CN106298978B - 失调馈送缝隙天线rto太赫兹波源及制作工艺 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 18
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 17
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 15
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 15
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 claims description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 13
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 12
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 12
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 7
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 5
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 claims description 5
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 5
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 claims description 5
- OVARTBFNCCXQKS-UHFFFAOYSA-N propan-2-one;hydrate Chemical compound O.CC(C)=O OVARTBFNCCXQKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000000453 Skin Neoplasms Diseases 0.000 description 1
- 229940024548 aluminum oxide Drugs 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000004023 plastic welding Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 201000000849 skin cancer Diseases 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/88—Tunnel-effect diodes
- H01L29/882—Resonant tunneling diodes, i.e. RTD, RTBD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/6609—Diodes
- H01L29/66151—Tunnel diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/12—Supports; Mounting means
- H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q13/00—Waveguide horns or mouths; Slot antennas; Leaky-waveguide antennas; Equivalent structures causing radiation along the transmission path of a guided wave
- H01Q13/10—Resonant slot antennas
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
一种失调馈送缝隙天线RTO太赫兹波源及制作工艺，包括设置在主衬底上的左电极和右电极，右电极的左侧边嵌入在形成于左电极右侧下部的凹边内，且在左电极和右电极两端的上下相对的端面之间对称的各设置有二氧化硅层，从而在主衬底、二氧化硅层、左电极和右电极之间形成有相连通的空气腔，左电极的右侧边中部形成有向右电极凸出的凸块，左电极位于凸块的两侧对称的形成有凹槽，其中，两个凹槽的下面为构成空气腔底面的主衬底，凸块的底面与所对应的主衬底的上端面之间设置有共振隧穿型二极管，共振隧穿型二极管为刀结构，刀结构的刀把部分横插入到形成在右电极左侧下部的凹边内。本发明可以通过改变RTD在振荡器中的位置，来实现振荡器在不同频段的振荡。
Description
技术领域
本发明涉及一种太赫兹波源。特别是涉及一种失调馈送缝隙天线RTO太赫兹波源及制作工艺。
背景技术
太赫兹(THz)波是指频率在0.1太赫兹到10太赫兹范围的电磁波，波长大概在0.03mm到3mm范围内，介于毫米波与红外之间。但是由于THz波在空气中较高的损耗，需要大功率的波源，使其在通信领域商业化。现有的太赫兹波源功率过低，仅有几个到几十个纳瓦，制约了太赫兹技术的发展，因此这一频段是有待开发的空白频段，也被称为太赫兹间隙。
由于0.1—10太赫兹波能够很强的穿透像塑料、纸、木料、人体、大气等一类物质，因此它可以广泛应用于安保扫描、射电天文、生物遥感、生产监控等领域，具体分类可以包括邮件扫描、纸类生产、塑料焊接检测、古画分析、人体透视、食品质量检测、皮肤癌分类等。要实现以上技术必须提供功率较大的太赫兹波源或太赫兹发生器，同时要配备经济而高质量的太赫兹波检测器和成像设备包括太赫兹照相机。
由于太赫兹波处于远红外波段，其热效很强，故其探测器基本上可分为两类，一类属于利用其热效应制成的探测器，如热功率计(bolometer)、热电探测器(pyroelectricdetector)等；另一类是利用其光波性质的探测器，如光电探测器(photo-conductivedetector)和肖特基二极管(SBD)等。而这些探测器应用的前提是有一个大功率的太赫兹波源充当光源。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种能够实现芯片之间的垂直通信的失调馈送缝隙天线RTO太赫兹波源及制作工艺。
本发明所采用的技术方案是：一种失调馈送缝隙天线RTO太赫兹波源，包括主衬底，设置在所述主衬底上的左电极和右电极，所述右电极的左侧边嵌入在形成于左电极右侧下部的凹边内，且在左电极和右电极两端的上下相对的端面之间对称的各设置有二氧化硅层，从而在所述主衬底、二氧化硅层、左电极和右电极之间形成有相连通的空气腔，所述左电极的右侧边中部形成有向右电极凸出的凸块，左电极位于凸块的两侧对称的形成有凹槽，其中，两个所述的凹槽的下面为构成空气腔底面的主衬底，所述凸块的底面与所对应的主衬底的上端面之间设置有共振隧穿型二极管，所述共振隧穿型二极管为刀结构，所述刀结构的刀把部分横插入到形成在右电极左侧下部的凹边内。
所述空气腔包括有形成在所述主衬底的上端面的两端由所述的左电极、右电极和二氧化硅层围成的部分空气腔，形成在所述主衬底的上端面的中部的由所述的左电极和右电极围成的部分空气腔，以及形成在所述主衬底上端面的由左电极和共振隧穿型二极管围成的部分空气腔。
所述的共振隧穿型二极管包括有由下至上依次设置的衬底、缓冲层和发射区电极接触层，所述发射区电极接触层上端面左侧部分上由下到上依次设置有发射区、发射区隔离层、下势垒、下势阱、子势阱、上势阱、上势垒、集电区隔离层、集电区、集电区电极接触层和集电区金属电极，从而与所述的衬底、缓冲层和发射区电极接触层共同构成L型结构，所述发射区电极接触层上端面右侧部分上设置有发射区金属电极。
本发明失调馈送缝隙天线RTO太赫兹波源的制作工艺，包括如下步骤：
1)在衬底上，由分子束外延技术依次外延生长得到共振隧穿型二极管结构材料；
2)制作共振隧穿型二极管集电区金属电极，包括：利用等离子增强化学气相沉积技术在已生长好的共振隧穿型二极管结构材料表面蒸发溅射AuGeNi合金，清洁处理，进行表面平整；
3)对共振隧穿型二极管结构材料进行台面腐蚀：光刻，是以集电区金属电极层作掩蔽，用湿法腐蚀台面，直到发射区电极接触层为止；
4)制作共振隧穿型二极管发射区金属电极，包括：利用等离子增强化学气相沉积技术在已生长好的共振隧穿型二极管结构材料表面蒸发溅射AuGeNi合金，清洁处理，进行表面平整；
5)制作右电极：蒸发或溅射金属层后进行光刻；
6)沉积二氧化硅钝化层，包括光刻和沉积；
7)制作左电极：蒸发或溅射金属层后进行光刻；
8)合金：在400～460℃下，合金30～120s
9)封装。
步骤1)所述的结构材料包括：衬底、缓冲层、发射区电极接触层、发射区、发射区隔离层、下势垒、下势阱、子势阱、上势阱、上势垒、集电区隔离层、集电区和集电区电极接触层。
步骤2)和步骤4)所述的清洁处理包括：
(1)高压水清洗，将一注水施加2000-4000psi的压力并加入用于去除静电的表面活性剂，水流连续不断地喷洒共振隧穿型二极管结构材料的表面，去除大小不一的颗粒；
(2)去离子水清洗共振隧穿型二极管结构材料表面，去除浮尘、清洁剂、水溶性盐和水溶性酸；
(3)丙酮水浴加热，去除脂溶性污染物；
(4)烘干表面。
步骤3)包括：
(1)将光刻胶涂在共振隧穿型二极管结构材料上，软烘培把光刻胶里的溶剂蒸发掉；图形在光刻胶层被显影后进行硬烘培；
(2)利用光刻技术将所要形成的集电区电极接触层的图形定义出来；
(3)以集电区金属电极作掩蔽，用湿法腐蚀台面，直到发射区电极接触层为止。
步骤5)和步骤7)包括：真空蒸发或溅射形成金属层，使用行星状轨迹在真空反应室内旋转；形成MIM结构中的右电极金属或左电极金属。
步骤6)包括：
(1)去离子水清洗去除微粒与沾污；
(2)利用PECVD技术淀积二氧化硅，使共振隧穿型二极管结构材料表面形成一层二氧化硅钝化层；
(3)进行表面平整；
(4)涂布光刻胶，软烘培后显影，然后硬烘培，干法腐蚀形成MIM结构中的绝缘部分。
本发明的失调馈送缝隙天线RTO太赫兹波源及制作工艺，由RTD(共振隧穿型二极管)，MIM(金属-绝缘体-金属)结构，失调馈送缝隙天线三部分组成。缝隙的宽度与振荡器的宽度不同，这样就在振荡器与缝隙之间形成驻波。RTD(共振隧穿型二极管)通过制作左右金属电极形成缝隙天线，使RTD(共振隧穿型二极管)与天线实现集成，减少工艺步骤；使用铝天线减少成本，提高集成度。同时可以通过改变RTD(共振隧穿型二极管)在振荡器中的位置，来实现振荡器在不同频段的振荡。太赫兹波经过MIM结构发射后最终进过失调馈送缝隙天线发射出去，这样就实现了芯片之间的垂直通信。
附图说明
图1是本发明失调馈送缝隙天线RTO太赫兹波源的结构示意图；
图2是图1的正俯视图；
图3是图1的正前视视图；
图4是图1的A-A断面图；
图5是本发明中共振隧穿型二极管的结构示意图。
图中
1：左电极 2：右电极
3：共振隧穿型二极管 4：空气腔
5：主衬底 6：二氧化硅层
31：衬底 32：缓冲层
33：发射区电极接触层 34：发射区
35：发射区隔离层 36：下势垒
37：下势阱 38：子势阱
39：上势阱 310：上势垒
311：集电区隔离层 312：集电区
313：集电区电极接触层 314：集电区金属电极
315：发射区金属电极
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本发明的失调馈送缝隙天线RTO太赫兹波源及制作工艺做出详细说明。
如图1～图4所示，本发明的失调馈送缝隙天线RTO太赫兹波源，包括主衬底5，设置在所述主衬底5上的左电极1和右电极2，所述右电极2的左侧边嵌入在形成于左电极1右侧下部的凹边内，且在左电极1和右电极2两端的上下相对的端面之间对称的各设置有二氧化硅层6，从而在所述主衬底5、二氧化硅层6、左电极1和右电极2之间形成有相连通的空气腔4，所述空气腔4包括有形成在所述主衬底5的上端面的两端由所述的左电极1、右电极2和二氧化硅层6围成的部分空气腔4，形成在所述主衬底5的上端面的中部的由所述的左电极1和右电极2围成的部分空气腔4，以及形成在所述主衬底5上端面的由左电极1和共振隧穿型二极管3围成的部分空气腔4。所述左电极1的右侧边中部形成有向右电极2凸出的凸块11，左电极1位于凸块11的两侧对称的形成有凹槽12，其中，两个所述的凹槽12的下面为构成空气腔4底面的主衬底5，所述凸块11的底面与所对应的主衬底5的上端面之间设置有共振隧穿型二极管(RTD)3，所述共振隧穿型二极管3为刀结构，所述刀结构的刀把部分横插入到形成在右电极2左侧下部的凹边内。
如图5所示，所述的共振隧穿型二极管3包括有由下至上依次设置的SI-InP衬底31、缓冲层32和发射区电极接触层33，所述发射区电极接触层33上端面左侧部分上由下到上依次设置有发射区34、发射区隔离层35、下势垒36、下势阱37、子势阱38、上势阱39、上势垒310、集电区隔离层311、集电区312、集电区电极接触层313和集电区金属电极314，从而与所述的衬底31、缓冲层32和发射区电极接触层33共同构成L型结构，所述发射区电极接触层33上端面右侧部分上设置有发射区金属电极315。本发明实施例中：
所述的衬底31为半绝缘InP衬底(SI—InP衬底)，厚度为100－300μm，用SI-InP衬底时，在此衬底上生长的InGaAs的In组分可以达到0.53。在InGaAs材料中In的组分愈大，其迁移率就愈高，RTD(共振隧穿型二极管)的频率和开关速度就愈快。故用SI-InP衬底材料研制的RTD(共振隧穿型二极管)性能比用SI-GaAs衬底的RTD(共振隧穿型二极管)更好，但SI-InP材料比SI-GaAs更昂贵，而且加工过程中容易碎裂；所述的缓冲层32由In0.53Ga0.47As层构成，厚度为200nm；所述的发射区电极接触层33、发射区34、集电区312和集电区电极接触层313是由掺Si浓度达到2*1019cm-3In0.53Ga0.47As层构成，其中发射区电极接触层33的厚度为400nm，发射区34的厚度为20nm，集电区312的厚度为15nm，集电区电极接触层313的厚度为8nm；所述的发射区隔离层35厚度为2nm；所述的下势垒36和上势垒310是由AlAs层构成，厚度为1.2nm；所述的下势阱37、上势阱39和集电区隔离层311是由In0.53Ga0.47As层构成，其中，下势阱37和上势阱39的厚度为1.2nm，集电区隔离层311的厚度为2nm；所述的子势阱8是由InAs层构成，厚度为1.2nm；所述的集电区金属电极314和发射区金属电极315材质为金属，厚度均为100-300nm。
本发明的失调馈送缝隙天线RTO太赫兹波源的制作工艺，包括如下步骤：
1)在衬底上，由分子束外延技术(MBE)依次外延生长得到共振隧穿型二极管结构材料；所述的结构材料包括：衬底、缓冲层、发射区电极接触层、发射区、发射区隔离层、下势垒、下势阱、子势阱、上势阱、上势垒、集电区隔离层、集电区和集电区电极接触层。(15年2月第一个)
2)制作共振隧穿型二极管(RTD)集电区金属电极，包括：利用等离子增强化学气相沉积技术(PECVD)在已生长好的共振隧穿型二极管结构材料表面蒸发溅射AuGeNi合金，清洁处理，进行表面平整；所述的清洁处理包括：
(1)高压水清洗，将一注水施加2000-4000psi的压力并加入用于去除静电的表面活性剂，水流连续不断地喷洒共振隧穿型二极管结构材料的表面，去除大小不一的颗粒；
(2)去离子水清洗共振隧穿型二极管结构材料表面，去除浮尘、清洁剂、水溶性盐和水溶性酸；
(3)丙酮水浴加热，去除脂溶性污染物；
(4)烘干表面。
3)对共振隧穿型二极管结构材料进行台面腐蚀：光刻，是以集电区金属电极层作掩蔽，用湿法腐蚀台面，直到发射区电极接触层为止；包括：
(1)将光刻胶涂在共振隧穿型二极管结构材料上，软烘培把光刻胶里的溶剂蒸发掉；图形在光刻胶层被显影后进行硬烘培，目的是增加光刻胶对共振隧穿型二极管结构材料表面的黏结能力；
(2)利用光刻技术将所要形成的集电区电极接触层的图形定义出来；
(3)以集电区金属电极作掩蔽，用湿法腐蚀台面，直到发射区电极接触层为止。
4)制作共振隧穿型二极管发射区金属电极，包括：利用等离子增强化学气相沉积技术(PECVD)在已生长好的共振隧穿型二极管结构材料表面蒸发溅射AuGeNi合金，清洁处理，进行表面平整；所述的清洁处理与步骤2)相同，包括：
(1)高压水清洗，将一注水施加2000-4000psi的压力并加入用于去除静电的表面活性剂，水流连续不断地喷洒共振隧穿型二极管结构材料的表面，去除大小不一的颗粒；
(2)去离子水清洗共振隧穿型二极管结构材料表面，去除浮尘、清洁剂、水溶性盐和水溶性酸；
(3)丙酮水浴加热，去除脂溶性污染物；
(4)烘干表面。
5)制作右电极：蒸发或溅射金属层(Al)后进行光刻；包括：真空蒸发或溅射形成金属层(铝)，使用行星状轨迹在真空反应室内旋转，以保证膜的厚度均匀且减少孔洞，使用真空蒸发或溅射的另一个好处是降低成本；形成MIM结构中的右电极金属或左电极金属。
6)沉积二氧化硅钝化层，以形成MIM(金属-绝缘体-金属)结构，包括光刻和沉积；包括：
(1)去离子水清洗去除微粒与沾污；
(2)利用PECVD技术淀积二氧化硅，使共振隧穿型二极管结构材料表面形成一层二氧化硅钝化层，因为铝和二氧化硅的合金过程要求450℃以下，故需要在低温下淀积，由于等离子体的配合，PECVD可以实现该技术要求；
(3)进行表面平整；
(4)涂布光刻胶，软烘培后显影，然后硬烘培，干法腐蚀形成MIM结构中的绝缘部分。
7)制作左电极：蒸发或溅射金属层(Al)后进行光刻；与步骤5)相同，包括：真空蒸发或溅射形成金属层(铝)，使用行星状轨迹在真空反应室内旋转，以保证膜的厚度均匀且减少孔洞，使用真空蒸发或溅射的另一个好处是降低成本；形成MIM结构中的右电极金属或左电极金属。
8)合金：在400～460℃下，合金30～120s
9)封装。
Claims (7)
1.一种失调馈送缝隙天线RTO太赫兹波源，包括主衬底（5），设置在所述主衬底（5）上的左电极（1）和右电极（2），其特征在于，所述右电极（2）的左侧边嵌入在形成于左电极（1）右侧下部的凹边内，且在左电极（1）和右电极（2）两端的上下相对的端面之间对称的各设置有二氧化硅层（6），从而在所述主衬底（5）、二氧化硅层（6）、左电极（1）和右电极（2）之间形成有相连通的空气腔（4），所述左电极（1）的右侧边中部形成有向右电极（2）凸出的凸块（11），左电极（1）位于凸块（11）的两侧对称的形成有凹槽（12），其中，两个所述的凹槽（12）的下面为构成空气腔（4）底面的主衬底（5），所述凸块（11）的底面与所对应的主衬底（5）的上端面之间设置有共振隧穿型二极管（3），所述共振隧穿型二极管（3）为刀结构，所述刀结构的刀把部分横插入到形成在右电极（2）左侧下部的凹边内；
所述空气腔（4）包括有形成在所述主衬底（5）的上端面的两端由所述的左电极（1）、右电极（2）和二氧化硅层（6）围成的部分空气腔（4），形成在所述主衬底（5）的上端面的中部的由所述的左电极（1）和右电极（2）围成的部分空气腔（4），以及形成在所述主衬底（5）上端面的由左电极（1）和共振隧穿型二极管（3）围成的部分空气腔（4）；
所述的共振隧穿型二极管（3）包括有由下至上依次设置的衬底（31）、缓冲层（32）和发射区电极接触层（33），所述发射区电极接触层（33）上端面左侧部分上由下到上依次设置有发射区（34）、发射区隔离层（35）、下势垒（36）、下势阱（37）、子势阱（38）、上势阱（39）、上势垒（310）、集电区隔离层（311）、集电区（312）、集电区电极接触层（313）和集电区金属电极（314），从而与所述的衬底（31）、缓冲层（32）和发射区电极接触层（33）共同构成L型结构，所述发射区电极接触层（33）上端面右侧部分上设置有发射区金属电极（315）。
2.一种权利要求1所述的失调馈送缝隙天线RTO太赫兹波源的制作工艺，其特征在于，包括如下步骤：
1）在衬底上，由分子束外延技术依次外延生长得到共振隧穿型二极管结构材料；
2）制作共振隧穿型二极管集电区金属电极，包括：利用等离子增强化学气相沉积技术在已生长好的共振隧穿型二极管结构材料表面蒸发溅射AuGeNi合金，清洁处理，进行表面平整；
3）对共振隧穿型二极管结构材料进行台面腐蚀：光刻，是以集电区金属电极层作掩蔽，用湿法腐蚀台面，直到发射区电极接触层为止；
4）制作共振隧穿型二极管发射区金属电极，包括：利用等离子增强化学气相沉积技术在已生长好的共振隧穿型二极管结构材料表面蒸发溅射AuGeNi合金，清洁处理，进行表面平整；
5）制作右电极：蒸发或溅射金属层后进行光刻；
6）沉积二氧化硅钝化层，包括光刻和沉积；
7）制作左电极：蒸发或溅射金属层后进行光刻；
8）合金：在400～460℃下，合金30～120s
9）封装。
3.根据权利要求2所述的失调馈送缝隙天线RTO太赫兹波源的制作工艺，其特征在于，步骤1）所述的结构材料包括：衬底、缓冲层、发射区电极接触层、发射区、发射区隔离层、下势垒、下势阱、子势阱、上势阱、上势垒、集电区隔离层、集电区和集电区电极接触层。
4.根据权利要求2所述的失调馈送缝隙天线RTO太赫兹波源的制作工艺，其特征在于，步骤2）和步骤4）所述的清洁处理包括：
（1）高压水清洗，将一注水施加2000-4000 psi的压力并加入用于去除静电的表面活性剂，水流连续不断地喷洒共振隧穿型二极管结构材料的表面，去除大小不一的颗粒；
（2）去离子水清洗共振隧穿型二极管结构材料表面，去除浮尘、清洁剂、水溶性盐和水溶性酸；
（3）丙酮水浴加热，去除脂溶性污染物；
（4）烘干表面。
5.根据权利要求2所述的失调馈送缝隙天线RTO太赫兹波源的制作工艺，其特征在于，步骤2）和步骤4）所述的清洁处理包括：
（1）高压水清洗，将一注水施加2000-4000 psi的压力并加入用于去除静电的表面活性剂，水流连续不断地喷洒共振隧穿型二极管结构材料的表面，去除大小不一的颗粒；
（2）去离子水清洗共振隧穿型二极管结构材料表面，去除浮尘、清洁剂、水溶性盐和水溶性酸；
（3）丙酮水浴加热，去除脂溶性污染物；
（4）烘干表面。
6.根据权利要求2所述的失调馈送缝隙天线RTO太赫兹波源的制作工艺，其特征在于，步骤5）和步骤7）包括：真空蒸发或溅射形成金属层，使用行星状轨迹在真空反应室内旋转；形成MIM结构中的右电极金属或左电极金属。
7.根据权利要求2所述的失调馈送缝隙天线RTO太赫兹波源的制作工艺，其特征在于，步骤6）包括：
（1）去离子水清洗去除微粒与沾污；
（2）利用PECVD技术淀积二氧化硅，使共振隧穿型二极管结构材料表面形成一层二氧化硅钝化层；
（3）进行表面平整；
（4）涂布光刻胶，软烘培后显影，然后硬烘培，干法腐蚀形成MIM结构中的绝缘部分。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201610877332.7A CN106298978B (zh) | 2016-10-08 | 2016-10-08 | 失调馈送缝隙天线rto太赫兹波源及制作工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201610877332.7A CN106298978B (zh) | 2016-10-08 | 2016-10-08 | 失调馈送缝隙天线rto太赫兹波源及制作工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN106298978A CN106298978A (zh) | 2017-01-04 |
| CN106298978B true CN106298978B (zh) | 2023-10-03 |
Family
ID=57716774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN201610877332.7A Active CN106298978B (zh) | 2016-10-08 | 2016-10-08 | 失调馈送缝隙天线rto太赫兹波源及制作工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106298978B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109088166A (zh) * | 2018-08-01 | 2018-12-25 | 中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所 | 实现微带天线宽带宽角扫描的结构单元 |
| CN109559985B (zh) * | 2018-11-23 | 2021-04-23 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种具有空气桥的半导体器件及其制作方法 |
| CN113571998B (zh) * | 2021-06-24 | 2023-02-14 | 深圳市时代速信科技有限公司 | 一种共振隧穿二极管太赫兹振荡源 |
| CN116435198B (zh) * | 2023-05-08 | 2023-11-07 | 盛合晶微半导体(江阴)有限公司 | 单极化空气耦合天线封装结构及制备方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2013171966A (ja) * | 2012-02-21 | 2013-09-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 共鳴トンネルダイオードおよびテラヘルツ発振器 |
| CN103560327A (zh) * | 2013-11-11 | 2014-02-05 | 天津工业大学 | 一种基于共振隧穿机制的失调馈送缝隙天线 |
| CN104681638A (zh) * | 2015-02-17 | 2015-06-03 | 天津大学 | 一种具有新型材料结构的半球形透镜矩阵太赫兹波源 |
| CN104752524A (zh) * | 2015-02-17 | 2015-07-01 | 天津大学 | 一种超窄双阱的共振隧穿二极管器件 |
| CN105845741A (zh) * | 2015-01-12 | 2016-08-10 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 基于InGaAs/AlAs材料的共振隧穿二极管 |
-
2016
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013171966A (ja) * | 2012-02-21 | 2013-09-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 共鳴トンネルダイオードおよびテラヘルツ発振器 |
| CN103560327A (zh) * | 2013-11-11 | 2014-02-05 | 天津工业大学 | 一种基于共振隧穿机制的失调馈送缝隙天线 |
| CN105845741A (zh) * | 2015-01-12 | 2016-08-10 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 基于InGaAs/AlAs材料的共振隧穿二极管 |
| CN104681638A (zh) * | 2015-02-17 | 2015-06-03 | 天津大学 | 一种具有新型材料结构的半球形透镜矩阵太赫兹波源 |
| CN104752524A (zh) * | 2015-02-17 | 2015-07-01 | 天津大学 | 一种超窄双阱的共振隧穿二极管器件 |
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| Title |
|---|
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| CN106298978A (zh) | 2017-01-04 |
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