CN106356283A - 多周期晶圆清洁方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半导体制造中清洁晶圆的方法。该方法包括提供晶圆。该方法进一步包括通过顺序供给清洁溶液，以及供给与净化气体混合的第一清洗液，在第一清洁周期中清洁晶圆。该方法也包括通过顺序供给清洁溶液和与净化气体相混合的第二清洗液，在第二清洁周期中清洁晶圆。在第一清洁周期完成之后启动第二清洁周期。本发明还提供了多周期晶圆清洁方法。

Description

多周期晶圆清洁方法
技术领域
本发明的实施例一般地涉及半导体技术领域，更具体地，涉及半导体器件的清洁方法。
背景技术
半导体器件用于各种电子应用中，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过以下步骤来制造半导体器件：在半导体衬底上方顺序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层；并且使用光刻图案化各个材料层以在其上形成集成电路(IC)和元件。随着技术的进步，新一代的IC比前几代的IC具有更复杂的电路。然而，为了实现这些进步，需要在IC处理和制造过程中的类似发展。
在制造半导体器件期间，使用不同的工艺步骤以在半导体晶圆上制造集成电路。在朝向更小的器件尺寸和更高的电路密度持续发展的过程中的最困难的因素之一是在预定的错位窗口(error Windows)中一致地形成具有较小关键尺寸的电路。例如，半导体特征尺寸经常在光刻图案化和刻蚀之后经受光学或电学计量的检查，以确定电路尺寸在可接受的范围之内。
尽管用于执行工艺步骤的现有方法和器件通常能满足其预期目的，但是这些方法和设备不能在所有的方面完全符合要求。因此，期望在半导体制造操作中提供工艺控制的解决方案。
发明内容
为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本发明的一方面，提供了一种方法，包括：提供晶圆；以及在所述晶圆上方多次执行清洁周期，其中，每个清洁周期包括将清洁溶液提供在所述晶圆上方以及将与净化气体混合的清洗液提供在所述晶圆上方。
根据本发明的另一方面，提供了一种方法，包括：提供晶圆；以及通过顺序供给清洁溶液和供给与净化气体混合的第一清洗液，在第一清洁周期中清洁所述晶圆；以及通过顺序供给所述清洁溶液和与所述净化气体混合的第二清洗液，在第二清洁周期中清洁所述晶圆，其中在完成所述第一清洁周期之后启动所述第二清洁周期。
根据本发明的又一方面，提供了一种方法包括：提供晶圆；以及通过多次执行清洁周期清洁所述晶圆，其中，所述清洁周期包括：通过第一供给单元在所述晶圆上方供给清洁溶液；通过第二供给单元在所述晶圆上方供给混合有净化气体的清洗液；在供给所述清洗液的持续时间内沿着预定路径移动所述第二供给单元，其中，所述预设路径开始于位于所述晶圆的中心附近的第一位置，并且经过位于所述晶圆的边缘附近的第二位置，以及终止于位于所述晶圆的中心附近的第三位置。
附图说明
当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的各个方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。
图1是根据一些实施例的半导体制造的处理系统的示意图；
图2是根据一些实施例的处理系统的部分元件的示意图；
图3是根据一些实施例的供给单元的部分元件的示意图；
图4是根据一些实施例的用于清洁晶圆的方法的流程图；
图5是根据一些实施例的用于将等离子体材料供给到处理室中的方法的流程图；以及
图6A至图6G是根据一些实施例的用于去除晶圆衬底上的颗粒和/或污染物的各个工艺阶段的示意图；
图7示出了根据图5的方法的晶圆清洁时间图；
图8示出了根据一些实施例的在供给清洗喷剂期间移动供给单元的工艺阶段的示意图。
具体实施方式
以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例而不意为限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。此外，本发明可以在各个实例中重复参考标号和字符。这种重复是为了简化和清楚的目的，并且其本身并不表示所论述的实施例和/或结构之间的关系。
而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在...之下”、“在...下方”、“下部”、“在...之上”、“上部”等的空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对位置术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。器件可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。应该理解，可以在方法之前、期间和之后提供额外的操作，并且对于方法的其他实施例，可以替换或去除描述的一些操作。
图1示出了根据一些实施例的处理系统1的示意图。处理体统1配置为清洁一个或多个晶圆5。晶圆5可以由硅或其他半导体材料制成。可选地或另外地，晶圆5可以包括诸如锗(Ge)的其他元素半导体材料。在一些实施例中，晶圆5由诸如碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、砷化铟(InAs)或磷化铟(InP)的化合物半导体制成。在一些实施例中，晶圆5由诸如硅锗(SiGe)、碳化硅锗(SiGeC)、磷砷化镓(GaAsP)或磷化镓铟(GaInP)的合金半导体制成。在一些实施例中，晶圆5包括外延层。例如，晶圆5具有位于块状半导体上面的外延层。在一些其他实施例中，晶圆5可以是绝缘体上硅(SOI)衬底或绝缘体上锗(GOI)衬底。
晶圆5可以具有多种器件元件。在晶圆5中形成的器件元件的实例包括晶体管(例如，金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管、双极结型晶体管(BJT)、高压晶体管、高频晶体管、p沟道和/或n沟道场效应晶体管(PFET/NFET)等)、二极管和/或其他适用的元件。实施多种工艺以形成器件元件，诸如沉积、蚀刻、注入、光刻、退火和/或其他合适的工艺。
在一些实施例中，处理系统1包括晶圆工作台10、捕获杯状物(catchcup)11、传输模块12、多个供给单元(诸如第一供给单元13、第二供给单元14、第三供给单元15)，以及屏蔽板16。可以在晶圆处理系统中添加附加部件，以及在晶圆处理系统的其他实施例中可以替换或去除下文描述的一些部件。
在一些实施例中，捕获杯状物11配置成提供用于清洁晶圆5的环境。捕获杯状物11是具有顶部开口的圆形杯状物。杯状物壁的上部向内侧倾斜以促进保留捕获杯状物11内的废物。捕获杯状物11通过形成在底壁112上的废液排水管连接到排出系统。因此，捕获杯状物11能够通过废液排水管来捕获和排出用于晶圆清洁工艺的废液溶液。
在一些实施例中，捕获杯状物11具有形成在底壁112上的开口114。开口114允许清洁溶液进入捕获杯状物11的内部以清洁晶圆5的背面。开口114基本上位于捕获杯状物11的中心。然而，应该理解，可以对本发明的实施例作出其他变化和更改。
晶圆工作台10设置在捕获杯状物11中。在一些实施例中，晶圆工作台10配置为保持、定位、移动、旋转、以及以其他方式操作晶圆5。在一些实施例中，晶圆工作台10配置为沿着主轴C移动。晶圆5通过诸如真空夹具或静电吸盘夹具的夹持机构可以被固定在晶圆工作台10上。晶圆工作台10设计并且配置为可操作的平移和旋转运动。在一些实施例中，晶圆工作台10进一步设计为倾斜或动态改变倾斜的角度。在一些实施例中，晶圆工作台10配备有合适的加热机构，以将晶圆5加热至期望的温度。
传输模块12配置为移动供给单元。根据一些实施例，传输模块12包括一个或多个驱动元件121，和机械手122。通过控制模块控制驱动元件121(诸如电机)并且连接到机械手122。机械手122由驱动元件驱动以提供固定平面中径向和旋转运动，以将第一供给单元13和第二供给单元14从处理系统1中的一个位置移动到另一个位置。
例如，使用传输模块12，将第一供给单元13和第二供给单元14从处理系统1的周边区域转移到处理系统1的中心区域。在周边区域，第一供给单元13和第二供给单元14不放置在晶圆5的上方。在中心区域，第一供给单元13和第二供给单元14放置在晶圆5的上方。用于第一供给单元13和第二供给单元14的供给清洁材料的出口突出到晶圆5上方。
屏蔽板16相对于捕获杯状物11放置并且配置为供给液体以清洁晶圆5或排放气体以干燥晶圆5。在一些实施例中，屏蔽板16配置为沿着主轴C移动。当屏蔽板16用于排放气体时，屏蔽板16降低至接近晶圆5。
图2示出了根据一些实施例的第一供给单元13和第二供给单元14的示意图。参照图2，第一供给单元13安装在传输模块12上并配置为将清洁溶液210从清洁材料源21供给到晶圆5(图1)。在一些实施例中，第一供给单元13包括导管131和控制器133，以及传输模块12包括支架123。导管131的一端连接至清洁材料源21，以及导管131的另一端固定在支架123上。控制器133配置为控制到达晶圆5的清洁溶液210的连接和输出流量。控制器133可以包括诸如阀门、流量计、传感器等的器件。
在一些实施例中，储存在清洁材料源21中的清洁溶液210包括两种或多种化学物质的集合体。下面将描述混合物的若干实例。例如，清洁溶液210是SC1溶液，该SC1溶液以选定比例混合有包括NH4OH、H2O2和H2O的化学物质。SC1溶液可以用于清洁晶圆以及去除连接到衬底表面的有机化合物和颗粒状物质。可选地，清洁溶液210可以是SC2溶液，该SC2溶液以选定比例混合有包括HCl、H2O2和H2O的化学物质。SC1溶液可以用于清洁晶圆以及去除附接到衬底表面的金属渣(metal dreg)。然而，应该理解，可以对本发明的实施例作出许多变化和更改。
第二供给单元14安装在传输模块12上并配置为将清洁液喷射到晶圆5(图1)。在一些实施例中，第二供给单元14包括导管141、喷嘴143、控制器144、气体控制器147，以及气体管线148。喷嘴143固定到支架123上。导管141的一端连接至清洁材料源22，以及导管141的另一端142连接至喷嘴143。导管141的末端142与导管131的末端132隔离开预定距离。控制器144配置为控制到达晶圆5的清洗液220的连接和输出流量。控制器144可以包括诸如阀门、流量计、传感器等的器件。
在一些实施例中，储存在清洁材料源22中的清洗液220包括两种或多种化学物质的集合体。下面将描述混合物的若干实例。例如，清洗液220是SC1溶液。可选地，储存的清洗液220可以是SC2溶液。在一些实施例中，储存在清洁材料源22中的清洗液220包括CO2水。
气体管线148配置为将气体230输出到喷嘴143中。在一些实施例中，气体管线148的一端连接至气体源23，以及气体管线148的另一端149连接至喷嘴143。控制器147配置为控制到达晶圆5的气体230的连接和输出流量。控制器147可以包括诸如阀门、流量计、传感器等的器件。在一些实施例中，在气体源23中储存的气体230包括N2或其他惰性气体。
图3示出了根据一些实施例的喷嘴143的示意图。参照图3，喷嘴143包括主体1430，以及形成在主体1430中的两个流体路径145和146。在主体1430的顶面1431处形成流体路径145的一端，以及在主体1430的底面1433处形成流体路径145的另一端。流体路径146周边围绕流体路径145。在主体1430的侧面1432处形成流体路径146的一端，以及在主体1430的底面1433处形成流体路径146的另一端。导管141连接至流体路径145的位于顶面1431处的端部。气体管线148连接至流体路径146的位于侧面1432的端部。
在一些实施例中，如图3所示，清洗液220在喷嘴143的出口处与气体230汇合并且转移至清洗喷剂240。在一些实施例中，靠近流体路径146的位于底面1433的端部，流体路径146的宽度逐渐减小。这个部件使得气体230以比气体管线148中的气体230更高的流速从喷嘴143喷射出。与气体230混合，清洗液220转换成包括清洗喷剂240，该清洗喷剂包括细小雾滴并且以相对较高的速度喷向晶圆5。因此，晶圆5上的颗粒和污染物通过清洗喷剂240经由物理力清洗掉。
图4是根据一些实施例示出用于清洁晶圆的方法30的流程图。为了说明的目的，连同图1至图3所示的示意图描述流程图。对于不同的实施例，可以替换或去除所描述的一些阶段。
方法30始于操作301，其中，将要被清洁的晶圆(诸如晶圆5)传送到处理系统(诸如处理系统1)中。在操作302中，例如，通过将臭氧(O3)供给到晶圆5的正面和背面来去除晶圆5上的有机物。在操作303中，通过诸如CO2水的液体清洗晶圆5，以去除用于操作302的臭氧。在操作304中，例如，通过将氢氟酸(HF)供给到晶圆5的正面和背面来去除晶圆5上的二氧化硅(SIO2)。在操作305中，通过诸如CO2水的液体再次清洗晶圆5，以去除用于操作304的HF。
在操作306中，执行多周期清洁处理，以去除晶圆5上的颗粒和/或污染物。根据一些实施例，图5示出了多周期清洁处理的具体细节。为了说明的目的，连同图6至图7所示的示意图一起来描述流程图。
在一些实施例中，如图6A所示，多周期清洁处理始于操作307，其中，在第一清洁周期C1中执行清洁溶液(诸如清洁溶液210)的提供。在一些实施例中，在第一周期C1中供给清洁溶液210之前，通过传输模块12将第一供给单元13和第二供给单元14从处理系统1的周边区域移动到中心区域。
在一些实施例中，如图6A所示，为了供给清洁溶液210，将第一供给单元13和第三供给单元15的用于排出的开口设置为与穿过晶圆5的中心的轴C对齐。在一些实施例中，在供给清洁溶液210期间，晶圆5通过晶圆工作台10以预定旋转速度旋转。因此，清洁溶液210从第一供给单元13均匀地分布在晶圆5的正面上方。在一些实施例中，当在晶圆5上方供给清洁溶液210时，清洁溶液210与晶圆5上的残留物之间发生化学反应。因此，清洁晶圆5，去除晶圆5上的颗粒。在一些实施例中，在第一时间段t1内(图7)执行操作307。第一时间段t1可以在约3.7秒至约4秒的范围内。
在操作308中，在第一清洁周期C1中执行与净化气体(诸如气体230)混合的清洁溶液(诸如清洗液220)的供给。在一些实施例中，如图6B所示，在供给清洗喷剂240之前，沿着图6B所示的箭头所指的方向通过传输模块12移动第一供给单元13和第二供给单元14。如图6C所示，当喷嘴143(图2)与晶圆5中心对齐时，停止移动。在预定的空闲时间I1(图7)内完成移动。空闲时间I1可以是0.3秒。
在一些实施例中，如图6C所示，在操作308开始时，将第二供给单元14和第三供给单元15的用于排出的开口设置为与穿过晶圆5的中心的轴C对齐。在晶圆5的正面的中心上方供给清洗喷剂240，以及在晶圆5的背面的中心上方供给清洗液220。在一些其他实施例中，在晶圆5的正面和背面上方供给清洗喷剂240。
然后，沿着图6D所示的箭头所指的方向通过传输模块12移动第一供给单元13和第二供给单元14。在移动期间，在晶圆5上方持续供给清洗喷剂240。在一些实施例中，如图6E所示，当第二供给单元14的开口与晶圆5的边缘51对齐时停止移动。然而，应该理解，可以对本发明的实施例作出其他变化和更改。在一些实施例中，当晶圆5的最外边缘供给清洗喷剂240时，移动停止。
然后，沿着图6F所示的箭头所指的方向通过传输模块12移动第一供给单元13和第二供给单元14。在一些实施例中，如图6G所示，当第一供给单元13的开口与晶圆5的中心对齐时停止移动，并完成操作308。在操作308的结束时，第二供给单元14的开口没有放置为不与晶圆5的中心对齐。在一些实施例中，在第二时间段t2内(图7)执行操作308。第二时间段t2可以是4秒。
在一些实施例中，在移动期间，晶圆5通过晶圆工作台10以预定旋转速度旋转。因此，在操作308的第二供给单元14的运动中，不管是否可以通过清洗喷剂240直接清洗晶圆表面的小区域，通过第二供给单元14清洁晶圆5的整个正面。
参照图8，在一些实施例中，在供给清洗喷剂240的持续时间段内，第二供给单元14沿着预定的路径60移动。预定的路径60开始于位于晶圆5的中心附近的第一位置P1处，并通过位于晶圆5的边缘51附近的第二位置P2，以及终止于位于晶圆的中心C附近的第三位置P3。在一些实施例中，预定的路径60包括第一段61和第二段62。第一段61是从晶圆5的中心延伸至晶圆5的边缘51的直线。第二段62是从晶圆5的边缘51延伸至晶圆5的中心附近位置的直线。第一段61可以与第二段62重叠。在一些实施例中，第一段61和第二段61是曲线。
应该理解，在上述实施例中，通过传输模块12同时移动第一供给单元13和第二供给单元14，该发明内容不限此。可以驱动第一供给单元13和第二供给单元14以独立地移动。
在一些实施例中，操作308完成之后，操作307和操作308交替地重复三次。特别地，如图7所示，在操作309中，在第三时间段t3内执行第二清洁周期C2中的清洁溶液210的供给。在操作310中，在第四时间段t4内执行第二清洁周期C2中的清洗喷剂240的供给。空闲时间I2可以设置在操作309和操作310之间。在操作311中，在第五时间段t5内执行第三清洁周期C3中的清洁溶液210的供给。在操作312中，在第六时间段t6内执行第三清洁周期C3中的清洗喷剂240的供给。空闲时间I3可以设置在操作311和操作312之间。在操作313中，在第七时间段t7内执行第四清洁周期C4中的清洁溶液210的供给。在操作314中，在第八时间段t8内执行第四清洁周期C4中的清洗喷剂240的供给。空闲时间I4可以设置在操作313和操作314之间。
在一些实施例中，第一、第二、第三、以及第四清洁周期C1-C4顺序发生。在相对较短的时间(诸如8秒)内交替地执行清洁溶液210的供给和清洗喷剂240的供给。例如，按顺序执行在第一清洁周期C1中的清洗液220的供给，在第一清洁周期C1中的清洗喷剂240的供给，在第二清洁周期C2中清洗液220的供给，在第二清洁周期C2中清洗喷剂240的供给。
在一些实施例中，操作309、311和313类似于操作307，以及操作310、312和314类似于操作308。因此，为了简洁的目的，省略了操作309至步骤314的具体细节。然而，应该理解，可以对本发明的实施例作出其他变化和更改。
在一些实施例中，在不同清洁周期中清洗喷剂240的含量是变化的。例如，在操作308中的清洗喷剂240包括诸如SC1溶液和氮气的第一清洁溶液，以及在操作310、312和314中的清洗喷剂240包括诸如CO2水和氮气的第二清洁溶液。
在一些实施例中，在每个清洁周期中供给清洁溶液210的时间小于在先前清洁周期中供给清洁溶液210的时间。例如，第三时间段t3小于第一时间段t1。在一些实施例中，在每个清洁周期中供给清洗喷剂240的时间小于在先前清洁周期中供给清洗喷剂240的时间。例如，第四时间段t4小于第二时间段t2。通过减少处理时间，提高生产能力。在一些实施例中，为减少供给清洗喷剂240的时间，增加传输模块12的移动速度使得第二供给单元14更快地移动。例如，在第二清洁周期C2中第二供给模块14的移动速度大于在第一清洁周期C1中第二供给模块14的移动速度。
在一些实施例中，在每个清洁周期中朝向晶圆5的清洁溶液210的流速(输出流量)不同于先前清洁周期中的流速。例如，在第二清洁周期C2中朝向晶圆5的清洁溶液210的流速小于在第一清洁周期C1中朝向晶圆5的清洁溶液210的流速。在一些实施例中，在每个清洁周期中朝向晶圆5的清洗液220的流速不同于先前清洁周期的流速。例如，在第二清洁周期C2中朝向晶圆5的清洗液220的流速小于在第一清洁周期C1中朝向晶圆5的清洗液220的流速。通过减少清洁溶液210和清洗液220的使用，降低清洁晶圆5的成本，并且也降低了清洁过程中所产生的废液。
在一些实施例中，在每个清洁周期中朝向晶圆5的净化气体230的流速不同于先前清洁周期中的流速。例如，在第二清洁周期中朝向晶圆5的净化气体230的流速小于在第一清洁周期中朝向晶圆5的净化气体230的流速。
在操作315中，通过诸如CO2水的液体再次清洗晶圆5，以去除操作306中使用的清洁溶液210和清洗喷剂240。在操作316中，例如，通过将SC2溶液供给至晶圆5的正面和背面来去除晶圆5上的金属离子。在一些实施例中，操作316包括如在操作306中执行的多周期清洁处理。在晶圆上方多次交替地供给SC2溶液和清洗喷剂。
在操作317中，通过诸如CO2水的液体再次清洗晶圆5，以去除用于操作316的SC2溶液。可以从屏蔽板16供给液体。在操作318中，通过旋转晶圆5来干燥晶圆5和诸如氮气的干燥气体从屏蔽板16提供到晶圆5上方。在供给干燥气体时，可以降低屏蔽板16以接近晶圆5。方法30继续操作319，其中完成晶圆5的清洁。
如上描述的半导体制造中的清洁晶圆的实施例使用多周期清洁处理以去除晶圆上的颗粒或污染物。在多周期清洁处理中，通过清洁溶液和清洗喷剂(与气体混合的清洗液)多次交替地清洁晶圆。与长时间供给清洁溶液与清洗液但仅执行一次的方法相比较，通过多周期清洁工艺获得更好的清洁效率。此外，即使清洁晶圆的总处理时间减少，也可获得相同的清洁效率，并且因此提高生产能力。另外，由于保证晶圆的清洁度，所以提高了产量。
根据一些实施例，提供了一种用于清洁晶圆的方法。该方法包括提供晶圆。该方法进一步包括在晶圆上方多次执行清洁周期。每次清洁周期包括将清洁溶液提供在晶圆上方以及将与净化气体混合的清洗液提供在晶圆上方。
优选地，顺序执行所述每个清洁周期，在两个连续的清洁周期中交替地执行所述清洁溶液的供给和所述清洗液的供给。
优选地，每个清洁周期需要相同的执行时间。
优选地，第二清洁周期中朝向所述晶圆的所述清洁溶液的流速小于第一清洁周期中朝向所述晶圆的所述清洁溶液的流速，其中，在所述第一清洁周期结束之后启动所述第二清洁周期。
优选地，所述第二清洁周期中供给所述清洁溶液的时间间隔小于所述第一清洁周期中供给所述清洁溶液的时间间隔，其中，在所述第一清洁周期结束之后启动所述第二清洁周期。
优选地，所述第二清洁周期中供给所述清洗液的时间间隔小于所述第一清洁周期中供给所述清洗液的时间间隔，其中，在所述第一清洁周期结束之后启动所述第二清洁周期。
优选地，所述清洁溶液包括SC1溶液或SC2溶液。
优选地，所述清洗液包括CO2和H2O，以及净化气体包括N2。根据一些实施例，提供了一种用于清洁晶圆的方法。该方法包括提供晶圆。该方法进一步包括通过顺序供给清洁溶液以及供给与净化气体相混合的第一清洗液在第一清洁周期中清洁晶圆。该方法也包括通过顺序供给清洁溶液和与净化气体相混合的第二清洗液，在第二清洁周期中清洁晶圆。在第一清洁周期完成之后启动第二清洁周期。
优选地，顺序执行所述第一清洗液的供给、在所述第二清洁周期中所述清洁溶液的供给，以及所述第二清洗液的供给。
优选地，所述第一清洁周期和所述第二清洁周期中的每个都需要相同的执行时间。
优选地，所述第二清洁周期中朝向所述晶圆的所述清洁溶液的流速小于所述第一清洁周期中朝向所述晶圆的所述清洁溶液的流速。
优选地，所述第二清洁周期中供给所述清洁溶液的时间间隔小于所述第一清洁周期中供给所述清洁溶液的时间间隔。
优选地，所述第二清洁周期中供给所述第二清洗液的时间间隔小于所述第一清洁周期中供给所述第一清洗液的时间间隔。
优选地，所述清洁溶液包括SC1溶液或SC2溶液。
优选地，所述清洗液包括CO2和H2O，以及所述净化气体包括N2。
根据一些实施例，提供了一种用于清洁晶圆的方法。该方法包括提供晶圆。该方法进一步包括通过多次执行清洁周期清洁晶圆。清洁周期包括通过第一供给单元在晶圆上方供给清洁溶液。清洁周期进一步包括通过第二供给单元在晶圆上方供给与净化气体混合的清洗液。清洁周期也包括在供给清洗液的持续时间内沿着预定路径移动第二供给单元。预定的路径起始于位于晶圆的中心附近的第一位置，并通过位于晶圆的边缘附近的第二位置，以及终止于位于晶圆的中心附近的第三位置。
优选地，在两个连续的清洁周期中交替地执行所述清洁溶液的供给和所述清洗液的供给。
优选地，在所述第二清洁周期中的所述第二供给单元的移动速度大于在所述第一清洁周期中的所述第二供给单元的移动速度。
优选地，当在所述第一清洁周期中将所述第二供给单元移动至所述第三位置时，开始在所述第二清洁周期中的所述清洁溶液的供给。
虽然详细描述了实施例及它们的优势，但应该理解，在不背离所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，对本发明可作出各种变化、替代和修改。此外，本申请的范围不旨在限制于说明书中所述的工艺、机器、制造、物质组成、工具、方法和步骤的特定实施例。作为本领域的普通技术人员将容易地从本发明中理解，根据本发明，可以利用现有的或今后将被开发的、执行与在本发明所述的对应实施例基本相同的功能或实现基本相同的结果的工艺、机器、制造、物质组成、工具、方法或步骤。因此，所附权利要求旨在将这些工艺、机器、制造、物质组成、工具、方法或步骤包括它们的范围内。此外，每一个权利要求都构成一个单独的实施例，且不同权利要求和实施例的组合都在本发明的范围内。

Claims (10)

1.一种方法，包括：
提供晶圆；以及
在所述晶圆上方多次执行清洁周期，其中，每个清洁周期包括将清洁溶液提供在所述晶圆上方以及将与净化气体混合的清洗液提供在所述晶圆上方。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，顺序执行所述每个清洁周期，在两个连续的清洁周期中交替地执行所述清洁溶液的供给和所述清洗液的供给。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，每个清洁周期需要相同的执行时间。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，第二清洁周期中朝向所述晶圆的所述清洁溶液的流速小于第一清洁周期中朝向所述晶圆的所述清洁溶液的流速，其中，在所述第一清洁周期结束之后启动所述第二清洁周期。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二清洁周期中供给所述清洁溶液的时间间隔小于所述第一清洁周期中供给所述清洁溶液的时间间隔，其中，在所述第一清洁周期结束之后启动所述第二清洁周期。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二清洁周期中供给所述清洗液的时间间隔小于所述第一清洁周期中供给所述清洗液的时间间隔，其中，在所述第一清洁周期结束之后启动所述第二清洁周期。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述清洁溶液包括SC1溶液或SC2溶液。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述清洗液包括CO2和H2O，以及净化气体包括N2。
9.一种方法，包括：
提供晶圆；以及
通过顺序供给清洁溶液和供给与净化气体混合的第一清洗液，在第一清洁周期中清洁所述晶圆；以及
通过顺序供给所述清洁溶液和与所述净化气体混合的第二清洗液，在第二清洁周期中清洁所述晶圆，其中在完成所述第一清洁周期之后启动所述第二清洁周期。
10.一种方法包括：
提供晶圆；以及
通过多次执行清洁周期清洁所述晶圆，其中，所述清洁周期包括：
通过第一供给单元在所述晶圆上方供给清洁溶液；
通过第二供给单元在所述晶圆上方供给混合有净化气体的清洗液；
在供给所述清洗液的持续时间内沿着预定路径移动所述第二供给单元，其中，所述预设路径开始于位于所述晶圆的中心附近的第一位置，并且经过位于所述晶圆的边缘附近的第二位置，以及终止于位于所述晶圆的中心附近的第三位置。
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