CN106336866A - 氟化物荧光体及其制造方法、以及发光装置 - Google Patents

氟化物荧光体及其制造方法、以及发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN106336866A
CN106336866A CN201610523422.6A CN201610523422A CN106336866A CN 106336866 A CN106336866 A CN 106336866A CN 201610523422 A CN201610523422 A CN 201610523422A CN 106336866 A CN106336866 A CN 106336866A
Authority
CN
China
Prior art keywords
solution
fluoride
light
raw material
fluoride particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610523422.6A
Other languages
English (en)
Inventor
朴钟远
金云石
金泰勋
柳志昊
尹喆洙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN106336866A publication Critical patent/CN106336866A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/61—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
    • C09K11/615—Halogenides
    • C09K11/616—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/61—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
    • C09K11/617—Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • C09K11/664—Halogenides
    • C09K11/665—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/67—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing refractory metals
    • C09K11/674—Halogenides
    • C09K11/675—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明提供了一种氟化物荧光体及其制造方法、以及发光装置。所述氟化物荧光体包括：由AxMFy:Mnz 4+表示的氟化物颗粒，其中A是选自锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)和铯(Cs)中的至少一个，M是选自硅(Si)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、锗(Ge)和锡(Sn)中的至少一个，A的成分比率x满足2≤x≤3，并且F的成分比率y满足4≤y≤7；以及有机材料，其以物理方式被吸附至氟化物颗粒的表面上，以允许氟化物颗粒具有疏水性。氟化物颗粒中的Mn4+的浓度从各个氟化物颗粒的中心至对应的表面逐渐降低。

Description

氟化物荧光体及其制造方法、以及发光装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年7月6日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0096123的优先权和利益，该申请的公开以引用方式并入本文中。
技术领域
与示例实施例一致的设备和方法涉及一种氟化物荧光体、一种制造该氟化物荧光体的方法和一种发光装置。
背景技术
半导体发光装置利用当施加电流时电子与空穴复合的原理发射光。半导体发光装置由于其多种固有的有益特性而被广泛地用作光源，所述特性诸如低功耗、高亮度、小型化能力等。具体地说，在开发基于氮化物的发光装置之后，所述基于氮化物的发光装置的使用范围进一步增大并且用于背光单元、家庭照明装置、车辆照明装置等中。
利用上述半导体发光装置的发光装置包括发光元件和荧光体，所述发光元件提供激发光，所述荧光体被由发光元件发射的光激发以发射具有转换后的波长的光，从而可获得期望的色彩特性。因此，需要提供优秀的色彩再现能力同时具有可靠性等的荧光体以及使用所述荧光体的发光装置。
发明内容
本发明构思的一方面可提供一种具有提高的可靠性的氟化物荧光体及其制造方法。
本发明构思的一方面还可通过包含上述氟化物荧光体提供一种具有提高的可靠性的发光装置。
根据示例实施例的一方面，一种氟化物荧光体可包括：由AxMFy:Mnz 4+表示的氟化物颗粒，其中A是选自锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)和铯(Cs)中的至少一个，M是选自硅(Si)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、锗(Ge)和锡(Sn)中的至少一个，A的成分比率x满足2≤x≤3，并且F的成分比率y满足4≤y≤7；以及有机材料，其以物理方式被吸附至氟化物颗粒的表面上，以允许氟化物颗粒具有疏水性。氟化物颗粒中的Mn4+的浓度可从各个氟化物颗粒的中心至对应的表面逐渐降低。
Mn4+从氟化物颗粒的中心至表面的平均浓度下降率可在约0.4at.％/μm至约0.8at.％/μm的范围内。
氟化物颗粒的中心的Mn4+浓度可为约3at.％至约5at.％。
氟化物颗粒的在其中心与表面之间的浓度差可为约2at.％至约4at.％。
氟化物颗粒的平均颗粒尺寸(D50)可在约5μm至约25μm的范围内。
有机材料可包括脂肪酸。
有机材料可包括油酸。
氟化物颗粒可为K2SiF6:Mnz 4+。
根据示例实施例的一方面，一种发光装置可包括发光元件和波长转换单元，所述波长转换单元吸收通过发光元件发射的激发光以发射可见光。波长转换单元可包括：由AxMFy:Mnz 4+表示的氟化物颗粒，其中A是选自锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)和铯(Cs)中的至少一个，M是选自硅(Si)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、锗(Ge)和锡(Sn)中的至少一个，A的成分比率x满足2≤x≤3，并且F的成分比率y满足4≤y≤7；以及有机材料，其以物理方式被吸附至氟化物颗粒的表面上，以允许氟化物颗粒具有疏水性。氟化物颗粒中的Mn4+的浓度可从各个氟化物颗粒的中心至对应的表面逐渐降低。
波长转换单元还可包括绿荧光体，其吸收通过发光元件发射的光以发射绿光。
根据示例实施例的一方面，一种制造由下式1表示的氟化物荧光体的方法可包括以下步骤：制备包括锰化合物和含M的第一原料的第一溶液；通过将包括含A的第二原料的第二溶液和第一原料按次序提供至第一溶液来形成沉淀物；收集沉淀物；通过将第一原料和氢氟酸溶液提供至沉淀物来制备第三溶液；以及通过将第二溶液提供至第三溶液来形成氟化物颗粒，
[式1]
AxMFy:Mnz 4+
其中A是选自锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)和铯(Cs)中的至少一个，M是选自硅(Si)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、锗(Ge)和锡(Sn)中的至少一个，A的成分比率x满足2≤x≤3，并且F的成分比率y满足4≤y≤7。
在形成沉淀物时提供的第一原料可与在第一溶液与第二溶液之间的反应之后剩余的A+和Mn4+反应。
在形成氟化物颗粒时，第二溶液的第二原料可与沉淀物中剩余的Mn4+反应。
可收集沉淀物，以去除存在于包括沉淀物的溶液中的Mn4+。
制造氟化物荧光体的方法还可包括以下步骤：清洗氟化物颗粒；以及将清洗后的氟化物颗粒提供至有机溶剂，以允许有机材料以物理方式被吸附至氟化物颗粒的表面上。
氟化物颗粒与有机材料的摩尔比率可在1:1至1:1.5的范围内。
有机材料可包括油酸。
制造氟化物荧光体的方法还可包括以下步骤：在清洗氟化物颗粒之后，使氟化物颗粒干燥，以及对氟化物颗粒执行热处理。
在形成沉淀物和氟化物颗粒时，可将第二溶液分别以多次提供至第一溶液和第三溶液。
可多次提供第二溶液以按次序进行：形成氟化物种子，允许氟化物种子生长，和导致该生长后的氟化物种子沉淀。
在形成沉淀物时提供的第一原料的体积可在第一溶液中包含的第一原料的体积的约15％至约25％的范围内。
提供至第三溶液的第二溶液中的第二原料的重量可在提供至第一溶液的第二溶液中的第二原料的重量的约40％至约60％的范围内。
锰化合物可包括组成为AxMnFy的锰化合物。
第一原料可包括HxMFy、AxMFy和MO2中的至少一个，第二原料可包括AHF2。
根据示例实施例的一方面，一种制造由下式1表示的氟化物荧光体的方法可包括以下步骤：制备包括锰化合物和含M的第一原料的第一溶液；通过将包括含A的第二原料的第二溶液提供至第一溶液来形成氟化物颗粒；通过将第一原料提供至第一溶液与第二溶液的混合溶液而使氟化物颗粒生长；收集氟化物颗粒；通过将第一原料和氢氟酸溶液提供至氟化物颗粒来制备第三溶液；以及通过将第二溶液提供至第三溶液而使氟化物颗粒生长，
[式1]
AxMFy:Mnz 4+
其中，A是选自锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)和铯(Cs)中的至少一个，M是选自硅(Si)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、锗(Ge)和锡(Sn)中的至少一个，A的成分比率x满足2≤x≤3，并且F的成分比率y满足4≤y≤7。氟化物颗粒的Mn4+的浓度可在生长的同时逐渐降低。
根据示例实施例的一方面，提供了一种制造氟化物荧光体的方法。所述方法包括以下步骤：制备包括锰化合物和含M的第一原料的第一溶液；将第一溶液与含A的第二溶液和第一原料组合；收集通过所述组合形成的沉淀物；通过将第一原料和氢氟酸溶液与沉淀物组合制备第三溶液；以及通过将第二溶液与第三溶液组合形成氟化物颗粒。氟化物荧光体由式AxMFy:Mnz 4+表示，其中，A是选自锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)和铯(Cs)中的至少一个，M是选自硅(Si)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、锗(Ge)和锡(Sn)中的至少一个，A的成分比率x满足2≤x≤3，并且F的成分比率y满足4≤y≤7。
第一原料可为HxMFy、AxMFy和MO2中的至少一个，并且第二原料可为AHF2。
锰化合物可为组成为AxMnFy的锰化合物。
所述方法还可包括：清洗氟化物颗粒；以及将清洗后的氟化物颗粒与有机溶剂组合，以使得有机材料以物理方式被吸附至氟化物颗粒的表面上。
所述方法还可包括：使氟化物颗粒干燥；以及执行氟化物颗粒的热处理。
附图说明
从以下结合附图进行的详细描述中，将更加清楚地理解以上和其它方面、特征和其它优点，其中：
图1是示意性地示出根据示例实施例的氟化物荧光体颗粒的部分切除的透视图；
图2是示出根据示例实施例的制造氟化物荧光体的方法的流程图；
图3是示意性地示出根据示例实施例的氟化物荧光体颗粒的部分切除的透视图；
图4是示出根据示例实施例的制造氟化物荧光体的方法的流程图；
图5是示出根据示例实施例的氟化物荧光体的Mn4+浓度的曲线图；
图6是示出根据示例实施例的氟化物荧光体的可靠性的曲线图；
图7是根据示例实施例的发光装置的示意性剖视图；
图8是根据示例实施例的发光装置的示意性剖视图；
图9是示出可在示例实施例中采用的波长转换材料的CIE 1931色空间图；
图10和图11是示出应用了根据示例实施例的氟化物荧光体的白光发射装置的可靠性的曲线图；
图12和图13是根据示例实施例的各方面的白光源模块的示意性剖视图；
图14至图18是根据示例实施例的各方面的背光单元的示意性剖视图；
图19是根据示例实施例的显示装置的示意性分解透视图；
图20是根据示例实施例的照明装置的示意性分解透视图；以及
图21是根据示例实施例的照明装置的示意性分解透视图。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细描述示例实施例。
然而，本公开可按照许多不同形式实现，并且不应理解为限于本文阐述的示例实施例。相反，提供这些示例实施例以使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本公开的范围完全传递给本领域技术人员。
在附图中，为了清楚起见，可夸大元件的形状和尺寸，并且相同的标号将始终用于指代相同或相似的元件。
氟化物荧光体及其制造方法
图1是示意性地示出根据示例实施例的氟化物荧光体颗粒的部分切除的透视图。
参照图1，根据示例实施例的氟化物荧光体颗粒10可包含由AxMFy:Mn4+表示的氟化物，AxMFy:Mn4+能够满足以下条件。
1)A是选自锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)和铯(Cs)中的至少一个；
2)M是选自硅(Si)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、锗(Ge)和锡(Sn)中的至少一个；
3)A的成分比率x满足2≤x≤3；以及
4)F的成分比率y满足4≤y≤7。
由实验式AxMFy:Mn4+表示的氟化物荧光体颗粒10可包括K2SiF6:Mn4+、K2TiF6:Mn4+、K2SnF6:Mn4+、Na2TiF6:Mn4+、Na2ZrF6:Mn4+、K3SiF7:Mn4+、K3ZrF7:Mn4+和K3SiF5:Mn4+。氟化物荧光体颗粒10可受波长在电磁波谱的紫外区与蓝区之间的光激发以发射红光。例如，氟化物荧光体颗粒10可提供红荧光体(其吸收峰值波长在300nm至500nm的范围内的激发光)，以发射峰值波长在620nm至640nm的范围内的光。
氟化物荧光体颗粒10的Mn4+活化剂浓度可从其中心10C朝着其表面10S逐渐减小。在本公开中，术语“逐渐减小”用于指示浓度持续地减小，并且在氟化物荧光体颗粒10中不存在其中浓度均匀地保持预定厚度或更大厚度的这样一部分。例如，氟化物荧光体颗粒10在其沿着从氟化物荧光体颗粒10的中心10C至氟化物荧光体颗粒10的表面10S的方向超过颗粒尺寸D1的10％的区中可不具有均匀的Mn4+浓度。例如，Mn4+浓度在氟化物荧光体颗粒10的总厚度中的平均下降率可为约0.4at.％/μm至约0.8at.％/μm。然而，相对于其总厚度的浓度下降率可不均匀。例如，在氟化物荧光体颗粒10的区中，从氟化物荧光体颗粒10的中心10C至其表面10S的Mn4+浓度的下降率可在约0.1at.％/μm至约1.5at.％/μm的范围内。
在氟化物荧光体颗粒10的中心10C，Mn4+浓度可为约3at.％至约5at.％，并且在氟化物荧光体颗粒10的表面10S上，Mn4+浓度可为约1.5at.％或更低。氟化物荧光体颗粒10的中心10C与表面10S之间的Mn4+浓度的差可在约2at.％至约4at.％的范围内。
氟化物荧光体颗粒10的颗粒尺寸D1可在5μm至25μm的范围内。
由于根据示例实施例的氟化物荧光体颗粒10具有其中Mn4+浓度朝着其表面10S减小的组成，因此可减小氟化物荧光体颗粒10的易受潮性，并且可确保可靠性提高。
图2是示出根据示例实施例的制造氟化物荧光体的方法的流程图。
参照图2，制造氟化物荧光体的方法可包括：将含M的第一原料提供至氢氟酸溶液(操作S110)；提供锰化合物(操作S120)；提供包括含A的第二原料的氢氟酸溶液(操作S130)；提供含M的第一原料(操作S140)；收集形成的沉淀物(操作S150)；提供含M的第一原料以及氢氟酸溶液(操作S160)；提供包括含A的第二原料的氢氟酸溶液(操作S170)；以及收集和清洗氟化物颗粒(操作S180)。
这些操作可在室温下执行，但是不限于此。
首先，在操作S110中，可将含M的第一原料加至氢氟酸溶液中。
第一原料可为HxMFy、AxMFy和MO2中的至少一个，例如，可为H2SiF6或者K2SiF6。可将第一原料加至氢氟酸溶液，然后搅拌几分钟以在其中适当地溶解。
接着，在操作S120中，可将锰化合物加至以上溶液。
这样，可制成包含锰化合物和含M的第一原料的第一溶液。
锰化合物可为含Mn4+的化合物，例如，可具有AxMnFy的组成。例如，锰化合物可为K2MnF6。按照与操作S110的方式相似的方式，可将锰化合物提供至其中溶解有第一原料的氢氟酸溶液，并且可搅拌所述氢氟酸溶液以使锰化合物在其中充分溶解。
虽然示例实施例示出了其中将含M的第一原料和锰化合物依次加入氢氟酸溶液的情况，但是可按照与之不同的次序制造第一溶液。例如，在另一示例实施例中，可以在首先将锰化合物提供至氢氟酸溶液之后向氢氟酸溶液提供含M的第一原料。
接着，在操作S130中，可提供包括含A的第二原料的氢氟酸溶液(即，第二溶液)。
详细地说，可将包括含A的第二原料的第二溶液提供至第一溶液。第二原料可为AHF2(例如，KHF2)，并且可处于饱和溶液状态或粉末形式。
随着对应的原料浓度达到氢氟酸溶液的溶解度极限，会形成橙色的沉淀物。沉淀物可为Mn4+活化的氟化物(AxMFy:Mn4+)。例如，当将H2SiF6和KHF2用作第一原料和第二原料并将K2MnF6用作含Mn4+的化合物时，沉淀物可为由K2SiF6:Mn4+表示的氟化物。
在操作S130中，未反应的A+和Mn4+可与沉淀物一起存留在溶液中。
在操作S130中，可将第二原料的量分为几份并以对应于其反应所需的时间的时间间隔加入，从而可调整氟化物的颗粒尺寸。可通过调整添加次数、添加量、添加时间间隔等来控制平均颗粒尺寸和颗粒尺寸分布。例如，当将第二原料分为4次提供时，氟化物种子可由初次添加的第二原料形成，并且该种子可利用第二次和第三次添加的第二原料生长，并且可由第四次添加的第二原料导致该生长后的种子沉淀。
接着，在操作S140中，可将含M的第一原料加至以上溶液。
第一原料可为与在操作S110中使用的材料相同的材料，但是不限于此。第一原料可为HxMFy和AxMFy中的至少一个，例如，可为H2SiF6或K2SiF6。可将第一原料加至溶液，然后，可搅拌几分钟以使其在溶液中适当地溶解。
在操作S140中，添加的第一原料可与上述溶液中剩余的A+和Mn4+反应，以允许沉淀物生长。因此，在该阶段(操作S140)形成的区中，Mn4+浓度可相对低。例如，在其中在操作S130中合成K2SiF6:Mn4+的情况下，当在操作S140中额外供应H2SiF6溶液时，H2SiF6溶液与残余的KHF2和Mn4+反应以生成K2SiF6，并且在操作S130中形成的氟化物的表面上以壳的形式生长。
虽然示例实施例示出了其中在操作S130之后剩余第二原料的情况，但是也可剩余第一原料。在这种情况下，在操作S140中，可补充提供含A的第二原料，而不是提供第一原料。
在操作S140中提供的第一原料的量可小于在操作S110中提供至第一溶液的第一原料的量，例如，其体积可在15％至25％的范围内。
接着，在操作S150中，可收集形成的沉淀物。
沉淀物可为在操作S130中开始沉淀的沉淀物，并且也可收集沉淀物的表面上余留的Mn4+。另一方面，诸如A+的第二原料在操作S140中几乎可完全耗尽，因此可不剩余。
在操作S150中，可去除氢氟酸，并且可收集沉淀物，从而可将在氢氟酸溶液中剩余的Mn4+与之一起去除。因此，由于只有在沉淀物的表面上余留的少量Mn4+可在后续处理的反应时使用，因此随后生长的荧光体区中的Mn4+浓度会进一步降低。
接着，在操作S160中，可将含M的第一原料和氢氟酸溶液加至沉淀物。由此，可制成第三溶液。
第一原料可为与在操作S110和S140中使用的材料相同的材料，但是不限于此。
在操作S160中提供的第一原料的量可小于在操作S110中提供至第一溶液的第一原料的量，例如，其体积可在15％至25％的范围内。
接着，在操作S170中，可将包括含A的第二原料的氢氟酸溶液提供至第三溶液。
例如，可将第二溶液(包括含A的第二原料的氢氟酸溶液)再提供至第三溶液。第二溶液可包含与在操作S130中使用的第二原料相同的第二原料，但是不限于此。在操作S170中，可将第二原料的量分为几份并以对应于其反应所需的时间的时间间隔提供，从而可控制待形成的氟化物颗粒的颗粒尺寸。
在操作S170中使用的第二原料的量可小于在操作S130中提供至第一溶液的第二原料的量，例如，其重量可在40％至60％的范围内。
第二原料可同与沉淀物一起存留的Mn4+和第三溶液中的第一原料反应，并且可以以壳的形式形成在氟化物沉淀物上，从而形成氟化物颗粒。为了与在操作S150中形成的沉淀物进行区分，为了方便解释，可将在操作S170中形成的最终荧光体颗粒称作氟化物颗粒，但是根据示例实施例的氟化物荧光体可包括从沉淀物生长并且最终在操作S170中形成的氟化物材料，而不限于在对应的操作中称呼的名称。
接着，在操作S180中，可收集和清洗氟化物颗粒。
可利用氢氟酸溶液和/或丙酮溶液作为清洗溶液执行清洗处理。可通过利用例如约49％的高浓度氢氟酸水溶液搅拌沉淀物来执行清洗处理，因此，可去除氟化物颗粒上存在的杂质和残余的第一原料和第二原料等。在示例实施例中，也可利用不同的清洗溶液多次执行清洗处理。
然后，可通过使清洗后的氟化物颗粒干燥来获得根据示例实施例的氟化物荧光体。选择性地，可使氟化物颗粒干燥，然后，还可执行约100℃至约150℃的热处理工艺。
可通过上述处理制造其中锰的含量朝着其表面逐渐减少的氟化物荧光体。在示例实施例中，在操作S120中可提供一次含Mn4+的锰化合物，并且可调整第一原料和第二原料的输入次数和输入量，以使得荧光体颗粒可在其中Mn4+浓度持续减小的环境中生长。
图3是示意性地示出根据本发明构思的示例实施例的氟化物荧光体颗粒的部分切除的透视图。
参照图3，根据示例实施例的氟化物荧光体颗粒50可包括由AxMFy:Mn4+表示的氟化物颗粒10a和吸收至氟化物颗粒10a的表面上的有机材料20。
氟化物颗粒10a可为氟化物荧光体颗粒50的核并且可与图1的示例实施例的氟化物荧光体颗粒10具有相同构造。因此，氟化物颗粒10a可具有其中Mn4+的浓度从其中心至其表面逐渐减小的组成。例如，氟化物荧光体颗粒50可具有其中将有机材料20加至图1的示例实施例的氟化物荧光体颗粒10的结构。
有机材料20可以以物理方式吸附至氟化物颗粒10a的表面上，以保护氟化物颗粒10a。有机材料20可为具有疏水尾的材料。因此，氟化物荧光体颗粒50的表面可具有疏水性以具有进一步提高的防潮性。
例如，有机材料20在羧基(-COOH)与氨基(-NH2)之间可具有至少一个官能团，并且可包括碳数为4至18的有机化合物。详细地说，有机材料20可为脂肪酸，例如，组成为C18H34O2的油酸。在这种情况下，由于一个有机材料20的长度可为几纳米或更小，因此有机材料20的涂层的厚度D2也可在几纳米至几十纳米的范围内。例如，厚度D2可为5nm或更小。
图4是示出根据本发明构思的示例实施例的制造氟化物荧光体的方法的流程图。
参照图4，在制造氟化物颗粒时将以相似方式执行参照图2的操作S110至S180中的操作。
接着，在操作S190中，可将有机溶剂和有机材料提供至清洗后的氟化物颗粒，以用有机材料涂布氟化物颗粒。
作为有机溶剂，可使用允许有机材料充分分散的溶剂。例如，有机溶剂可为丙酮。有机材料可为能够以物理方式吸附至氟化物颗粒的表面上的材料。有机材料在羧基(-COOH)与氨基(-NH2)之间可具有至少一个官能团，并且可包括碳数为4至18的有机化合物。例如，有机材料可为油酸。
有机材料的量可选自氟化物颗粒与有机材料的摩尔比率低于1:2的范围(例如，1:1至1:1.5的范围)，将参照下表1进一步描述这一点。在其中有机材料的量超过该范围的情况下，荧光体颗粒的流动性会降低，并且使用荧光体颗粒的发光二极管(LED)的高温驱动性能会变差。
接着，在操作S200中，可清洗氟化物荧光体颗粒(即，涂布有有机材料的氟化物颗粒)。
在清洗处理中，可利用丙酮溶剂去除由于过量使用的有机材料而产生的残留物。
然后，可使清洗后的氟化物荧光体颗粒干燥，以获得根据示例实施例的氟化物荧光体。在氟化物荧光体颗粒干燥之后，还可选择性地执行约100℃至约150℃的热处理工艺。
有机材料的涂布可作为氟化物荧光体的合成处理的一部分执行。可仅在几分钟的混合时间执行该涂布而不使用分离的额外装置，从而提高工艺效率。
氟化物荧光体特性
表1示出了氟化物荧光体的表面上的Mn4+的含量、内量子效率(IQE)、指示中值的平均颗粒尺寸D50以及吸收率。利用扫描电镜(SEM)通过X射线能量色散谱(EDS)分析Mn4+浓度。
比较例提供了一种Mn4+浓度不变的氟化物荧光体。示例实施例提供了参照图1和图2的氟化物荧光体10以及参照图3和图4的氟化物荧光体50的氟化物颗粒10a。
在比较例中，通过以下步骤来制造氟化物荧光体：将2.97g的K2MnF6加入360mL的氢氟酸中；向其提供30m mol的34％的H2SiF6；以及提供180mL的其中KHF2处于饱和状态的氢氟酸。在示例实施例中，按照参照图2的方法制造氟化物荧光体。详细地说，在操作S110中将63mL的34％的H2SiF6和720mL的氢氟酸混合；在操作S120中添加2.97g的K2MnF6；然后，在操作S130中，首先加入15mL的第二溶液(其中，在142mL的48％的氢氟酸中溶解75.9g的KHF2)，并且以5分钟的时间间隔将55mL的第二溶液再加入三次。接着，在操作S140中，加入12mL的34％的H2SiF6；在操作S160中，提供360mL的氢氟酸和12mL的34％的H2SiF6；并且，在操作S170中，以5分钟的时间间隔提供30mL的第二溶液(其中，在71mL的48％的氢氟酸中溶解有37.95g的KHF2)。
[表1]
参照表1，就示例实施例而言，氟化物荧光体表面上的Mn4+浓度为约1.0at.％，是比较例中的约一半。示例实施例得到相对高的IQE，例如，0.9或更多的IQE。比较例和示例实施例的D50和吸收率相似。这样，就示例实施例而言，由于荧光体表面上的Mn4+浓度相对低，因此可改进防潮特性，并且可提高IQE。
图5是示出根据示例实施例的氟化物荧光体的Mn4+浓度的曲线图。
图5示出了在比较例和示例实施例的荧光体中，Mn4+浓度根据从荧光体表面至其中心的距离而发生的改变。在利用聚焦离子束(FIB)装置剖开荧光体颗粒之后，通过EDS分析Mn4+浓度。
如图5所示，就比较例而言，Mn4+浓度在其约1at.％至约2at.％的范围内改变很小。另一方面，就示例实施例而言，荧光体的中心位于距表面6μm或者6μm与7μm之间的点。这里，在荧光体的中心区或靠近中心的区中，Mn4+具有约4at.％的高浓度，并且在靠近表面的区中，其具有约1at.％的浓度。就示例实施例而言，Mn4+浓度从中心朝着荧光体的表面持续减小，并且没有形成1μm或更多的其中Mn4+浓度均匀或恒定的区。
表2示出了根据示例实施例在不同条件下制造的氟化物荧光体的IQE和D50。
实施例1提供了以上参照图1和图2描述的氟化物荧光体(例如，组成为K2SiF6:Mn4+的未涂布有机材料的氟化物荧光体)。
实施例2至实施例4提供了分别按照氟化物颗粒与有机材料的不同摩尔比率涂布有机材料的氟化物荧光体。在示例实施例2至示例实施例4中，用油酸涂布30g的K2SiF6:Mn4+氟化物颗粒。通过分别将43mL、64mL和85mL的油酸提供至500mL的丙酮溶剂来执行涂布。因此，按照氟化物颗粒与有机材料的摩尔比率分别为1:1、1:1.5和1:2的方式提供有机材料。在示例实施例2至示例实施例4中，通过傅里叶变换红外光谱(FT-IR)分析来确认C-H耦合。这里，经确认，通过根据油酸使用量的增加而增加的信号强度形成相对强的涂布。
[表2]
参照图2，在示例实施例中，IQE的值为0.9或更大，D50为约15μm。可以理解，对于IQE和D50，示例实施例之间不存在明显差异。这意味着，由于有机材料具有几纳米的相对短的长度以使其较薄地涂布，因此光特性或者荧光体的颗粒尺寸特性不改变。
然而，虽然未分离地示出，但是作为按照与图10和图11的方式相似的方式在高温下对LED封装件执行驱动测试的结果，当有机材料的量相对大时，高温驱动特性变差。可以从中估计出的是，高温驱动特性变差是由在示例实施例中使用的有机材料(例如，具有相对低的耐热性的油酸)而导致的。因此，用于吸收和涂布的有机材料的量可选自氟化物颗粒与有机材料的摩尔比率低于1:2的范围(例如，氟化物颗粒与有机材料的摩尔比率为1:1至1:1.5的范围)。
图6是示出根据示例实施例的氟化物荧光体的可靠性的曲线图。
参照图6，提供了在高温和高湿度条件下制造的氟化物荧光体的保存测试结果。将氟化物荧光体以粉末状态在85℃和85％的湿度水平下保存3小时。
如上所述，比较例提供了其中Mn4+浓度在其内部不改变的氟化物荧光体。示例实施例1提供了如上参照图1和图2所述的组成为K2SiF6:Mn4+的未涂布有机材料的氟化物荧光体。示例实施例2提供了如上参照图3和图4所述的涂布有有机材料(油酸)的氟化物荧光体。
作为针对比较例以及示例实施例1和2执行保存测试的结果，IQE随比较例中的时间流逝而迅速减小，最终减小至初始IQE的约70％。然而，就根据示例实施例1和2的氟化物荧光体而言，IQE的减小相对慢。在示例实施例1中，IQE减小约3％。就其中涂布有有机材料的示例实施例2而言，IQE仅稍稍减小，并且甚至在3小时之后，仅减小约0.3％。
该结果可能是由于与比较例相比，根据示例实施例的氟化物荧光体的表面上的Mn4+的含量相对低。如以下反应式1所示，K2SiF6:Mn4+可与水汽反应。
[反应式1]
20K2Si0.9Mn0.1F6+8H2O→18K2SiF6+2KMnO4+2KHF2+8HF+3H2
如反应式1所示，氟化物荧光体的Mn与水气反应以形成氧化物KMnO4，并且荧光体特性会变差。因此，当根据示例实施例的氟化物荧光体的表面上的Mn4+的含量相对低时，可改进具有相对低的防潮性的氟化物荧光体的特性。当如示例实施例2所示地涂布有机材料时，由于氟化物荧光体的表面具有疏水性，因此可进一步改进较低的防潮特性。
包括氟化物荧光体的发光装置
图7是根据本发明构思的示例实施例的发光装置的示意性剖视图。
参照图7，照明装置100可包括衬底101、布置在衬底101上的发光元件130以及波长转换单元150。发光装置100可包括电连接至发光元件130的一对引线框111和112、具有杯形的主体部分120以及将发光元件130连接至引线框111和112的导线W。因此，发光装置100可构成发光装置封装件。
可利用不透明树脂或者具有相对高的反射率的树脂来模制衬底101，并且也可利用有利于注模工艺的聚合物树脂来模制衬底101。衬底101可由陶瓷形成，并且在这种情况下，可有利于散热。根据示例实施例，衬底101可为其上形成有布线图案的印刷电路板。
所述一对引线框111和112可布置在衬底101上，并且可电连接至发光元件130以将驱动功率施加至发光元件130。引线框111和112可通过导线W电连接至发光元件130，并且可用作用于接收外部电信号的端子。这样，引线框111和112可由具有优秀导电性的金属形成。根据示例实施例，发光元件130可直接接触引线框111和112以与之连接，而非通过导线W与之连接。
主体部分120可布置在衬底101以及引线框111和112上，并且可形成其中容纳有发光元件130的腔体。主体部分120可具有杯形以提高光的反射效率，但不限于此。根据示例实施例，主体部分120也可与衬底101一体化，以构成封装件主体。
发光元件130可布置在表面101上，并且可为在向其施加电信号时发光的电致发光元件。发光装置100可发射蓝光。例如，发光元件130可为包括外延生长的半导体层的半导体发光元件。发光元件130可为包括多个发光纳米结构的纳米级发光元件。
波长转换单元150可布置在由主体部分120形成的腔体中，并且可包括包封层152、散布在包封层152中的氟化物荧光体154以及绿荧光体156。氟化物荧光体154可为上述根据示例实施例的氟化物荧光体。波长转换单元150可发射可见光，该可见光受到通过发光元件130发射的激发光激发以具有转换后的波长。例如，氟化物荧光体154和绿荧光体156可受通过发光元件130发射的蓝光激发，以分别发射红光和绿光。包封层152可由光透射树脂形成，并且可包括例如环氧树脂、硅、改性硅、聚氨酯树脂、氧杂环丁烷树脂、丙烯酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺或者它们的组合。
在示例实施例中，由于氟化物荧光体154具有相对低的Mn4+的表面浓度，因此可展现出相对高的防潮性。甚至在不存在保护波长转换单元的构件(诸如分离的盖玻璃)的情况下，也可确保装置可靠性，并且可简化工艺。
图8是根据示例实施例的发光装置的示意性剖视图。
参照图8，发光装置100a可包括衬底101、布置在衬底101上的第一发光元件132和第二发光元件134、保护层140和波长转换单元150a。发光装置100a可包括电连接至第一发光元件132和第二发光元件134的一对引线框111和112、具有杯形的主体部分120以及将第一发光元件132和第二发光元件134连接至引线框111和112的导线W。
在根据示例实施例的发光装置100a中，两个发光元件(例如，第一发光元件132和第二发光元件134)可按照与图7的示例实施例的方式不同的方式安装在衬底101上。第一发光元件132和第二发光元件134可发射不同波长的光。例如，第一发光元件132可发射绿光，并且第二发光元件134可发射蓝光。因此，波长转换单元150a可仅包括包封层152和根据示例性实施例的氟化物荧光体154。
保护层140可布置在波长转换单元150a的至少一个表面上。在示例实施例中，虽然保护层140布置在波长转换单元150a的下表面上(例如，布置在波长转换单元150a与衬底101之间)，但是保护层140的布置可根据示例实施例不同地改变。例如，保护层140可布置在波长转换单元150a的上表面和下表面二者上，或者可布置为包围整个波长转换单元150a。
保护层140可相对于外部环境(例如，水汽)保护氟化物荧光体154，并且可确保发光装置100a的可靠性。保护层140可由能够防止水汽渗透的防潮材料形成。保护层140的厚度不限于附图所示。在根据示例实施例的发光装置100a中，氟化物荧光体154可具有相对低含量的锰，从而改善低防潮性。随着保护层140的采用，发光装置的可靠性可进一步提高。然而，根据本发明构思的示例实施例，保护层140可省略。
保护层140可由诸如环氧树脂、硅、改性硅、聚氨酯树脂、氧杂环丁烷树脂、丙烯酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺等的树脂材料形成。在这种情况下，保护层140的反射率可与包封层152的反射率不同，以提高光提取效率。可替换地，保护层140可为由基于氟化物或者基于二氧化硅的涂布剂形成的涂层。
图9是用于示出可在根据示例实施例的发光装置中采用的波长转换材料的CIE1931色空间图。
例如，当图7和图8的发光元件130或发光元件134发射蓝光时，包括黄荧光体、绿荧光体、红荧光体中的至少一个的发光装置100或100a可通过调整荧光体混合比率而发射各种色温的白光。例如，可通过额外将绿荧光体和/或红荧光体与黄荧光体组合来控制白光的色温和显色指数(CRI)。
通过将黄荧光体、绿荧光体、红荧光体和/或绿光发射元件和红光发射元件与蓝光发射元件组合而获得的白光可具有两种或更多种峰值波长，并且CIE 1931色度坐标系统的坐标(x，y)可位于如图9所示的(0.4476，0.4074)、(0.3484，0.3516)、(0.3101，0.3162)、(0.3128，0.3292)和(0.3333，0.3333)彼此连接的线段上。可替换地，坐标(x，y)可位于由该线段和黑体辐射光谱包围的区中。白光的色温可在1500K至20000K的范围内。
在图9中，位于黑体辐射光谱下方的点E(0.3333，0.3333)附近的白光可处于其中基于黄色组分的光变得相对弱的状态。该白光可用作其中可向裸眼提供相对明亮或清爽气氛的区的照明光源。因此，利用位于黑体辐射光谱下方的点E(0.3333，0.3333)附近的白光的照明装置产品可有效地用于其中售卖杂货、衣物等的零售店中。
作为用于上述发光装置的荧光体，可使用下面描述的荧光体。就红荧光体而言，可使用根据示例实施例的氟化物荧光体。例如，氟化物荧光体154可包括由AxMFy:Mn4+表示的氟化物荧光体，例如，其可为K2SiF6:Mn4+、K2TiF6:Mn4+、NaYF4:Mn4+或NaGdF4:Mn4+。波长转换单元150或150a还可包括下面以举例方式示出的其它荧光体。
基于氧化物的荧光体：黄色和绿色Y3Al5O12:Ce、Tb3Al5O12:Ce、Lu3Al5O12:Ce
基于硅酸盐的荧光体：黄色和绿色(Ba,Sr)2SiO4:Eu、黄色和橙黄色(Ba,Sr)3SiO5:Ce
基于氮化物的荧光体：绿色β-SiAlON:Eu、黄色La3Si6N11:Ce、橙色α-SiAlON:Eu
包括氟化物荧光体的发光装置的特性
图10和图11是示出应用了根据示例实施例的氟化物荧光体的白光发射装置的可靠性的曲线图。
评价中使用的白光发射装置包括发射蓝光(其峰值波长为约446nm至约450nm)的发光元件、发射绿光(其峰值波长为约540nm)的β-SiAlON荧光体和发射红光的氟化物荧光体。比较例以及示例实施例1和2分别对应于包括比较例和参照图6描述的示例实施例1和2的氟化物荧光体的白光发射装置。
参照图10和图11，示出了白光发射装置随时间流逝的操作特性，其包括亮度的变化和色坐标的运动度ΔCx。在6V和150mA下，以85℃和85％的湿度的操作条件来执行可靠性的评价。
如图10所示，在比较例中，在500小时过去之后，基于初始的100％，亮度的变化降至88.6％。就示例实施例1而言，例如，亮度的变化降至94.1％(降低约5.9％)，具有相对高的可靠性。就示例实施例2而言，例如，亮度的变化降至96.1％(降低约3.9％)，具有优秀的特性。
如图11所示，在比较例中，在500小时过去之后，色坐标ΔCx的变化为-0.0149。在示例实施例1和示例实施例2中，其变化范围相对低，分别为-0.0077和-0.0064。其中涂布有有机材料的示例实施例2表现出最优秀的特性。
包括氟化物荧光体的光源模块、背光单元、显示装置和照明装置
图12和图13是根据示例实施例的白光源模块的示意性剖视图。
参照图12，用于液晶显示(LCD)背光的光源模块500可包括电路板510和布置在电路板510上的多个白光发射装置100b。连接至白光发射装置100b的导电图案可形成在电路板510上。
与以上参照图7描述的发光装置的情况不同，各个白光发射装置100b可具有其中发射蓝光的发光元件130按照板上芯片(COB)方案直接安装在电路板510上的结构。相应的白光发射装置100b可不具有分离的反射壁，并且波长转换单元150b可具有带有透镜功能的半球形以展现宽束角。这种宽束角可有助于减小LCD显示器的厚度或宽度。
参照图13，用于LCD背光的光源模块600可包括电路板610和布置在电路板610上的多个白光发射装置100c。各个白光发射装置100c可包括发射蓝光且安装在封装件主体125的反射杯中的发光元件130以及包封发光元件130的波长转换单元150c。波长转换单元150c可包括分布在其中的氟化物荧光体154(其发射红光)和绿荧光体156，并且还可包括黄荧光体或黄橙色荧光体。
图14至图18是根据示例实施例的背光单元的示意性剖视图。
参照图14，背光单元1000可包括电路板1002、安装在电路板1002上的光源1001以及布置在光源1001上方的一个或多个光学片材1003。
光源1001可为包含根据示例实施例的经涂布的氟化物荧光体的白光发射装置，并且其中光源1001安装在电路板1002上的模块可为参照图12或图13的光源模块。
示例实施例中采用的电路板1002可包括：第一平坦部分1002a，其对应于主要区；倾斜部分1002b，其与主要区邻近，按照其至少一部分弯曲的方式形成；以及第二平坦部分1002c，其设为倾斜部分1002b的外侧并且布置在电路板1002的边缘部分中。
在第一平坦部分1002a上，光源可排列为在它们之间具有第二间隔d2，并且在倾斜部分1002b上，一个或多个光源1001可排列为在它们之间具有第一间隔d1。第一间隔d1可等于第二间隔d2。倾斜部分1002b的宽度(详细地说，其截面的长度)可小于第一平坦部分1002a的宽度，并且可大于第二平坦部分1002c的宽度。另外，至少一个光源也可根据需要布置在第二平坦部分1002c上。可在基于第一平坦部分1002a的大于0度和小于90度的范围内适当地调整倾斜部分1002b的斜度。
由于电路板1002具有这种结构，因此也可在光学片材1003的边缘附近均匀地保持亮度。
参照图15，就根据示例实施例的背光单元1200而言，安装在衬底1202上的光源1201沿着横向发射光，从而使得发射的光可入射至光导向面板1203上以转换为表面光源式光的形式。穿过光导向面板1203的光可沿着向上的方向发出，并且反射层1204可布置在光导向面板1203下方以提高光提取效率。
就参照图16至图18的背光单元1500、1600和1700而言，波长转换单元150(见图7)可不布置在发光装置1505、1605或1705中。例如，波长转换单元150可布置在发光装置1505、1605或1705以外，以位于背光单元1500、1600或1700中来转换光。
参照图16，背光单元1500可为直下式背光单元，并且可包括波长转换单元1550、排列在波长转换单元1550下方的光源模块1510以及容纳光源模块1510的底部外壳1560。另外，光源模块1510可包括印刷电路板1501和安装在印刷电路板1501上的多个发光装置1505。发光装置1505的示例可包括这样的发光装置，其具有其中从图7和图8的发光装置100和100a之一中省略了波长转换单元150或150a的形式。
在根据示例实施例的背光单元1500中，波长转换单元1550可布置在底部外壳1560上。波长转换单元1550可按照与图7的波长转换单元150相似的方式包括氟化物荧光体。因此，由光源模块1510发射的光的至少一部分的波长可通过波长转换单元1550转换。波长转换单元1550可作为分离的膜制造和使用，或者可按照与未示出的光漫射板一体化的形式设置。
参照图17和图18，背光单元1600或1700可设为侧光式背光单元，并且可包括波长转换单元1650或1750、导光板1640或1740、布置在导光板1640或1740的一侧上的反射单元1620或1720以及光源1605或1705。
由光源1605或1705发射的光可通过反射单元1620或1720被导向至导光板1640或1740的内部。在图17的背光单元1600中，波长转换单元1650可布置在导光板1640与光源1605之间。在图18的背光单元1700中，波长转换单元1750可布置在导光板1740的光发射表面上。
光源1605或1705可包括这样的发光装置，其具有其中从图7和图8的发光装置100和100a之一中省略了波长转换单元150或150a的形式。
图19是根据示例实施例的显示装置的示意性分解透视图。
参照图19，显示装置2000可包括背光单元2200、光学片材2300和诸如液晶面板的图像显示面板2400。
背光单元2200可包括底部外壳2210、反射板2220、导光板2240以及设置在导光板2240的至少一侧上的光源模块2230。光源模块2230可包括印刷电路板2001和发光装置2005。发光装置2005可包括图7和图8的发光装置100和100a之一。详细地说，发光装置2005可为侧光式发光装置，其侧表面被安装为邻近于光发射表面。另外，根据示例实施例，背光单元2200可由图14至图18的背光单元1000、1200、1500、1600和1700中的任一个代替。
光学片材2300可布置在导光板2240与图像显示面板2400之间，并且可包括诸如漫射片材、棱镜片材或保护片材的几种片材。
图像显示面板2400可利用通过光学片材发射的光来显示图像。图像显示面板2400可包括阵列衬底2420、液晶层2430和滤色器衬底2440。阵列衬底2420可包括按照矩阵形式布置的像素电极、将驱动电压施加至像素电极的薄膜晶体管以及允许操作薄膜晶体管的信号线。滤色器衬底2440可包括透明衬底、滤色器和公共电极。滤色器可包括允许由背光单元2200发射的白光中的特定波长的光从中穿过的过滤器。液晶层2430可通过形成在像素电极与公共电极之间的电场再排列，以调整光的透射率。调整了光透射率的光可通过滤色器从而显示图像。图像显示面板2400还可包括处理图像信号等的驱动电路单元。
对于根据示例实施例的显示装置2000，由于使用了发射具有相对窄的半峰全宽的红光、绿光和蓝光的发光装置2005，发射的光通过滤色器衬底2440，然后可实现色纯度相对高的蓝色、绿色和红色。
图20是根据示例实施例的照明装置的示意性分解透视图。
参照图20，以举例方式，将照明装置3000示为灯泡式灯，并且可包括光源模块3003、驱动单元3008和外部连接单元3010。照明装置3000还可包括诸如外部壳体3006、内部壳体3009和盖单元3007的外部结构。光源模块3003可包括具有与图7或图8的发光装置100或100a的结构相同或相似的结构的半导体发光装置3001以及在其上安装有半导体发光装置3001的电路板3002。虽然示例实施例示出了其中将单个半导体发光装置3001安装在电路板3002上的情况，但是可在其上安装多个半导体发光装置3001。另外，可首先按照封装件形式制造半导体发光装置3001，然后将其按照除直接安装在电路板3002上的方式以外的方式安装。
外部壳体3006可用作散热部件，并且可包括直接接触光源模块3003以提高散热效果的散热板3004以及包围照明装置3000的侧表面的散热片3005。盖单元3007可安装在光源模块3003上，并且具有凸透镜形状。驱动单元3008可安装在内部壳体3009中以连接至具有插孔结构的外部连接单元3010，所述插孔结构用于从外部电源单元接收电力。另外，驱动单元3008可用于将电力转换为适于驱动光源模块3003的光源3001的电流源并且提供转换后的电流。例如，驱动单元3008可由交流-直流(AC-DC)转换器、整流电路组件等构成。
虽然附图中未示出，但是照明装置3000还可包括通信模块。
图21是根据示例实施例的照明装置的示意性分解透视图。
参照图21，根据示例实施例的照明装置4000可包括光源模块4203、主体部分4304和驱动单元4209，并且还可包括覆盖光源模块4203的盖单元4207。照明装置4000可为条状灯并且可具有类似于荧光灯管的形状，并且可发射光特性与荧光灯管的光特性相似的光，但不限于此。
光源模块4203可包括安装衬底4202和多个发光元件4201。所述多个发光元件4201可具有与图7和图8的发光装置100或100a的结构相同或相似的结构。可替换地，光源模块4203可采用用于图12或图13的LCD背光的光源模块500或600。
发光元件4201可通过粘合剂构件介质键合至安装衬底4202，并且该粘合剂构件可具有散射图案。
主体部分4304可设有安装于其上以固定至其一个表面的光源模块4203。主体部分4304可用作支承结构，并且可包括散热器。主体部分4304可由具有优秀导热性的材料形成以使其能够将光源模块4203所产生的热向外发射，例如，主体部分4304由金属形成，但不限于此。主体部分4304可具有与光源模块4203的安装衬底4202的形状相对应的纵长的杆状。其上安装有光源模块4203的主体部分4304的一个表面可包括其中容纳有光源模块4203的凹槽部分4214。主体部分4304的至少一个外表面可设有从其突出的用于散热的多个散热片4224。可在主体部分4304的外表面上形成止动凹槽4234，以使其在凹槽部分4214的两侧上沿着主体部分4304的长度方向延伸。止动凹槽4234可结合至盖单元4207。主体部分4304沿着其长度方向的至少一端可敞开。主体部分4304可具有一端敞开的管形结构。
可设置在主体部分4304的沿着其长度方向敞开的端部部分，以向光源模块4203供应驱动电力。驱动单元4209可包括向外突出的电极插脚4219。
盖单元4207可结合至主体部分4304以覆盖光源模块4203。盖单元4207可由光可通过其传播的材料形成。盖单元4207可具有弯曲的半圆形表面，从而光可均匀地向外辐射。可在盖单元4207的结合至主体部分4304的下表面上形成突起4217，以在盖单元4207的长度方向上与主体部分4304的止动凹槽4234接合。
示例实施例示出了其中盖单元4207具有半圆形结构的情况，但是盖单元4207的形状不限于此，而是可根据关于光的辐射的照明设计不同地改变。例如，盖单元4207可具有平面四边形形状或者多边形结构。
如上所述，根据示例实施例，由于活化剂的成分比率从荧光体的中心至表面逐渐降低，因此氟化物荧光体和发光装置可具有提高的可靠性，并且可提供其制造方法。
虽然上面已经示出和描述了示例实施例，但是本领域技术人员应该清楚，在不脱离由权利要求限定的本发明构思的范围的情况下，可作出修改和改变。

Claims (25)

1.一种氟化物荧光体，包括：
由AxMFy:Mnz 4+表示的氟化物颗粒，其中A是选自锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)和铯(Cs)中的至少一个，M是选自硅(Si)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、锗(Ge)和锡(Sn)中的至少一个，A的成分比率x满足2≤x≤3，并且F的成分比率y满足4≤y≤7；以及
有机材料，其以物理方式被吸附至所述氟化物颗粒的表面上，以允许所述氟化物颗粒具有疏水性，
其中，所述氟化物颗粒中的Mn4+的浓度从所述氟化物颗粒的中心至对应的表面逐渐降低。
2.根据权利要求1所述的氟化物荧光体，其中，Mn4+从所述氟化物颗粒的中心至表面的平均浓度下降率在约0.4at.％/μm至约0.8at.％/μm的范围内。
3.根据权利要求1所述的氟化物荧光体，其中，所述氟化物颗粒的中心的Mn4+浓度为约3at.％至约5at.％。
4.根据权利要求1所述的氟化物荧光体，其中，所述氟化物颗粒的在其中心与表面之间的浓度差为约2at.％至约4at.％。
5.根据权利要求1所述的氟化物荧光体，其中，所述氟化物颗粒的平均颗粒尺寸(D50)在约5μm至约25μm的范围内。
6.根据权利要求1所述的氟化物荧光体，其中，所述有机材料包括脂肪酸。
7.根据权利要求6所述的氟化物荧光体，其中，所述有机材料包括油酸。
8.根据权利要求1所述的氟化物荧光体，其中，所述氟化物颗粒是K2SiF6:Mnz 4+。
9.一种发光装置，包括：
发光元件；以及
波长转换单元，其被构造为吸收由所述发光元件发射的激发光以发射可见光，
其中，所述波长转换单元包括由AxMFy:Mnz 4+表示的氟化物颗粒，其中A是选自锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)和铯(Cs)中的至少一个，M是选自硅(Si)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、锗(Ge)和锡(Sn)中的至少一个，A的成分比率x满足2≤x≤3，并且F的成分比率y满足4≤y≤7，并且包括有机材料，其以物理方式被吸附至所述氟化物颗粒的表面上以允许所述氟化物颗粒具有疏水性，并且
其中，所述氟化物颗粒的Mn4+的浓度从所述氟化物颗粒的中心至对应的表面逐渐降低。
10.一种制造氟化物荧光体的方法，包括以下步骤：
制备包括锰化合物和含M的第一原料的第一溶液；
通过将包括含A的第二原料的第二溶液和第一原料按次序提供至第一溶液来形成沉淀物；
收集所述沉淀物；
通过将第一原料和氢氟酸溶液提供至所述沉淀物来制备第三溶液；以及
通过将第二溶液提供至第三溶液来形成氟化物颗粒，
其中，所述氟化物荧光体由式AxMFy:Mnz 4+表示，
其中A是选自锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)和铯(Cs)中的至少一个，M是选自硅(Si)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、锗(Ge)和锡(Sn)中的至少一个，A的成分比率x满足2≤x≤3，并且F的成分比率y满足4≤y≤7。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，在形成所述沉淀物时提供的第一原料与在第一溶液与第二溶液之间的反应之后剩余的A+和Mn4+反应。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，在形成所述氟化物颗粒时，第二溶液的第二原料与所述沉淀物中剩余的Mn4+反应。
13.根据权利要求10所述的方法，其中，收集所述沉淀物，以去除存在于包括所述沉淀物的溶液中的Mn4+。
14.根据权利要求10所述的方法，还包括以下步骤：
清洗所述氟化物颗粒；以及
将清洗后的氟化物颗粒提供至有机溶剂，以允许有机材料以物理方式被吸附至所述氟化物颗粒的表面上。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述氟化物颗粒与所述有机材料的摩尔比率在1:1至1:1.5的范围内。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述有机材料包括油酸。
17.根据权利要求10所述的方法，还包括：在清洗所述氟化物颗粒之后，使所述氟化物颗粒干燥，以及对所述氟化物颗粒执行热处理。
18.根据权利要求10所述的方法，其中，在形成所述沉淀物和所述氟化物颗粒时，将第二溶液分别以多次提供至第一溶液和第三溶液。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，多次提供第二溶液，以按次序进行：形成氟化物种子，允许所述氟化物种子生长，和导致生长后的氟化物种子沉淀。
20.根据权利要求10所述的方法，其中，在形成所述沉淀物时提供的第一原料的体积在第一溶液中包含的第一原料的体积的约15％至约25％的范围内。
21.根据权利要求10所述的方法，其中，提供至第三溶液的第二溶液中的第二原料的重量在提供至第一溶液的第二溶液中的第二原料的重量的约40％至约60％的范围内。
22.根据权利要求10所述的方法，其中，所述锰化合物包括组成为AxMnFy的锰化合物。
23.根据权利要求10所述的方法，其中，第一原料包括HxMFy、AxMFy和MO2中的至少一个，第二原料包括AHF2。
24.一种制造氟化物荧光体的方法，包括以下步骤：
制备包括锰化合物和含M的第一原料的第一溶液；
通过将包括含A的第二原料的第二溶液提供至第一溶液来形成氟化物颗粒；
通过将第一原料提供至第一溶液与第二溶液的混合溶液而使所述氟化物颗粒生长；
收集所述氟化物颗粒；
通过将第一原料和氢氟酸溶液提供至所述氟化物颗粒来制备第三溶液；以及
通过将第二溶液提供至第三溶液而使所述氟化物颗粒生长，
其中，所述氟化物颗粒的Mn4+的浓度在生长的同时逐渐降低，
其中，所述氟化物荧光体由式AxMFy:Mnz 4+表示，
其中，A是选自锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)和铯(Cs)中的至少一个，M是选自硅(Si)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、锗(Ge)和锡(Sn)中的至少一个，A的成分比率x满足2≤x≤3，并且F的成分比率y满足4≤y≤7。
25.一种制造氟化物荧光体的方法，包括以下步骤：
制备包括锰化合物和含M的第一原料的第一溶液；
将第一溶液与含A的第二溶液和第一原料组合；
收集通过所述组合而形成的沉淀物；
通过将第一原料和氢氟酸溶液与所述沉淀物组合来制备第三溶液；以及
通过将第二溶液与第三溶液组合来形成氟化物颗粒，
其中，所述氟化物荧光体由式AxMFy:Mnz 4+表示，
其中，A是选自锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)和铯(Cs)中的至少一个，M是选自硅(Si)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、锗(Ge)和锡(Sn)中的至少一个，A的成分比率x满足2≤x≤3，并且F的成分比率y满足4≤y≤7。
CN201610523422.6A 2015-07-06 2016-07-05 氟化物荧光体及其制造方法、以及发光装置 Pending CN106336866A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150096123A KR102397910B1 (ko) 2015-07-06 2015-07-06 불화물계 형광체, 불화물계 형광체 제조방법 및 발광장치
KR10-2015-0096123 2015-07-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106336866A true CN106336866A (zh) 2017-01-18

Family

ID=57730592

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610523422.6A Pending CN106336866A (zh) 2015-07-06 2016-07-05 氟化物荧光体及其制造方法、以及发光装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10301541B2 (zh)
KR (1) KR102397910B1 (zh)
CN (1) CN106336866A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108350356A (zh) * 2015-09-23 2018-07-31 韩国化学研究院 金属氟化物红色磷光体和使用其的发光元件
CN111712555A (zh) * 2018-02-12 2020-09-25 昕诺飞控股有限公司 具有氟化磷光体的led光源
CN116814250A (zh) * 2023-06-16 2023-09-29 江苏博睿光电股份有限公司 用四价锰离子激活的红色荧光粉及其制备方法、应用

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016117561A1 (ja) * 2015-01-20 2016-07-28 デンカ株式会社 蛍光体及び発光装置
US20190048258A1 (en) * 2017-08-10 2019-02-14 General Electric Company Coated manganese doped phosphors
JP2019044018A (ja) * 2017-08-30 2019-03-22 デンカ株式会社 フッ化物蛍光体及び発光装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103003388A (zh) * 2010-07-27 2013-03-27 通用电气公司 抗湿磷光体和相关方法
CN104024374A (zh) * 2012-12-28 2014-09-03 信越化学工业株式会社 荧光体的表面处理方法
TW201441339A (zh) * 2013-03-13 2014-11-01 Toshiba Kk 螢光體、及其製造方法、以及使用該螢光體之發光裝置
US20150008463A1 (en) * 2013-07-03 2015-01-08 Nichia Corporation Fluoride phosphor and light emitting device using the same and method of manufacturing the fluoride phosphor

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1143394C (zh) 1996-08-27 2004-03-24 精工爱普生株式会社 剥离方法、溥膜器件的转移方法和薄膜器件
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US6346326B1 (en) 1998-10-15 2002-02-12 Sarnoff Corporation Coated moisture impervious red phosphors
US7208725B2 (en) 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
JP3906654B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
US7001665B2 (en) 2001-04-06 2006-02-21 Osram Sylvania Inc. Electroluminescent phosphor with plural moisture resistant coatings thereon
CN1241272C (zh) 2001-08-22 2006-02-08 索尼公司 氮化物半导体器件及其制造方法
JP2003218034A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Sony Corp 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法
JP3815335B2 (ja) 2002-01-18 2006-08-30 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7002182B2 (en) 2002-09-06 2006-02-21 Sony Corporation Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit
KR100714639B1 (ko) 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자
KR100506740B1 (ko) 2003-12-23 2005-08-08 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100664985B1 (ko) 2004-10-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자
US7497973B2 (en) 2005-02-02 2009-03-03 Lumination Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
KR100665222B1 (ko) 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
JP2007063366A (ja) 2005-08-30 2007-03-15 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 近紫外及び緑色励起用赤色蛍光体及びその製造方法、及び赤色発光素子
KR100661614B1 (ko) 2005-10-07 2006-12-26 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100723247B1 (ko) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100735325B1 (ko) 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
KR100855065B1 (ko) 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
KR100982980B1 (ko) 2007-05-15 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 면 광원 장치 및 이를 구비하는 ｌｃｄ 백라이트 유닛
KR101164026B1 (ko) 2007-07-12 2012-07-18 삼성전자주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
DE102007056342A1 (de) 2007-11-22 2009-05-28 Merck Patent Gmbh Oberflächenmodifizierte Konversionsleuchtstoffe
DE102007056343A1 (de) 2007-11-22 2009-05-28 Litec Lll Gmbh Oberflächemodifizierte Leuchtstoffe
KR101559603B1 (ko) 2008-02-07 2015-10-12 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 반도체 발광 장치, 백라이트, 컬러 화상 표시 장치, 및 그들에 사용하는 형광체
WO2009119486A1 (ja) 2008-03-25 2009-10-01 国立大学法人群馬大学 蛍光体及びその製造方法並びに該蛍光体を用いた白色発光ダイオード
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
KR20100030470A (ko) 2008-09-10 2010-03-18 삼성전자주식회사 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템
KR101530876B1 (ko) 2008-09-16 2015-06-23 삼성전자 주식회사 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
JP5446511B2 (ja) 2009-06-30 2014-03-19 三菱化学株式会社 蛍光体及びその製造方法と、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置
US8377334B2 (en) * 2009-12-23 2013-02-19 General Electric Company Coated phosphors, methods of making them, and articles comprising the same
US8252613B1 (en) 2011-03-23 2012-08-28 General Electric Company Color stable manganese-doped phosphors
JP2013213094A (ja) 2012-03-30 2013-10-17 Sumitomo Chemical Co Ltd 被覆硫化物系赤色蛍光体粒子及びその製造方法
JP6187509B2 (ja) * 2014-03-14 2017-08-30 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US9397276B2 (en) * 2014-10-17 2016-07-19 Nichia Corporation Light emitting device and resin composition

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103003388A (zh) * 2010-07-27 2013-03-27 通用电气公司 抗湿磷光体和相关方法
CN104024374A (zh) * 2012-12-28 2014-09-03 信越化学工业株式会社 荧光体的表面处理方法
TW201441339A (zh) * 2013-03-13 2014-11-01 Toshiba Kk 螢光體、及其製造方法、以及使用該螢光體之發光裝置
US20150008463A1 (en) * 2013-07-03 2015-01-08 Nichia Corporation Fluoride phosphor and light emitting device using the same and method of manufacturing the fluoride phosphor

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108350356A (zh) * 2015-09-23 2018-07-31 韩国化学研究院 金属氟化物红色磷光体和使用其的发光元件
CN108350356B (zh) * 2015-09-23 2021-03-23 韩国化学研究院 金属氟化物红色磷光体和使用其的发光元件
US10961450B2 (en) 2015-09-23 2021-03-30 Korea Research Institute Of Chemical Technology Metal fluoride red phosphor and light emitting element using same
CN111712555A (zh) * 2018-02-12 2020-09-25 昕诺飞控股有限公司 具有氟化磷光体的led光源
CN111712555B (zh) * 2018-02-12 2023-06-09 昕诺飞控股有限公司 照明装置、灯具和提供聚合物主体基质元件的方法
CN116814250A (zh) * 2023-06-16 2023-09-29 江苏博睿光电股份有限公司 用四价锰离子激活的红色荧光粉及其制备方法、应用

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170005965A (ko) 2017-01-17
KR102397910B1 (ko) 2022-05-16
US10781368B2 (en) 2020-09-22
US10301541B2 (en) 2019-05-28
US20170009132A1 (en) 2017-01-12
US20190256768A1 (en) 2019-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106336866A (zh) 氟化物荧光体及其制造方法、以及发光装置
JP6501030B2 (ja) 蛍光体及びその製造方法と、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置
US10851294B2 (en) Fluoride phosphor composite, method of manufacturing fluoride phosphor composite, white light emitting apparatus, display apparatus, lighting device, and electronic device
CN103429701B (zh) 颜色稳定的锰掺杂的磷光体
CN106941128A (zh) 白光发光器件和显示设备
US9490401B2 (en) Method of manufacturing light emitting device
CN100424901C (zh) 发光二极管
KR101623482B1 (ko) Ｌｅｄ 용도에 사용되는 적색선 방출 인광체
JP5399617B2 (ja) 発光組成物及びこれを用いた光源装置並びにこれを用いた表示装置
CN104884573B (zh) 荧光体、使用了该荧光体的含荧光体组合物和发光装置、以及使用了该发光装置的图像显示装置和照明装置
US10000695B2 (en) Method of manufacturing fluoride phosphor, white light emitting apparatus, display apparatus, and lighting device
US10020427B2 (en) Phosphor, manufacturing method therefor, and light-emitting device using the phosphor
US20080241590A1 (en) Method of coating sulfide phosphor and light emitting device employing coated sulfide phosphor
KR20100015388A (ko) Ｐｃｌｅｄ용 도핑된 가넷으로 형성된 인광체
CN101252159A (zh) 白色发光器件
US10020430B2 (en) Phosphor with preferred orientation, fabricating method thereof, and light-emitting element package structure employing the same
KR20170070344A (ko) 백색 발광장치 및 디스플레이 장치
KR20170085168A (ko) 불화물계 형광체, 불화물계 형광체 제조방법 및 발광장치
CN109196666A (zh) 采用具有不同含量的氟和氧的钕基材料的led设备
KR20090024368A (ko) 발광 다이오드용 형광체 분말 코팅 방법
US20050269932A1 (en) Apparatus, device and method for emitting output light using group IIB element selenide-based phosphor material and/or thiogallate-based phosphor material
US20050167685A1 (en) Device and method for emitting output light using Group IIB element Selenide-based phosphor material
US20150188002A1 (en) Light emitting devices having rare earth and transition metal activated phosphors and applications thereof

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination