CN106255347A - Fpc孔金属化工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种FPC孔金属化工艺,其包括如下步骤,PI调整、水洗、DMSE工艺。本发明提供的FPC孔金属化工艺的PI调整步骤可以使FPC常用的各类基材中的介质层的孔壁表面得以粗化,有效吸附高分子导电物质,降低导体铜层之间电阻,为后续DMSE工艺提供有效保障。
Description
技术领域
本发明涉及电路板技术领域,尤其涉及一种FPC孔金属化工艺。
背景技术
现有的FPC,其结构包括基材介质层及设置在基材介质层两面的导体铜层,传统FPC孔金属化工艺,主要是使介质层孔处均匀涂布一层导电物质,再通过镀铜工艺的电化学反应,使介质层沉积一层金属铜,将上下两层导体铜层连接导通,形成良好的电气导体。
目前业内的高分子导电膜孔金属工艺(DMSE工艺),其流程如下:调整——水洗——氧化——水洗——催化——水洗烘干,其目的在介质层孔处吸附涂布一层高分子导电物质,为纳米级涂层,但是,其涂层极薄,电阻相对较大,尤其一些挠性电路板基材的介质层处经钻孔后微观下极为光滑,吸附导电物质困难,造成两层导体铜层之间电阻过大,甚至开路不导通。因电阻过大或开路情况下,介质层处无电流导通或电流过小,在镀铜工艺时无法产生电化学反应或电化学反应不良,而引起孔铜导通不良问题,为此无法广泛应用所有FPC基材。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提供一种FPC孔金属化工艺,可以广泛应用于各类FPC基材。
为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:提供一种FPC金属化工艺,其包括如下步骤,
S1、PI调整,使温度在45-55℃之间,处理时间为2-6min,PI调整剂浓度为400-600ml/L,KOH浓度为40-60g/L;
S2、水洗;
S3、DMSE工艺。
本发明的有益效果在于:本发明的FPC孔金属化工艺的PI调整步骤可以使FPC常用的各类基材中的介质层的孔壁表面得以粗化,有效吸附高分子导电物质,降低导体铜层之间电阻,为后续DMSE工艺提供有效保障。
附图说明
图1为本发明实施例的FPC孔金属化工艺的流程框图。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、构造特征、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图详予说明。
本发明最关键的构思在于:本发明的工艺,可以使FPC常用的各类基材中的介质层的孔壁表面得以粗化,有效吸附高分子导电物质。
请参阅图1,本发明FPC孔金属化工艺,其包括如下步骤,
S1、PI调整,使温度在50-60℃之间,处理时间为2-6min,PI调整剂浓度为400-600ml/L,KOH浓度为40-60g/L;
S2、水洗;
S3、DMSE工艺。
从上述描述可知,本发明的有益效果在于:本发明的FPC孔金属化工艺的PI调整步骤可以使FPC常用的各类基材中的介质层的孔壁表面得以粗化,有效吸附高分子导电物质,降低导体铜层之间电阻,为后续DMSE工艺提供有效保障。
进一步的,所述PI调整剂是KOH12.5%-15%、联氨7.0%-10%的混合溶液。
进一步的,所述步骤S2为二级溢流水洗。
实施例一
请参照图1,本发明的实施例一为:本实施例的FPC孔金属化工艺,包括如下步骤,
S1、PI调整,使温度在50-60℃之间,处理时间为2-6min,PI调整剂浓度为400-600ml/L,KOH浓度为40-60g/L;
S2、水洗;
S3、DMSE工艺。
所述PI调整剂是KOH12.5%-15%、联氨7.0%-10%的混合溶液。
进一步的,所述步骤S2为二级溢流水洗。
综上所述,本发明提供的FPC孔金属化工艺的PI调整步骤可以使FPC常用的各类基材中的介质层的孔壁表面得以粗化,有效吸附高分子导电物质,降低导体铜层之间电阻,为后续DMSE工艺提供有效保障,能够适用于各种FPC基材。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换,或直接或间接运用在相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (3)
1.一种FPC孔金属化工艺,其特征在于,其包括如下步骤,
S1、PI调整,使温度在45-55℃之间,处理时间为2-6min,PI调整剂浓度为400-600ml/L,KOH浓度为40-60g/L;
S2、水洗;
S3、DMSE工艺。
2.根据权利要求1所述的FPC孔金属化工艺,其特征在于,所述PI调整剂是KOH12.5%-15%、联氨7.0%-10%的混合溶液。
3.根据权利要求1或2所述的FPC孔金属化工艺,其特征在于,所述步骤S2为二级溢流水洗。
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2016
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