CN106373664A - 一种高性能金属网格透明导电薄膜制备方法及其制品 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种高性能金属网格透明导电薄膜制备方法及其制品。所述金属网格透明导电薄膜至少包含：透明衬底，所述透明衬底包含第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面相对设置；金属网格布线，所述金属网格布线是由石墨烯和原位生长于其上的金属纳米颗粒之间紧密接触形成；所述金属网格布线直接或/和间接设置于透明衬底的第一表面或/和第二表面。本发明所制备金属网格解决了传统金属网格不可绕曲、金属网格可见、金属迁移等问题。本发明所述制备方法简单，易于实施大规模生产。

Description

一种高性能金属网格透明导电薄膜制备方法及其制品

技术领域

本发明涉及一种金属网格透明导电薄膜制备方法及其制品，尤其是涉及一种具有超细线宽、可绕曲、稳定性良好的高性能金属网格透明导电薄膜制备方法及其制品。

背景技术

通过印刷技术制备金属网格的方法是多样的，常规技术包括：纳米压印、丝网印刷、喷墨打印等。其中纳米压印技术制备的金属网格精度最高，其线宽通常为5微米，适用于一些触控产品，尤其是一些大尺寸触控产品。但在手机或平板电脑产品中，金属网格要求肉眼不可见，其线宽至少要小于2微米。纳米压印技术能够将压印凹槽的线宽降低到2微米以下，但是却没有合适的导电浆料匹配来填充凹槽，原因如下：（1）填涂纳米颗粒粒度较大（通常位于200~500nm之间）的导电浆料，颗粒难以进入较细的凹槽，将会造成填涂不均匀，部分区域形成开路，产品的良品率极大下降；（2）若填涂纳米颗粒粒度较小（通常小于200nm）的导电浆料，小颗粒导电浆料易于进入凹槽，但是由于小颗粒之间的接触不够好，固化后会引起开裂，尤其在绕曲状态下开裂更甚，同样也会导致产品的良品率降低。针对以上技术问题，亟待提供一种新的金属网格透明导电薄膜，解决传统金属网格透明导电薄膜不可绕曲、金属网格线宽较粗等问题。

发明内容

为解决上述技术问题，尤其是解决不可绕曲、金属网格可见等问题，本发明提出一种高性能金属网格透明导电薄膜及其制备方法。

一种高性能金属网格透明导电薄膜的制备方法

本发明提供一种高性能金属网格透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：S1,提供包含第一表面和第二表面的透明衬底，第一表面和第二表面相对设置；S2,通过微纳压印方法，在透明衬底第一表面上或第一表面内部形成具有超细线宽的网格凹槽；S3,制备石墨烯/金属纳米颗粒复合导电浆料，所述金属纳米颗粒原位生长在石墨烯表面，所述金属纳米丝颗粒的粒径小于网格凹槽线宽，所述石墨烯尺寸小于凹槽线宽的五倍；S4,在网格凹槽中刮涂导电浆料；S5,移除未填入网格凹槽的多余导电浆料；S6,将填入凹槽的导电浆料固化，石墨烯和原位生长于其上的金属纳米颗粒之间紧密接触形成金属网格布线。

所述S2步骤的实施方式是多样的，包括：在第一表面内形成凹槽或在第一表面上形成凹槽。

所述在第一表面内形成凹槽的方法具体步骤包括：将具有纹路的的压印模具植入透明衬底的第一表面，压印模具的纹路被反印在透明衬底中；去掉压印模具，凹槽在透明衬底上形成。通常这种实施方式，要求透明衬底是软性物质或者具有热塑性等特性。一种非限制性的第一表面内形成凹槽的结构示意图如图1所示，其中111是透明衬底，1111是透明衬底的第一表面，1112是透明衬底的第二表面，401是凹槽，凹槽401位于透明衬底第一表面内。

所述在第一表面上形成凹槽的方法具体步骤包括：涂覆，在第一表面上涂覆一层透明基材；压印，通过压印方式在透明基材上形成凹槽。更为具体的步骤为：在第一表面上涂覆软性透明基材；将具有纹路的压印模具植入透明基材；将透明基材固化；再将压印模具去掉，由此在透明衬底的第一表面上形成凹槽。通常所述透明基材的选择为热固化材料或光固化材料，在本发明的实施例中选择UV固化光学胶。一种非限制性的第一表面上形成凹槽的结构示意图如图2所示，其中112是透明衬底，1121是透明衬底的第一表面，1122是透明衬底的第二表面，311是透明基材层，402是凹槽，凹槽402位于透明基材层311内。

所述S3步骤的制备石墨烯/金属纳米颗粒复合导电浆料具体的步骤为：

S31,提供石墨烯，所述石墨烯包括：氧化石墨烯，功能化石墨烯、磺化石墨烯、石墨烯衍生物、普通石墨烯或其组合，所述石墨烯的尺寸小于凹槽线宽的五倍；

S32,金属颗粒原位生长，将石墨烯和金属盐类加入具有还原性的溶液中，金属盐类直接在石墨烯表面原位还原形成金属纳米颗粒；

S33,浆料配置，将上述石墨烯/金属纳米颗粒复合物中加入分散剂、表面活性剂、防沉剂、流平剂、溶剂、光引发剂、光敏剂、粘合剂或其组合配置成为包含石墨烯/金属纳米颗粒的复合导电浆料。

在一些实施方式中，S31步骤选择缺陷较多的氧化石墨烯以利于金属盐的原位还原。

在一些实施方式中，S32步骤具有还原性的溶液通常可以选择具有还原性的溶剂。

在一些实施方式中，S32步骤选择选择非还原性的溶剂中加入还原剂来够成还原性的溶液。

在一些实施方式中，S33步骤中的浆料配置步骤可加入富勒烯、碳纳米管、金属氧化物颗粒、金属纳米线、导电高分子或其组合物从而调节所形成金属网格布线的韧性、导电性、抗氧化性、抗腐蚀性等性能。

在一些实施方式中，透明衬底的第二表面上同样需要制备金属网格布线，如权利要求1所述制备方法以同样方式实施于所述透明衬底的第二表面。

在一些实施方式中，需要在透明衬底的第二表面或/和第一表面的功能层上制备金属网格布线，如权利要求1所述制备方法以同样方式实施于所述透明衬底的第二表面或/和第一表面的功能层之上。例如，在以制备金属网格布线的透明衬底上涂覆一层功能层，再在功能层表面上制备金属网格布线。

一种高性能金属网格透明导电薄膜

本发明提供一种高性能金属网格透明导电薄膜，所述金属网格透明导电薄膜至少包含：透明衬底，所述透明衬底包含第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面相对设置；金属网格布线，所述金属网格布线是由石墨烯和原位生长于其上的金属纳米颗粒之间紧密接触形成；所述金属网格布线直接或/和间接设置于透明衬底的第一表面或/和第二表面。

可选地，所述金属网格透明导电薄膜包含凹槽层和/或功能层，所述凹槽层和/或功能层位于透明衬底的表面之上；所述功能层是保护层、增透层、防眩光层、阻隔层、粘结层、抗静电层、绝缘层中的任意一种或其多种组合。

所述金属纳米颗粒，其材质构成包括：Pt、Pd、Cu、Au、Ag、Sn、Ni、Al、Fe或其组合；例如：一个非限制性的材质构成为Au/Ag合金。

所述金属纳米颗粒，其结构构成包括：异质结结构、核壳结构、空心结构或其组合。

一种非限制性的异质结结构示意图如图3（a）,其中601是第一部分，602是第二部分，第一部分和第二部分够成了一个完整的金属纳米颗粒，两部分材料成分不一致，例如：601是Au,602是Pd；所述异质结结构在同一个金属纳米颗粒上可以多次实施。

一种非限制性的核壳结构截面示意图如图3（b）,其中603是核，604是壳，603核和604壳构成了一个完整的金属纳米颗粒，603核与604壳材料成分不一致，例如603是Au,604是Ag。

一种非限制性的空心结构截面示意图如图3（c）,其中605是空心部分，606是实体部分。

所述金属网格布线是由石墨烯和原位生长于其上的金属纳米颗粒之间紧密接触形成；一种非限制性的结构示意图，如图4所示，其中215是金属网格布线，501区域的放大部分如图4右侧所示；501区域放大图显示，大量的含有原位生长金属纳米颗粒的石墨烯片层相互紧密接触，这种接触包括：石墨烯片层与石墨烯片层之间、石墨烯与金属纳米颗粒之间、金属纳米颗粒与金属纳米颗粒之间及前述接触方式的组合。金属纳米颗粒原位生长于石墨烯之上的一种非限制性结构示意图，如图5所示，其中607是石墨烯片层，608是金属纳米颗粒。

所述金属网格布线直接设置于透明衬底的第一表面或/和第二表面的方式是多样的，包括：位于表面上、部分含纳于表面内，完全含纳于表面内或其组合方式。示例如下：

金属网格布线完全含纳于透明衬底表面内的一种非限制性结构的截面示意图如图6(a)所示，其中，101是透明衬底，1011是透明衬底的第一表面，1012是透明衬底的第二表面，201是金属网格布线，金属网格布线201完全含纳于透明衬底的第一表面1011内；

金属网格布线部分含纳于透明衬底表面内的一种非限制性结构的截面示意图如图6(b)所示，其中，102是透明衬底，1021是透明衬底的第一表面，1022是透明衬底的第二表面，202是金属网格布线，金属网格布线202部分含纳于透明衬底的第一表面1021内；

金属网格布线部位于透明衬底表面上的一种非限制性结构的截面示意图如图6(c)所示，其中，103是透明衬底，1031是透明衬底的第一表面，1032是透明衬底的第二表面，203是金属网格布线，金属网格布线203位于透明衬底的第一表面1031之上；

金属网格布线以组合方式直接设置于透明衬底表面的一种非限制性的结构的截面示意图如图6(d)所示，其中，104是透明衬底，1041是透明衬底的第一表面，1042是透明衬底的第二表面，204是第一金属网格布线，205是第二金属网格布线，第一金属网格布线204部分含纳于透明衬底的第一表面1041内，金属网格布线205完全含纳于透明衬底的第二表面1042内。

在一些实际的应用中，金属网格布线通常间接设置于透明衬底的第一表面或/和第二表面，金属网格布线和透明衬底表面之间并非直接接触而是与位于透明衬底表面之上的功能层或/和凹槽层接触。金属网格布线和透明衬底表面之上的功能层或/和凹槽层接触方式包括：位于其表面上、部分含纳于其表面内，完全含纳于其表面内或其组合方式。示例如下：

金属网格布线完全含纳于凹槽层表面内的一种非限制性结构的截面示意图如图7（a）所示，其中，105是透明衬底，1051是透明衬底的第一表面，1052是透明衬底的第二表面，301是凹槽层，206是金属网格布线，凹槽层301位于透明衬底第一表面1051之上，金属网格布线206完全含纳于凹槽层301表面之内；

金属网格布线部分含纳于凹槽层表面内的一种非限制性结构的截面示意图如图7（b）所示，其中，106是透明衬底，1061是透明衬底的第一表面，1062是透明衬底的第二表面，302是凹槽层，207是金属网格布线，凹槽层302位于透明衬底第一表面1061之上，金属网格布线207部分含纳于凹槽层302表面之内；

金属网格布线位于功能层的表面上的一种非限制性结构的截面示意图如图7（c）所示，其中，107是透明衬底，1071是透明衬底的第一表面，1072是透明衬底的第二表面，303是功能层，208是金属网格布线，功能层303位于透明衬底第一表面1071之上，金属网格布线208位于功能层303表面之上；

双层金属网格布线完全含纳于凹槽层表面之内的一种非限制性结构的截面示意图如图7（d）所示，其中，108是透明衬底，1081是透明衬底的第一表面，1082是透明衬底的第二表面，304是第一凹槽层，305是第二凹槽层，209是第一金属网格布线，210是第二金属网格布线，第一凹槽层304位于透明衬底第一表面1081之上，第二凹槽层305位于透明衬底第二表面1082之上，第一金属网格布线209完全含纳于第一凹槽层304表面之内，第二金属网格布线210完全含纳于第二凹槽层305表面之内。

在一些实际的应用中，金属网格布线需要在透明衬底某一表面的同侧多次设置，通常所设置同侧的金属网格布线之间需要阻隔性或绝缘性功能层隔开。示例如下：

双层金属网格布线位于透明衬底第一表面同侧的一种非限制性结构的截面示意图如图8（a）所示，109是透明衬底，1091是透明衬底的第一表面，1092是透明衬底的第二表面，306是第一凹槽层，308是第二凹槽层，307是功能层，211是第一金属网格布线，212是第二金属网格布线，第一凹槽层304位于透明衬底第一表面1091之上，功能层307位于第一凹槽层306表面之上，第二凹槽层308位于功能层307之上，第一金属网格布线211完全含纳于第一凹槽层306表面之内，第二金属网格布线212完全含纳于第二凹槽层308表面之内；

双层金属网格布线位于透明衬底第一表面同侧的一种非限制性结构的截面示意图如图8（b）所示，110是透明衬底，1101是透明衬底的第一表面，1102是透明衬底的第二表面，310是凹槽层，309是功能层，213是第一金属网格布线，214是第二金属网格布线，功能层309位于透明衬底第一表面1101之上，凹槽层310位于功能层309之上，第一金属网格布线213完全含纳于透明衬底第一表面1101之内，第二金属网格布线214完全含纳于凹槽层310表面之内。

在更为广泛的应用中，本专利上述所有金属网格设置于透明衬底的方式，可以根据需求实施任意组合。

本发明的应用范围，根据本发明制备的金属网格透明导电薄膜应用范围是广泛的，其主要应用范围包括但不限于：触控屏、柔性触控屏、太阳能电池、智能窗、薄膜太阳能电池、智能调光膜、OLED、LCD等。

本发明所制备的金属网格透明导电薄膜主要优点包括但不限于：

（1）可绕曲，金属网格布线是由金属纳米颗粒和石墨烯之间通过紧密接触形成，石墨烯作为连接颗粒之间的桥梁，具有较好的柔韧性，使得整个金属网格布线具有韧性，在绕曲状态下不易开裂。

（2）金属网格不可见，由于采用金属纳米线/棒作为填料，金属网格布线的连续性变优良，本发明所制备金属网格布线的线宽可以变得更细（<2微米），完全实现肉眼不可见。

（3）优良的导电性，金属纳米颗粒原位生长在石墨烯之上，这种方式比简单的将石墨烯和金属纳米颗粒混合具有更低的接触势垒，金属纳米颗粒中的电子更容易迁移到石墨烯上，使石墨烯中的载流子变的更多，同时石墨烯本身具有较高的载流子迁移率，石墨烯和生长于其上的金属纳米颗粒形成协同增强效应，故本发明所制备的金属网格透明导电薄膜具有更优良的导电性。

（4）更好的稳定性，石墨烯具有较好的化学性能稳定，能防止其内部包裹的金属纳米颗粒被氧化同时还能防止外界水汽进入，故本发明所制备金属网格稳定性更好，并且能杜绝金属迁移等现象发生。

附图说明

图1 一种位于衬底表面内的凹槽结构示意图

图2 一种位于透明基材表面内的凹槽结构示意图

图3 三种金属纳米颗粒的截面结构示意图

图4 一种金属网格布线及其内部结构性示意图

图5 金属纳米颗粒原位生长于石墨烯表面之上的结构示意图

图6金属网格布线直接设置于透明衬底表面的结构示意图

图7金属网格布线间接设置于透明衬底表面的结构示意图

图8透明衬底第一表面多次设置金属网格布线的结构示意图

具体的实施方式

实施例 1

该实施例的金属网格透明导电薄膜结构如图7（a）所示，其中，

105是PET透明衬底，厚度为125微米，1051是PET透明衬底的第一表面，1052是PET透明衬底的第二表面；

301是凹槽层，凹槽层的材质是UV固化胶，其厚度为20微米，凹槽层301位于PET透明衬底第一表面1051之上；

206是金属网格布线，所述金属网格布线是由石墨烯和原位生长于其上的金属纳米颗粒之间紧密接触形成，其结构示意图如图4所示。金属网格布线206完全含纳于凹槽层301表面之内。

具体制备方法如下：

S1,提供包含第一表面和第二表面的PET透明衬底，厚度为125微米，其中第一表面和第二表面相对设置。

S2,在PET衬底的第一表面上涂覆UV固化基材；将纹路线宽为3微米的压印模具植入透明基材；而后将透明基材固化；再将压印模具去掉，由此在PET透明衬底的第一表面上形成线宽为3微米的凹槽。

S3步骤，制备石墨烯/金属纳米颗粒复合导电浆料，具体包含S31，S32，S33步骤

S31,提供氧化石墨烯，氧化石墨烯的尺寸为5微米。

S32,将氧化石墨烯和金属盐加入还原性溶剂中形成溶液，所述还原性溶剂通常可以选择甲醛、乙二醇、乙醇等溶剂，通常选择的金属盐包括：硝酸银、醋酸银、硫酸铜、硝酸铜、氯金酸等；一般的，氧化石墨烯质量：金属盐中的金属元素质量：还原性溶剂质量为1:1~1000:10~50000。在该实施例中，选取乙二醇作为还原性剂，硝酸银作为金属盐，其中氧化石墨烯质量：硝酸银中银元素的质量：乙二醇的质量=1:100:500。将形成的溶液在高温下加热，银离子将直接在氧化石墨烯表面原位还原形成银纳米颗粒，同时氧化石墨烯也会被进一步还原成石墨烯；在上述反应过程中，可以适当加入表面活性剂防止颗粒团聚；将反应生成的石墨烯/银纳米颗粒复合物离心收集。

S33,浆料配置，将上述石墨烯/银纳米颗粒复合物中加入粘度调节剂和溶剂，所选粘度调节剂为改性环氧树脂，型号为HR2000LV，所选溶剂为二丙二醇甲醚，之后进行机械混匀，将混匀后的导电浆料放置进入40℃的真空烘箱中脱泡处理，最终浆料中二丙二醇甲醚的质量百分比为68%，石墨烯/银纳米颗粒复合物的质量百分比为12%，环氧树脂的质量百分比为20%。

S4,在网格凹槽中刮涂S3步骤制备的导电浆料。

S5,移除未填入网格凹槽的多余导电浆料。

S6,将填入凹槽的导电浆料固化，石墨烯和原位生长于其上的银纳米颗粒之间紧密接触形成金属网格布线。

实施例 2

该实施例的金属网格透明导电薄膜结构如图7（a）所示，其中，

105是PET透明衬底，厚度为125微米，1051是PET透明衬底的第一表面，1052是PET透明衬底的第二表面；

301是凹槽层，凹槽层的材质是UV固化胶，其厚度为20微米，凹槽层301位于PET透明衬底第一表面1051之上；

206是金属网格网格布线，所述金属网格布线是由石墨烯和原位生长于其上的金纳米颗粒之间紧密接触形成，其结构示意图如图4所示，所述金纳米颗粒的平均直径是20纳米，所述石墨烯平均尺寸为500纳米。金属网格布线206完全含纳于凹槽层301表面之内。

具体制备方法，除S3步骤外，其余S1，S2，S4，S5，S6步骤与实施例1一致，此处不再赘述。S3步骤如下：

S31,提供氧化石墨烯，氧化石墨烯的尺寸为500nm。

S32,将氧化石墨烯和氯金酸盐加入N,N-二甲基甲酰胺溶剂中形成溶液，其中氧化石墨烯质量：氯金酸中金元素的质量：乙二醇的质量=1:100:2000。将形成的溶液在120℃高温下加热，AuCl₄ ^-离子将直接在氧化石墨烯表面原位还原形成金属纳米颗粒，同时氧化石墨烯也会被进一步还原成石墨烯；在上述反应过程中，加入50质量的聚乙烯吡咯烷酮防止颗粒团聚；将反应生成的石墨烯/金属纳米颗粒复合物离心收集。

S33,浆料配置，将上述石墨烯/金纳米颗粒复合物中加入粘度调节剂和溶剂，所选粘度调节剂为改性环氧树脂，型号为HR2000LV，所选溶剂为二丙二醇甲醚，之后进行机械混匀，将混匀后的导电浆料放置进入40℃的真空烘箱中脱泡处理，最终浆料中二丙二醇甲醚的质量百分比为68%，石墨烯/银纳米颗粒复合物的质量百分比为12%，环氧树脂的质量百分比为20%。

实施例 3

该实施例的金属网格透明导电薄膜结构如图7（d）所示，其中：

108是PET透明衬底，厚度为125微米，1081是PET透明衬底的第一表面，1082是PET透明衬底的第二表面；

304是第一凹槽层，305是第二凹槽层，所述第一凹槽层和第二凹槽层的材质是UV固化胶，其厚度为20微米，凹槽层304位于PET透明衬底第一表面1081之上；

209是第一金属网格布线，所述石墨烯和原位生长于其上的金属纳米颗粒之间紧密接触形成，其结构示意图如图6所示，所述第一金属网格布线209完全含纳于第一凹槽层304表面之内；

210是第二金属网格布线，所述石墨烯和原位生长于其上的金属纳米颗粒之间紧密接触形成，其结构示意图如图4所示，所述第二金属网格布线210完全含纳于第二凹槽层305表面之内；

具体制备方法，首先制备位于第一表面的第一金属网格布线，而后制备位于第二表面的第二金属网格布线，第一表面金属网格布线和第二表面金属网格布线的制备方法均可以参考实施例1或实施例2制备，此处不再赘述。

实施例 4

该实施例的金属网格透明导电薄膜结构如图8（a）所示，其中：

109是透明衬底，厚度为125微米，1091是透明衬底的第一表面，1092是透明衬底的第二表面;

306是第一凹槽层，308是第二凹槽层，307是功能层，其厚度为20微米，211是第一金属网格布线，212是第二金属网格布线，第一凹槽层306位于透明衬底第一表面1091之上，功能层307位于第一凹槽层306表面之上，第二凹槽层308位于功能层307之上，第一金属网格布线211完全含纳于第一凹槽层306表面之内，第二金属网格布线212完全含纳于第二凹槽层308表面之内；

具体制备方法，第一金属网格布线的制备方法可以选取实施例1、2中的任意一个实施，此处不再赘述；待第一金属网格布线制备完毕后，在第一金属网格布线层上涂布阻隔层；待阻隔层干燥或固化后，在阻隔层表面制备第二金属网格布线，其制备方法可以选取实施例1~2中的任意一个实施，此处不再赘述。

通过以上描述的内容，本领域技术人员将会认识到，本发明的方法和系统可具有许多其他实施方式。申请人要指出，以上内容只是为了说明的目的，而非以任何方式限制本发明权利要求的范围。

Claims (8)

1.一种金属网格透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：S1,提供包含第一表面和第二表面的透明衬底，第一表面和第二表面相对设置；S2,通过微纳压印方法，在透明衬底第一表面上或第一表面内部形成具有超细线宽的网格凹槽；S3,制备石墨烯/金属纳米颗粒复合导电浆料，所述金属纳米颗粒原位生长在石墨烯表面，所述金属纳米颗粒的粒径小于网格凹槽线宽，所述石墨烯尺寸小于凹槽线宽的五倍；S4,在网格凹槽中刮涂导电浆料；S5,移除未填入网格凹槽的多余导电浆料；S6,将填入凹槽的导电浆料固化，石墨烯和原位生长于其上的金属纳米颗粒之间紧密接触形成金属网格布线。

2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述S2步骤中在透明衬底的第一表面上形成具有超细线宽的网格凹槽的具体步骤为：

涂覆，在第一表面上涂覆一层透明基材；

压印，通过压印方式在透明基材上形成凹槽。

3.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述S3的具体步骤为:

S31,提供石墨烯，所述石墨烯包括：氧化石墨烯，功能化石墨烯、磺化石墨烯、石墨烯衍生物、普通石墨烯或其组合，所述石墨烯的尺寸小于凹槽线宽的五倍；

S32,金属颗粒原位生长，将石墨烯和金属盐类加入具有还原性的溶液中，金属盐类直接在石墨烯表面原位还原形成金属纳米颗粒；

S33,浆料配置，将上述石墨烯/金属纳米颗粒复合物中加入分散剂、表面活性剂、防沉剂、流平剂、溶剂、光引发剂、光敏剂、粘合剂或其组合配置成为包含石墨烯/金属纳米颗粒复合导电浆料。

4.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，浆料配置步骤中，可选地，加入富勒烯、碳纳米管、金属氧化物颗粒、导电高分子、金属纳米线或其组合物。

5.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，可选地，如权利要求1所述制备方法实施于所述透明衬底的第二表面；可选地，如权利要求1所述制备方法实施于所述透明衬底的第一表面或/和第二表面的功能层之上。

6.根据权利要求1所述制备方法制备的可绕曲金属网格透明导电薄膜，其特征在于，所述可绕曲金属网格透明导电薄膜至少包含：透明衬底，所述透明衬底包含第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面相对设置；金属网格布线，所述金属网格布线是由石墨烯和原位生长于其上的金属纳米颗粒之间紧密接触形成；所述金属网格布线直接或/和间接设置于透明衬底的第一表面或/和第二表面。

7.根据权利要求8所述可绕曲金属网格透明导电薄膜，其特征在于，可选地，所述柔性金属网格透明导电薄膜包含凹槽层和/或功能层，所述凹槽层和/或功能层位于透明衬底的表面之上；所述功能层是保护层、增透层、防眩光层、阻隔层、粘结层、抗静电层、绝缘层中的任意一种或其多种组合。

8.根据权利要求8所述可绕曲金属网格透明导电薄膜，其特征在于，所述金属纳米颗粒的组份构成包括：Pt、Pd、Cu、Au、Ag、Sn、Ni、Al、Fe或其组合；所述金属纳米颗粒的结构构成包括：异质结结构、嵌段结构、核壳结构、空心结构或其组合。