CN106252530A - 一种隔离水氧的qled封装方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种隔离水氧的QLED的封装方法，该方法是在普通QLED上喷涂一层试剂，形成超疏水层，阻止湿气氧气渗透进入QLED内部结构，起到良好的保护效果，同时不影响其器件性能，优于其他常见封装方法。

Description

一种隔离水氧的QLED封装方法
技术领域
本发明涉及一种隔离水氧的QLED封装方法。
背景技术
现在量子点LED、有机LED的研究有了不小的进展，其发光色度优于常规LED、等离子显示，同时更适用于透明、柔性显示的应用。然而现在的QLED、OLED的发光寿命都由于受到环境中水汽、氧气的影响而急剧减少，因此LED的封装显得尤为重要。目前的封装一是难以达到高度隔离水氧的效果，二是其封装对透明、柔性显示有负面影响。
发明内容
发明目的：本发明所要解决的技术问题是：提供一种隔离水氧的QLED的封装方法，阻止湿气氧气渗透进入QLED内部结构，起到良好的保护效果，达到封装效果，同时不影响其器件性能。
技术方案：一种隔离水氧的QLED的封装方法，所述方法是在普通QLED上喷涂一层试剂，由于其封装后良好的超疏水性可以阻止湿气氧气渗透进入QLED内部结构，起到良好的保护效果。
作为本发明的优选方式，所述试剂材料为(1H,1H,2H,2H-十七氟癸基)膦酸、三氧化二铝纳米颗粒。
作为本发明的改进，所述试剂溶剂为异丙醇作为本发明的进一步改进，所述喷涂气体为N2。
有益效果：与现有技术相比，本发明的QLED封装方法利用试剂喷涂后形成的超疏水性层，隔离了水汽与氧气，大大增加了器件发光寿命，同时没有影响器件性能。
具体实施方式
方式1.在ITO基板上依次旋涂PEDOT：PSS、PVK、CDZnSeS-ZnS QDs、ZnO，之后镀铝电极，得到常见QLED器件。
方式2.在方式1的基础上，用(1H,1H,2H,2H-十七氟癸基)膦酸、三氧化二铝纳米颗粒加入异丙醇溶剂配置然后超声得到封装试剂，用N2气体在一定压力下对QLED进行喷涂，沉积后得到最后器件。
将上述方式1、2得到的器件在水中进行发光测试。方式2得到的器件即本发明所述器件发光寿命良好，证明其封装隔离水氧效果好。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (3)

1.一种隔离水氧的QLED封装方法，包括常规LED结构，在ITO基板上依次旋涂PEDOT：PSS、PVK、CDZnSeS-ZnS QDs、ZnO，之上镀铝电极。所述在常规QLED结构上用封装试剂对其进行喷涂，进行封装。其特征在于，所述封装方法为在其原有QLED结构上喷涂形成一层超疏水层。
2.根据权利要求1所述的一种QLED封装方法，其特征在于：所述封装试剂材料为(1H,1H,2H,2H-十七氟癸基)膦酸、三氧化二铝纳米颗粒，溶剂为异丙醇。
3.根据权利要求1所述的一种QLED封装方法，其特征在于：所述封装方法为用N2气体喷涂。
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