CN106449813B - 一种背钝化晶硅太阳电池及其制备方法 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 59
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 59
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 238000002161 passivation Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 57
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 24
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 24
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 22
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 21
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 21
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 12
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 11
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 11
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 9
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract description 6
- 230000009466 transformation Effects 0.000 abstract description 6
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005553 drilling Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 description 3
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 description 3
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- -1 oxo transition metal Chemical class 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000000686 essence Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种背钝化晶硅太阳电池及其制备方法,该太阳电池背钝化晶硅太阳电池背表面含有超薄氧化铝及高功函数过渡金属氧化物叠层钝化膜,置于p型晶体硅和背电极之间;超薄氧化铝及高功函数过渡金属氧化物叠层膜用于钝化接触p型晶体硅背表面;制备方法包括采用原子层淀积法制备超薄氧化铝层;选用热蒸发法或等离子增强原子层淀积法制备金属氧化物层。本发明能够降低背表面光损失和载流子复合损失,从而提升电池的光电转换效率;同时超薄氧化铝及高功函数过渡金属氧化物叠层能够收集和传输空穴,仅需原子层淀积和热蒸发镀膜工艺制备获得,避免了进一步使用工艺难度大、所需设备昂贵的激光开孔工艺。
Description
技术领域
本发明属于光伏太阳能技术领域,尤其涉及一种背钝化晶硅太阳电池及其制备方法。
背景技术
晶硅太阳电池的光电转换效率影响着光伏产业的发展和决定着光企业的核心竞争力,如何提升晶硅太阳电池的光电转换效率倍受业界关注。当前主流的晶硅太阳电池产品的背表面是采用铝背场(Al-BSF)结构,背铝电极与晶体硅直接接触。其中,950-1200nm光谱范围的长波光子在晶体硅中的吸收系数小于5×102/cm,导致吸收不完全入射到晶硅太阳电池背表面,随后被背铝电极吸收损失。另外,晶体硅背表面与铝电极直接接触,使得界面存在高密度的载流子复合中心,从而背表面处光生载流子复合严重。因此,在铝背场(Al-BSF)结构的晶硅太阳电池中,背表面处光学损失和载流子复合损失是限制其光电转换效率的一个重要原因。
PERC背钝化光电结构是一种求解方法,该背钝化光电结构是在铝电极和硅之间引入氧化铝和氮化硅叠层介质膜,借助叠层介质膜的光学干涉耦合效应来提高长波太阳光子背反射率,降低背铝电极的光吸收损失;同时利用氧化铝层的表面钝化和场钝化效应来降低载流子背表面复合,从而有效地提升晶硅太阳电池的光电转换效率。可是,在该结构中氧化铝和氮化硅叠层介质膜不导电,需要局域激光开孔,随后印刷铝浆料与硅接触,烧结形成金属半导体欧姆接触。因此,PERC背钝化光电结构将存在如下三个问题:
(1)背铝电极与硅接触处仍然存在传统结构中的光损失和载流子复合损失;
(2)背铝电极与硅接触面积小,造成电池串联电阻偏大,从而导致填充因子和光电转换效率降低;
(3)包含激光开孔制备工艺,激光加工设备昂贵、工艺难度大。
发明内容
针对上述问题,本发明提供一种背钝化晶硅太阳电池及其制备方法,旨在降低Al-BSF结构晶硅太阳电池中背表面光损失和载流子复合损失,同时避免了上述PERC背钝化光电结构中存在的三个问题。
本发明是这样实现的,一种背钝化晶硅太阳电池,所述背钝化晶硅太阳电池背表面含有超薄氧化铝及高功函数过渡金属氧化物叠层钝化膜,置于p型晶体硅和背电极之间;所述超薄氧化铝及高功函数过渡金属氧化物叠层可钝化接触p型晶体硅背表面。
进一步,超薄氧化铝(AlOx)层中含有固定负电荷,其与p型晶体硅背表面直接接触可实现硅表面悬挂键钝化和场效应钝化;并且其厚度为为0.2~3nm,能够使空穴隧穿通过。因此,所述超薄氧化铝具有钝化p型晶体硅背表面且能够使空穴隧穿通过的功能
进一步,高功函数过渡金属氧化物层为非化学计量比的氧化钼(MoOx)、氧化钨(WOx)或氧化钒(V2Ox)中的一种,厚度为10nm~100nm。这些非化学计量比过渡金属氧化物存在氧空位缺陷,使其费米能级接近导带底,呈现半金属特性,能够收集和传输空穴;且其费米能级低于晶体硅的价带顶,从而与超薄氧化铝、p型晶体硅接触后形成由p型晶体硅指向过渡金属氧化物的诱导电场,进一步场效应钝化p型晶体硅背表面。因此,所述高功函数过渡金属氧化物层能够进一步钝化p型硅背表面且能够收集空穴和并将其传导至背电极。
同时,超薄氧化铝及高功函数过渡金属氧化物叠层能够干涉耦合传输到晶硅太阳电池背表面长波太阳光子,提高长波光子背反射率,从而增强长波太阳光子的光伏转换。
本发明另一目的在于提供一种背钝化晶硅太阳电池的制备方法,包括:
清洗制绒、磷扩散制pn结、湿法刻边及背抛光去背结、去磷硅玻璃、淀积氮化硅减反射层、淀积超薄氧化铝层、淀积高功函数过渡金属氧化物层、印刷背电极、印刷正银栅线电极、烧结工艺。
本发明提供的背钝化晶硅太阳电池的制备方法中,所述淀积超薄氧化铝层采用原子层淀积法,所述淀积高功函数过渡金属氧化物层采用热蒸发法;
进一步,高功函数过渡金属氧化物层的制备或采用等离子增强原子层淀积法。
进一步,所述采用原子层淀积的方法制备超薄氧化铝层具体包括:
以(CH3)3Al为铝源、高纯H2O为氧源,氮气为载气,150~200摄氏度的衬底温度下反应生成0.2~3nm厚的氧化铝(AlOx)层。
进一步,所述采用热蒸发法制备高功函数过渡金属氧化物层具体包括:
以纯度大于99.9%的过渡金属氧化物粉末为蒸发源,蒸发速率约0.05~0.2nm/S,通过控制热蒸发时间获得约10~100nm厚的高功函数过渡金属氧化物层。
本发明通过背钝化晶硅太阳电池背表面置有超薄氧化铝及高功函数过渡金属氧化物叠层钝化膜,构成了晶硅太阳电池的背钝化结构,能够降低背表面光损失和载流子复合损失,从而提升电池的光电转换效率;同时超薄氧化铝及高功函数过渡金属氧化物叠层能够收集和传输空穴,仅需原子层淀积和热蒸发镀膜工艺制备获得,避免了进一步使用工艺难度大、所需设备昂贵的激光开孔工艺。
附图说明
图1是本发明提供的背钝化晶硅太阳电池的结构示意图;
图中:1、正银栅线电极;2、氮化硅减反射层;3、n型晶体硅;4、p型晶体硅;5、超薄氧化铝层;6、过渡金属氧化物层;7、背电极。
图2是本发明提供的背钝化晶硅太阳电池的制备方法流程图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
下面结合附图对本发明应用原理作详细描述。
如图1所示,本发明实施例提供的背钝化晶硅太阳电池,该晶硅太阳电池背表面置有超薄氧化铝层5及高功函数过渡金属氧化物层6;所述超薄氧化铝及高功函数过渡金属氧化物叠层钝化膜置于p型晶体硅和背电极之间,能够钝化接触p型晶体硅背表面。
所述背钝化晶硅太阳电池各组成单元自前表面至背表面依次为:正银栅线电极1,氮化硅减反射层2,n型晶体硅3,p型晶体硅4,超薄氧化铝层5,过渡金属氧化物层6,背电极7。
进一步,超薄氧化铝层(AlOx)厚度为0.2~3nm;所述超薄氧化铝层用于钝化p型晶体硅背表面且能够使空穴隧穿通过。
进一步,高功函数过渡金属氧化物层为非化学计量比的氧化钼(MoOx)、氧化钨(WOx)或氧化钒(V2Ox)中的一种,厚度为10~100nm;所述高功函数过渡金属氧化物层用于进一步钝化p型硅背表面且能够收集和空穴并及其能够其传导至背电极。
进一步,背电极选用银浆电极、铝浆电极、铜浆电极的一种或两种以上的混合电极。
如图2所示,本发明实施例提供的背钝化晶硅太阳电池的制备方法,包括:
S101:清洗制绒、磷扩散制pn结、湿法刻边及背抛光去背结、去磷硅玻璃、淀积氮化硅减反射层;
S102:采用原子层淀积的方法制备用于钝化p型晶体硅背表面且能够使空穴隧穿通过的超薄氧化铝层;
S103:采用热蒸发法制备用于进一步钝化p型硅背表面且能够收集和传导空穴的高功函数过渡金属氧化物层。
S104:印刷背电极、印刷正银栅线电极、烧结后获得背钝化晶硅太阳电池。
进一步,高功函数过渡金属氧化物层的制备或采用等离子增强原子层淀积法制备。
进一步,所述采用原子层淀积的方法制备用于钝化p型晶体硅背表面且能够使空穴隧穿通过的超薄氧化铝层具体包括:
以(CH3)3Al为铝源、高纯H2O为氧源,氮气为载气,150~200摄氏度的衬底温度下反应生成0.2~3nm厚的氧化铝(AlOx)层。
进一步,所述采用等离子增强原子层淀积法制备用于进一步钝化p型硅背表面且能够收集和传导空穴的高功函数过渡金属氧化物叠层具体包括:
以纯度大于99.9%的过渡金属氧化物粉末为蒸发源,蒸发速率约0.05~0.2nm/S,通过控制热蒸发时间获得约10~100nm厚的高功函数过渡金属氧化物层。
下面结合具体实施例对本发明应用原理作进一步描述。
实施例1:
以156*156mm2面积的p型单晶硅片为初始材料,依次经过清洗制绒、磷扩散制pn结、湿法刻边及背抛光去背结、去磷硅玻璃、淀积氮化硅减反射层、淀积超薄氧化铝层、淀积非化学计量比的氧化钼层、印刷背银电极、印刷正银栅线电极、烧结工艺获得背钝化单晶硅太阳电池。超薄氧化铝层采用原子层淀积法制得,工艺中以(CH3)3Al为铝源、高纯H2O为氧源,150摄氏度的衬底温度下反应生成1nm厚氧化铝层。非化学计量比的氧化钼层采用热蒸发法制得,工艺中以纯度大于99.9%的氧化钼粉末为蒸发源,蒸发速率约0.1nm/S,通过控制热蒸发时间获得约35nm厚非化学计量比的氧化钼层。
实施例2:
以156*156mm2面积的p型多晶硅片为初始材料,依次经过清洗制绒、磷扩散制pn结、湿法刻边及背抛光去背结、去磷硅玻璃、淀积氮化硅减反射层、淀积超薄氧化铝层、淀积非化学计量比的氧化钼层、印刷背银电极、印刷正银栅线电极、烧结工艺获得背钝化多晶硅太阳电池。超薄氧化铝层采用原子层淀积法制得,工艺中以(CH3)3Al为铝源、高纯H2O为氧源,150摄氏度的衬底温度下反应生成1nm厚氧化铝层。非化学计量比的氧化钼层采用热蒸发法制得,工艺中以纯度大于99.9%的氧化钼粉末为蒸发源,蒸发速率约0.1nm/S,通过控制热蒸发时间获得约35nm厚非化学计量比的氧化钼层。
实施例3:
以156*156mm2面积的p型单晶硅片为初始材料,依次经过清洗制绒、磷扩散制pn结、湿法刻边及背抛光去背结、去磷硅玻璃、淀积氮化硅减反射层、淀积超薄氧化铝层、淀积非化学计量比的氧化钨层、印刷背银电极、印刷正银栅线电极、烧结工艺获得背钝化单晶硅太阳电池。超薄氧化铝层采用原子层淀积法制得,工艺中以(CH3)3Al为铝源、高纯H2O为氧源,150摄氏度的衬底温度下反应生成1nm厚氧化铝层。非化学计量比的氧化钨层采用热蒸发法制得,工艺中以纯度大于99.9%的氧化钼粉末为蒸发源,蒸发速率约0.1nm/S,通过控制热蒸发时间获得约35nm厚非化学计量比的氧化钨层。
实施例4:
以156*156mm2面积的p型多晶硅片为初始材料,依次经过清洗制绒、磷扩散制pn结、湿法刻边及背抛光去背结、去磷硅玻璃、淀积氮化硅减反射层、淀积超薄氧化铝层、淀积非化学计量比的氧化钨层、印刷背银电极、印刷正银栅线电极、烧结工艺获得背钝化多晶硅太阳电池。超薄氧化铝层采用原子层淀积法制得,工艺中以(CH3)3Al为铝源、高纯H2O为氧源,150摄氏度的衬底温度下反应生成1nm厚氧化铝层。非化学计量比的氧化钨层采用热蒸发法制得,工艺中以纯度大于99.9%的氧化钼粉末为蒸发源,蒸发速率约0.1nm/S,通过控制热蒸发时间获得约35nm厚非化学计量比的氧化钨层。
实施例5:
以156*156mm2面积的p型单晶硅片为初始材料,依次经过清洗制绒、磷扩散制pn结、湿法刻边及背抛光去背结、去磷硅玻璃、淀积氮化硅减反射层、淀积超薄氧化铝层、淀积非化学计量比的氧化钒层、印刷背银电极、印刷正银栅线电极、烧结工艺获得背钝化单晶硅太阳电池。超薄氧化铝层采用原子层淀积法制得,工艺中以(CH3)3Al为铝源、高纯H2O为氧源,150摄氏度的衬底温度下反应生成1nm厚氧化铝层。非化学计量比的氧化钒层采用热蒸发法制得,工艺中以纯度大于99.9%的氧化钼粉末为蒸发源,蒸发速率约0.1nm/S,通过控制热蒸发时间获得约35nm厚非化学计量比的氧化钒层。
实施例6:
以156*156mm2面积的p型多晶硅片为初始材料,依次经过清洗制绒、磷扩散制pn结、湿法刻边及背抛光去背结、去磷硅玻璃、淀积氮化硅减反射层、淀积超薄氧化铝层、淀积非化学计量比的氧化钒层、印刷背银电极、印刷正银栅线电极、烧结工艺获得背钝化多晶硅太阳电池。超薄氧化铝层采用原子层淀积法制得,工艺中以(CH3)3Al为铝源、高纯H2O为氧源,150摄氏度的衬底温度下反应生成1nm厚氧化铝层。非化学计量比的氧化钒层采用热蒸发法制得,工艺中以纯度大于99.9%的氧化钼粉末为蒸发源,蒸发速率约0.1nm/S,通过控制热蒸发时间获得约35nm厚非化学计量比的氧化钒层。
实施例7:
以156*156mm2面积的p型单晶硅片为初始材料,依次经过清洗制绒、磷扩散制pn结、湿法刻边及背抛光去背结、去磷硅玻璃、淀积氮化硅减反射层、淀积超薄氧化铝层、淀积非化学计量比的氧化钼层、印刷背银电极、印刷正银栅线电极、烧结工艺获得背钝化单晶硅太阳电池。超薄氧化铝层采用原子层淀积法制得,工艺中以(CH3)3Al为铝源、高纯H2O为氧源,150摄氏度的衬底温度下反应生成1nm厚氧化铝层。非化学计量比的氧化钼层采用等离子增强原子层淀积法制得,工艺中以(NtBu)2(NMe2)2Mo为钼源、O2等离子体为氧源,150摄氏度的衬底温度下反应生成约35nm厚的非化学计量比的氧化钼层。
实施例8:
以156*156mm2面积的p型多晶硅片为初始材料,依次经过清洗制绒、磷扩散制pn结、湿法刻边及背抛光去背结、去磷硅玻璃、淀积氮化硅减反射层、淀积超薄氧化铝层、淀积非化学计量比的氧化钼层、印刷背银电极、印刷正银栅线电极、烧结工艺获得背钝化多晶硅太阳电池。超薄氧化铝层采用原子层淀积法制得,工艺中以(CH3)3Al为铝源、高纯H2O为氧源,150摄氏度的衬底温度下反应生成1nm厚氧化铝层。非化学计量比的氧化钼层采用等离子增强原子层淀积法制得,工艺中以(NtBu)2(NMe2)2Mo为钼源、O2等离子体为氧源,150摄氏度的衬底温度下反应生成约35nm厚的非化学计量比的氧化钼层。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种背钝化晶硅太阳电池,其特征在于,所述背钝化晶硅太阳电池背表面含有超薄氧化铝及高功函数过渡金属氧化物叠层钝化膜,置于p型晶体硅和背电极之间;所述超薄氧化铝及高功函数过渡金属氧化物叠层钝化膜用于钝化接触p型晶体硅背表面;
超薄氧化铝层厚度为0.2nm~3nm;所述超薄氧化铝层用于钝化p型晶体硅背表面且能够实现空穴隧穿通过。
2.如权利要求1所述的背钝化晶硅太阳电池,其特征在于,高功函数过渡金属氧化物层为非化学计量比的氧化钼(MoOx )、氧化钨(WOx)或氧化钒(V2Ox)中的一种,厚度为10nm~100nm;所述高功函数过渡金属氧化物叠层钝化膜用于进一步钝化p型晶体硅背表面且能够收集空穴并将其传导至背电极。
3.一种如权利要求1所述的背钝化晶硅太阳电池的制备方法,包括:
步骤一:清洗制绒、磷扩散制pn结、湿法刻边及背抛光去背结、去磷硅玻璃、淀积氮化硅减反射层;
步骤二:淀积超薄氧化铝层;
步骤三:淀积高功函数过渡金属氧化物层;
步骤四:印刷背电极、印刷正银栅线电极、烧结工艺。
4.如权利要求3所述的背钝化晶硅太阳电池的制备方法,其特征在于,采用原子层淀积的方法制备超薄氧化铝层及采用热蒸发法制备高功函数过渡金属氧化物层。
5.如权利要求3所述的背钝化晶硅太阳电池的制备方法,其特征在于,高功函数过渡金属氧化物层采用等离子增强原子层淀积法制备。
6.如权利要求4所述的背钝化晶硅太阳电池的制备方法,其特征在于,所述采用原子层淀积的方法制备超薄氧化铝层具体包括:
以(CH3)3Al为铝源、高纯H2O为氧源,氮气为载气,150~200摄氏度的衬底温度下交替反应后获得0.2~3nm厚的氧化铝(AlOx )层。
7.如权利要求4所述的背钝化晶硅太阳电池的制备方法,其特征在于,所述采用热蒸发法制备高功函数过渡金属氧化物层具体包括:
以纯度大于99.9%的过渡金属氧化物粉末为蒸发源,蒸发速率约0.05~0.2nm/S,通过控制热蒸发时间获得10~100nm厚的高功函数过渡金属氧化物层。
8.一种利用权利要求1所述的背钝化晶硅太阳电池为p型单晶硅太阳电池。
9.一种利用权利要求1所述的背钝化晶硅太阳电池为p型多晶硅太阳电池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610938561.5A CN106449813B (zh) | 2016-10-24 | 2016-10-24 | 一种背钝化晶硅太阳电池及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610938561.5A CN106449813B (zh) | 2016-10-24 | 2016-10-24 | 一种背钝化晶硅太阳电池及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106449813A CN106449813A (zh) | 2017-02-22 |
CN106449813B true CN106449813B (zh) | 2018-01-02 |
Family
ID=58178080
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610938561.5A Expired - Fee Related CN106449813B (zh) | 2016-10-24 | 2016-10-24 | 一种背钝化晶硅太阳电池及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106449813B (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107425083A (zh) * | 2017-07-26 | 2017-12-01 | 顺德中山大学太阳能研究院 | 一种叠层背钝化太阳能电池及其制备方法 |
CN108091711A (zh) * | 2017-11-10 | 2018-05-29 | 中国科学院微电子研究所 | 晶体硅太阳能电池 |
CN108470778A (zh) * | 2018-03-30 | 2018-08-31 | 顺德中山大学太阳能研究院 | 太阳能电池钝化膜与背面钝化太阳能电池及其制备方法 |
CN109087965B (zh) * | 2018-08-08 | 2020-07-17 | 浙江师范大学 | 一种背面钝化的晶体硅太阳能电池及其制备方法 |
CN109786503A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-21 | 浙江师范大学 | 用氧化钼对单晶硅表面进行钝化的方法 |
CN109768121A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-17 | 浙江师范大学 | 用氧化钨对单晶硅表面进行钝化的方法 |
CN110660883A (zh) * | 2019-10-09 | 2020-01-07 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN205231078U (zh) * | 2015-12-25 | 2016-05-11 | 常州天合光能有限公司 | 全背极太阳电池结构 |
CN106024927A (zh) * | 2016-05-26 | 2016-10-12 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 硅基太阳能电池及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130319515A1 (en) * | 2012-06-01 | 2013-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
-
2016
- 2016-10-24 CN CN201610938561.5A patent/CN106449813B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN205231078U (zh) * | 2015-12-25 | 2016-05-11 | 常州天合光能有限公司 | 全背极太阳电池结构 |
CN106024927A (zh) * | 2016-05-26 | 2016-10-12 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 硅基太阳能电池及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106449813A (zh) | 2017-02-22 |
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