CN106449705B - Oled显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种OLED显示面板,利用OLED正向导通、反向截止的特性,将虚拟像素(P2)内虚拟OLED(D2)的阴极(223)连接电源走线(VDD),阳极(221)连接正常发光像素(P1)内正常OLED(D1)的阴极(123),使虚拟OLED(D2)成为反向连接的二极管,作为静电防护器起到静电防护功能,能够减小显示面板所受到的静电损伤,且虚拟OLED(D2)位于虚拟像素(P2)的开口区内,充分利用了虚拟像素区域,无需设置专门用于静电防护的电子元件,有助于OLED显示面板的窄边框化,提升开口率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板。
背景技术
静电是一种客观存在的自然现象,产生的方式有多种,如接触、摩擦、电器间感应等。静电具有长时间积聚、高电压、低电量、小电流和作用时间短的特点。人体自身的动作或与其它物体的接触、分离、摩擦或感应等因素,可以产生几千伏甚至上万伏的静电。摩擦起电和人体静电是电子工业中的两大危害,常常造成电子电器产品运行不稳定,甚至损坏。
在显示面板中同样存在静电防护的问题。现有技术中通常的静电防护做法一是信号线通过一组或几组背对背相连的二极管的形式分别与电源(VDD)、接地端(VSS)相连,将静电释放;二是信号线通过一个非常大的电阻与VDD/VSS相连,将静电释放;
目前市场上的显示面板中,有机发光二极管(Organic Light Emitting Display,OLED)显示面板具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示面板。
OLED通常包括:阳极、阴极、及夹在阳极与阴极之间的有机发光层。OLED是电流驱动器件,当有电流流过有机发光二极管时,有机发光二极管发光,且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。
OLED显示面板包括呈阵列式排布的多个正常发光像素、及包围该呈阵列式排布的多个正常发光像素的至少一圈的虚拟像素(Dummy Pixel),虚拟像素中OLED的阴极与正常发光像素中OLED的阴极相连,虚拟像素中OLED的阳极与正常发光像素中OLED的阳极一样,与对应的驱动薄膜晶体管相连。若采用现有的静电防护做法,额外的专用于静电防护的电子元件会增加显示面板的边框厚度,影响显示面板的开口率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED显示面板,无需设置专门用于静电防护的电子元件便能够有效地进行静电防护,减小静电损伤,有助于OLED显示面板的窄边框化,提升开口率。
为实现上述目的,本发明提供一种OLED显示面板,包括呈阵列式排布的多个正常发光像素、包围该呈阵列式排布的多个正常发光像素的至少一圈的虚拟像素、及设于所述虚拟像素远离正常发光像素一侧的电源走线;所述虚拟像素划分为虚拟TFT区、及虚拟开口区,所述虚拟开口区内设置虚拟OLED,所述虚拟OLED包括自下至上依次层叠设置的阳极、有机发光层、及阴极;所述正常发光像素划分为正常TFT区、及正常开口区,所述正常开口区内设置正常OLED,所述正常OLED包括自下至上依次层叠设置的阳极、有机发光层、及阴极;
所述虚拟像素内虚拟OLED的阴极连接电源走线,阳极连接正常发光像素内正常OLED的阴极;所述正常发光像素内正常OLED的阴极连接接地端。
所述电源走线的材料为ITO。
所述正常OLED的阳极、及虚拟OLED的阳极的材料均为ITO。
虚拟OLED与正常OLED均设置在第一绝缘层上。
虚拟OLED、正常OLED、及电源走线之间通过第二绝缘层进行绝缘。
所述虚拟像素内虚拟OLED的阴极经由设于第二绝缘层内的第一过孔接触电源走线形成连接。
所述虚拟像素内虚拟OLED的阳极经由设于第二绝缘层内的第二过孔连接正常发光像素内正常OLED的阴极。
所述第一绝缘层覆盖在绝缘保护层上,所述电源走线设于所述绝缘保护层上,绝缘保护层覆盖在栅极绝缘层上。
本发明的有益效果:本发明提供的一种OLED显示面板,利用OLED正向导通、反向截止的特性,将虚拟像素内虚拟OLED的阴极连接电源走线,阳极连接正常发光像素内正常OLED的阴极,使虚拟OLED成为反向连接的二极管,作为静电防护器起到静电防护功能,能够减小显示面板所受到的静电损伤,且虚拟OLED位于虚拟像素的开口区内,充分利用了虚拟像素区域,无需设置专门用于静电防护的电子元件,有助于OLED显示面板的窄边框化,提升开口率。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中,
图1为本发明的OLED显示面板的俯视平面图;
图2为对应于图1中A处的放大图;
图3为对应于图2中B-B处的剖面图;
图4为对应于图2中C-C处的剖面图;
图5为本发明的OLED显示面板中虚拟像素内虚拟OLED的等效电路图;
图6为本发明的OLED显示面板中正常发光像素内正常OLED的等效电路图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果,以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请同时参阅图1至图4,本发明提供一种OLED显示面板。
如图1及图2所示,本发明的OLED显示面板包括呈阵列式排布的多个正常发光像素P1、包围该呈阵列式排布的多个正常发光像素P1的至少一圈的虚拟像素P2、及设于所述虚拟像素P2远离正常发光像素P1一侧的电源走线VDD。
如图2所示,所述虚拟像素P2划分为虚拟TFT区P21、及虚拟开口区P22,所述虚拟开口区P22内设置虚拟OLED D2,所述虚拟OLED D2包括自下至上依次层叠设置的阳极221、有机发光层222、及阴极223;所述正常发光像素P1划分为正常TFT区P11、及正常开口区P12,所述正常开口区P12内设置正常OLED D1,所述正常OLED D1包括自下至上依次层叠设置的阳极121、有机发光层122、及阴极123。
结合图2、图3、与图4,所述虚拟像素P2内虚拟OLED D2的阴极223连接电源走线VDD,阳极221连接正常发光像素P1内正常OLED D1的阴极123;所述正常发光像素P1内正常OLED D1的阴极123连接接地端(未图示)。
图5、图6分别为虚拟像素P2内虚拟OLED D2的等效电路图、及正常发光像素P1内正常OLED D1的等效电路图,其中正常OLED D1的阳极121像现有技术一样连接驱动晶体管(未示出),阴极123像现有技术一样连接接地端VSS,能够正常发光显示;而虚拟像素P2内虚拟OLED D2的阳极221连接正常发光像素P1内正常OLED D1的阴极123,相当于连接了接地端VSS,阴极223连接电源走线VDD,这样虚拟OLED D2就成为了反向连接的二极管。由于OLED具有正向导通、反向截止的特性,虚拟OLED D2经反向连接后无法正常发光,形成静电防护器,起到静电防护功能,能够减小显示面板所受到的静电损伤,且虚拟OLED D2位于虚拟像素P2的开口区P22内,充分利用了虚拟像素区域,无需设置专门用于静电防护的电子元件,有助于OLED显示面板的窄边框化,提升开口率。
进一步地,所述有机发光层122及222又具体包括:空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层。
所述虚拟像素P2的虚拟TFT区P21内、正常发光像素P1的正常TFT区P11内设置有驱动晶体管、开关晶体管等元件,与现有技术无异,此处不展开叙述。
具体地,所述电源走线VDD、正常OLED D1的阳极121、及虚拟OLED D2的阳极221均由氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)透明导电薄膜经图案化处理形成。
结合图3与图4,虚拟OLED D2与正常OLED D1均设置在第一绝缘层30上;虚拟OLEDD2、正常OLED D1、及电源走线VDD之间通过第二绝缘层40进行绝缘。所述第一绝缘层30与第二绝缘层40的材料可为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、或二者的组合。
进一步地,结合图2、图3、与图4,所述虚拟像素P2内虚拟OLED D2的阴极223经由设于第二绝缘层40内的第一过孔H1接触电源走线VDD形成连接,所述虚拟像素P2内虚拟OLEDD2的阳极221经由设于第二绝缘层40内的第二过孔H2连接正常发光像素P1内正常OLEDD1的阴极123。
更进一步地,所述第一绝缘层30覆盖在绝缘保护层20上,所述电源走线VDD设于所述绝缘保护层20上,绝缘保护层20覆盖在栅极绝缘层10上。与现有技术一样,所述栅极绝缘层10下设置有第一金属层M1,用于形成栅极线、薄膜晶体管的栅极等;所述绝缘保护层20下设置有第二金属层M2,用于形成数据线、薄膜晶体管的源极、漏极等,此处不展开叙述。
综上所述,本发明的OLED显示面板,利用OLED正向导通、反向截止的特性,将虚拟像素内虚拟OLED的阴极连接电源走线,阳极连接正常发光像素内正常OLED的阴极,使虚拟OLED成为反向连接的二极管,作为静电防护器起到静电防护功能,能够减小显示面板所受到的静电损伤,且虚拟OLED位于虚拟像素的开口区内,充分利用了虚拟像素区域,无需设置专门用于静电防护的电子元件,有助于OLED显示面板的窄边框化,提升开口率。
以上所述,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形,而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (8)
1.一种OLED显示面板,其特征在于,包括呈阵列式排布的多个正常发光像素(P1)、包围该呈阵列式排布的多个正常发光像素(P1)的至少一圈的虚拟像素(P2)、及设于所述虚拟像素(P2)远离正常发光像素(P1)一侧的电源走线(VDD);所述虚拟像素(P2)划分为虚拟TFT区(P21)、及虚拟开口区(P22),所述虚拟开口区(P22)内设置虚拟OLED(D2),所述虚拟OLED(D2)包括自下至上依次层叠设置的阳极(221)、有机发光层(222)、及阴极(223);所述正常发光像素(P1)划分为正常TFT区(P11)、及正常开口区(P12),所述正常开口区(P12)内设置正常OLED(D1),所述正常OLED(D1)包括自下至上依次层叠设置的阳极(121)、有机发光层(122)、及阴极(123);
所述虚拟像素(P2)内虚拟OLED(D2)的阴极(223)连接电源走线(VDD),阳极(221)连接正常发光像素(P1)内正常OLED(D1)的阴极(123);所述正常发光像素(P1)内正常OLED(D1)的阴极(123)连接接地端。
2.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述电源走线(VDD)的材料为ITO。
3.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述正常OLED(D1)的阳极(121)、及虚拟OLED(D2)的阳极(221)的材料均为ITO。
4.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,虚拟OLED(D2)与正常OLED(D1)均设置在第一绝缘层(30)上。
5.如权利要求4所述的OLED显示面板,其特征在于,虚拟OLED(D2)、正常OLED(D1)与电源走线(VDD)两两之间均通过第二绝缘层(40)进行绝缘。
6.如权利要求5所述的OLED显示面板,其特征在于,所述虚拟像素(P2)内虚拟OLED(D2)的阴极(223)经由设于第二绝缘层(40)内的第一过孔(H1)接触电源走线(VDD)形成连接。
7.如权利要求5所述的OLED显示面板,其特征在于,所述虚拟像素(P2)内虚拟OLED(D2)的阳极(221)经由设于第二绝缘层(40)内的第二过孔(H2)连接正常发光像素(P1)内正常OLED(D1)的阴极(123)。
8.如权利要求5所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一绝缘层(30)覆盖在绝缘保护层(20)上,所述电源走线(VDD)设于所述绝缘保护层(20)上,绝缘保护层(20)覆盖在栅极绝缘层(10)上。
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee after: TCL China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. Address before: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. |