CN106283191B - 一种金属氧化物多孔单晶阵列薄膜的制备方法 - Google Patents
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- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 43
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims abstract description 43
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 15
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims description 6
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 4
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 claims description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 4
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 claims description 4
- 229910002915 BiVO4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910010252 TiO3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000009416 shuttering Methods 0.000 claims description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 abstract description 5
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 5
- 239000002077 nanosphere Substances 0.000 abstract description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 238000011068 loading method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 56
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 17
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 2
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 2
- 241000416536 Euproctis pseudoconspersa Species 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol;titanium Chemical compound [Ti].CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- IDIJOAIHTRIPRC-UHFFFAOYSA-J hexaaluminum;sodium;2,2,4,4,6,6,8,8,10,10,12,12-dodecaoxido-1,3,5,7,9,11-hexaoxa-2,4,6,8,10,12-hexasilacyclododecane;iron(2+);triborate;tetrahydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Na+].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Fe+2].[Fe+2].[Fe+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-].[O-][Si]1([O-])O[Si]([O-])([O-])O[Si]([O-])([O-])O[Si]([O-])([O-])O[Si]([O-])([O-])O[Si]([O-])([O-])O1 IDIJOAIHTRIPRC-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229910000246 schorl Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
本发明涉及光电化学电池领域，具体为一种金属氧化物多孔单晶阵列薄膜的制备方法。以SiO2纳米球等作为模板，通过分散、离心等手段将其成膜在基体上，利用水(溶剂)热、电化学沉积以及化学(物理)气相沉积等方法在沉有造孔模板薄膜的基体上生长金属氧化物单晶阵列薄膜，最后通过化学溶解或高温烧结等方法去除模板获得金属氧化物多孔单晶阵列薄膜。本发明在沉有造孔模板薄膜的基体上生长金属氧化物单晶阵列薄膜，去除模板后得到金属氧化物多孔单晶阵列薄膜的方法，金属氧化物多孔单晶阵列薄膜是光化学电池中光电极材料的理想电极结构，兼具大的比表面积(提供更多反应活性位以及吸光材料担载量)和高的载流子迁移特性。
Description
技术领域
本发明涉及光电化学电池领域，具体为一种金属氧化物多孔单晶阵列薄膜的制备方法。
背景技术
光电化学电池是太阳能转化和存储的有效途径，它包括光电化学水分解电池、染料敏化太阳能电池和量子点敏化太阳能电池等。光电极是光电化学电池的核心部件，它吸收入射的太阳能光并诱导相应的化学反应来实现太阳能的转化和存储。
多孔薄膜是理想的光电极结构，它具备大的比表面积可以提供更多的反应活性位以及染料(量子点)的担载量。而传统的多孔薄膜多为纳米颗粒堆垛薄膜，纳米颗粒间的晶界会对光生载流子产生强的散射和复合作用(G.M.Turner,M.C.Beard,andC.A.Schmuttenmaer,J.Phys.Chem.B.,2002,106,11716)，影响载流子的收集效率，进而降低光电化学电池的量子效率。一维(二维)单晶阵列薄膜由于没有晶界的散射和复合作用，其作为光电极具有高的太阳能转化量子效率，但是由于单晶阵列薄膜相对于多孔薄膜具有相对低的比表面积，因此其太阳能转化效率受到限制(X.J.Feng,K.Shankar,O.K.Varghese,M.Paulose,T.J.Latempa,and C.A.Grimes,Nano Lett.,2008,8,3781)。综上所述，大的比表面积和高的载流子收集效率是高效光电极的两个重要参数，而在多数光电极中不能同时兼顾优化这两个参数。
发明内容
本发明的目的在于提供一种金属氧化物多孔单晶阵列薄膜的制备方法，通过在沉有造孔模板薄膜的基体上生长金属氧化物单晶阵列薄膜，去除模板后得到金属氧化物多孔单晶阵列薄膜，其作为光电化学电池中光电极兼具大的比表面积和高的载流子收集效率，是光电化学电池中光电极的理想结构。
本发明的技术方案是：
一种金属氧化物多孔单晶阵列薄膜的制备方法，首先，在基体上沉积造孔模板薄膜；然后，在沉积有模板的基体上生长金属氧化物单晶阵列薄膜，通过将模板去除后得到金属氧化物多孔单晶阵列薄膜。
所述的基体为各种能够支撑模板的基体，包括各种金属片、透明导电玻璃或Si片。
所述的金属氧化物为单一金属氧化物或复合金属氧化物，包括TiO2、WO3、Fe2O3、(Sr，Ca，Ba)TiO3、BiVO4或(Ca，Mg，Zn)Fe2O4。
所述的金属氧化物单晶阵列薄膜的生长过程为各种物理或化学方法，包括水热或溶剂加热、电化学沉积、化学或物理气相沉积、激光脉冲沉积或磁控溅射。
所述的模板为各种造孔模板，包括Al2O3、SiO2或聚合物，模板去除方法包括溶液溶解或固相烧结方法。对于Al2O3模板或SiO2模板，通过热碱溶液溶解去除；对于聚合物模板，通过固相高温烧结去除。
所述的金属氧化物多孔单晶阵列薄膜的制备方法，将模板通过超声等手段单分散于前驱体溶液，通过离心等手段将模板成膜在基体上。单分散前驱体溶液中模板的含量为1～300mg·ml-1。前驱体溶液为各种无机酸、去离子水以及各种含金属氧化物前驱体的混合溶液，其体积比为(20～500)：(20～500)：1。
本发明的优点及有益效果是：
1、本发明在沉有造孔模板薄膜的基体上生长金属氧化物单晶阵列薄膜，去除模板后得到金属氧化物多孔单晶阵列薄膜，通过在单晶阵列薄膜中造孔增加其比表面积是获得高效光电极的有效手段，可以实现各种金属以及复合金属氧化物多孔单晶阵列薄膜的制备。
2、本发明在沉有造孔模板薄膜的基体上生长金属氧化物单晶阵列薄膜，去除模板后得到金属氧化物多孔单晶阵列薄膜的方法，通过选取不同的模板可有效调控孔结构和孔径分布。
附图说明
图1.多孔单晶金红石TiO2纳米棒单晶阵列薄膜的制备示意图。
图2.多孔单晶金红石TiO2纳米棒单晶阵列薄膜的SEM照片。
图3.多孔单晶金红石TiO2纳米棒的TEM表征；其中，(a)低倍照片；(b)高分辨照片；(c)电子衍射斑点。
图4.多孔单晶金红石TiO2纳米棒单晶阵列薄膜的XPS图谱；其中，(a)O 1s结合能；(b)Ti 2p结合能。横坐标bingding energy代表结合能(ev)，纵坐标intensity代表强度(a.u.)。
图5.多孔单晶金红石TiO2纳米棒单晶阵列薄膜的光吸收谱图。横坐标Wavelength代表波长(nm)，纵坐标Absorbance代表吸光度(a.u.)。
图6.多孔单晶金红石TiO2纳米棒单晶阵列薄膜的光电化学分解水性能图。横坐标Bias(vs.Ag@AlCl)代表相对于Ag@AlCl参比电极施加的偏压(V)，纵坐标Current Density代表电流密度(mA·cm-2)。
图7.多孔单晶金红石TiO2纳米棒单晶阵列薄膜的SEM照片。其中，(a)为薄膜顶部照片；(b)为薄膜侧面照片。
具体实施方式
在具体实施方式中，本发明金属氧化物多孔单晶阵列薄膜的制备方法，以SiO2纳米球等作为模板，将模板通过超声等手段单分散于前驱体溶液，通过离心等手段将模板成膜在基体上，利用水(溶剂)热、电化学沉积以及化学气相沉积等方法在沉有造孔模板薄膜的基体上生长金属氧化物单晶阵列薄膜，最后通过化学溶解等方法去除模板获得金属氧化物多孔单晶阵列薄膜，具体如下：
1、所述的基体为各种能够支撑模板的基体，如：各种金属片、透明导电玻璃(FTO、ITO等)、Si片等。
2、所述的模板为各种造孔模板，如：Al2O3、SiO2、聚合物(聚苯乙烯小球等)等。
3、所述的金属氧化物包括单一金属氧化物和复合金属氧化物，如：TiO2、WO3、Fe2O3、(Sr，Ca，Ba)TiO3、BiVO4、(Ca，Mg，Zn)Fe2O4等。
4、所述的金属氧化物单晶阵列薄膜的生长过程包括各种物理、化学方法，如：水(溶剂)热、电化学沉积、化学(物理)气相沉积、激光脉冲沉积、磁控溅射等。
5、所述的模板去除方法包括溶液溶解和固相烧结等方法，如：Al2O3和SiO2等可用热碱溶液溶解去除，而聚合物模板可通过固相高温烧结去除。
6、前驱体溶液为各种无机酸(如：盐酸、硫酸或氢氟酸等)、去离子水以及各种含金属氧化物前驱体(如：钛酸四丁酯、四氯化钛或三氯化铁等)的混合溶液，其体积比为(20～500)：(20～500)：1。
下面结合实施例和附图对本发明进一步详细阐述。
实施例1
将30ml盐酸(浓度38wt％)和30ml去离子水混合，然后在混合溶液中加入1ml钛酸四丁酯，搅拌至澄清。将粒度为50nm的SiO2球模板(600mg)加入上述溶液搅拌30分钟，然后超声1小时，静置30～60分钟后待大团簇SiO2球模板沉降完全后，得到SiO2球模板单分散前驱体溶液。将上述分散液转移至水热反应釜中，并在反应釜底部放置透明导电玻璃(FTO)基体，将水热反应釜在转速为5000rpm下离心，将单分散硅球原位离心沉积在FTO基体上。将反应釜密封在不锈钢套内，150℃水热处理12小时，得到金红石TiO2纳米棒/SiO2纳米球薄膜，将此薄膜放在摩尔浓度2M的NaOH水溶液中80℃煮2小时去除掉SiO2模板，得到多孔单晶金红石TiO2纳米棒单晶阵列薄膜。本实施例中，该阵列薄膜的技术参数如下：TiO2纳米棒直径为300～500nm，长度2μm左右，TiO2纳米棒中的孔径约为50纳米，与硅球模板的直径吻合。
如图1所示，多孔单晶金红石TiO2纳米棒单晶阵列薄膜的制备过程如下，在水热生长金红石TiO2纳米棒阵列之前，在FTO透明导电玻璃基体上预先沉积SiO2球模板，经过水热生长后去除SiO2球模板，最后得到多孔单晶金红石TiO2纳米棒阵列薄膜。
如图2所示，从薄膜的SEM照片可以看出制备得到多孔纳米棒阵列结构，纳米棒直径300～500nm，长度约为2μm。
如图3所示，从多孔单晶金红石TiO2纳米棒的TEM表征可以看出纳米棒中的孔径约为50nm，与所有SiO2球模板直径一致；通过高分辨相和选区电子衍射表征，可以证实单根纳米棒为单晶结构，具有单独一套晶格点阵相和周期性规整衍射斑点，且纳米棒生长取向为<001>。
如图4所示，从样品的XPS表征可以看出所制备的金红石TiO2中没有Ti3+离子的存在，全部为Ti4+。
如图5所示，从多孔单晶金红石TiO2纳米棒单晶阵列薄膜薄膜的光吸收图谱可以看出多孔单晶金红石TiO2纳米棒阵列薄膜在紫外区具有高的吸光强度。
如图6所示，从多孔单晶金红石TiO2纳米棒单晶阵列薄膜的光电化学分解水性能的表征可以看出其饱和光电流可达0.8mA·cm-2。
实施例2
将30ml盐酸(浓度38wt％)和30ml去离子水混合，然后在混合溶液中加入1ml四氯化钛，搅拌至澄清。将粒度为50nm的SiO2球模板(600mg)加入上述溶液搅拌30分钟，然后超声1小时，静置30～60分钟后待大团簇SiO2球模板沉降完全后，得到SiO2球模板单分散前驱体溶液。将上述分散液转移至水热反应釜中，并在反应釜底部放置透明导电玻璃(FTO)基体，将水热反应釜在转速为5000rpm下离心，将单分散硅球原位离心沉积在FTO基体上。将反应釜密封在不锈钢套内，150℃水热处理12小时，得到金红石TiO2纳米棒/SiO2纳米球薄膜，将此薄膜放在摩尔浓度2M的NaOH水溶液中80℃煮2小时去除掉SiO2模板，得到多孔单晶金红石TiO2纳米棒单晶阵列薄膜。
如图7所示，从薄膜的SEM照片可以看出制备得到多孔金红石TiO2纳米棒阵列结构，薄膜厚度约为1μm，孔结构贯穿整个薄膜。
实施例结果表明，本发明以SiO2纳米球等作为模板，通过分散、离心等手段将其成膜在基体上，利用水(溶剂)热、电化学沉积以及化学(物理)气相沉积等方法在沉有造孔模板薄膜的基体上生长金属氧化物单晶阵列薄膜，最后通过化学溶解或高温烧结等方法去除模板获得金属氧化物多孔单晶阵列薄膜。金属氧化物多孔单晶阵列薄膜是光化学电池中光电极材料的理想电极结构，兼具大的比表面积(提供更多反应活性位以及吸光材料担载量)和高的载流子迁移特性。
Claims (6)
1.一种金属氧化物多孔单晶阵列薄膜的制备方法，其特征在于：首先，将模板通过超声手段单分散于前驱体溶液，单分散前驱体溶液中模板的含量为1～300mg·ml-1，前驱体溶液为各种无机酸、去离子水以及各种含金属氧化物前驱体的混合溶液，其体积比为(20～500)：(20～500)：1，通过离心手段将模板成膜在基体上，在基体上沉积造孔模板薄膜；然后，在沉积有模板的基体上生长金属氧化物单晶阵列薄膜，金属氧化物单晶阵列薄膜的生长过程为水热或溶剂加热，通过将模板去除后得到金属氧化物多孔单晶阵列薄膜。
2.按照权利要求1所述的金属氧化物多孔单晶阵列薄膜的制备方法，其特征在于：所述的基体为各种能够支撑模板的基体，包括各种金属片、透明导电玻璃或Si片。
3.按照权利要求1所述的金属氧化物多孔单晶阵列薄膜的制备方法，其特征在于：所述的模板为各种造孔模板，包括Al2O3、SiO2或聚合物。
4.按照权利要求1所述的金属氧化物多孔单晶阵列薄膜的制备方法，其特征在于：所述的金属氧化物为单一金属氧化物或复合金属氧化物，包括TiO2、WO3、Fe2O3、(Sr，Ca，Ba)TiO3、BiVO4或(Ca，Mg，Zn)Fe2O4。
5.按照权利要求1所述的金属氧化物多孔单晶阵列薄膜的制备方法，其特征在于：所述的模板去除方法包括溶液溶解或固相烧结方法。
6.按照权利要求5所述的金属氧化物多孔单晶阵列薄膜的制备方法，其特征在于：对于Al2O3模板或SiO2模板，通过热碱溶液溶解去除；对于聚合物模板，通过固相高温烧结去除。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510349012.XA CN106283191B (zh) | 2015-06-19 | 2015-06-19 | 一种金属氧化物多孔单晶阵列薄膜的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510349012.XA CN106283191B (zh) | 2015-06-19 | 2015-06-19 | 一种金属氧化物多孔单晶阵列薄膜的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106283191A CN106283191A (zh) | 2017-01-04 |
| CN106283191B true CN106283191B (zh) | 2018-11-06 |
Family
ID=57650199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510349012.XA Active CN106283191B (zh) | 2015-06-19 | 2015-06-19 | 一种金属氧化物多孔单晶阵列薄膜的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106283191B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110791808B (zh) * | 2018-08-01 | 2021-02-19 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种多孔二氧化钛单晶材料及其制备方法和应用 |
| CN110368919A (zh) * | 2019-06-18 | 2019-10-25 | 中国人民解放军96901部队23分队 | 一种纳米棒阵列薄膜型光催化剂及其用途 |
| CN112071503A (zh) * | 2020-08-04 | 2020-12-11 | 南开大学 | 一种实现多功能复合透明导电薄膜的方法及应用 |
| CN113882014B (zh) * | 2021-09-10 | 2024-01-19 | 中国科学院金属研究所 | 一种金属硫化物多孔单晶的制备方法 |
| CN114214595B (zh) * | 2021-11-04 | 2023-11-28 | 万津实业(赤壁)有限公司 | 在柔性基材上镀氧化物光学膜的方法和光学复合部件 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1769548A (zh) * | 2005-10-10 | 2006-05-10 | 天津大学 | 制备一维取向的纳米二氧化钛管状晶薄膜的方法 |
| CN102851736A (zh) * | 2011-06-28 | 2013-01-02 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 表面有序孔阵列化的氧化锌纳米片薄膜及其制备方法 |
| CN103060873A (zh) * | 2013-01-17 | 2013-04-24 | 河南科技大学 | 电沉积法制备分级结构多孔阵列ZnO薄膜的方法 |
| CN104538204A (zh) * | 2014-12-03 | 2015-04-22 | 南京大学 | 一种有序多孔结构RuO2材料的制备方法 |
| CN104593864A (zh) * | 2014-12-22 | 2015-05-06 | 江南大学 | 二氧化钛反蛋白石及其制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3689934B2 (ja) * | 1994-07-18 | 2005-08-31 | 住友電気工業株式会社 | 水晶型結晶構造を有する酸化物薄膜及びその製造方法 |
| JP6150371B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2017-06-21 | 高知県公立大学法人 | 酸化亜鉛（ＺｎＯ）系単結晶、ＺｎＯ系薄膜及びＺｎＯ系単結晶性薄膜の製造方法、並びにＺｎＯ系単結晶性薄膜及び該ＺｎＯ系単結晶性薄膜からなるＺｎＯ系材料 |
-
2015
- 2015-06-19 CN CN201510349012.XA patent/CN106283191B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1769548A (zh) * | 2005-10-10 | 2006-05-10 | 天津大学 | 制备一维取向的纳米二氧化钛管状晶薄膜的方法 |
| CN102851736A (zh) * | 2011-06-28 | 2013-01-02 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 表面有序孔阵列化的氧化锌纳米片薄膜及其制备方法 |
| CN103060873A (zh) * | 2013-01-17 | 2013-04-24 | 河南科技大学 | 电沉积法制备分级结构多孔阵列ZnO薄膜的方法 |
| CN104538204A (zh) * | 2014-12-03 | 2015-04-22 | 南京大学 | 一种有序多孔结构RuO2材料的制备方法 |
| CN104593864A (zh) * | 2014-12-22 | 2015-05-06 | 江南大学 | 二氧化钛反蛋白石及其制备方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Amorphous TiO2 nanotube arrays for low-temperature oxygen sensors;Hao Feng Lu et al.;《Nanotechnology》;20080820;第19卷;第1-7页 * |
| Effect of calcination temperature on the morphology and surface properties of TiO2 nanotube arrays;Gang Li et al.;《Applied Surface Science》;20090408;第255卷;7323–7328 * |
| Gang Liu et al..Electron field emission of a nitrogen-doped TiO2 nanotube array.《Nanotechnology》.2007,第19卷1-6页. * |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106283191A (zh) | 2017-01-04 |
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |