CN103296144A - 一种改善激光掺杂se电池激光损伤的方法 - Google Patents

一种改善激光掺杂se电池激光损伤的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103296144A
CN103296144A CN2013102400254A CN201310240025A CN103296144A CN 103296144 A CN103296144 A CN 103296144A CN 2013102400254 A CN2013102400254 A CN 2013102400254A CN 201310240025 A CN201310240025 A CN 201310240025A CN 103296144 A CN103296144 A CN 103296144A
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser
doping
induced damage
improving
corrosion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2013102400254A
Other languages
English (en)
Inventor
刘仁中
杨红冬
张斌
邢国强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Altusvia Energy Taicang Co Ltd
Original Assignee
Altusvia Energy Taicang Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Altusvia Energy Taicang Co Ltd filed Critical Altusvia Energy Taicang Co Ltd
Priority to CN2013102400254A priority Critical patent/CN103296144A/zh
Publication of CN103296144A publication Critical patent/CN103296144A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Weting (AREA)

Abstract

本发明公开了一种改善激光掺杂SE电池激光损伤的方法，采用可腐蚀硅但不腐蚀磷硅玻璃的化学腐蚀溶液，25±2℃，0.06±0.02g/min，腐蚀40±10S，对激光掺杂SE电池的激光损伤区域进行腐蚀处理，去除激光损伤。该改善激光掺杂SE电池激光损伤的方法，可以很好的去除激光损伤，很好地提高太阳电池转换效率，该方法切实有效，具有很好的实用性。

Description

一种改善激光掺杂SE电池激光损伤的方法
技术领域
本发明涉及激光掺杂SE电池技术领域，具体涉及一种改善激光掺杂SE电池激光损伤的方法。
背景技术
太阳电池的主要发展方向是低成本、高效率，而选择性发射极技术是可以实现高效率的技术之一，25%效率的PERL电池正是采用了选择性发射极技术。选择性发射极技术主要具有两个特征：1）金属栅线与硅片接触区域为重掺杂区；2）受光区域为轻掺杂区。
SE结构可提高短波响应、改善短路电流、开路电压，同时重掺区可以降低金属栅线与硅片接触部位的接触电阻，改善填充因子，从而提高转换效率。
激光磷硅玻璃掺杂法是近期研究较多的SE新技术，它主要是用磷硅玻璃（PSG）作为磷源，采用激光烧蚀的方式形成重掺，该技术的特点是工艺流程简单，易于实现，缺点是存在激光损伤，对电池电性能有不利影响。
发明内容
发明目的：针对现有技术存在的不足，本发明的目的是提供一种改善激光掺杂SE电池激光损伤的方法，通过改善激光掺杂选择性发射极太阳电池激光损伤，提高太阳电池转换效率。
技术方案：为了实现上述发明目的，本发明采用的技术方案为：
一种改善激光掺杂SE电池激光损伤的方法，采用可腐蚀硅但不腐蚀磷硅玻璃的化学腐蚀溶液，25±2℃，0.06±0.02g/min，腐蚀40±10S，对激光掺杂SE电池的激光损伤区域进行腐蚀处理，去除激光损伤。
所述的化学腐蚀溶液为质量体积浓度为4~6%的NaOH溶液。
所述的化学腐蚀溶液为质量体积浓度为7~9%的TMAOH溶液。
本发明采用可腐蚀硅但对磷硅玻璃没有腐蚀效果的化学腐蚀溶液，腐蚀溶液对激光掺杂的硅片进行浸泡腐蚀处理，在腐蚀过程中，有磷硅玻璃保护的区域不会受到腐蚀溶液的破坏，发射极没有任何变化，而激光掺杂区域由于受到激光的烧蚀，磷硅玻璃被破坏，没有磷硅玻璃的保护，掺杂区域容易受到腐蚀溶液的腐蚀，通过腐蚀腐蚀达到去除激光损伤的目的。
有益效果：与现有技术相比，本发明的改善激光掺杂SE电池激光损伤的方法，可以很好的去除激光损伤，很好地提高太阳电池转换效率，该方法切实有效，具有很好的实用性。
附图说明
图1是腐蚀前激光掺杂区域SEM图；
图2是NaOH腐蚀后激光掺杂区域SEM图；
图3是未采用反刻与采用反刻工艺J02对比；
图4是腐蚀前激光掺杂区域SEM图；
图5是TMAOH腐蚀后激光掺杂区域SEM图。
具体实施方式
    下面结合具体实施例对本发明做进一步的说明。
     实施例1
以NaOH腐蚀溶液为例，取20片激光掺杂后的硅片，先采用等离子刻蚀的方式进行边缘刻蚀，保证硅片边缘完成刻通，然后从中任取10片进行表面腐蚀反刻：腐蚀在25L、PP材质的方形槽体内进行，NaOH溶液浓度为5%，溶液温度为25℃，腐蚀时间为40S，腐蚀结束后先采用去离子水冲洗3分钟，然后放入盐酸（浓度为6%）、氢氟酸（浓度为3%）混合溶液中浸泡清洗5分钟，清洗完成后放入烘干箱烘干硅片。
未经过腐蚀的10片硅片经3分钟氢氟酸（浓度为3%）浸泡清洗和水洗去除磷硅玻璃，然后同样放入烘干箱烘干硅片。
烘干完成后，在SEM下对比未反刻、反刻激光掺杂区域绒面图。结果如图1和图2所示，从图1、图2中可以看出，反刻后激光掺杂区域有明显变化，烧蚀痕迹明显减弱。
将20片硅片做成电池，电性能对比结果如表1所示。 
表1. 电性能对比结果
Figure 896512DEST_PATH_IMAGE001
从表1可以看出，经反刻后，电性能各参数大幅提升：Uoc提高0.8mV，Jsc提高0.29mA/cm2，Eff提高0.2%。
对比测试反刻对结区漏电的影响，结果如图3所示，从图3中可以看出，采用反刻工艺后，J02由1.0*10-8A/cm2降低至0.4*10-8 A/cm2，结区漏电已得到很好地改善。
实施例2：
以TMAOH腐蚀溶液为例，取20片激光掺杂后的硅片，先采用等离子刻蚀的方式进行边缘刻蚀，保证硅片边缘完成刻通，然后从中任取10片进行表面腐蚀反刻：腐蚀在25L、PP材质的方形槽体内进行，TMAOH溶液浓度为8%，溶液温度为25℃，腐蚀时间为50S，腐蚀结束后先采用去离子水冲洗3分钟，然后放入盐酸（浓度为6%）、氢氟酸（浓度为3%）混合溶液中浸泡清洗5分钟，清洗完成后放入烘干箱烘干硅片。
未经过腐蚀的10片硅片经3分钟氢氟酸（浓度为3%）浸泡清洗和水洗去除磷硅玻璃，然后同样放入烘干箱烘干硅片。
烘干完成后，在SEM下对比未反刻、反刻激光掺杂区域绒面图。结果如图5和图6所示，对比图4、图5激光掺杂区域，反刻后激光掺杂区域有明显变化，烧蚀痕迹明显减弱，TMAOH可以达到NaOH溶液的腐蚀效果。同样将20片硅片做成电池，电性能对比结果如表2所示。
表2电性能对比结果
Figure 768653DEST_PATH_IMAGE002
从表2的池性能对比数据来看，TMAOH同样可以达到NaOH溶液的腐蚀效果。

Claims (3)

1.一种改善激光掺杂SE电池激光损伤的方法，其特征在于：采用可腐蚀硅但不腐蚀磷硅玻璃的化学腐蚀溶液，25±2℃，0.06±0.02g/min，腐蚀40±10S，对激光掺杂SE电池的激光损伤区域进行腐蚀处理，去除激光损伤。
2.根据权利要求1的所述的改善激光掺杂SE电池激光损伤的方法，其特征在于：所述的化学腐蚀溶液为质量体积浓度为4~6%的NaOH溶液。
3.根据权利要求1的所述的改善激光掺杂SE电池激光损伤的方法，其特征在于：所述的化学腐蚀溶液为质量体积浓度为7~9%的TMAOH溶液。
CN2013102400254A 2013-06-17 2013-06-17 一种改善激光掺杂se电池激光损伤的方法 Pending CN103296144A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2013102400254A CN103296144A (zh) 2013-06-17 2013-06-17 一种改善激光掺杂se电池激光损伤的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2013102400254A CN103296144A (zh) 2013-06-17 2013-06-17 一种改善激光掺杂se电池激光损伤的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103296144A true CN103296144A (zh) 2013-09-11

Family

ID=49096729

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2013102400254A Pending CN103296144A (zh) 2013-06-17 2013-06-17 一种改善激光掺杂se电池激光损伤的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103296144A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109545903A (zh) * 2018-12-13 2019-03-29 浙江晶科能源有限公司 一种激光掺杂选择性发射结及其制作方法
CN111063760A (zh) * 2018-10-17 2020-04-24 晶澳太阳能有限公司 一种太阳能电池的制备工艺
CN115020506A (zh) * 2022-05-30 2022-09-06 中建材浚鑫(桐城)科技有限公司 一种低损伤高精度钝化反射极激光掺杂方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102110743A (zh) * 2010-12-01 2011-06-29 江苏林洋太阳能电池及应用工程技术研究中心有限公司 局部激光熔融磷硅玻璃制作选择性发射极太阳电池的方法
CN102157616A (zh) * 2011-01-29 2011-08-17 常州天合光能有限公司 去激光损伤层洗液
CN102637768A (zh) * 2011-02-15 2012-08-15 中山大学 一种发射极卷包晶体硅太阳能电池的制备方法
CN102709377A (zh) * 2012-05-08 2012-10-03 常州天合光能有限公司 一种新结构晶体硅太阳电池及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102110743A (zh) * 2010-12-01 2011-06-29 江苏林洋太阳能电池及应用工程技术研究中心有限公司 局部激光熔融磷硅玻璃制作选择性发射极太阳电池的方法
CN102157616A (zh) * 2011-01-29 2011-08-17 常州天合光能有限公司 去激光损伤层洗液
CN102637768A (zh) * 2011-02-15 2012-08-15 中山大学 一种发射极卷包晶体硅太阳能电池的制备方法
CN102709377A (zh) * 2012-05-08 2012-10-03 常州天合光能有限公司 一种新结构晶体硅太阳电池及其制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111063760A (zh) * 2018-10-17 2020-04-24 晶澳太阳能有限公司 一种太阳能电池的制备工艺
CN109545903A (zh) * 2018-12-13 2019-03-29 浙江晶科能源有限公司 一种激光掺杂选择性发射结及其制作方法
CN115020506A (zh) * 2022-05-30 2022-09-06 中建材浚鑫(桐城)科技有限公司 一种低损伤高精度钝化反射极激光掺杂方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106549083B (zh) 一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法
JP6666438B2 (ja) 局部バックコンタクト太陽電池の製造方法
JP6553731B2 (ja) Ｎ型両面電池のウェットエッチング方法
CN103219427A (zh) 一种高陷光纳米结构单面制绒的实现方法
CN103296144A (zh) 一种改善激光掺杂se电池激光损伤的方法
CN103117328B (zh) 冶金多晶硅片磷吸杂方法及该法制成的硅片和太阳能电池
CN105304765B (zh) 一种硅异质结太阳能电池及其制作方法
CN104505425A (zh) 一种制备太阳能单晶背抛光电池片的方法
CN102254992A (zh) 新型多晶硅制绒工艺
CN104409572A (zh) 一种异质结太阳能电池的制作方法
CN103400901A (zh) 一种太阳能电池表面的二次腐蚀制绒工艺
JP5817046B2 (ja) 背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法
CN104112795B (zh) 一种硅异质结太阳能电池的制作方法
CN105225952A (zh) 一种vdmos器件的制作方法及vdmos器件
CN102881770A (zh) 选择性发射极电池的制备方法
CN104143503A (zh) 掺杂方法
CN104733565B (zh) 一种应用于晶体硅湿法刻蚀可控边的刻蚀方法
CN104157739B (zh) 对不合格硅片的处理方法
CN106129185A (zh) 激光刻蚀透明导电膜制备等离激元增强晶硅太阳电池方法
Chen et al. Investigation of laser ablation on boron emitters for n‐type rear‐junction PERT type silicon wafer solar cells
CN104505430A (zh) 一种高效多晶黑硅电池
CN207217669U (zh) 一种在线去除燃料电池冷却剂离子的系统
CN103972145B (zh) Goi硅片制作方法、goi硅片及goi检测方法
CN103311377B (zh) 一种提升光伏电池片并联电阻的方法
CN100541825C (zh) 带有热斑腐蚀环的硅太阳能电池及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20130911