CN106276870B - 石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法 - Google Patents

石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106276870B
CN106276870B CN201610600088.XA CN201610600088A CN106276870B CN 106276870 B CN106276870 B CN 106276870B CN 201610600088 A CN201610600088 A CN 201610600088A CN 106276870 B CN106276870 B CN 106276870B
Authority
CN
China
Prior art keywords
graphene
nano tube
carbon nano
copper foil
carbon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610600088.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN106276870A (zh
Inventor
付志兵
黄维
王朝阳
朱家艺
赵海波
米睿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Laser Fusion Research Center China Academy of Engineering Physics
Original Assignee
Laser Fusion Research Center China Academy of Engineering Physics
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Laser Fusion Research Center China Academy of Engineering Physics filed Critical Laser Fusion Research Center China Academy of Engineering Physics
Priority to CN201610600088.XA priority Critical patent/CN106276870B/zh
Publication of CN106276870A publication Critical patent/CN106276870A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106276870B publication Critical patent/CN106276870B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM

Landscapes

  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

本发明公开了一种石墨烯‑碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法，包括(1)将铜箔作为基底，通过常压CVD法制备石墨烯薄膜；将碳纳米管粉末加入邻二氯苯中，放入超声清洗机中超声，得到均匀稳定的碳纳米管分散液；(2)将碳纳米管分散液通过滴定涂膜均匀分散于石墨烯薄膜上，然后热处理除去溶剂，得到铜箔‑石墨烯‑碳纳米管材料；(3)将铜箔‑石墨烯‑碳纳米管材料进行粒子束辐照处理；(4)将处理后的铜箔‑石墨烯‑碳纳米管材料刻蚀除去铜箔；然后将漂浮于刻蚀液上复合薄膜捞至去离子水中洗去残留刻蚀液，得到纯碳复合薄膜。本发明制备的具有透光性、导电性好的薄膜，可作为一种新颖的纯碳复合材料，在场效应晶体管和激光锁模等领域具有广泛的潜在应用价值。

Description

石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法
技术领域
本发明属于复合碳材料领域，具体涉及一种简单可控的石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法。
背景技术
碳纳米管和石墨烯具有典型的一维和二维碳纳米结构，自问世以来引起了广泛的关注。1991年，碳纳米管被日本NEC公司基础研究实验室的电子显微镜专家Iijima博士意外发现。碳纳米管是一种具有特殊结构(径向尺寸为纳米量级，轴向尺寸为微米量级，管子两端基本上都封口)的一维量子材料，主要由呈六边形排列的碳原子构成数层到数十层的同轴圆管。层与层之间保持固定的距离，约0.34nm，直径一般为2～20nm。碳纳米管作为一维纳米材料，重量轻，六边形结构连接完美，具有许多异常的力学、电学、光学和化学性能。由于碳纳米管具有高的导电性、好的机械性能和透光性，被认为是复合材料的理想添加相，增加复合材料的导电性、机械强度和透明度，在纳米复合材料领域有着巨大的应用潜力。石墨烯于2004年被英国曼彻斯特大学物理学家安德烈·海姆和康斯坦丁·诺沃肖洛夫首次成功制备。石墨烯是一种二维晶体，它是由碳原子按六边形晶格结构整齐排布而成的碳单质，碳原子之间是SP2杂化，碳原子间夹角都是2π/3，键能很强，结构非常稳定，其中未参加杂化的电子在整个碳网中自由移动。石墨烯具有高的理论比表面积、超高的导电性和热导性。零维富勒烯、一维碳纳米管、二维石墨烯共同组成了骨干的碳纳米材料家族,并且它们之间可以在形式上进行转化。
最近，碳纳米管和石墨烯的复合薄膜受到了广泛关注，石墨烯和碳纳米管在电学和力学等方面有着相似的性质,但由于结构不同，它们也有很多不同之处。石墨烯/碳纳米管复合薄膜使碳纳米管与石墨烯在结构与性质上互补，充分发挥二者各自的优势，即有碳纳米管薄膜的连续网络结构，又利用石墨烯的二维层片
结构来填补网状结构的空隙形成三维网状结构，通过它们之间的协同效应,使其表现出比任意一种单一材料更加优异的性能,例如更好的各向同性导热性、各向同性导电性、三维空间微孔网络等特性。正是因为以上性质,使得石墨烯/碳纳米管复合材料在超级电容器、光电器件、储能电池、电化学传感器、激光锁模等方面有着良好的应用前景。石墨烯/碳纳米管复合膜中石墨烯的制备一般用还原氧化石墨和化学气相沉积石墨烯的方法，这两种方法都被广泛用于制备石墨烯。还原氧化石墨法制得石墨烯纳米片周期较长，但制得石墨烯纳米片片层薄、方法简单，可满足制备复合膜的原料条件。化学气相沉积(CVD)法可在特定基底(如铜和镍)上制备出高质量、大面积、连续的石墨烯薄膜，所制备的石墨烯薄膜结构完整、质量良好，并可以通过控制工艺参数来调节其在基底上的生长厚度，将其转移至目标基底上实现其应用。碳纳米管的制备一般利用化学气相沉积法，这一方法被广泛使用，适合于批量生产，并且可对碳纳米管的结构加以控制。采用常压CVD法以铜箔为基底、乙醇为碳源生长石墨烯薄膜，将碳纳米管邻二氯苯分散液滴涂于石墨烯上得到复合薄膜。滴涂法具有成本低、操作简单等优点，且碳纳米管邻二氯苯分散液为粘度系数很小的悬浊液，相比旋转涂膜法和提拉成膜法得到的复合薄膜，滴定涂膜法分散更加均匀可控。通过控制分散液浓度得到不同碳纳米管面密度、透光度、导电性的复合薄膜，进行不同粒子束(电子束、离子束、质子、中子、γ射线)辐照处理，可以调节修饰其碳纳米管的结构，使碳管无定形化。该复合薄膜在场效应晶体管和激光锁模等方面具有很大的应用前景。
发明内容
本发明的一个目的是解决至少上述问题和/或缺陷，并提供至少后面将说明的优点。
为了实现根据本发明的这些目的和其它优点，提供了一种石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、将铜箔作为基底，通过常压化学气相沉积法制备石墨烯薄膜；将碳纳米管粉末加入邻二氯苯中，然后放入超声清洗机中连续超声，得到均匀稳定的碳纳米管分散液；
步骤二、将碳纳米管分散液通过滴定涂膜均匀分散于石墨烯薄膜上，然后置于管式炉中惰性气氛下热处理除去溶剂，得到铜箔-石墨烯-碳纳米管材料；
步骤三、将铜箔-石墨烯-碳纳米管材料进行粒子束辐照处理；
步骤四、将粒子束辐照处理后的铜箔-石墨烯-碳纳米管材料进行刻蚀除去铜箔，得到漂浮于刻蚀液上的复合薄膜；然后将漂浮于刻蚀液上复合薄膜捞至去离子水中洗去残留刻蚀液，得到纯碳复合薄膜。
优选的是，所述步骤一中，所述铜箔使用前用辊压机压平整；所述常压化学气相沉积法采用乙醇为碳源；所述超声的时间为6～10小时，超声的功率为600～800W。
优选的是，所述碳纳米管粉末的长度为5～30um、直径<2nm、纯度>95％；所述石墨烯薄膜的透光性为95.93％、薄层电阻为2.374KΩ/sq。
优选的是，所述碳纳米管分散液的浓度为0.02～0.1mg/L。
优选的是，所述步骤二中，每平方厘米的石墨烯薄膜表面均匀分散0.01mL碳纳米管分散液；所述热处理的温度为250～400℃，热处理的时间为3～8分钟。
优选的是，所述步骤三中，粒子束为电子束、离子束、质子束、中子束、γ射线中的任意一种。
优选的是，所述电子束的辐照能量为200KeV，辐照剂量为8×1015～3×1017e·cm-2，辐照密度为2×1013e·s-1·cm-2；所述离子束为碳离子束，辐照能量为40KeV，辐照剂量为1×1015～3×1017ion·cm-2，辐照密度为1013ion·s-1·cm-2；所述质子束的辐照能量为170KeV，辐照剂量为5×1013～2×1016P·cm-2，辐照密度为1012P·s-1·cm-2；所述中子束的辐照能量为300KeV，辐照剂量为5×1012～1×1014n·cm-2，辐照密度为5×1011n·s-1·cm-2；所述γ射线的辐照能量为1.25MeV，辐照剂量为50～300KGy，辐照密度为170Gy/min。
优选的是，所述步骤四中，刻蚀的方法为：将粒子束辐照处理后的铜箔-石墨烯-碳纳米管材料浸泡于浓度为0.05～0.15mol/L的FeCl3溶液中刻蚀6～10小时除去铜箔，刻蚀过程中用滴管将铜箔底层的不完整石墨烯吹除。
优选的是，所述步骤一中，石墨烯薄膜的制备方法为：取石英载片分别在乙醇、去离子水中超声后置60℃恒温真空干燥箱中干燥备用；将铜箔用辊压机压平整，浸入硝酸溶液中(5.4％(w/w))预处理30s以除去铜箔上的杂质颗粒，之后用去离子水清洗，自然晾干；将处理过的铜箔放于石英载片上作为石墨烯的生长基底，推至石英管外端中部加热区近热电偶位置；抽真空至约5Pa后通入第1路Ar/H2(5％的H2)混合气至常压，重复上述过程以降低氧含量，防止高温条件下铜箔被氧化；保持Ar/H2混合气550sccm流量不变，开启程序控制60min，常压下石英管恒速升温1000℃，随后保温预热处理0.5h。预热结束后用第2路Ar(80sccm)将乙醇作为碳源带入石英管内并持续通入40s，通完乙醇后保持50s用于乙醇的裂解沉积，随即快速冷却至室温得到沉积在铜箔上的石墨烯薄膜。
优选的是，所述步骤二中的滴定涂膜替换为：采用电喷方法将碳纳米管分散液涂覆至石墨烯薄膜表面；所述电喷方法为：将碳纳米管分散液注入带不锈钢喷头的喷射容器内，然后用高压电源将电压施加在不锈钢喷头上，并利用与喷射容器连接的推进泵将喷射容器内的碳纳米管分散液通过不锈钢喷头喷射至石墨烯薄膜表面；电喷方法采用的喷射条件为：环境温度为50～100℃，石墨烯薄膜表面与不锈钢喷头的距离为8～12cm，胶体喷射流量为0.05～0.1mL/h，电压为3～8kV，不锈钢喷头的内径为0.8～1.2mm。
在本发明中，采用不同粒子束(电子束、离子束、质子束、中子束、γ射线)辐照处理调节修饰复合薄膜的结构，碳纳米管之间相互焊接、横向连接，在石墨烯薄膜上形成网络交联结构。
本发明至少包括以下有益效果：采用本发明的制备方法可以制备具有不同碳纳米管面密度的纯碳复合薄膜，可以通过调节滴涂碳纳米管浓度得到不同透光性和导电性的复合薄膜，随着碳纳米管浓度的增加复合薄膜的透光性和薄层电阻都减小，采用不同粒子束(电子束、离子束、质子束、中子束、γ射线)辐照处理，调节修饰复合薄膜的结构。此方法制备的具有透光性、导电性好的纯碳复合薄膜，可作为一种新颖的纯碳复合材料，在场效应晶体管和激光锁模等领域具有广泛的潜在应用价值。
本发明的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本发明的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。
附图说明：
图1为本发明实施例1中通过常压CVD法制备的石墨烯薄膜的扫描电镜图；
图2为本发明实施例5中0.1mg/mL的碳纳米管分散液的扫描电镜图；
图3为本发明实施例1制备的石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的扫描电镜图；
图4为本发明实施例2制备的石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的扫描电镜图；
图5为本发明实施例3制备的石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的扫描电镜图；
图6为本发明实施例4制备的石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的扫描电镜图；
图7为本发明实施例5制备的石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的扫描电镜图。
具体实施方式：
下面结合附图对本发明做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
应当理解，本文所使用的诸如“具有”、“包含”以及“包括”术语并不配出一个或多个其它元件或其组合的存在或添加。
值得说明的是以下实施例所得的碳纳米管-石墨烯复合薄膜薄层电阻由四角探针测试仪测得，透光性由紫外可见光谱仪测得，均为转移至K9玻璃上测得。
实施例1：
一种石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、将铜箔用辊压机压平整、剪切为1×1cm大小作为基底，以乙醇为碳源，通过常压化学气相沉积法CVD制备石墨烯薄膜；将0.6mg碳纳米管粉末加入30mL的邻二氯苯中，然后放入超声清洗机中连续超声8小时，得到均匀稳定的0.02mg/mL的碳纳米管分散液；所述碳纳米管的面密度约为1根/um2；图1示出了制备的石墨烯薄膜的扫描电镜图；
步骤二、将0.01mL的碳纳米管分散液通过滴定涂膜均匀分散于石墨烯薄膜上，然后置于管式炉中惰性气氛下300℃热处理5分钟除去溶剂，得到铜箔-石墨烯-碳纳米管材料；
步骤三、将铜箔-石墨烯-碳纳米管材料进行电子束辐照处理；所述电子束的辐照能量为200KeV，辐照剂量为8×1015e·cm-2，辐照密度为2×1013e·s-1·cm-2；
步骤四、将电子束辐照处理后的铜箔-石墨烯-碳纳米管材料浸泡于浓度为0.1mol/L的FeCl3溶液中刻蚀8小时除去铜箔，刻蚀过程中用滴管将铜箔底层的不完整石墨烯吹除；然后将漂浮于刻蚀液上复合薄膜用表面皿(直径40mm)捞至去离子水中洗去残留刻蚀液，得到纯碳复合薄膜；复合薄膜的透光性(在550nm处)为95.08％；薄层电阻为1.946KΩ/sq；图3示出了本实施例制备的石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的扫描电镜图。
实施例2：
一种石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、将铜箔用辊压机压平整、剪切为1×1cm大小作为基底，以乙醇为碳源，通过常压化学气相沉积法CVD制备石墨烯薄膜；将1.2mg碳纳米管粉末加入30mL的邻二氯苯中，然后放入超声清洗机中连续超声8小时，得到均匀稳定的0.04mg/mL的碳纳米管分散液；所述碳纳米管的面密度约为2根/um2；
步骤二、将0.01mL的碳纳米管分散液通过滴定涂膜均匀分散于石墨烯薄膜上，然后置于管式炉中惰性气氛下300℃热处理5分钟除去溶剂，得到铜箔-石墨烯-碳纳米管材料；
步骤三、将铜箔-石墨烯-碳纳米管材料进行电子束辐照处理；所述电子束的辐照能量为200KeV，辐照剂量为8×1015e·cm-2，辐照密度为2×1013e·s-1·cm-2；
步骤四、将电子束辐照处理后的铜箔-石墨烯-碳纳米管材料浸泡于浓度为0.1mol/L的FeCl3溶液中刻蚀8小时除去铜箔，刻蚀过程中用滴管将铜箔底层的不完整石墨烯吹除；然后将漂浮于刻蚀液上复合薄膜用表面皿(直径40mm)捞至去离子水中洗去残留刻蚀液，得到纯碳复合薄膜；复合薄膜的透光性(在550nm处)为93.89％；薄层电阻为1.490KΩ/sq；图4示出了本实施例制备的石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的扫描电镜图。
实施例3：
一种石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、将铜箔用辊压机压平整、剪切为1×1cm大小作为基底，以乙醇为碳源，通过常压化学气相沉积法CVD制备石墨烯薄膜；将1.8mg碳纳米管粉末加入30mL的邻二氯苯中，然后放入超声清洗机中连续超声8小时，得到均匀稳定的0.06mg/mL的碳纳米管分散液；所述碳纳米管的面密度约为3根/um2；
步骤二、将0.01mL的碳纳米管分散液通过滴定涂膜均匀分散于石墨烯薄膜上，然后置于管式炉中惰性气氛下300℃热处理5分钟除去溶剂，得到铜箔-石墨烯-碳纳米管材料；
步骤三、将铜箔-石墨烯-碳纳米管材料进行电子束辐照处理；所述电子束的辐照能量为200KeV，辐照剂量为8×1015e·cm-2，辐照密度为2×1013e·s-1·cm-2；
步骤四、将电子束辐照处理后的铜箔-石墨烯-碳纳米管材料浸泡于0.1mol/L的FeCl3溶液中刻蚀8小时除去铜箔，刻蚀过程中用滴管将铜箔底层的不完整石墨烯吹除；然后将漂浮于刻蚀液上复合薄膜用表面皿(直径40mm)捞至去离子水中洗去残留刻蚀液，得到纯碳复合薄膜；复合薄膜的透光性(在550nm处)为93.21％；薄层电阻为1.232KΩ/sq；图5示出了本实施例制备的石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的扫描电镜图。
实施例4：
一种石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、将铜箔用辊压机压平整、剪切为1×1cm大小作为基底，以乙醇为碳源，通过常压化学气相沉积法CVD制备石墨烯薄膜；将2.4mg碳纳米管粉末加入30mL的邻二氯苯中，然后放入超声清洗机中连续超声8小时，得到均匀稳定的0.08mg/mL的碳纳米管分散液；所述碳纳米管的面密度约为4根/um2；
步骤二、将0.01mL的碳纳米管分散液通过滴定涂膜均匀分散于石墨烯薄膜上，然后置于管式炉中惰性气氛下300℃热处理5分钟除去溶剂，得到铜箔-石墨烯-碳纳米管材料；
步骤三、将铜箔-石墨烯-碳纳米管材料进行电子束辐照处理；所述电子束的辐照能量为200KeV，辐照剂量为8×1015e·cm-2，辐照密度为2×1013e·s-1·cm-2；
步骤四、将电子束辐照处理后的铜箔-石墨烯-碳纳米管材料浸泡于0.1mol/L的FeCl3溶液中刻蚀8小时除去铜箔，刻蚀过程中用滴管将铜箔底层的不完整石墨烯吹除；然后将漂浮于刻蚀液上复合薄膜用表面皿(直径40mm)捞至去离子水中洗去残留刻蚀液，得到纯碳复合薄膜；复合薄膜的透光性(在550nm处)为92.56％；薄层电阻为1.174KΩ/sq；图6示出了本实施例制备的石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的扫描电镜图。
实施例5：
一种石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、将铜箔用辊压机压平整、剪切为1×1cm大小作为基底，以乙醇为碳源，通过常压化学气相沉积法CVD制备石墨烯薄膜；将3mg碳纳米管粉末加入30mL的邻二氯苯中，然后放入超声清洗机中连续超声8小时，得到均匀稳定的0.1mg/mL的碳纳米管分散液；所述碳纳米管的面密度约为5根/um2；
步骤二、将0.01mL的碳纳米管分散液通过滴定涂膜均匀分散于石墨烯薄膜上，然后置于管式炉中惰性气氛下300℃热处理5分钟除去溶剂，得到铜箔-石墨烯-碳纳米管材料；
步骤三、将铜箔-石墨烯-碳纳米管材料进行电子束辐照处理；所述电子束的辐照能量为200KeV，辐照剂量为8×1015e·cm-2，辐照密度为2×1013e·s-1·cm-2；
步骤四、将电子束辐照处理后的铜箔-石墨烯-碳纳米管材料浸泡于0.1mol/L的FeCl3溶液中刻蚀8小时除去铜箔，刻蚀过程中用滴管将铜箔底层的不完整石墨烯吹除；然后将漂浮于刻蚀液上复合薄膜用表面皿(直径40mm)捞至去离子水中洗去残留刻蚀液，得到纯碳复合薄膜；复合薄膜的透光性(在550nm处)为92.18％；薄层电阻为0.998KΩ/sq；图7示出了本实施例制备的石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的扫描电镜图。
实施例6：
一种石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、取石英载片分别在乙醇、去离子水中超声后置60℃恒温真空干燥箱中干燥备用；将铜箔用辊压机压平整，浸入硝酸溶液中(5.4％(w/w))预处理30s以除去铜箔上的杂质颗粒，之后用去离子水清洗，自然晾干；将铜箔用辊压机压平整、剪切为1×1cm大小作为基底，然后放于石英载片上作为石墨烯的生长基底，推至石英管外端中部加热区近热电偶位置；抽真空至约5Pa后通入第1路Ar/H2(5％的H2)混合气至常压，重复上述过程以降低氧含量，防止高温条件下铜箔被氧化；保持Ar/H2混合气550sccm流量不变，开启程序控制60min，常压下石英管恒速升温1000℃，随后保温预热处理0.5h。预热结束后用第2路Ar(80sccm)将乙醇作为碳源带入石英管内并持续通入40s，通完乙醇后保持50s用于乙醇的裂解沉积，随即快速冷却至室温得到沉积在铜箔上的石墨烯薄膜，在CVD法制备石墨烯的过程中，铜箔背面也会沉积不完整的石墨烯，应使用橡皮擦和酒精除去铜箔背面的石墨烯薄膜；然后将3mg碳纳米管粉末加入30mL的邻二氯苯中，然后放入超声清洗机中连续超声6小时，得到均匀稳定的0.1mg/mL的碳纳米管分散液；所述碳纳米管的面密度约为5根/um2；所述超声的功率为600W；
步骤二、将0.01mL的碳纳米管分散液通过滴定涂膜均匀分散于石墨烯薄膜上，然后置于管式炉中惰性气氛下250℃热处理8分钟除去溶剂，得到铜箔-石墨烯-碳纳米管材料；
步骤三、将铜箔-石墨烯-碳纳米管材料进行离子束辐照处理；所述离子束为碳离子束，辐照能量为40KeV，辐照剂量为1×1015ion·cm-2，辐照密度为1013ion·s-1·cm-2；
步骤四、将离子束辐照处理后的铜箔-石墨烯-碳纳米管材料浸泡于0.1mol/L的FeCl3溶液中刻蚀6小时除去铜箔，刻蚀过程中用滴管将铜箔底层的不完整石墨烯吹除；然后将漂浮于刻蚀液上复合薄膜用表面皿(直径40mm)捞至去离子水中洗去残留刻蚀液，得到纯碳复合薄膜；复合薄膜的透光性(在550nm处)为92.25％；薄层电阻为1.018KΩ/sq。
实施例7：
一种石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、采用实施例6中的常压化学气相沉积法制备石墨烯薄膜；将0.6mg碳纳米管粉末加入30mL的邻二氯苯中，然后放入超声清洗机中连续超声8小时，得到均匀稳定的0.02mg/mL的碳纳米管分散液；所述碳纳米管的面密度约为1根/um2；
步骤二、将0.01mL的碳纳米管分散液通过滴定涂膜均匀分散于石墨烯薄膜上，然后置于管式炉中惰性气氛下400℃热处理3分钟除去溶剂，得到铜箔-石墨烯-碳纳米管材料；
步骤三、将铜箔-石墨烯-碳纳米管材料进行质子束辐照处理；所述质子束的辐照能量为170KeV，辐照剂量为5×1013P·cm-2，辐照密度为1012P·s-1·cm-2；
步骤四、将电子束辐照处理后的铜箔-石墨烯-碳纳米管材料浸泡于0.1mol/L的FeCl3溶液中刻蚀10小时除去铜箔，刻蚀过程中用滴管将铜箔底层的不完整石墨烯吹除；然后将漂浮于刻蚀液上复合薄膜用表面皿(直径40mm)捞至去离子水中洗去残留刻蚀液，得到纯碳复合薄膜；复合薄膜的透光性(在550nm处)为94.28％；薄层电阻为1.923KΩ/sq。
实施例8：
一种石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、取石英载片分别在乙醇、去离子水中超声后置60℃恒温真空干燥箱中干燥备用；将铜箔用辊压机压平整，浸入硝酸溶液中(5.4％(w/w))预处理30s以除去铜箔上的杂质颗粒，之后用去离子水清洗，自然晾干；将铜箔用辊压机压平整、剪切为2×2cm大小作为基底，然后放于石英载片上作为石墨烯的生长基底，推至石英管外端中部加热区近热电偶位置；抽真空至约5Pa后通入第1路Ar/H2(5％的H2)混合气至常压，重复上述过程以降低氧含量，防止高温条件下铜箔被氧化；保持Ar/H2混合气550sccm流量不变，开启程序控制60min，常压下石英管恒速升温1000℃，随后保温预热处理0.5h。预热结束后用第2路Ar(80sccm)将乙醇作为碳源带入石英管内并持续通入40s，通完乙醇后保持50s用于乙醇的裂解沉积，随即快速冷却至室温得到沉积在铜箔上的石墨烯薄膜，在CVD法制备石墨烯的过程中，铜箔背面也会沉积不完整的石墨烯，应使用橡皮擦和酒精除去铜箔背面的石墨烯薄膜；将1.2mg碳纳米管粉末加入30mL的邻二氯苯中，然后放入超声清洗机中连续超声10小时，得到均匀稳定的0.04mg/mL的碳纳米管分散液；所述碳纳米管的面密度约为2根/um2；所述超声的功率为800W；将1.2mg碳纳米管粉末加入30mL的邻二氯苯中，然后放入超声清洗机中连续超声8小时，得到均匀稳定的0.04mg/mL的碳纳米管分散液；所述碳纳米管的面密度约为2根/um2；
步骤二、将0.04mL的碳纳米管分散液通过滴定涂膜均匀分散于石墨烯薄膜上，然后置于管式炉中惰性气氛下280℃热处理7分钟除去溶剂，得到铜箔-石墨烯-碳纳米管材料；
步骤三、将铜箔-石墨烯-碳纳米管材料进行中子束辐照处理；所述中子束的辐照能量为300KeV，辐照剂量为5×1012n·cm-2，辐照密度为5×1011n·s-1·cm-2；
步骤四、将电子束辐照处理后的铜箔-石墨烯-碳纳米管材料浸泡于浓度为0.1mol/L的FeCl3溶液中刻蚀9小时除去铜箔，刻蚀过程中用滴管将铜箔底层的不完整石墨烯吹除；然后将漂浮于刻蚀液上复合薄膜用表面皿捞至去离子水中洗去残留刻蚀液，得到纯碳复合薄膜；复合薄膜的透光性(在550nm处)为93.59％；薄层电阻为1.430KΩ/sq。
实施例9：
一种石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、取石英载片分别在乙醇、去离子水中超声后置60℃恒温真空干燥箱中干燥备用；将铜箔用辊压机压平整，浸入硝酸溶液中(5.4％(w/w))预处理30s以除去铜箔上的杂质颗粒，之后用去离子水清洗，自然晾干；将铜箔用辊压机压平整、剪切为3×3cm大小作为基底，然后放于石英载片上作为石墨烯的生长基底，推至石英管外端中部加热区近热电偶位置；抽真空至约5Pa后通入第1路Ar/H2(5％的H2)混合气至常压，重复上述过程以降低氧含量，防止高温条件下铜箔被氧化；保持Ar/H2混合气550sccm流量不变，开启程序控制60min，常压下石英管恒速升温1000℃，随后保温预热处理0.5h。预热结束后用第2路Ar(80sccm)将乙醇作为碳源带入石英管内并持续通入40s，通完乙醇后保持50s用于乙醇的裂解沉积，随即快速冷却至室温得到沉积在铜箔上的石墨烯薄膜，在CVD法制备石墨烯的过程中，铜箔背面也会沉积不完整的石墨烯，应使用橡皮擦和酒精除去铜箔背面的石墨烯薄膜；将1.8mg碳纳米管粉末加入30mL的邻二氯苯中，然后放入超声清洗机中连续超声8小时，得到均匀稳定的0.06mg/mL的碳纳米管分散液；所述碳纳米管的面密度约为3根/um2；
步骤二、将0.09mL的碳纳米管分散液通过滴定涂膜均匀分散于石墨烯薄膜上，然后置于管式炉中惰性气氛下350℃热处理5分钟除去溶剂，得到铜箔-石墨烯-碳纳米管材料；
步骤三、将铜箔-石墨烯-碳纳米管材料进行γ射线辐照处理；所述γ射线的辐照能量为1.25MeV，辐照剂量为150KGy，辐照密度为170Gy/min；
步骤四、将电子束辐照处理后的铜箔-石墨烯-碳纳米管材料浸泡于浓度为0.1mol/L的FeCl3溶液中刻蚀8小时除去铜箔，刻蚀过程中用滴管将铜箔底层的不完整石墨烯吹除；然后将漂浮于刻蚀液上复合薄膜用表面皿捞至去离子水中洗去残留刻蚀液，得到纯碳复合薄膜；复合薄膜的透光性(在550nm处)为93.02％；薄层电阻为1.205KΩ/sq。
实施例10：
一种石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、取石英载片分别在乙醇、去离子水中超声后置60℃恒温真空干燥箱中干燥备用；将铜箔用辊压机压平整，浸入硝酸溶液中(5.4％(w/w))预处理30s以除去铜箔上的杂质颗粒，之后用去离子水清洗，自然晾干；将铜箔用辊压机压平整、剪切为3×3cm大小作为基底，然后放于石英载片上作为石墨烯的生长基底，推至石英管外端中部加热区近热电偶位置；抽真空至约5Pa后通入第1路Ar/H2(5％的H2)混合气至常压，重复上述过程以降低氧含量，防止高温条件下铜箔被氧化；保持Ar/H2混合气550sccm流量不变，开启程序控制60min，常压下石英管恒速升温1000℃，随后保温预热处理0.5h。预热结束后用第2路Ar(80sccm)将乙醇作为碳源带入石英管内并持续通入40s，通完乙醇后保持50s用于乙醇的裂解沉积，随即快速冷却至室温得到沉积在铜箔上的石墨烯薄膜，在CVD法制备石墨烯的过程中，铜箔背面也会沉积不完整的石墨烯，应使用橡皮擦和酒精除去铜箔背面的石墨烯薄膜；将1.8mg碳纳米管粉末加入30mL的邻二氯苯中，然后放入超声清洗机中连续超声8小时，得到均匀稳定的0.06mg/mL的碳纳米管分散液；所述碳纳米管的面密度约为3根/um2；所述超声的功率为800W；
步骤二、将0.09mL的碳纳米管分散液通过电喷方法涂覆至石墨烯薄膜表面；所述电喷方法为：将碳纳米管分散液注入带不锈钢喷头的喷射容器内，然后用高压电源将电压施加在不锈钢喷头上，并利用与喷射容器连接的推进泵将喷射容器内的碳纳米管分散液通过不锈钢喷头喷射至石墨烯薄膜表面；然后置于管式炉中惰性气氛下350℃热处理5分钟除去溶剂，得到铜箔-石墨烯-碳纳米管材料；电喷方法采用的喷射条件为：环境温度为50℃，石墨烯薄膜表面与不锈钢喷头的距离为8cm，胶体喷射流量为0.05mL/h，电压为3kV，不锈钢喷头的内径为0.8mm；
步骤三、将铜箔-石墨烯-碳纳米管材料进行γ射线辐照处理；所述γ射线的辐照能量为1.25MeV，辐照剂量为150KGy，辐照密度为170Gy/min；
步骤四、将电子束辐照处理后的铜箔-石墨烯-碳纳米管材料浸泡于浓度为0.1mol/L的FeCl3溶液中刻蚀8小时除去铜箔，刻蚀过程中用滴管将铜箔底层的不完整石墨烯吹除；然后将漂浮于刻蚀液上复合薄膜用表面皿捞至去离子水中洗去残留刻蚀液，得到纯碳复合薄膜；复合薄膜的透光性(在550nm处)为94.85％；薄层电阻为1.102KΩ/sq。
实施例11：
一种石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、采用实施例8中所述步骤一的方法；
步骤二、将0.04mL的碳纳米管分散液通过电喷方法涂覆至石墨烯薄膜表面；所述电喷方法为：将碳纳米管分散液注入带不锈钢喷头的喷射容器内，然后用高压电源将电压施加在不锈钢喷头上，并利用与喷射容器连接的推进泵将喷射容器内的碳纳米管分散液通过不锈钢喷头喷射至石墨烯薄膜表面；然后置于管式炉中惰性气氛下280℃热处理7分钟除去溶剂，得到铜箔-石墨烯-碳纳米管材料；电喷方法采用的喷射条件为：环境温度为80℃，石墨烯薄膜表面与不锈钢喷头的距离为10cm，胶体喷射流量为0.07mL/h，电压为5kV，不锈钢喷头的内径为1mm；
步骤三、采用实施例8中步骤三的方法；
步骤四、采用实施例8中步骤四的方法；得到纯碳复合薄膜；复合薄膜的透光性(在550nm处)为95.16％；薄层电阻为1.205KΩ/sq。
实施例12：
一种石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、采用实施例7中所述步骤一的方法；
步骤二、将0.01mL的碳纳米管分散液通过电喷方法涂覆至石墨烯薄膜表面；所述电喷方法为：将碳纳米管分散液注入带不锈钢喷头的喷射容器内，然后用高压电源将电压施加在不锈钢喷头上，并利用与喷射容器连接的推进泵将喷射容器内的碳纳米管分散液通过不锈钢喷头喷射至石墨烯薄膜表面；然后置于管式炉中惰性气氛下400℃热处理3分钟除去溶剂，得到铜箔-石墨烯-碳纳米管材料；电喷方法采用的喷射条件为：环境温度为100℃，石墨烯薄膜表面与不锈钢喷头的距离为12cm，胶体喷射流量为0.1mL/h，电压为8kV，不锈钢喷头的内径为1.2mm；
步骤三、采用实施例7中步骤三的方法；
步骤四、采用实施例7中步骤四的方法；得到纯碳复合薄膜；复合薄膜的透光性(在550nm处)为96.58％；薄层电阻为1.515KΩ/sq。
尽管本发明的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本发明的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本发明并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。

Claims (5)

1.一种石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、取石英载片分别在乙醇、去离子水中超声后置60℃恒温真空干燥箱中干燥备用；将铜箔用辊压机压平整，浸入5.4％w/w的硝酸溶液中预处理30s以除去铜箔上的杂质颗粒，之后用去离子水清洗，自然晾干；将处理过的铜箔放于石英载片上作为石墨烯的生长基底，推至石英管外端中部加热区近热电偶位置；抽真空至约5Pa后通入第1路Ar/H2混合气至常压，其中第1路Ar/H2中含5％的H2，重复上述过程以降低氧含量，防止高温条件下铜箔被氧化；保持Ar/H2混合气550sccm流量不变；开启程序控制，常压下用时60min使石英管恒速升温至1000℃，随后保温预热处理0.5h；预热结束后用第2路流量为80sccm的Ar将乙醇作为碳源带入石英管内并持续通入40s，通完乙醇后保持50s用于乙醇的裂解沉积，随即快速冷却至室温得到沉积在铜箔上的石墨烯薄膜；将碳纳米管粉末加入邻二氯苯中，然后放入超声清洗机中连续超声，得到均匀稳定的碳纳米管分散液；所述超声的时间为6～10小时，超声的功率为600～800W；所述碳纳米管分散液的浓度为0.02～0.1mg/L；
步骤二、采用电喷方法将碳纳米管分散液涂覆至石墨烯薄膜表面；然后置于管式炉中惰性气氛下热处理除去溶剂，得到铜箔-石墨烯-碳纳米管材料；所述电喷方法为：将碳纳米管分散液注入带不锈钢喷头的喷射容器内，然后用高压电源将电压施加在不锈钢喷头上，并利用与喷射容器连接的推进泵将喷射容器内的碳纳米管分散液通过不锈钢喷头喷射至石墨烯薄膜表面；电喷方法采用的喷射条件为：环境温度为50～100℃，石墨烯薄膜表面与不锈钢喷头的距离为8～12cm，喷射流量为0.05～0.1mL/h，电压为3～8kV，不锈钢喷头的内径为0.8～1.2mm；所述热处理的温度为250～400℃，热处理的时间为3～8分钟；
步骤三、将铜箔-石墨烯-碳纳米管材料进行粒子束辐照处理；所述粒子束为中子束；所述中子束的辐照能量为300KeV，辐照剂量为5×1012～1×1014n·cm-2，辐照密度为5×1011n·s-1·cm-2；
步骤四、将粒子束辐照处理后的铜箔-石墨烯-碳纳米管材料进行刻蚀除去铜箔，得到漂浮于刻蚀液上的复合薄膜；然后将漂浮于刻蚀液上复合薄膜捞至去离子水中洗去残留刻蚀液，得到纯碳复合薄膜；所述刻蚀的方法为：将粒子束辐照处理后的铜箔-石墨烯-碳纳米管材料浸泡于浓度为0.05～0.15mol/L的FeCl3溶液中刻蚀6～10小时除去铜箔，刻蚀过程中用滴管将铜箔底层的不完整石墨烯吹除。
2.如权利要求1中所述的石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管粉末的长度为5～30um、直径<2nm、纯度>95％；所述石墨烯薄膜的透光性为95.93％、薄层电阻为2.374KΩ/sq。
3.如权利要求1中所述的石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤二中，每平方厘米的石墨烯薄膜表面均匀分散0.01mL碳纳米管分散液。
4.如权利要求1中所述的石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤三中，中子束替换为离子束、质子束和γ射线中的任意一种。
5.如权利要求4中所述的石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述离子束为碳离子束，辐照能量为40KeV，辐照剂量为1×1015～3×1017ion·cm-2，辐照密度为1013ion·s-1·cm-2；所述质子束的辐照能量为170KeV，辐照剂量为5×1013～2×1016P·cm-2，辐照密度为1012P·s-1·cm-2；所述γ射线的辐照能量为1.25MeV，辐照剂量为50～300KGy，辐照密度为170Gy/min。
CN201610600088.XA 2016-07-27 2016-07-27 石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法 Active CN106276870B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610600088.XA CN106276870B (zh) 2016-07-27 2016-07-27 石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610600088.XA CN106276870B (zh) 2016-07-27 2016-07-27 石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106276870A CN106276870A (zh) 2017-01-04
CN106276870B true CN106276870B (zh) 2019-10-25

Family

ID=57662440

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610600088.XA Active CN106276870B (zh) 2016-07-27 2016-07-27 石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106276870B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106945404B (zh) * 2017-03-30 2018-06-12 华中科技大学 基于石墨烯-碳纳米管复合结构的热喷印头及其制备方法
CN106951134A (zh) * 2017-03-31 2017-07-14 信利光电股份有限公司 一种全屏指纹识别的电容式触摸屏及其制作方法
CN106995214A (zh) * 2017-04-21 2017-08-01 北京航空航天大学 石墨烯/碳纳米管纳米叠层复合薄膜及其制备方法
CN109536917A (zh) * 2017-09-22 2019-03-29 中国科学院物理研究所 碳纳米薄膜/纳-微米网络复合薄膜的制备方法
CN109534314A (zh) * 2017-09-22 2019-03-29 中国科学院物理研究所 碳纳米薄膜/纳-微米网络复合薄膜和纤维的制备方法
CN109142466B (zh) * 2018-07-20 2022-05-20 西安交通大学 Cvd石墨烯的无污染转移工艺获得氧化石墨烯与石墨烯复合结构的气敏薄膜传感器及方法
CN109096553A (zh) * 2018-08-16 2018-12-28 安徽省汉甲机电设备科技有限公司 一种耐温、耐永久形变的高性能橡胶材料的制备方法
CN110589810A (zh) * 2019-09-30 2019-12-20 曾功昶 一种高导热柔性石墨烯薄膜垫片生产工艺
CN111170315A (zh) * 2019-12-17 2020-05-19 核工业北京化工冶金研究院 一种提高石墨烯纸力学性质和导电性的方法
CN112133571B (zh) * 2020-09-03 2022-05-06 方大炭素新材料科技股份有限公司 石墨烯交联活性炭复合膜、制备方法及超级电容器电极
CN117543041B (zh) * 2023-10-08 2024-05-28 上海弘枫实业有限公司 碳纳米管复合燃料电池石墨双极板及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102745679A (zh) * 2012-07-19 2012-10-24 南京邮电大学 三维石墨烯-碳氮纳米管复合材料的制备方法
CN103058172A (zh) * 2013-01-15 2013-04-24 清华大学 一种碳纳米管-石墨烯复合材料的制备方法
CN103787311A (zh) * 2012-10-31 2014-05-14 海洋王照明科技股份有限公司 石墨烯-碳纳米管复合薄膜及电化学电容器的制备方法
CN104036878A (zh) * 2014-06-24 2014-09-10 国家纳米科学中心 一种石墨烯和碳纳米管三维结构材料的制备方法
CN105036114A (zh) * 2015-07-29 2015-11-11 苏州捷迪纳米科技有限公司 石墨烯-碳纳米管-石墨烯复合结构及其制备方法
CN105236392A (zh) * 2015-08-28 2016-01-13 中国人民解放军国防科学技术大学 碳纳米管/石墨烯复合薄膜及其制备方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9284193B2 (en) * 2013-10-21 2016-03-15 The Penn State Research Foundation Method for preparing graphene oxide films and fibers
US20150221408A1 (en) * 2014-02-04 2015-08-06 Samsung Sdi Co., Ltd. Graphene based hybrid thin films and their applications
GB201410214D0 (en) * 2014-06-09 2014-07-23 Univ Surrey A method for graphene and carbon nanotube growth

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102745679A (zh) * 2012-07-19 2012-10-24 南京邮电大学 三维石墨烯-碳氮纳米管复合材料的制备方法
CN103787311A (zh) * 2012-10-31 2014-05-14 海洋王照明科技股份有限公司 石墨烯-碳纳米管复合薄膜及电化学电容器的制备方法
CN103058172A (zh) * 2013-01-15 2013-04-24 清华大学 一种碳纳米管-石墨烯复合材料的制备方法
CN104036878A (zh) * 2014-06-24 2014-09-10 国家纳米科学中心 一种石墨烯和碳纳米管三维结构材料的制备方法
CN105036114A (zh) * 2015-07-29 2015-11-11 苏州捷迪纳米科技有限公司 石墨烯-碳纳米管-石墨烯复合结构及其制备方法
CN105236392A (zh) * 2015-08-28 2016-01-13 中国人民解放军国防科学技术大学 碳纳米管/石墨烯复合薄膜及其制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Development of an ultra-thin film comprised of a graphene membrane and carbon nanotube vein support;Xiaoyang Lin et al.;《nature communications》;20131220;第4卷;"Methods"部分 *
Single-Walled Carbon-Nanotube Networks on Large-Area Glass Substrate by the Dip-Coating Method;Eui Yun Jang et al.;《small》;20081230;第4卷;"4 Experimental Section"部分 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN106276870A (zh) 2017-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106276870B (zh) 石墨烯-碳纳米管纯碳复合薄膜的制备方法
Dey et al. Plasma engineering of graphene
Lin et al. Copper nanoparticles with near-unity, omnidirectional, and broadband optical absorption for highly efficient solar steam generation
Tong et al. Graphene based materials and their composites as coatings
US8858776B2 (en) Preparation of graphene sheets
CN108698849B (zh) 通过在悬浮的非负载型石墨烯纳米片上生长氧化锌纳米棒或微米棒获得的石墨烯基复合纳米结构的生产
Wang et al. Efficient surface modification of carbon nanotubes for fabricating high performance CNT based hybrid nanostructures
Zhu et al. Assembly and benign step-by-step post-treatment of oppositely charged reduced graphene oxides for transparent conductive thin films with multiple applications
Park et al. Sonochemical hybridization of carbon nanotubes with gold nanoparticles for the production of flexible transparent conducing films
Patil et al. Single step hydrothermal synthesis of hierarchical TiO 2 microflowers with radially assembled nanorods for enhanced photovoltaic performance
CN103395240B (zh) 碳纳米复合材料的制备方法以及相应碳纳米复合材料
US9365428B2 (en) Graphene nanoribbons and methods
CN106995214A (zh) 石墨烯/碳纳米管纳米叠层复合薄膜及其制备方法
Li et al. Chemically modified and doped carbon nanotube-based nanocomposites with tunable thermal conductivity gradient
Kanada et al. Synthesis of multiwalled carbon nanocoils using codeposited thin film of Fe–Sn as catalyst
Pelicano et al. pH-controlled surface engineering of nanostructured ZnO films generated via a sustainable low-temperature H2O oxidation process
Zafar et al. Plasma-based synthesis of graphene and applications: a focused review
Sun et al. MXenes—An emerging class of 2D materials for solar water desalination: feasibility and recent advances
Chhetri et al. Flexible graphite nanoflake/polydimethylsiloxane nanocomposites with promising solar–thermal conversion performance
Chen et al. Two-step thermal treatment of electrochemical graphene oxide films for high-performance electrical heating and electromagnetic interference shielding
Chen et al. Nickel Foam@ Reduced Graphene Oxide–Carbon Nanotube Composite as an Efficient Solar Evaporator for Water Purification and Electricity Generation
Kamalov et al. Synthesis of composite based on carbon nanotubes and anodic titania
TW201522213A (zh) 高分散性石墨烯有機溶液之製造方法及其應用
Wang et al. Growth of tungsten oxide on carbon nanowalls templates
Saleque et al. Localized surface plasmon resonance induced temperature enhancement by MWCNT-HfTe2 van der Waals heterostructure

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant