CN106324872A - 检查装置及被处理物检查方法 - Google Patents
检查装置及被处理物检查方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106324872A CN106324872A CN201610518496.0A CN201610518496A CN106324872A CN 106324872 A CN106324872 A CN 106324872A CN 201610518496 A CN201610518496 A CN 201610518496A CN 106324872 A CN106324872 A CN 106324872A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- inspection
- treated object
- probe
- information
- defect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1306—Details
- G02F1/1309—Repairing; Testing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
本发明提出在检查被处理物的缺陷时能够由一个装置检查各种被处理物的缺陷的检查装置及被处理物检查方法,作为检查装置包括:支撑部,支撑被处理物;去除部,配置在所述支撑部的上侧,利用激光束选择性地去除形成在所述被处理物上部的膜的一部分;检查部,配置在所述支撑部上侧,并且接触于所述被处理物的元件以收发信号;光学部,在所述支撑部上侧向着所述检查部配置,从而可观察所述检查部;及控制部,利用由所述光学部观察到的图像,以控制所述检查部的移动。
Description
技术领域
本发明涉及检查装置,更详细地说涉及在检查被处理物的缺陷时能够由一个装置检查各种被处理物缺陷的检查装置及被处理物检查方法。
背景技术
液晶显示装置(Liquid Crystal Display,LCD)或有机发光显示装置(OrganicLight Emitting Display,OLED)等的平板显示装置具有相互面对的下部基板与上部基板,在这之间填充液晶层或有机物层等,在下部基板形成多个电极闸线和数据线并且形成矩阵结构,在这之间形成多个像素。为了个别驱动像素,每个像素形成薄膜晶体管等的动作元件(例如,切换元件)。
另外,在制造平板显示装置的过程中,若在下部基板的像素、电极闸线、数据线及薄膜晶体管等附着异物质或出现短路或断线等各种缺陷,则该像素无法正常运行。因此,若在平板显示装置的下部基板形成多个像素、电极闸线、薄膜晶体管等,则检查下部基板的缺陷,实施修复确认到的缺陷的一连的过程。
在现有技术中,检查基板的缺陷的各种过程不是在一个装置实施的,而是在相互不同的各个装置实施,据此存在降低工艺效率进而降低整体工艺的生产性的问题
(现有技术文献)
(专利文献)
(专利文献0001)KR10-2015-0042759A
(专利文献0002)KR10-2004-0104015A
发明内容
(要解决的问题)
本发明提供能够由一个装置以各种方法检查被处理物的缺陷的检查装置及被处理物检查方法。
并且,本发明提供同时或依次生成被处理物的各种缺陷信息,并对生成的缺陷信息进行分类及保存的检查装置及被处理物检查方法。
(解决问题的手段)
根据本发明实施形态的检查装置包括:支撑部,支撑被处理物;去除部,配置在所述支撑部的上侧,利用激光束选择性地去除形成在所述被处理物上部的膜的一部分;检查部,配置在所述支撑部上侧,并且接触于所述被处理物的元件以收发信号;光学部,在所述支撑部上侧向着所述检查部配置,从而可观察所述检查部;及控制部,利用由所述光学部观察到的图像,以控制所述检查部的移动。
检查装置可包括:第一观察部,配置在所述支撑部上侧,并且利用电子束生成所述被处理物的图像信息及成分信息中的至少一种;第二观察部,配置在所述支撑部的上侧,并且以比所述第一观察部低的倍率生成所述被处理物的三维图像信息。
检查装置可包括:工作台,上部设置有所述支撑部;及安装部,设置在所述工作台,并且安装并支撑所述去除部、检查部、光学部、第一观察部及第二观察部。
所述检查部可具有向所述支撑部向下倾斜配置的多个探头。
所述控制部可包括:动作控制部,从由所述光学部观察到的所述探头的图像生成所述探头的端部坐标,并对比所述探头的端部坐标与基准坐标,判断所述探头与所述被处理物是否接触,利用判断结果控制所述探头移动。
所述控制部可包括:收集部,接收并分类由所述第一观察部及第二观察部生成的信息与所述检查部的检查结果信息;储存部,接收并保存由所述收集部分类的信息。
所述第一观察部可包括:柱,内部形成真空;电子束发射器,形成在所述柱内部,并将电子束放射于所述被处理物;信号检测器,形成在所述柱内部,以获取从所述被处理物放射的电子及X射线中至少一种信号。
根据本发明实施形态的被处理物检查方法包括:配置已确认检查区域的被处理物的过程;将激光照射于所述被处理物,使所述检查区域的动作元件或连接于所述检查区域的动作元件的至少一部分露出的过程;使所述探头接触于所述露出位置的过程;及通过所述探头检查所述动作元件的动作的过程。
接触所述探头的过程可包括:向所述露出位置移动探头的过程;由光学部观察所述探头的动作的过程;从由所述光学部观察到的所述探头的图像生成所述探头端部坐标的过程;对比所述端部坐标与基准坐标判断是否接触所述探头的过程;及利用所述是否接触的判断结果控制所述探头移动的过程。
检查所述动作元件的动作的过程可包括:由所述探头与所述动作元件直接收发信号,并且检测所述动作元件是否进行动作的过程。
在配置所述被处理物的过程之前,可包括观察所述被处理物来确认存在缺陷的检查区域的过程。
在配置所述被处理物的过程之后,可包括:向所述检查区域放射电子束的过程;收集由所述电子束在所述检查区域中放射的信号的过程;及利用所述信号生成缺陷信息的过程,其中所述缺陷信息包括所述检查区域中的所述被处理物的图像信息及成分信息中的至少一种。
在配置所述被处理物的过程之后,可包括作为缺陷信息生成所述检查区域中的所述被处理物的三维图像信息的过程。
接收所述检查区域中的缺陷信息及所述动作元件的检查结果中的至少一个来进行分类并保存的过程。
被处理物检查方法可包括:利用已保存的缺陷信息修复缺陷的过程及利用已保存的缺陷信息追踪并改善生成缺陷的工艺的过程中的至少一种的过程。
(发明的效果)
根据本发明的实施形态,能够由一个装置以各种方式检查被处理物的缺陷,并且同时或依次生成被处理物的各种缺陷信息,并且能够对生成的缺陷信息进行分类及保存,因此能够提高工艺的效率及生产性。另外,已保存的缺陷信息可被利用于修复缺陷的过程,并且可被利用于追踪缺陷原因工艺进行改善的过程。
例如,在适用于制造各种显示装置的工艺的情况下,能够由一个装置同时或连续检查基板的缺陷区域的图像信息、成分信息、三维图像信息及缺陷区域的元件或连接于缺陷区域的元件动作与否。这时,元件动作与否是与元件直接收发信号并且能够更加准确地进行检查。
现有的检查装置的情况,并没有能够在线工艺中检查需要检查的每个元件的电气性传输特性(Id-Vg graph),而是只能检查元件外廓的晶体管特性检查图案来间接确认元件的特性或只能确认元件是否开启(Open)或短路(Short)等的程度。相反,利用根据本发明实施形态的检查装置,则能够准确地确认各个元件的晶体管特性,因此不仅能够确认是否开启(Open)或短路(Short)等,还能够检查Vth Shift或Ioff Shift等的电气性元件特性的细微的变化。
因此,能够提高检查效率,并且对生成的缺陷信息进行分类并保存,进而能够数据库化。另外,利用缺陷信息能够有效实施缺陷的修复,并且能够追踪并改善缺陷原因工艺。由此,相比于现有技术能够显著提高整体工艺的效率与生产性。
附图说明
图1及图2是用于说明根据本发明实施例的检查装置的图面。
图3至图5是用于说明根据本发明实施例的被处理物检查方法的图面。
(附图标记说明)
100:工作台 200:支撑部
300:安装部 400:去除部
500:检查部 600:光学部
700:第一观察部 800:第二观察部
900:控制部
具体实施方法
以下,参照附图详细说明本发明的优选实施例。但是,本发明并不被在以下公开的实施例限定,而是可实现相互不同的各种形态。本发明的实施例只是使本发明的公开更加完整,并且是为了对在本发明所属领域具有通常知识的技术人员告知本发明的范围而提供的。为了说明本发明的实施例,图面可被扩大或夸张示出,并且在图面中的相同符号称为相同要素。
图1是示出根据本发明实施例的检查装置的概略图,图2是示出根据本发明实施例的检查装置的检查部的部分扩大图。另外,图3是示出适用本发明实施例的被处理物的概略图,图4是示出适用本发明实施例的被处理物的动作的检查过程的模式图,图5是示出根据本发明实施例的被处理物检查方法的流程图。
首先,为了说明本发明的实施例,如下定义第一轴、第二轴及第三轴:第一轴可以是在与支撑试料的面平行的基准平面上向一方向延伸的轴,并将该轴定义为x轴。第二轴是可以是在上述基准平面上向与上述一方向交叉的方向延伸的轴,并将该轴定义为y轴。第三轴可以是向与上述基准平面交叉的方向延伸的轴,并将该轴定义为z轴。当然,上述轴的定义是用于说明本发明并不是用于限定的,因此可多样的变换第一轴至第三轴。
以下,参照图1至图4说明根据本发明实施例的检查装置。检查装置作为检查被处理物10的缺陷的装置,包括支撑部200、去除部400、检查部500、光学部600及控制部900,并且还可包括工作台100、安装部300、第一观察部700及第二观察部800。检查装置为,可由一个装置以各种方式检查被处理物10的缺陷,并且同时或依次生成被处理物10的各种缺陷信息,并可对生成的缺陷信息进行分类及保存。已保存的缺陷信息可被利用于后续修复缺陷的工艺中,并且可被利用于对出现缺陷的工艺的追踪及改善。
被处理物10可以是液晶显示装置的下部基板,在被处理物10的上部可形成多个电极闸线(a)、数据线(b)并且可形成矩阵结构,并且在这之间可形成像素(c)。为了个别驱动各个像素(c),在各个像素(c)可形成薄膜晶体管作为动作元件(A)。当然,被处理物10并不限定于上述的,而是在包括LED、OLED及LED等的各种显示装置或太阳能电池或半导体芯片等的制造工艺中正在进行或已完成制造各种电子元件的工艺的晶圆或玻璃面板。
工作台100可以是具有形成平面形状的上部面的模块,例如具有固定厚度及面积的模块。工作台100起到稳定支撑检查装置的构成的作用。在工作台100的上部面可设置支撑部200。
支撑部200能够支撑被处理物10,例如可以是具有能够支撑被处理物10的固定形状及大小的支撑面的板类型的平台。在支撑部200具有升降销(未图示)或真空吸盘(未图示)等,进而能够稳定支撑被处理物10,并且具有夹持工具(未图示)进而能够将被处理物10以第一轴方向及第二轴方向准确地排列在已设定的位置。支撑部200可设置在工作台100的上部面来固定位置,或者能够以第一轴方向、第二轴方向及第三轴方向可移动地设置在工作台100的上部面。
安装部300可设置在工作台100的上部面。在安装部300可安装并支撑去除部400、检查部500、光学部600、第一观察部700及第二观察部800。安装部300为,能够以第一轴方向、第二轴方向及第三轴方向可移动地形成并设置在工作台100的上部面,或者能够以第一轴方向及第二轴方向可移动地形成并设置在工作台100的上部面,或可固定地设置在工作台100的上部面。另外,安装部300在以第一轴方向及第二轴方向可移动地形成的情况下,由控制部200控制第三轴方向的移动。
例如,支撑部200设置在工作台100的上部面来固定位置,则安装部300以第一轴方向、第二轴方向及第三轴方向可移动地形成,并设置在工作台100的上部面。
相反,若支撑部200以第一轴方向、第二轴方向及第三轴方向可移动地设置在工作台100的上部面,则安装部300固定位置地设置在工作台100的上部面。当然上述方式只是对于支撑部200及安装柱300彼此进行相对移动的示例。除了上述方式以外,对于支撑部200及安装柱300彼此适用用于相对移动的任何方式都可以。
安装部300可包括第一轴部件310、第二轴部件320、移动块330及第三轴部件340。第一轴部件310以第一轴方向延伸形成,并且以第二轴方向相互间隔以第二轴方向设置在工作台100的两侧边缘位置。第一轴部件310起到使第二轴部件320以第一轴方向移动的作用。第二轴部件320以第二轴方向延伸形成,两侧端部在第一轴部件310的上部中可分别安装在第一轴部件310。第二轴部件320起到使移动块330以第二轴方向移动的作用。移动块330配置有多个,并且以第二轴方向可移动地安装在第二轴部件320。
第三轴部件340以第三轴方向延伸形成,并且配置有多个可分别安装在移动块330。在第三轴部件340分别安装检查部500、光学部600、第一观察部700、第二观察部800。第三轴部件340的形状可变换为各种形状,多个第三轴部件340中的一个形成板类型,进而可容易安装检查部500及光学部600。第三轴部件340起到使检查部500、光学部600、第一观察部700及第二观察部800以第三轴方向移动的作用。另外。用于以第一轴方向、第二轴方向及第三轴方向移动的第一轴部件310、第二轴部件320、移动块330及第三轴部件340的各个详细构造及方式可适用线性马达的构造及方式。
去除部400配置在支撑部200上侧,例如以第二轴方向可移动地安装在第二轴部件320。去除部400利用激光束可选择性地去除形成在被处理物10上部的膜的一部分。例如,去除部400可具有:照射激光束的激光束发射器(未图示);通过或阻止匹配与波长的激光束的波长快门(未图示);能够调节激光束的功率的衰减器(未图示);可偏振激光束的旋光仪(未示出);形成激光束的焦点的分束器(未示出)。去除部400为,可利用如下的方式在形成在被处理物10上部的多个膜中可选择性地去除需去除的膜:考虑被处理物10的待被选择并加工的膜(层)的厚度与成分信息等,建立激光束的功率、波长、加工方式等的工艺参数,并将该参数配方化来自动运行。去除部400的上述构成是用于说明去除部400的一个示例,并且根据激光束的种类与波长区域等可对去除部400的构成进行各种改变。
检查部500配置在支撑部200的上侧,例如以第三轴方向可移动地安装在板类型的第三轴部件。检查部500接触于被处理物10的元件以收发信号。
检查部500可包括检查部体510、探头模块520及探头530。检查部体510配置有多个,并且以第二轴方向相互间隔,以第三轴方向可移动地安装在第三轴部件。检查部体510的上部形成块状,而下部形成板状以能够安装探头模块520。例如,在多个检查部体中的一个510a可安装两个探头模块520,而在在多个检查部体中的剩余检查部体510b可安装一个探头模块520。探头模块520配置有多个呈放射状,以第一轴方向及第二轴方向中的至少一个方向可移动地安装在检查部体510的下部。探头530可安装在探头模块520以使探头530向着支撑部200向下倾斜配置。探头530配置有多个,并且在本实施例中可相互间隔配置三个探头530。当然,对应于接触探头530的动作元件(A)的电极个数,可多样的改变探头530的个数。
光学部600在支撑部200的上侧向着检查部500配置,例如可在探头530的端部聚集的位置的上侧排列光学部600。光学部600起到观察检查部500的移动的作用,例如可以是光学显微镜或图像传感器。光学部600观察检查部500的移动的方式如下:例如,在待检查的被处理物10的动作元件(A)形成光学部600的焦点。为使探头530接触于动作元件(A),使探头530以第三轴方向移动,若接近动作元件(A)至数μm(例如,3μm至5μm),则光学部600的焦点被转换到探头530,若转换至探头530,则向控制部900传达观察到的图像,利用于生成探头530的端部坐标。
第一观察部700配置在支撑部200的上侧,并且向第三轴方向可移动地设置在第三轴部件340。第一观察部700利用电子束以能够生成被处理物10的图像信息及成分信息中的至少一种,并且可包括驻710、电子束放射器720、信号检测器730、固定器740及透过窗750。
柱710以向第三轴方向延伸,并且内部形成固定的真空,并且可在柱710一侧形成电子束透过部。柱710的内部可被控制成固定的真空空间,来生成与加速电子束。电子束放射器720可形成在驻710内部,进而能够使电子束放射于被处理物10。电子束放射器710可包括:向柱710的电子束透过部侧放射电子的电子放射工具721;将由电子放射工具721放射的电子集束成电子束形状并向柱710的电子束透过部侧加速的透镜模块722。
信号检测器730可形成在柱710内部,以获取由被处理物10放射的电子及X射线中的至少一种信号,例如,可包括:检测由被处理物10放射而被收集到柱710内部的电子(例如,反射电子)的第一检测器731;检测由被处理物10放射被收集到柱710内部的X射线的第二检测器732。例如,第一检测器731可以是半导体探测器,并且可配置在柱710的内部,以使第一检测器731排列于柱710的电子束透过部。第一检测器731的中央区域可被以第三方向贯通以使电子束通过。被收集到柱710内部的反射电子由第一检测器731获取,由反射电子引起的电流被利用于生成被处理物10图像信息中。第二检测器732可包括能量色散光谱探测器(Energy dispersive X ray spectroscopy Detector,EDS Detector,能量色散X射线光谱探测器),并且可设置在柱710内部,以使第二检测器732向着柱710的电子束透过部侧。定量分析及定性分析由第二检测器732检测到的X射线能量强度及检测频率,并利用于生成被处理物10成分信息上。
固定器740可拆卸地安装于柱710的电子束透过部,起到保持柱710内部真空的作用。在固定器740的中央区域形成贯通口,并且可安装透过窗750气密性地密封该贯通口。透过窗750起到使电子束、电子及X射线等通过的作用,例如可以是硅晶片或碳化硅晶片等导电性晶片。在透过窗750的中央区域形成数μm至数百μm宽度的通孔,并且可配置有固定的膜,例如可配置有厚度在数μm至数百μm厚度的硅氮化膜,以密封该通孔。电子束通过通孔向被处理物10放射,并且放射电子及X射线等可被收集到柱710的内部。
第二观察部800配置在支撑部200的上侧,并且以第三轴方向可移动地安装在第三轴部件340。第二观察部800为,能够以低于第一观察部700的倍率生成被处理物10的三维图像信息,例如可以是3D光学显微镜或3D图像传感器。
控制部900为连接于检查装置的各个构成部以控制该各个构成部整体运行而提供的构成,尤其是利用在光学部600观察到的图像可控制检查部500的移动,并且可分类并保存由第一观察部700及第二观察部800生成的信息与检查部500的检查结果。
控制部900可包括动作控制部910、收集部920及储存部930。动作控制部910从由光学部600观察到的探头530的图像生成探头530端部坐标,对比探头530的端部坐标与基准坐标,判断探头530是否与被处理物10的动作元件(A)的各个电极接触,利用判断结果可控制探头530的移动。在这里,基准座标可以是探头530待接触的动作元件(A)的各个电极的第一轴方向及第二轴方向的坐标。
动作控制部910判断是否接触探头530的原理如下:例如,探头530在排列在动作元件(A)上侧的状态下沿着第三轴方向移动,并且在向动作元件(A)接近的期间,探头530的端部坐标与基准坐标一致。相反,若在动作元件(A)的各个电极接触探头530,则因为接触探头530的端部向第一轴方向及第二轴方向中的至少一个方向移动数μm或数百μm。因此,在探头530接触于被处理物的动作元件(A)的情况下,探头530的端部坐标与基准坐标不同。在这一情况下,动作控制部910判断探头530已接触于动作元件(A),进而停止探头530移动。
根据如上所述的方式,光学部600配置在探头530的上侧,据此即使测量深度不具有高倍率,也能够准确判断是否接触探头530。
收集部920起到接收并分类由第一观察部700及第二观察部800生成的信息与检查部500的检查结果信息的作用。例如,由第一观察部700生成的图像信息生成缺陷的形态信息,进而按照各个形态分类该信息。另外。从由第一观察部700生成的成分信息生成缺点的定性信息,进而可按照种类分类该信息。另外,利用由第二观察部800生成的三维图像信息,生成第一轴方向、第二轴方向及第三轴方向缺陷的准确位置,并且可按照位置进行分类,尤其是,可以知道第三轴方向的缺陷的准确位置,因此可以准确知道在被处理物10的上部层叠形成的多个膜中哪一个膜存在缺陷。另外,利用由检查部500生成的检查结果信息,生成检查区域的动作元件(A)或与检查区域连接的动作元件(A)动作与否作为缺陷信息,可按照种类分类该信息。所述各个缺陷信息被整合到收集部920,接着输入至储存部930可整理成一个工作台并保存该工作台。
以下,参照图1至图5说明根据本发明实施例的被处理物检查方法。这时,省略或简单说明与检查装置的上述说明重复的内容。
根据本发明实施例的被处理物检查方法包括:配置已确认到检查区域的被处理物的过程;将激光束照射于被处理物,使检查区域的动作元件或连接于检查区域的动作元件的至少一部露出的过程;使探头接触于露出位置的过程;通过探头检查动作元件的动作的过程。这时,在配置被处理物的过程之前,还可包括观察被处理物来确认处在检查区域的过程。
另外,在配置被处理物的过程之后,还可包括:向检查区域放射电子束的过程;收集在检查区域中由电子束放射的信号的过程;利用收集到的信号生成检查区域中的被处理物的图像信息及成分信息中的至少一种信息的过程。另外,在配置有被处理物的过程之后,还可包括生成检查区域中的被处理物的三维图像信息的过程。
检查被处理物10的缺陷来确认检查区域(S100)。在这过程中,可适用自动光学检查(Automated Optical Inspection,AOI)方式。若确认到检查区域,则将被处理物10配置在支撑部200上(S200)。
利用电子束在被处理物10的检查区域收集信号,利用收集的信号生成检查区域的第一缺陷信息(S300)。例如,使第一观察部700位于检查区域的上侧,并向检查区域放射电子束。收集由电子束放射于检查区域的电子及X射线等的信号,利用该信号生成该检查区域中的图像信息及成分信息。从检查区域的图像信息及成分信息生成第一缺陷信息。因此,第一缺陷信息可都包括在检查区域生成的缺陷的形态信息与定性信息。
生成配处理物10的检查区域的三维图像信息,利用生成的三维图像信息,生成检查区域的第二缺陷信息(S400),例如,使第二观察部800位于检查区域的上侧,利用第二观察部800生成检查区域的三维图像。从检查区域的三维想生成第二缺陷信息。因此,第二缺陷信息可包括在检查区域生成的缺陷的第一轴方向、第二轴方向及第三轴方向的位置信息。
图4a是示出形成在被处理物10上部的动作元件(A)(例如,薄膜晶体管)的截面的概略图。参照图3及图4(a),如下说明动作元件(A)的截面构造及动作方式。在被处理物10的上部形成栅电极11,在栅电极11的上部形成栅极绝缘膜12,在栅极绝缘膜12的上部形成通道13。在通道13的上部一侧形成源极14,在通道13的上部另一侧形成漏极15。在通道13、源极14及漏极15的上部形成在钝化膜(16)。栅电极11连接于电极闸线(A),源极14连接于数据线(b),而漏极15连接于像素(c)。若在栅电极11施加信号,则通道13电气性连接源极14与漏极15,据此像素(c)在数据线(b)中接收信号进行运作。
将激光束照射于检查区域的动作元件(A)或与检查区域连接的动作元件(A),使动作元件(A)的至少一部分露出(S500)。在动作元件(A)的上侧向栅电极11、源极14及漏极15的方向照射激光束来形成多个孔(h),如图4(b)所示,例如向动作元件(A)上侧露出栅电极11、源极14及漏极15。
使探头530接触于动作元件(A)的露出位置(S600)。例如,使检查部500移动至动作元件(A)的露出位置的上侧,并且将探头530分别排列在露出位置的上侧。向第三轴方向移动探头530,并使探头530移动至露出位置,与此同时由光学部600观察探头530的移动。若在光学部600形成探头530的焦点,则从观察到的探头530的图像生成探头530的端部坐标,并将该端部坐标与基准坐标对比,来判断是否接触探头530。这时,在探头530的端部坐标与基准坐标不同的情况下,判断探头530直接接触于栅电极11、源极14及漏极15的露出位置。利用接触与否的判断结果控制探头530的移动。即,若判断探头530直接接触于栅电极11、源极14及漏极15的露出位置,则停止移动探头530。在图4(c)示出了探头530直接接触于栅电极11、源极14及漏极15的露出位置的状态。
通过探头530检查动作元件(A)的动作,从此生成第三缺陷信息(S700)。例如,由探头530直接与动作元件(A)收发信号,并且检查动作元件(A)是否有动作。该方式如下:在动作元件(A)的栅电极11、源极14及漏极15施加检查电压(V),并测量栅电极11、源极14及漏极15的电流(I),若测量出的电流值在适当电流值的范围,则判断动作元件(A)为正常动作,若测量到的电流值超出适当电流值范围,则判断动作元件(A)为非正常动作。动作元件(A)从动作检查结果生成第三缺陷信息。因此,第三缺陷信息可包括检查区域的动作元件(A)或与检查区域连接的动作元件(A)的动作状态作为缺陷信息。
另外,在本发明的实施例中,并不特别限定以下过程的顺序:利用电子束检查检查区域的过程、从生成检查区域的三维图像来检查检查区域的过程与直接检查检查区域的动作元件(A)或与检查区域连接的动作元件(A)的动作的过程。例如,除了图5示出的流程图以外,也可多样地变换上述过程的顺序,并且也可同时进行上述过程。
接收在各个过程中生成的检查区域的缺陷信息,并对接收的缺陷信息进行分类及保存(S800)。这一过程可在控制部900实施。接着,可至少实施在利用已保存的缺陷信息来修复缺陷的过程及利用已保存的缺陷信息追踪并改善生成缺陷的工艺的过程中的一种过程。
已保存的缺陷信息可被利用于后续修复缺陷的过程中。即,在修复缺陷的过程中,利用检查区域的缺陷信息,决定是否修复缺陷或修复方式,对应于此可实施有效的修复。例如,在第一缺陷信息及第二缺陷信息中确认到了检查位置的缺陷,但是在第三缺陷信息中确认到动作元件A的动作,则不修复缺陷,而直接移动到下一个工艺,若在第三缺陷信息中确认到动作元件(A)未进行动作,则可实施修复缺陷的过程,这时可决定修复装置及方式以对应第一缺陷信息及第二缺陷信息。
另外,已保存的缺陷信息可被利用于追踪生成缺陷的工艺并改善该工艺的过程。例如,分析检查区域的第一缺陷信息,在检查区域的固定位置确认到铁成分的情况下,判断与铁成分相关的工艺为提供缺陷的原因工艺,并追踪该工艺,了解该工艺的问题并且可进行改善。或者,分析检查区域的第一缺陷信息及第二缺陷信息,若确认到在动作元件(A)的漏极15附着有异物质,则判断形成动作元件(A)的工艺为提供缺陷的工艺,了解该工艺的问题并且可进行改善。
本发明的上述实施例是为了说明本发明,并不是为了限制本发明。在权利要求范围及于此同等的技术思想范围内可将本发明实施成各种形态,在本发明所属技术领域具有通常知识的技术人员应该能够理解在本发明的技术思想范围内能够实施各种实施例。
Claims (15)
1.一种检查装置,其特征在于,包括:
支撑部,支撑被处理物;
去除部,配置在所述支撑部的上侧,利用激光束选择性地去除形成在所述被处理物上部的膜的一部分;
检查部,配置在所述支撑部上侧,并且接触于所述被处理物的元件以收发信号;
光学部,在所述支撑部上侧向着所述检查部配置,从而可观察所述检查部;及
控制部,利用由所述光学部观察到的图像,以控制所述检查部的移动。
2.根据权利要求1所述的检查装置,其特征在于,包括:
第一观察部,配置在所述支撑部上侧,并且利用电子束生成所述被处理物的图像信息及成分信息中的至少一种;
第二观察部,配置在所述支撑部的上侧,并且以比所述第一观察部低的倍率生成所述被处理物的三维图像信息。
3.根据权利要求2所述的检查装置,其特征在于,包括:
工作台,上部设置有所述支撑部;及
安装部,设置在所述工作台,并且安装并支撑所述去除部、检查部、光学部、第一观察部及第二观察部。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的检查装置,其特征在于,
所述检查部具有向所述支撑部向下倾斜配置的多个探头。
5.根据权利要求4所述的检查装置,其特征在于,
所述控制部包括:
动作控制部,从由所述光学部观察到的所述探头的图像生成所述探头的端部坐标,并对比所述探头的端部坐标与基准坐标,判断所述探头与所述被处理物是否接触,利用判断结果控制所述探头移动。
6.根据权利要求2或3所述的检查装置,其特征在于,
所述控制部包括:收集部,接收并分类由所述第一观察部及第二观察部生成的信息与所述检查部的检查结果信息;
储存部,接收并保存由所述收集部分类的信息。
7.根据权利要求2或3所述的检查装置,其特征在于,
所述第一观察部包括:
柱,内部形成真空;
电子束发射器,形成在所述柱内部,并将电子束放射于所述被处理物;
信号检测器,形成在所述柱内部,以获取从所述被处理物放射的电子及X射线中至少一种信号。
8.一种被处理物检查方法,其特征在于,包括:
配置已确认检查区域的被处理物的过程;
将激光照射于所述被处理物,使所述检查区域的动作元件或连接于所述检查区域的动作元件的至少一部分露出的过程;
使所述探头接触于所述露出位置的过程;及
通过所述探头检查所述动作元件的动作的过程。
9.根据权利要求8所述的被处理物检查方法,其特征在于,
接触所述探头的过程包括:
向所述露出位置移动探头的过程;
由光学部观察所述探头的动作的过程;
从由所述光学部观察到的所述探头的图像生成所述探头端部坐标的过程;
对比所述端部坐标与基准坐标判断是否接触所述探头的过程;及
利用所述是否接触的判断结果,控制所述探头移动的过程。
10.根据权利要求8所述的被处理物检查方法,其特征在于,
检查所述动作元件的动作的过程包括:
由所述探头与所述动作元件直接收发信号,并且检测所述动作元件是否进行动作的过程。
11.根据权利要求8所述的被处理物检查方法,其特征在于,
在配置所述被处理物的过程之前,包括观察所述被处理物来确认存在缺陷的检查区域的过程。
12.根据权利要求8所述的被处理物检查方法,其特征在于,
在配置所述被处理物的过程之后,包括:
向所述检查区域放射电子束的过程;
收集由所述电子束在所述检查区域中放射的信号的过程;及
利用所述信号生成缺陷信息的过程,其中所述缺陷信息包括所述检查区域中的所述被处理物的图像信息及成分信息中的至少一种。
13.根据权利要求8所述的被处理物检查方法,其特征在于,
在配置所述被处理物的过程之后,包括:
作为缺陷信息生成所述检查区域中的所述被处理物的三维图像信息的过程。
14.根据权利要求12或13所述的被处理物检查方法,其特征在于,包括:
接收所述检查区域中的缺陷信息及所述动作元件的检查结果中的至少一个来进行分类并保存的过程。
15.根据权利要求14所述的被处理物检查方法,其特征在于,包括:
利用已保存的缺陷信息修复缺陷的过程及利用已保存的缺陷信息追踪并改善生成缺陷的工艺的过程中的至少一种的过程。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150094647A KR101682520B1 (ko) | 2015-07-02 | 2015-07-02 | 검사장치 및 피처리물 검사방법 |
KR10-2015-0094647 | 2015-07-02 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106324872A true CN106324872A (zh) | 2017-01-11 |
CN106324872B CN106324872B (zh) | 2021-08-10 |
Family
ID=57576544
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610518496.0A Active CN106324872B (zh) | 2015-07-02 | 2016-07-04 | 检查装置及被处理物检查方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101682520B1 (zh) |
CN (1) | CN106324872B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108645793A (zh) * | 2018-05-11 | 2018-10-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 样品分析组件、样品分析装置及样品分析方法 |
CN108957798A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-12-07 | 芜湖华特电子科技有限公司 | 一种工业显示器性能测试与优化一体化装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008102285A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Ntn Corp | パターン修正装置 |
CN101461063B (zh) * | 2006-08-01 | 2011-12-28 | 株式会社岛津制作所 | 基板检查及修正装置、以及基板评估系统 |
KR20120138937A (ko) * | 2011-06-16 | 2012-12-27 | 부산대학교 산학협력단 | 직접 레이저 용융공정을 이용한 금형보수방법 |
CN102487042B (zh) * | 2010-12-03 | 2014-06-11 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制造方法和检测方法、液晶面板 |
CN104143536A (zh) * | 2014-06-13 | 2014-11-12 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种显示基板的维修方法和维修装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4150440B2 (ja) * | 1997-03-24 | 2008-09-17 | 株式会社ルネサステクノロジ | 光学検査装置用の較正用標準試料およびそれを用いた光学検査装置の感度較正方法 |
KR100522752B1 (ko) | 2003-06-02 | 2005-10-20 | 참이앤티 주식회사 | 에이.오.아이 기능을 구비한 엘시디 리페어 장비 및 리페어방법 |
KR100822223B1 (ko) * | 2006-08-16 | 2008-04-17 | 참앤씨(주) | 평판 디스플레이 기판 회로의 리페어 장치 |
JP2008096143A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Shimadzu Corp | Tftアレイ基板検査装置 |
KR20150042759A (ko) | 2015-03-30 | 2015-04-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시장치 |
-
2015
- 2015-07-02 KR KR1020150094647A patent/KR101682520B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-07-04 CN CN201610518496.0A patent/CN106324872B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101461063B (zh) * | 2006-08-01 | 2011-12-28 | 株式会社岛津制作所 | 基板检查及修正装置、以及基板评估系统 |
JP2008102285A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Ntn Corp | パターン修正装置 |
CN102487042B (zh) * | 2010-12-03 | 2014-06-11 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制造方法和检测方法、液晶面板 |
KR20120138937A (ko) * | 2011-06-16 | 2012-12-27 | 부산대학교 산학협력단 | 직접 레이저 용융공정을 이용한 금형보수방법 |
CN104143536A (zh) * | 2014-06-13 | 2014-11-12 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种显示基板的维修方法和维修装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108645793A (zh) * | 2018-05-11 | 2018-10-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 样品分析组件、样品分析装置及样品分析方法 |
CN108957798A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-12-07 | 芜湖华特电子科技有限公司 | 一种工业显示器性能测试与优化一体化装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106324872B (zh) | 2021-08-10 |
KR101682520B1 (ko) | 2016-12-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6288951B2 (ja) | 走査電子顕微鏡を利用した検査システム | |
US10539589B2 (en) | Through process flow intra-chip and inter-chip electrical analysis and process control using in-line nanoprobing | |
US7245133B2 (en) | Integration of photon emission microscope and focused ion beam | |
KR100835766B1 (ko) | 주문형 자동 광학 검사 서브 시스템을 이용하는 티에프티엘씨디 패널의 개선된 검사 | |
KR20220033510A (ko) | 엑스선을 사용한 결함 감지 및 분류 방법 및 시스템 | |
CN100465612C (zh) | 缺陷检测方法 | |
KR20010072948A (ko) | 고해상도 분석 프로브 스테이션 | |
KR20220033508A (ko) | 엑스선을 사용하여 결함을 감지하는 방법 및 시스템 | |
CN103839771A (zh) | 半导体器件失效分析样品制作方法以及分析方法 | |
JP6158226B2 (ja) | 荷電粒子線装置及びその欠陥分析方法 | |
CN106324872A (zh) | 检查装置及被处理物检查方法 | |
JP2002181725A (ja) | 微小異物解析方法、分析装置、半導体装置の製造方法および液晶表示装置の製造方法 | |
KR100851212B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 표면결함 검사 방법 및 이를 위한원자간력현미경 장치 | |
US6137295A (en) | Method of detecting defect of integrated circuit and apparatus thereof | |
US20090316981A1 (en) | Method and device for inspecting a disk-shaped object | |
US10173246B1 (en) | Systems, apparatus, and methods for sorting components using illumination | |
JP2010103320A (ja) | 半導体検査装置 | |
WO2013065398A1 (ja) | 太陽電池関連試料測定システム | |
CN109946589A (zh) | 一种检测显示面板电学不良的方法及装置 | |
KR20080035868A (ko) | 칩 위치 식별장치 및 이를 이용한 칩 위치 식별 방법 | |
US9304160B1 (en) | Defect inspection apparatus, system, and method | |
JP2006227026A (ja) | パターン検査方法及びパターン検査装置 | |
JPH11340291A (ja) | 半導体デバイス検査分析方法及びそのシステム並びに半導体デバイスの製造方法 | |
TWI780880B (zh) | 檢查方法 | |
TWI840585B (zh) | 自動化高速x射線檢驗方法、電腦可讀取非暫態儲存媒體及電子系統 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |