CN103296144A - 一种改善激光掺杂se电池激光损伤的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种改善激光掺杂SE电池激光损伤的方法,采用可腐蚀硅但不腐蚀磷硅玻璃的化学腐蚀溶液,25±2℃,0.06±0.02g/min,腐蚀40±10S,对激光掺杂SE电池的激光损伤区域进行腐蚀处理,去除激光损伤。该改善激光掺杂SE电池激光损伤的方法,可以很好的去除激光损伤,很好地提高太阳电池转换效率,该方法切实有效,具有很好的实用性。
Description
技术领域
本发明涉及激光掺杂SE电池技术领域,具体涉及一种改善激光掺杂SE电池激光损伤的方法。
背景技术
太阳电池的主要发展方向是低成本、高效率,而选择性发射极技术是可以实现高效率的技术之一,25%效率的PERL电池正是采用了选择性发射极技术。选择性发射极技术主要具有两个特征:1)金属栅线与硅片接触区域为重掺杂区;2)受光区域为轻掺杂区。
SE结构可提高短波响应、改善短路电流、开路电压,同时重掺区可以降低金属栅线与硅片接触部位的接触电阻,改善填充因子,从而提高转换效率。
激光磷硅玻璃掺杂法是近期研究较多的SE新技术,它主要是用磷硅玻璃(PSG)作为磷源,采用激光烧蚀的方式形成重掺,该技术的特点是工艺流程简单,易于实现,缺点是存在激光损伤,对电池电性能有不利影响。
发明内容
发明目的:针对现有技术存在的不足,本发明的目的是提供一种改善激光掺杂SE电池激光损伤的方法,通过改善激光掺杂选择性发射极太阳电池激光损伤,提高太阳电池转换效率。
技术方案:为了实现上述发明目的,本发明采用的技术方案为:
一种改善激光掺杂SE电池激光损伤的方法,采用可腐蚀硅但不腐蚀磷硅玻璃的化学腐蚀溶液,25±2℃,0.06±0.02g/min,腐蚀40±10S,对激光掺杂SE电池的激光损伤区域进行腐蚀处理,去除激光损伤。
所述的化学腐蚀溶液为质量体积浓度为4~6%的NaOH溶液。
所述的化学腐蚀溶液为质量体积浓度为7~9%的TMAOH溶液。
本发明采用可腐蚀硅但对磷硅玻璃没有腐蚀效果的化学腐蚀溶液,腐蚀溶液对激光掺杂的硅片进行浸泡腐蚀处理,在腐蚀过程中,有磷硅玻璃保护的区域不会受到腐蚀溶液的破坏,发射极没有任何变化,而激光掺杂区域由于受到激光的烧蚀,磷硅玻璃被破坏,没有磷硅玻璃的保护,掺杂区域容易受到腐蚀溶液的腐蚀,通过腐蚀腐蚀达到去除激光损伤的目的。
有益效果:与现有技术相比,本发明的改善激光掺杂SE电池激光损伤的方法,可以很好的去除激光损伤,很好地提高太阳电池转换效率,该方法切实有效,具有很好的实用性。
附图说明
图1是腐蚀前激光掺杂区域SEM图;
图2是NaOH腐蚀后激光掺杂区域SEM图;
图3是未采用反刻与采用反刻工艺J02对比;
图4是腐蚀前激光掺杂区域SEM图;
图5是TMAOH腐蚀后激光掺杂区域SEM图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步的说明。
实施例1
以NaOH腐蚀溶液为例,取20片激光掺杂后的硅片,先采用等离子刻蚀的方式进行边缘刻蚀,保证硅片边缘完成刻通,然后从中任取10片进行表面腐蚀反刻:腐蚀在25L、PP材质的方形槽体内进行,NaOH溶液浓度为5%,溶液温度为25℃,腐蚀时间为40S,腐蚀结束后先采用去离子水冲洗3分钟,然后放入盐酸(浓度为6%)、氢氟酸(浓度为3%)混合溶液中浸泡清洗5分钟,清洗完成后放入烘干箱烘干硅片。
未经过腐蚀的10片硅片经3分钟氢氟酸(浓度为3%)浸泡清洗和水洗去除磷硅玻璃,然后同样放入烘干箱烘干硅片。
烘干完成后,在SEM下对比未反刻、反刻激光掺杂区域绒面图。结果如图1和图2所示,从图1、图2中可以看出,反刻后激光掺杂区域有明显变化,烧蚀痕迹明显减弱。
将20片硅片做成电池,电性能对比结果如表1所示。
表1. 电性能对比结果
从表1可以看出,经反刻后,电性能各参数大幅提升:Uoc提高0.8mV,Jsc提高0.29mA/cm2,Eff提高0.2%。
对比测试反刻对结区漏电的影响,结果如图3所示,从图3中可以看出,采用反刻工艺后,J02由1.0*10-8A/cm2降低至0.4*10-8 A/cm2,结区漏电已得到很好地改善。
实施例2:
以TMAOH腐蚀溶液为例,取20片激光掺杂后的硅片,先采用等离子刻蚀的方式进行边缘刻蚀,保证硅片边缘完成刻通,然后从中任取10片进行表面腐蚀反刻:腐蚀在25L、PP材质的方形槽体内进行,TMAOH溶液浓度为8%,溶液温度为25℃,腐蚀时间为50S,腐蚀结束后先采用去离子水冲洗3分钟,然后放入盐酸(浓度为6%)、氢氟酸(浓度为3%)混合溶液中浸泡清洗5分钟,清洗完成后放入烘干箱烘干硅片。
未经过腐蚀的10片硅片经3分钟氢氟酸(浓度为3%)浸泡清洗和水洗去除磷硅玻璃,然后同样放入烘干箱烘干硅片。
烘干完成后,在SEM下对比未反刻、反刻激光掺杂区域绒面图。结果如图5和图6所示,对比图4、图5激光掺杂区域,反刻后激光掺杂区域有明显变化,烧蚀痕迹明显减弱,TMAOH可以达到NaOH溶液的腐蚀效果。同样将20片硅片做成电池,电性能对比结果如表2所示。
表2电性能对比结果
从表2的池性能对比数据来看,TMAOH同样可以达到NaOH溶液的腐蚀效果。
Claims (3)
1.一种改善激光掺杂SE电池激光损伤的方法,其特征在于:采用可腐蚀硅但不腐蚀磷硅玻璃的化学腐蚀溶液,25±2℃,0.06±0.02g/min,腐蚀40±10S,对激光掺杂SE电池的激光损伤区域进行腐蚀处理,去除激光损伤。
2.根据权利要求1的所述的改善激光掺杂SE电池激光损伤的方法,其特征在于:所述的化学腐蚀溶液为质量体积浓度为4~6%的NaOH溶液。
3.根据权利要求1的所述的改善激光掺杂SE电池激光损伤的方法,其特征在于:所述的化学腐蚀溶液为质量体积浓度为7~9%的TMAOH溶液。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109545903A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-03-29 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种激光掺杂选择性发射结及其制作方法 |
CN111063760A (zh) * | 2018-10-17 | 2020-04-24 | 晶澳太阳能有限公司 | 一种太阳能电池的制备工艺 |
CN115020506A (zh) * | 2022-05-30 | 2022-09-06 | 中建材浚鑫(桐城)科技有限公司 | 一种低损伤高精度钝化反射极激光掺杂方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102110743A (zh) * | 2010-12-01 | 2011-06-29 | 江苏林洋太阳能电池及应用工程技术研究中心有限公司 | 局部激光熔融磷硅玻璃制作选择性发射极太阳电池的方法 |
CN102157616A (zh) * | 2011-01-29 | 2011-08-17 | 常州天合光能有限公司 | 去激光损伤层洗液 |
CN102637768A (zh) * | 2011-02-15 | 2012-08-15 | 中山大学 | 一种发射极卷包晶体硅太阳能电池的制备方法 |
CN102709377A (zh) * | 2012-05-08 | 2012-10-03 | 常州天合光能有限公司 | 一种新结构晶体硅太阳电池及其制备方法 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102110743A (zh) * | 2010-12-01 | 2011-06-29 | 江苏林洋太阳能电池及应用工程技术研究中心有限公司 | 局部激光熔融磷硅玻璃制作选择性发射极太阳电池的方法 |
CN102157616A (zh) * | 2011-01-29 | 2011-08-17 | 常州天合光能有限公司 | 去激光损伤层洗液 |
CN102637768A (zh) * | 2011-02-15 | 2012-08-15 | 中山大学 | 一种发射极卷包晶体硅太阳能电池的制备方法 |
CN102709377A (zh) * | 2012-05-08 | 2012-10-03 | 常州天合光能有限公司 | 一种新结构晶体硅太阳电池及其制备方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111063760A (zh) * | 2018-10-17 | 2020-04-24 | 晶澳太阳能有限公司 | 一种太阳能电池的制备工艺 |
CN109545903A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-03-29 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种激光掺杂选择性发射结及其制作方法 |
CN115020506A (zh) * | 2022-05-30 | 2022-09-06 | 中建材浚鑫(桐城)科技有限公司 | 一种低损伤高精度钝化反射极激光掺杂方法 |
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