CN106299022A - 一种减少设备弹片电池片c3比例的工艺方法 - Google Patents
一种减少设备弹片电池片c3比例的工艺方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106299022A CN106299022A CN201610690035.1A CN201610690035A CN106299022A CN 106299022 A CN106299022 A CN 106299022A CN 201610690035 A CN201610690035 A CN 201610690035A CN 106299022 A CN106299022 A CN 106299022A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cell piece
- ratio
- shell fragment
- equipment shell
- liquid feeding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000012634 fragment Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000005554 pickling Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 16
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
Abstract
本发明公开了一种减少设备弹片电池片C3比例的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：手工取出设备弹出的电池片，插入片盒；S2：将S1中的酸洗槽4中酸洗；S3：将S2后的片盒放入冲洗槽4中进行冲洗工艺；S4：风干；S5：下料。可有效减小设备弹片后续生产电池中C3等级电池片的比例，提高电池加工质量。
Description
技术领域
本发明涉及光伏制造技术领域，尤其涉及一种减少设备弹片电池片C3比例的工艺方法。
背景技术
相关术语解释如下：
湿法刻蚀：制作太阳能电池过程中的一部工艺，其全部工艺包括制绒、扩散、湿法刻蚀、PECVD和印刷烧结。
C3电池片：Irev1≥3A（漏电1大于等于3A） 或 Rsh<10ohm（并联电阻小于10ohm）。
Irev1: 反向电流1 (-10V测定), 当二极管加反向电压的时候，二极管中流过的反向电流数值。Irev1如果超过正常值，则容易使电池片发热，产生热斑效应，还会使电池片功率衰减过快。
并联电阻：Rsh为旁漏电阻，即并联电阻，主要为硅片边缘不清洁及内部缺陷引起。该电阻值为一个虚拟电阻值，其主要由于电池片有漏电流，与电池片输出电流方向相反，会抵消部分输出电流，使输出的电流降低，相当于一个电阻并联在一个电池片上。
太阳能行业中，在现有技术下，漏电流Irev1大于等于3A的电池片为C3电池片，C3电池片在整体电池片中所占比例较高，直接影响成品合格率。C3片产生的原因主要为人为操作产生，如人为操作插片的过程中PVC手套直接接触硅片表面，会对硅片表面造成一定的污染。
为了降低C3电池片的比例，就需要尽量减少各工序间转料时对硅片的接触。但是在湿法刻蚀工序，需要对设备弹片进行手动插片，这样就会对硅片表面造成污染，对于这部分电池片，如果流入正常工艺往往会造成C3电池比例提升，影响电池性能，如果这部分电池被加工成为组件，也会影响组件的发电性能和寿命。
所以，如何提供一种减少设备弹片电池片C3比例的工艺方法，提升这部分电池的品质，是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种减少设备弹片电池片C3比例的工艺方法，解决现有技术中存在的问题，具体方案如下：
一种减少设备弹片电池片C3比例的工艺方法，包括如下步骤：
S1：手工取出设备弹出的电池片，插入片盒；
S2：将S1中的片盒放入酸洗槽4中酸洗；
S3：将S2后的片盒放入冲洗槽4中进行冲洗工艺；
S4：风干；
S5：下料。
具体的，在步骤S2中的酸洗槽4中，所述设备弹出的电池片的腐蚀深度为1.3-1.5um。
具体的，，在步骤S2中的酸洗槽4中，所述设备弹出的电池片的腐蚀深度为1.4um。
优选的，所述步骤S2中的酸洗槽4中初始加液体积为50L-90L，初始加液浓度为2%-20%。
优选的，所述步骤S2中的酸洗槽4中初始加液体积为90L，初始加液浓度为20%。
优选的，所述步骤S2中酸洗槽4中初始加液体积为50L，初始加液浓度为2%。
本发明具有的优点是：有效减小设备弹片后续生产电池中C3等级电池片的比例，提高电池加工质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供技术方案的工艺图。
图2为正常工艺示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明请求保护一种减少设备弹片电池片C3比例的工艺方法，包括如下步骤：
S1：手工取出设备弹出的电池片，插入片盒；
S2：将S1中的片盒放入酸洗槽4中酸洗；
S3：将S2后的片盒放入冲洗槽4中进行冲洗工艺；
S4：风干；
S5：下料。
具体的，在步骤S2中的HF洗槽中，所述设备弹出的电池片的腐蚀深度为1.3-1.5um。
经过若干次实验，证明在步骤S2中的HF洗槽中，所述设备弹出的电池片的腐蚀深度为1.4um时，电池性能为最佳。
正常无弹片情况下，所产电池数据如下所示：
表一
| <Uoc> | <Isc> | <Rs> | <Rsh> | <FF> | <Eff> | <Irev1> | <Count> | Irev1>3A | <%> |
| 0.630096 | 8.770424 | 0.001731 | 1243.12 | 79.8215 | 18.10395 | 0.034034 | 1200 | 0 | 0 |
| 0.630152 | 8.774685 | 0.001719 | 1189.317 | 79.73182 | 18.09426 | 0.034234 | 1200 | 0 | 0 |
对于设备弹出片不做任何处理，直接转入下工序，所产电池电参数如下所示：
表二
| <Uoc> | <Isc> | <Rs> | <Rsh> | <FF> | <Eff> | <Irev1> | <Count> | Irev1>3A | <%> |
| 0.6306 | 8.69 | 0.001656 | 74.86702 | 79.08859 | 17.8392 | 0.226086 | 183 | 3 | 1.64% |
| 0.628656 | 8.751191 | 0.001771 | 168.0577 | 79.44266 | 17.93754 | 0.166359 | 197 | 4 | 2.03% |
通过表一和表二数据对比，不难发现，Irev1漏电电池比例升高。
针对设备弹片，再进行一次正常工艺后，转入下工序，所产电池参数如下所示：
表三
| <Uoc> | <Isc> | <Rs> | <Rsh> | <FF> | <Eff> | <Irev1> | <Count> | Irev1>3A | <%> |
| 0.630224 | 8.773301 | 0.002093 | 1419.85 | 79.9 | 18.07 | 0.054316 | 491 | 0 | 0.00% |
| 0.630784 | 8.79335 | 0.002239 | 1360.412 | 79.3 | 18.12 | 0.045946 | 497 | 0 | 0.00% |
通过表二和表三数据对比，可以明显看到，Irev1>3A的漏电电池已经消失，Irev1电参数值已经明显下降，但是还没有达到正常流转片的水平，为了改变这种现象，所以，针对设备弹片，不能重复的进行正常生产工艺，必须单独工艺进行，于是，我们将弹出片应用于本发明提供的技术方案中 ，控制腐蚀量在1.4um，首先实验减少HF的量，设定酸洗槽HF的初始加液体积为50L，初始加液浓度为2%。
测得数据如下所示：
表四
| <Uoc> | <Isc> | <Rs> | <Rsh> | <FF> | <Eff> | <Irev1> | <Count> | Irev1>3A | <%> |
| 0.629 | 8.776 | 0.001771 | 897.9 | 80.06 | 18.1 | 0.166359 | 196 | 1 | 0.51% |
| 0.6306 | 8.69 | 0.001656 | 765.9 | 79.221 | 18.06 | 0.17 | 194 | 1 | 0.52% |
实验数据证明，减小HF的用量，Irev1电参数又有提升，Irev1>3A的漏电电池比例又增加为1%，但相对于表二的数据还是相对较好，为此，进一步调整HF的用量，设定酸洗槽HF的初始加液体积为90L，初始加液浓度为20%。
测得数据如下所示：
表五
| <Uoc> | <Isc> | <Rs> | <Rsh> | <FF> | <Eff> | <Irev1> | <Count> | Irev1>3A | <%> |
| 0.629339 | 8.786677 | 0.001891 | 1132.202 | 79.53755 | 18.05213 | 0.049554 | 1000 | 0 | 0.00% |
| 0.631005 | 8.796724 | 0.001926 | 1154.807 | 79.75579 | 18.16937 | 0.059478 | 1000 | 0 | 0.00% |
由此可见，调整合适的HF用量，电池设备弹出片加工的电池可以达到正常工艺中电池片的电池性能。
采用本发明提供的技术方案可以有效减小设备弹片后续生产电池中C3等级电池片的比例，提高电池加工质量。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明的保护之内。
Claims (6)
1.一种减少设备弹片电池片C3比例的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：手工取出设备弹出的电池片，插入片盒；
S2：将S1中的片盒放入酸洗槽4中酸洗；
S3：将S2后的片盒放入冲洗槽4中进行冲洗工艺；
S4：风干；
S5：下料。
2.根据权利要求1所述的减少设备弹片电池片C3比例的工艺方法，其特征在于：在步骤S2中的酸洗槽4中，所述设备弹出的电池片的腐蚀深度为1.3-1.5um。
3.根据权利要求2所述的减少设备弹片电池片C3比例的工艺方法，其特征在于：在步骤S2中的酸洗槽4中，所述设备弹出的电池片的腐蚀深度为1.4um。
4.根据权利要求3所述的减少设备弹片电池片C3比例的工艺方法，其特征在于：所述步骤S2中的酸洗槽4中初始加液体积为50L-90L，初始加液浓度为2%-20%。
5.根据权利要求3所述的减少设备弹片电池片C3比例的工艺方法，其特征在于：所述步骤S2中的酸洗槽4中初始加液体积为90L，初始加液浓度为20%。
6.根据权利要求3所述的减少设备弹片电池片C3比例的工艺方法，其特征在于：所述步骤S2中的酸洗槽4中初始加液体积为50L，初始加液浓度为2%。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610690035.1A CN106299022A (zh) | 2016-08-19 | 2016-08-19 | 一种减少设备弹片电池片c3比例的工艺方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610690035.1A CN106299022A (zh) | 2016-08-19 | 2016-08-19 | 一种减少设备弹片电池片c3比例的工艺方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106299022A true CN106299022A (zh) | 2017-01-04 |
Family
ID=57661315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610690035.1A Pending CN106299022A (zh) | 2016-08-19 | 2016-08-19 | 一种减少设备弹片电池片c3比例的工艺方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106299022A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111245366A (zh) * | 2020-01-09 | 2020-06-05 | 徐州谷阳新能源科技有限公司 | 一种mwt太阳能电池改善稳态的psg调整和测试方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1881538A (zh) * | 2005-06-13 | 2006-12-20 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 用以改善硅片表面金属离子污染的清洗方法 |
| CN101590476A (zh) * | 2009-06-10 | 2009-12-02 | 嘉兴五神光电材料有限公司 | 一种单晶硅片的清洗方法 |
| CN102092716A (zh) * | 2010-11-24 | 2011-06-15 | 浙江芯能光伏科技有限公司 | 一种清洗硅材料的方法 |
| CN102842641A (zh) * | 2011-06-23 | 2012-12-26 | 吉林庆达新能源电力股份有限公司 | 一种太阳能电池生产中去除单晶硅片上手指印的方法 |
-
2016
- 2016-08-19 CN CN201610690035.1A patent/CN106299022A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1881538A (zh) * | 2005-06-13 | 2006-12-20 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 用以改善硅片表面金属离子污染的清洗方法 |
| CN101590476A (zh) * | 2009-06-10 | 2009-12-02 | 嘉兴五神光电材料有限公司 | 一种单晶硅片的清洗方法 |
| CN102092716A (zh) * | 2010-11-24 | 2011-06-15 | 浙江芯能光伏科技有限公司 | 一种清洗硅材料的方法 |
| CN102842641A (zh) * | 2011-06-23 | 2012-12-26 | 吉林庆达新能源电力股份有限公司 | 一种太阳能电池生产中去除单晶硅片上手指印的方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111245366A (zh) * | 2020-01-09 | 2020-06-05 | 徐州谷阳新能源科技有限公司 | 一种mwt太阳能电池改善稳态的psg调整和测试方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Li et al. | POCl 3 diffusion for industrial Si solar cell emitter formation | |
| CN104538500B (zh) | 用于晶体硅太阳能电池抗lid和pid的pecvd镀膜和烧结工艺 | |
| CN105489700B (zh) | 一种带集成二极管的太阳电池的制备方法 | |
| CN106299022A (zh) | 一种减少设备弹片电池片c3比例的工艺方法 | |
| CN106299023B (zh) | 一种抗pid太阳能电池返工片的处理方法 | |
| CN103258728A (zh) | 硅片刻蚀的方法及太阳能电池片的制作方法 | |
| CN112490312A (zh) | 一种能够降低切割损失的太阳能电池及制备方法 | |
| CN111799339A (zh) | 适用于太阳能电池的硅片的表面处理方法 | |
| CN107731951A (zh) | 一种n‑p‑p+结构电池的制备方法 | |
| CN102437240A (zh) | 一种太阳能电池边缘刻蚀方法 | |
| CN101931030A (zh) | 纳米改性高效率低成本多晶硅太阳能电池制备工艺 | |
| CN104404627A (zh) | 一种晶体硅rie制绒前的表面预处理工艺 | |
| CN105575759A (zh) | 一种pecvd返工片处理方法 | |
| CN106298982B (zh) | 一种n型双面电池的制作方法 | |
| CN102354716A (zh) | 一种激光打孔后硅片的处理方法 | |
| CN102820375B (zh) | 一种背接触太阳能电池的制备方法 | |
| CN103296144A (zh) | 一种改善激光掺杂se电池激光损伤的方法 | |
| CN213635996U (zh) | 一种能够降低切割损失的太阳能电池 | |
| CN205211767U (zh) | 一种太阳能电池 | |
| CN103515486A (zh) | 一种板式pecvd制备背面点接触太阳能电池的方法 | |
| CN102969405A (zh) | 一种高效浅结太阳能电池的扩散工艺 | |
| CN103700728A (zh) | 一种黑硅硅片表面纳米微结构的修正方法 | |
| CN105696084A (zh) | 一种金刚线硅片的制绒方法及应用 | |
| CN205985010U (zh) | 一种太阳能组件 | |
| CN103500771B (zh) | 背面边缘隔离法制备多晶硅太阳电池的工艺方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170104 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |