CN106336813A - 一种硅片划痕抛光剂及其制备方法 - Google Patents

一种硅片划痕抛光剂及其制备方法 Download PDF

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吕凤岗
程林
曹来福
戴珍旭
胡正田
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Anhui Energy Technology Co Ltd
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    • C09G1/00Polishing compositions
    • C09G1/02Polishing compositions containing abrasives or grinding agents

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

一种硅片划痕抛光剂,涉及硅材料加工技术领域,由以下重量份的原料制成:乙酸异辛酯3‑5份、聚丙烯酰胺4‑6份、十二烷基苯磺酸钠6‑8份、硝基苯5‑7份、金刚石微粉10‑20份、三乙醇胺2‑4份、石蜡油12‑14份、水杨酸钠6‑8份、抗氧剂5‑7份、氧化镁1‑3份、硬脂酸2‑4份、云母粉2‑4份、空心玻璃微珠2‑4份、矿物油5‑7份、油酸三乙醇胺2‑4份、炭黑3‑5份、络合剂6‑8份、去离子水80‑100份。本发明的有益效果为:本发明采用的原材料丰富廉价,制作工艺简便,适用于硅片的划痕修复,对硅片本身没有损伤,使用方便,效果显著,便于推广及使用。

Description

一种硅片划痕抛光剂及其制备方法
技术领域
本发明涉及硅材料加工技术领域,具体涉及一种硅片划痕抛光剂及其制备方法。
背景技术
硅材料,是重要的半导体材料,化学元素符号Si,电子工业上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和机械等性能,硅是产量最大、应用最广的半导体材料,它的产量和用量标志着一个国家的电子工业水平,单晶硅在太阳能电池中的应用,高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天,利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能,实现了迈向绿色能源革命的开始。
硅片是硅材料存在的一种物理形式,在正常的应用中,硅片,是制作集成电路的重要材料,通过对硅片进行光刻、离子注入等手段,可以制成各种半导体器件。用硅片制成的芯片有着惊人的运算能力,科学技术的发展不断推动着半导体的发展,自动化和计算机等技术发展,使硅片这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度,然而硅片在加工时,不同的工艺节点都会使得硅片加工出现瑕疵。
硅片在加工后,会进行精密包装,这样才能保证其在运输是,不受碰撞或者划痕,但是在实际的运输转运中,还是会出现失误,造成一定的损伤,这样不管是微笑划痕,还是局部破碎,都已统一剔除作为次品处理,虽然微笑划痕可以在进行二次抛光后,继续使用,但是仅使用抛光机,不仅繁琐,同时还会对硅片造成二次损伤,因此一般受损后的硅片都会直接变为次品处理,浪费资源,增加了加工成本。
发明内容:
本发明所要解决的技术问题在于提供一种配方合理,造价成本低,使用效果明显的硅片划痕抛光剂及其制备方法。
本发明所要解决的技术问题采用以下技术方案来实现:
一种硅片划痕抛光剂,其特征在于,由以下重量份的原料制成:
乙酸异辛酯3-5份、聚丙烯酰胺4-6份、十二烷基苯磺酸钠6-8份、硝基苯5-7份、金刚石微粉10-20份、三乙醇胺2-4份、石蜡油12-14份、水杨酸钠6-8份、抗氧剂5-7份、氧化镁1-3份、硬脂酸2-4份、云母粉2-4份、空心玻璃微珠2-4份、矿物油5-7份、油酸三乙醇胺2-4份、炭黑3-5份、络合剂6-8份、去离子水80-100份。
各原料的优选分量为:
乙酸异辛酯4份、聚丙烯酰胺5份、十二烷基苯磺酸钠7份、硝基苯6份、金刚石微粉15份、三乙醇胺3份、石蜡油13份、水杨酸钠7份、抗氧剂6份、氧化镁2份、硬脂酸3份、云母粉3份、空心玻璃微珠3份、矿物油6份、油酸三乙醇胺3份、炭黑4份、络合剂7份、去离子水90份。
所述的抗氧剂为二氢喹啉,所述的矿物油为白矿油。
上述硅片划痕抛光剂的制备方法为:
1)将原料中的去离子水加入搅拌罐中,加热至60-62℃,然后将原料中的乙酸异辛酯、聚丙烯酰胺、十二烷基苯磺酸钠和硝基苯加入其中,恒温搅拌均匀;
2)再次取用一搅拌罐,将原料中的三乙醇胺、石蜡油、水杨酸钠、抗氧剂、矿物油和油酸三乙醇胺加入其中,充分搅拌均匀后,静置20min后,备用;
3)取用一球磨机,将原料中的剩余组分全部加入其中,然后开启球磨混合至颗粒细度为0.2-0.3mm,得到混合粉剂,备用;
4)将上述步骤1、2和3中的物料全部混合后,进行充分搅拌均匀,出料,真空包装即可。
本品在使用时,直接将其涂抹在硅片划痕表面,然后采用海绵进行轻微擦拭即可。
本发明的有益效果为:本发明采用的原材料丰富廉价,制作工艺简便,适用于硅片的划痕修复,对硅片本身没有损伤,使用方便,效果显著,便于推广及使用。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施例,进一步阐述本发明。
实施例1
称取:乙酸异辛酯3kg、聚丙烯酰胺4kg、十二烷基苯磺酸钠6kg、硝基苯5kg、金刚石微粉10kg、三乙醇胺2kg、石蜡油12kg、水杨酸钠6kg、抗氧剂5kg、氧化镁1kg、硬脂酸2kg、云母粉2kg、空心玻璃微珠2kg、矿物油5kg、油酸三乙醇胺2kg、炭黑3kg、络合剂6kg、去离子水80kg。
实施例2
称取:乙酸异辛酯4kg、聚丙烯酰胺5kg、十二烷基苯磺酸钠7kg、硝基苯6kg、金刚石微粉15kg、三乙醇胺3kg、石蜡油13kg、水杨酸钠7kg、抗氧剂6kg、氧化镁2kg、硬脂酸3kg、云母粉3kg、空心玻璃微珠3kg、矿物油6kg、油酸三乙醇胺3kg、炭黑4kg、络合剂7kg、去离子水90kg。
制备上述实施例1或2的方法为:
1)将原料中的去离子水加入搅拌罐中,加热至60-62℃,然后将原料中的乙酸异辛酯、聚丙烯酰胺、十二烷基苯磺酸钠和硝基苯加入其中,恒温搅拌均匀;
2)再次取用一搅拌罐,将原料中的三乙醇胺、石蜡油、水杨酸钠、抗氧剂、矿物油和油酸三乙醇胺加入其中,充分搅拌均匀后,静置20min后,备用;
3)取用一球磨机,将原料中的剩余组分全部加入其中,然后开启球磨混合至颗粒细度为0.2-0.3mm,得到混合粉剂,备用;
4)将上述步骤1、2和3中的物料全部混合后,进行充分搅拌均匀,出料,真空包装即可。
本品在使用时,直接将其涂抹在硅片划痕表面,然后采用海绵进行轻微擦拭即可。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (4)

1.一种硅片划痕抛光剂,其特征在于,由以下重量份的原料制成:
乙酸异辛酯3-5份、聚丙烯酰胺4-6份、十二烷基苯磺酸钠6-8份、硝基苯5-7份、金刚石微粉10-20份、三乙醇胺2-4份、石蜡油12-14份、水杨酸钠6-8份、抗氧剂5-7份、氧化镁1-3份、硬脂酸2-4份、云母粉2-4份、空心玻璃微珠2-4份、矿物油5-7份、油酸三乙醇胺2-4份、炭黑3-5份、络合剂6-8份、去离子水80-100份。
2.根据权利要求1所述的一种硅片划痕抛光剂,其特征在于,各原料的优选分量为:乙酸异辛酯4份、聚丙烯酰胺5份、十二烷基苯磺酸钠7份、硝基苯6份、金刚石微粉15份、三乙醇胺3份、石蜡油13份、水杨酸钠7份、抗氧剂6份、氧化镁2份、硬脂酸3份、云母粉3份、空心玻璃微珠3份、矿物油6份、油酸三乙醇胺3份、炭黑4份、络合剂7份、去离子水90份。
3.根据权利要求1所述的一种硅片划痕抛光剂,其特征在于:所述的抗氧剂为二氢喹啉,所述的矿物油为白矿油。
4.制备上述权利要求1或2中硅片划痕抛光剂的方法,其特征在于,包括以下制备步骤:
1)将原料中的去离子水加入搅拌罐中,加热至60-62℃,然后将原料中的乙酸异辛酯、聚丙烯酰胺、十二烷基苯磺酸钠和硝基苯加入其中,恒温搅拌均匀;
2)再次取用一搅拌罐,将原料中的三乙醇胺、石蜡油、水杨酸钠、抗氧剂、矿物油和油酸三乙醇胺加入其中,充分搅拌均匀后,静置20min后,备用;
3)取用一球磨机,将原料中的剩余组分全部加入其中,然后开启球磨混合至颗粒细度为0.2-0.3mm,得到混合粉剂,备用;
4)将上述步骤1、2和3中的物料全部混合后,进行充分搅拌均匀,出料,真空包装即可。
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