CN106336813A - 一种硅片划痕抛光剂及其制备方法 - Google Patents
一种硅片划痕抛光剂及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106336813A CN106336813A CN201610714353.7A CN201610714353A CN106336813A CN 106336813 A CN106336813 A CN 106336813A CN 201610714353 A CN201610714353 A CN 201610714353A CN 106336813 A CN106336813 A CN 106336813A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- parts
- raw material
- triethanolamine
- mineral oil
- silicon chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
一种硅片划痕抛光剂,涉及硅材料加工技术领域,由以下重量份的原料制成:乙酸异辛酯3‑5份、聚丙烯酰胺4‑6份、十二烷基苯磺酸钠6‑8份、硝基苯5‑7份、金刚石微粉10‑20份、三乙醇胺2‑4份、石蜡油12‑14份、水杨酸钠6‑8份、抗氧剂5‑7份、氧化镁1‑3份、硬脂酸2‑4份、云母粉2‑4份、空心玻璃微珠2‑4份、矿物油5‑7份、油酸三乙醇胺2‑4份、炭黑3‑5份、络合剂6‑8份、去离子水80‑100份。本发明的有益效果为:本发明采用的原材料丰富廉价,制作工艺简便,适用于硅片的划痕修复,对硅片本身没有损伤,使用方便,效果显著,便于推广及使用。
Description
技术领域
本发明涉及硅材料加工技术领域,具体涉及一种硅片划痕抛光剂及其制备方法。
背景技术
硅材料,是重要的半导体材料,化学元素符号Si,电子工业上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和机械等性能,硅是产量最大、应用最广的半导体材料,它的产量和用量标志着一个国家的电子工业水平,单晶硅在太阳能电池中的应用,高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天,利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能,实现了迈向绿色能源革命的开始。
硅片是硅材料存在的一种物理形式,在正常的应用中,硅片,是制作集成电路的重要材料,通过对硅片进行光刻、离子注入等手段,可以制成各种半导体器件。用硅片制成的芯片有着惊人的运算能力,科学技术的发展不断推动着半导体的发展,自动化和计算机等技术发展,使硅片这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度,然而硅片在加工时,不同的工艺节点都会使得硅片加工出现瑕疵。
硅片在加工后,会进行精密包装,这样才能保证其在运输是,不受碰撞或者划痕,但是在实际的运输转运中,还是会出现失误,造成一定的损伤,这样不管是微笑划痕,还是局部破碎,都已统一剔除作为次品处理,虽然微笑划痕可以在进行二次抛光后,继续使用,但是仅使用抛光机,不仅繁琐,同时还会对硅片造成二次损伤,因此一般受损后的硅片都会直接变为次品处理,浪费资源,增加了加工成本。
发明内容:
本发明所要解决的技术问题在于提供一种配方合理,造价成本低,使用效果明显的硅片划痕抛光剂及其制备方法。
本发明所要解决的技术问题采用以下技术方案来实现:
一种硅片划痕抛光剂,其特征在于,由以下重量份的原料制成:
乙酸异辛酯3-5份、聚丙烯酰胺4-6份、十二烷基苯磺酸钠6-8份、硝基苯5-7份、金刚石微粉10-20份、三乙醇胺2-4份、石蜡油12-14份、水杨酸钠6-8份、抗氧剂5-7份、氧化镁1-3份、硬脂酸2-4份、云母粉2-4份、空心玻璃微珠2-4份、矿物油5-7份、油酸三乙醇胺2-4份、炭黑3-5份、络合剂6-8份、去离子水80-100份。
各原料的优选分量为:
乙酸异辛酯4份、聚丙烯酰胺5份、十二烷基苯磺酸钠7份、硝基苯6份、金刚石微粉15份、三乙醇胺3份、石蜡油13份、水杨酸钠7份、抗氧剂6份、氧化镁2份、硬脂酸3份、云母粉3份、空心玻璃微珠3份、矿物油6份、油酸三乙醇胺3份、炭黑4份、络合剂7份、去离子水90份。
所述的抗氧剂为二氢喹啉,所述的矿物油为白矿油。
上述硅片划痕抛光剂的制备方法为:
1)将原料中的去离子水加入搅拌罐中,加热至60-62℃,然后将原料中的乙酸异辛酯、聚丙烯酰胺、十二烷基苯磺酸钠和硝基苯加入其中,恒温搅拌均匀;
2)再次取用一搅拌罐,将原料中的三乙醇胺、石蜡油、水杨酸钠、抗氧剂、矿物油和油酸三乙醇胺加入其中,充分搅拌均匀后,静置20min后,备用;
3)取用一球磨机,将原料中的剩余组分全部加入其中,然后开启球磨混合至颗粒细度为0.2-0.3mm,得到混合粉剂,备用;
4)将上述步骤1、2和3中的物料全部混合后,进行充分搅拌均匀,出料,真空包装即可。
本品在使用时,直接将其涂抹在硅片划痕表面,然后采用海绵进行轻微擦拭即可。
本发明的有益效果为:本发明采用的原材料丰富廉价,制作工艺简便,适用于硅片的划痕修复,对硅片本身没有损伤,使用方便,效果显著,便于推广及使用。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施例,进一步阐述本发明。
实施例1
称取:乙酸异辛酯3kg、聚丙烯酰胺4kg、十二烷基苯磺酸钠6kg、硝基苯5kg、金刚石微粉10kg、三乙醇胺2kg、石蜡油12kg、水杨酸钠6kg、抗氧剂5kg、氧化镁1kg、硬脂酸2kg、云母粉2kg、空心玻璃微珠2kg、矿物油5kg、油酸三乙醇胺2kg、炭黑3kg、络合剂6kg、去离子水80kg。
实施例2
称取:乙酸异辛酯4kg、聚丙烯酰胺5kg、十二烷基苯磺酸钠7kg、硝基苯6kg、金刚石微粉15kg、三乙醇胺3kg、石蜡油13kg、水杨酸钠7kg、抗氧剂6kg、氧化镁2kg、硬脂酸3kg、云母粉3kg、空心玻璃微珠3kg、矿物油6kg、油酸三乙醇胺3kg、炭黑4kg、络合剂7kg、去离子水90kg。
制备上述实施例1或2的方法为:
1)将原料中的去离子水加入搅拌罐中,加热至60-62℃,然后将原料中的乙酸异辛酯、聚丙烯酰胺、十二烷基苯磺酸钠和硝基苯加入其中,恒温搅拌均匀;
2)再次取用一搅拌罐,将原料中的三乙醇胺、石蜡油、水杨酸钠、抗氧剂、矿物油和油酸三乙醇胺加入其中,充分搅拌均匀后,静置20min后,备用;
3)取用一球磨机,将原料中的剩余组分全部加入其中,然后开启球磨混合至颗粒细度为0.2-0.3mm,得到混合粉剂,备用;
4)将上述步骤1、2和3中的物料全部混合后,进行充分搅拌均匀,出料,真空包装即可。
本品在使用时,直接将其涂抹在硅片划痕表面,然后采用海绵进行轻微擦拭即可。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (4)
1.一种硅片划痕抛光剂,其特征在于,由以下重量份的原料制成:
乙酸异辛酯3-5份、聚丙烯酰胺4-6份、十二烷基苯磺酸钠6-8份、硝基苯5-7份、金刚石微粉10-20份、三乙醇胺2-4份、石蜡油12-14份、水杨酸钠6-8份、抗氧剂5-7份、氧化镁1-3份、硬脂酸2-4份、云母粉2-4份、空心玻璃微珠2-4份、矿物油5-7份、油酸三乙醇胺2-4份、炭黑3-5份、络合剂6-8份、去离子水80-100份。
2.根据权利要求1所述的一种硅片划痕抛光剂,其特征在于,各原料的优选分量为:乙酸异辛酯4份、聚丙烯酰胺5份、十二烷基苯磺酸钠7份、硝基苯6份、金刚石微粉15份、三乙醇胺3份、石蜡油13份、水杨酸钠7份、抗氧剂6份、氧化镁2份、硬脂酸3份、云母粉3份、空心玻璃微珠3份、矿物油6份、油酸三乙醇胺3份、炭黑4份、络合剂7份、去离子水90份。
3.根据权利要求1所述的一种硅片划痕抛光剂,其特征在于:所述的抗氧剂为二氢喹啉,所述的矿物油为白矿油。
4.制备上述权利要求1或2中硅片划痕抛光剂的方法,其特征在于,包括以下制备步骤:
1)将原料中的去离子水加入搅拌罐中,加热至60-62℃,然后将原料中的乙酸异辛酯、聚丙烯酰胺、十二烷基苯磺酸钠和硝基苯加入其中,恒温搅拌均匀;
2)再次取用一搅拌罐,将原料中的三乙醇胺、石蜡油、水杨酸钠、抗氧剂、矿物油和油酸三乙醇胺加入其中,充分搅拌均匀后,静置20min后,备用;
3)取用一球磨机,将原料中的剩余组分全部加入其中,然后开启球磨混合至颗粒细度为0.2-0.3mm,得到混合粉剂,备用;
4)将上述步骤1、2和3中的物料全部混合后,进行充分搅拌均匀,出料,真空包装即可。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610714353.7A CN106336813A (zh) | 2016-08-24 | 2016-08-24 | 一种硅片划痕抛光剂及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610714353.7A CN106336813A (zh) | 2016-08-24 | 2016-08-24 | 一种硅片划痕抛光剂及其制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106336813A true CN106336813A (zh) | 2017-01-18 |
Family
ID=57825503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610714353.7A Pending CN106336813A (zh) | 2016-08-24 | 2016-08-24 | 一种硅片划痕抛光剂及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106336813A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115386302A (zh) * | 2022-08-23 | 2022-11-25 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种硅片背抛光用添加剂及其应用 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101451046A (zh) * | 2008-12-30 | 2009-06-10 | 清华大学 | 一种用于硅晶片抛光的抛光组合物 |
TWI314949B (en) * | 2002-09-06 | 2009-09-21 | Seimi Chem Kk | Polishing compound for insulating film for semiconductor integrated circuit and method for producing semiconductor integrated circuit |
US20130225052A1 (en) * | 2010-09-10 | 2013-08-29 | Shinhan Diamond Ind. Co., Ltd. | "cmp pad conditioner and method for manufacturing the same" |
CN104130713A (zh) * | 2014-07-01 | 2014-11-05 | 安徽宏发节能设备有限公司 | 一种添加多种磨料的混合金属抛光液及其制备方法 |
CN104593128A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-05-06 | 镇江市港南电子有限公司 | 一种高效的硅片切削液 |
-
2016
- 2016-08-24 CN CN201610714353.7A patent/CN106336813A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI314949B (en) * | 2002-09-06 | 2009-09-21 | Seimi Chem Kk | Polishing compound for insulating film for semiconductor integrated circuit and method for producing semiconductor integrated circuit |
CN101451046A (zh) * | 2008-12-30 | 2009-06-10 | 清华大学 | 一种用于硅晶片抛光的抛光组合物 |
US20130225052A1 (en) * | 2010-09-10 | 2013-08-29 | Shinhan Diamond Ind. Co., Ltd. | "cmp pad conditioner and method for manufacturing the same" |
CN104130713A (zh) * | 2014-07-01 | 2014-11-05 | 安徽宏发节能设备有限公司 | 一种添加多种磨料的混合金属抛光液及其制备方法 |
CN104593128A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-05-06 | 镇江市港南电子有限公司 | 一种高效的硅片切削液 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115386302A (zh) * | 2022-08-23 | 2022-11-25 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种硅片背抛光用添加剂及其应用 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102785038B (zh) | 一种超细焊锡粉原粉的表面处理方法及由此制备的超细粉焊锡膏 | |
CN102433191B (zh) | 一种碳化硅切割液及其使用方法 | |
CN102779567A (zh) | 硅太阳能电池用背电极铝浆及其制备方法 | |
CN106986554B (zh) | 一种超高纯涂层石英坩埚的制作方法 | |
CN106336813A (zh) | 一种硅片划痕抛光剂及其制备方法 | |
CN103695149A (zh) | 一种硅片切割液 | |
CN106336953A (zh) | 一种用于硅片清洗的酸性超声波清洗剂 | |
CN103230756A (zh) | 一种色浆的连续生产方法及自动生产线 | |
CN104846436A (zh) | 一种超高纯石英陶瓷坩埚的制备方法 | |
CN102543259B (zh) | 一种低翘曲太阳能电池背场用铝浆及其制备方法 | |
CN114989880B (zh) | 切割液及其制备方法 | |
CN101613877B (zh) | 填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用 | |
CN105838481A (zh) | 一种太阳能硅片切割砂浆修复液 | |
CN106219561B (zh) | 一种圆角结晶硅微粉的制备方法 | |
CN104409570A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池的制作方法 | |
CN114230217A (zh) | 一种水泥助磨剂 | |
CN112359415B (zh) | 一种太阳能p型多晶硅片的制作工艺 | |
CN110759799B (zh) | 一种利用石英砂尾泥制备烟花爆竹填充材料的工艺 | |
CN104751939A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池用铝导电浆料 | |
CN111370304B (zh) | 一种硼铝源及其配置方法 | |
CN106336933A (zh) | 一种硅片切割用降温去糙型切削液的制备方法 | |
CN104212247B (zh) | 补孔浆料及其制备方法和用途 | |
CN102623104B (zh) | 一种太阳能电池用铝浆料的制备工艺 | |
CN111370303A (zh) | 一种扩散用硼铝源及其配置方法 | |
CN106350166A (zh) | 一种硅片切割用易分解型切削液的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170118 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |