥状或半球状、半椭球状等,或截面为三角形或弧形的凸条结构。将所述压印模具压印于所述有机层20形成所述凹部21,根据所述模具结构的不同得到不同形状结构的所述凹部21。
所述保护层30、阻隔层40及所述应力层50依次层叠于所述有机层20上,且在所述保护层30、阻隔层40及所述应力层50均覆盖所述有机层20的表面,所述保护层30、阻隔层40及所述应力层50与所述第一凹部21相对应的位置均相应的形成与所述第一凹部21形状结构相同的多个相同且呈阵列排布的第二凹部。
其中,所述保护层30由透明金属或者透明金属氧化物材料通过溅射工艺制成。所述金属材料可以为Al、Ag、Yb、Mg等,所述金属氧化物材料可以为Al2O3、ZrO2、TiO2、ZnO等。可以理解的是,所述保护层30的形成工艺还可以通过真空热蒸镀、电子束蒸发、电镀等工艺进行沉积形成。为实现所述金属层或金属氧化层实现透明状态,要求所述金属层或者金属氧化物层的厚度在一定的范围内,从而使所述OLED器件内部的光线能够顺利发出。所述保护层30的作用为保护所述有机层20上的所述第一凹部21不受后续工艺的影响,从而保持固定的形状。
其中,所述阻隔层40为无机材料薄膜层,由透明无机材料通过气相沉积(PECVD)、溅射(Sputter)、原子层沉积(ALD)或脉冲激光沉积(PLD)等工艺方式进行沉积形成,所述无机材料包括SiOx、SiNx、TiO2、Al2O3等。其作用在于隔绝水氧,避免水氧对于所述OLED器件100内部结构的影响。可以理解的是,所述阻隔层40可以为多层,且形成每层的材料可以相同也可以不同,以实现最佳的防止水氧侵蚀的效果。
其中,所述应力层50由透明聚合物材料通过打印工艺、旋涂工艺等形成,所述透明聚合物材料可以为HMDSO(六甲基二甲基硅醚)聚合体材料、聚丙烯酸酯类材料、聚碳酸脂类材料、聚苯乙烯类材料、聚酰亚胺类材料等任意一种。可以理解的是,所述应力层50的作用为缓解所述保护层30及所述阻隔层40在所述OLED器件100卷曲或折叠时产生的应力。因此,当所述OLED器件100为刚性OLED器件时,则该步骤可以省略。进一步的,所述应力层50也可以为多层,且各层的材料组成也可不同。所述阻隔层40与所述应力层50还可以进行交替设置,以实现最佳的隔离水氧并缓解应力的目的。
进一步的,所述应力层50上还层叠有平坦层60。所述平坦层60由透明树脂材料通过喷墨打印或者刮刀涂布的方式形成。且所述平坦层60贴靠所述应力层50的一面设有多个相同且呈阵列排布的凸起61,所述凸起61填充并密封所述应力层50上的所述第二凹部。所述平坦层60原理所述应力层50的一面为平整的的平坦面。所述平坦层60的折射率较所述应力层50的折射率更低,以实现有较高的出光效率。进一步的,在本发明较优实施例中,所述有机层20、所述保护层30、所述阻隔层40、所述应力层50及所述平坦层60的折射率依次增大,以实现光线在所述OLED封装结构内顺利的发出,从而降低全反射现象的发生,提高OLED器件的光萃取效率。
请参阅2,图中所示为本发明较佳实施例的OLED器件100的制造方法流程图。本发明的OLED器件100的制造方法包括以下步骤:
请参阅图3,步骤S1,提供一OLED元件本体10,并在所述OLED元件本体10上沉积有机层20。
请参阅图4及图8,步骤S2,通过模具(图中未示出)在所述有机层20上形成多个呈阵列排布的凹部21。本实施例中,形成所述第一凹部21的具体操作为,在所述透明有机树脂材料尚未完全固化时,将所述模具具有多个呈阵列排布的所述凸起的一面按压于所述有机层20上背离所述OLED元件本体10的一面,在所述有机层20上即形成与所述凸起结构相对应的多个相同且呈阵列排布的第一凹部21。。
请参阅图5,步骤S3,在所述有机层20上溅射沉积形成保护层30。所述保护层30覆盖所述有机层20,且在所述第一凹部21对应位置形成具有相同形状结构的第二凹部31。
请参阅图6,步骤S4,在所述保护层30上通过气相沉积形成阻隔层40。所述阻隔层40覆盖所述保护层30,且在所述第一凹部21对应位置形成具有相同形状结构的第二凹部41。
请参阅图7,步骤S5,在所述阻隔层40上沉积应力层50。所述应力层50覆盖所述阻隔层40,且在所述凹部21对应位置形成具有相同形状结构的第二凹部51。
请重新参阅图1,步骤S6,在所述应力层50上形成平坦层60。所述平坦层60的形成方式为通过喷墨打印或者刮刀涂布。在喷墨打印或刮刀涂布的过程中,所述平坦层60的组成材料填充于所述应力层50的所述第二凹部51内,从而在所述平坦层60贴靠所述应力层50的一面形成多个相同且呈阵列排布的凸起61,所述凸起61与所述第二凹部51相对应。
本发明的OLED器件封装结构及OLED器件通过具有多个相同且呈阵列排布的凸起的模板在所述OLED元件本体10上形成包括具有不同作用的层结构及规整的阵列排布的凸起61的封装层。通过所述凸起61及各层的折射率的不同可降低所述OLED器件100内部的全反射作用及微腔共振效应,从而提高所述OLED器件的出光效率。且通过规则的呈阵列排布的所述凸起61,可以实现出光的均匀性,提高且通过在所述有机层20上沉积形成保护层30及隔绝层40,从而更有效的保护所述有机层20的阵列结构不受到破坏,并防止所述OLED器件受到水氧的侵蚀,进一步的提高所述OLED器件的品质。且通过简单模具的作用,最终得到所述凸起61的制程简单,成本低。
本申请还提供一种光效果好且出光均匀的显示屏,所述显示屏包括以上实施例所述的OLED器件100。所述OLED器件100包括上述的所述OLED封装结构。
以上所述是本发明的优选实施例,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种OLED器件封装结构,所述OLED器件包括OLED元件本体及封装层,其特征在于,所述封装层包括有机层、保护层、阻隔层、应力层及平坦层;所述有机层一面层叠于所述OLED元件本体上,另一面凹设有多个阵列排布的第一凹部;所述保护层、所述阻隔层及所述应力层依次层叠于所述有机层上并覆盖所述有机层,且所述保护层、所述阻隔层及所述应力层上覆盖多个所述第一凹部的位置均形成多个第二凹部;所述平坦层层叠于所述应力层上,且所述平坦层一面设有多个阵列排布的凸起,另一表面为平坦面,且所述平坦层的所述凸起填充并密封所述应力层的所述第二凹部,所述阻隔层为多层,各层之间材料组成不同;所述保护层、阻隔层、应力层及所述平坦层的折射率依次增大。
2.如权利要求1所述的一种OLED器件封装结构,其特征在于,所述OLED元件本体与所述有机层之间还叠设有阻隔保护层。
3.如权利要求2所述的一种OLED器件封装结构,其特征在于,所述阻隔保护层及所述阻隔层均由透明无机材料制成,所述透明无机材料为Al2O3、SiNx、TiO2、SiOx中任一种。
4.如权利要求3所述的一种OLED器件封装结构,其特征在于,所述阻隔层与所述应力层均为多层,且所述阻隔层与所述应力层交替设置。
5.如权利要求1所述的一种OLED器件封装结构,其特征在于,所述保护层由透明金属或金属氧化物材料制成。
6.如权利要求1所述的一种OLED器件封装结构,其特征在于,所述应力层由聚合物材料制成,所述聚合物材料为HMDSO(六甲基二甲基硅醚)聚合体材料、聚丙烯酸酯类材料、聚碳酸脂类材料、聚苯乙烯类材料、聚酰亚胺类材料中的任一种。
7.如权利要求1所述的一种OLED器件封装结构,其特征在于,所述平坦层为透明树脂材料。
8.一种OLED器件,其特征在于,包括权利要求1-7任一项所述的OLED器件封装结构。
9.一种显示屏,其特征在于,包括权利要求8所述的OLED器件。
CN201611067501.7A 2016-11-24 2016-11-24 Oled器件封装结构、oled器件及显示屏 Active CN106450036B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611067501.7A CN106450036B (zh) 2016-11-24 2016-11-24 Oled器件封装结构、oled器件及显示屏

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611067501.7A CN106450036B (zh) 2016-11-24 2016-11-24 Oled器件封装结构、oled器件及显示屏

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106450036A CN106450036A (zh) 2017-02-22
CN106450036B true CN106450036B (zh) 2019-01-22

Family

ID=58219323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611067501.7A Active CN106450036B (zh) 2016-11-24 2016-11-24 Oled器件封装结构、oled器件及显示屏

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106450036B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107316949B (zh) * 2017-07-11 2020-07-31 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN109309169A (zh) * 2017-07-26 2019-02-05 上海和辉光电有限公司 一种有机发光显示面板及其制作方法
CN109427989A (zh) * 2017-08-22 2019-03-05 中华映管股份有限公司 封装层结构
US10153461B1 (en) * 2017-09-13 2018-12-11 Int Tech Co., Ltd. Display panel and method for manufacturing the same
CN109192766A (zh) * 2018-09-30 2019-01-11 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及显示面板的制作方法
WO2020087449A1 (en) * 2018-11-01 2020-05-07 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel, manufacturing method thereof, and display apparatus
CN109817823B (zh) * 2019-01-09 2022-03-18 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及其制备方法
CN109817817A (zh) * 2019-01-30 2019-05-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性oled器件及其制备方法
CN116649010A (zh) * 2021-12-21 2023-08-25 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104362260A (zh) * 2014-11-18 2015-02-18 上海交通大学 一种利用微结构提高光萃取效率的oled器件
US10270061B2 (en) * 2015-03-03 2019-04-23 Sharp Kabushiki Kaisha Electroluminescent device and manufacturing method
CN105810845B (zh) * 2016-05-17 2018-05-25 武汉华星光电技术有限公司 Oled器件封装结构、oled器件及显示屏
CN105870355A (zh) * 2016-05-27 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性oled器件及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106450036A (zh) 2017-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106450036B (zh) Oled器件封装结构、oled器件及显示屏
KR101873476B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2019205426A1 (zh) Oled显示面板及其制作方法
KR101842586B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN109742133B (zh) 显示面板及其制备方法和显示装置
WO2018082168A1 (zh) 薄膜封装的oled器件以及oled器件的薄膜封装方法
CN108461648B (zh) 薄膜封装体及显示面板
CN109888126B (zh) 显示面板及其制备方法和具有其的显示装置
CN108198843B (zh) 显示面板制备方法
WO2019242114A1 (zh) 显示面板及其制作方法
US20180226616A1 (en) Organic light-emitting display panel and display device thereof
US9966572B2 (en) Flexible organic light emitting diode display and method of fabricating the same
WO2017197699A1 (zh) Oled器件封装结构、oled器件及显示屏
US20130181195A1 (en) Organic light emitting device
TW201038110A (en) Organic light-emitting display apparatus
US10446792B2 (en) Packaging structure, display device, and fabrication method thereof
US20110042702A1 (en) Organic Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same
CN106410062A (zh) 一种封装层及封装器件
KR20140077624A (ko) 롤투롤 공정용 플렉서블 기판 및 이의 제조 방법
WO2019214183A1 (zh) 薄膜封装结构及显示装置
WO2019041866A1 (zh) 薄膜封装结构及具有其的显示装置
CN106158901B (zh) 一种混合型薄膜及其制备方法、以及柔性oled显示器
WO2017117982A1 (zh) 一种oled器件的封装结构、显示装置和封装方法
CN105679969A (zh) Oled器件的封装方法与oled封装结构
WO2020029351A1 (zh) 一种复合膜层及制作方法、oled显示面板的制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant